Led顯示裝置、led驅(qū)動(dòng)芯片及其輸出驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于LED驅(qū)動(dòng)【技術(shù)領(lǐng)域】，提供了LED顯示裝置、LED驅(qū)動(dòng)芯片及其輸出驅(qū)動(dòng)電路。在LED驅(qū)動(dòng)芯片的輸出驅(qū)動(dòng)電路中，由電壓輸入控制模塊根據(jù)參考電壓源輸出的漏電壓和輸出模塊的第二受控端的電壓向開(kāi)關(guān)控制模塊輸出第一電壓和第二電壓，開(kāi)關(guān)控制模塊對(duì)第一電壓和第二電壓進(jìn)行運(yùn)算放大處理，并根據(jù)邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)器輸出的使能信號(hào)控制輸出模塊開(kāi)啟或關(guān)閉電流輸出，輸出模塊在開(kāi)啟電流輸出時(shí)根據(jù)其第二受控端的電壓和參考電壓源輸出的門電壓控制輸出電流值，當(dāng)開(kāi)關(guān)控制模塊的第一輸入端出現(xiàn)過(guò)沖電壓時(shí)，所述電壓輸入控制模塊將該過(guò)沖電壓進(jìn)行泄放，從而使參考電壓源的漏電壓保持穩(wěn)定，且不影響LED的輸出電流值。
【專利說(shuō)明】LED顯示裝置、LED驅(qū)動(dòng)芯片及其輸出驅(qū)動(dòng)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于LED驅(qū)動(dòng)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種LED顯示裝置、LED驅(qū)動(dòng)芯片及其輸 出驅(qū)動(dòng)電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，LED顯示屏的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，用戶對(duì)畫(huà)面顯示質(zhì)量的要求越來(lái)越高， 而LED驅(qū)動(dòng)芯片的性能與顯示屏的影像的真實(shí)性和一致性密切相關(guān)，在很大程度上決定了 LED顯示屏的應(yīng)用環(huán)境和顯示效果。為了增強(qiáng)LED顯示屏的低灰度顯示色彩真實(shí)性和畫(huà)面 播放的流暢度，需要較高的刷新率，而高刷新率則需要大幅度縮短芯片輸出電流脈沖寬度 至數(shù)十納秒，因此要求LED驅(qū)動(dòng)芯片輸出電流時(shí)具有很快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度。
[0003] 在LED驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)切換時(shí)，會(huì)在LED顯示屏系統(tǒng)中產(chǎn)生 較大的交流信號(hào)響應(yīng)，其主要是電壓突波，電壓突波容易干擾系統(tǒng)顯示畫(huà)面的控制信號(hào)、力口 劇系統(tǒng)電磁干擾，嚴(yán)重時(shí)還會(huì)損壞系統(tǒng)元器件，并影響LED顯示屏的工作穩(wěn)定性，因此，減 小LED驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)切換時(shí)所產(chǎn)生的電壓突波成為L(zhǎng)ED顯示屏和 LED驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵問(wèn)題之一。
[0004] 圖1示出了 LED顯示屏中的LED驅(qū)動(dòng)芯片的應(yīng)用原理圖，LED顯示屏的系統(tǒng)電源 100的LED電源端Vm向LED提供電源、IC電源端V rc為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)芯片提供電源，200是LED 驅(qū)動(dòng)芯片300的邏輯信號(hào)發(fā)生器，LED驅(qū)動(dòng)芯片300中包括多個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)電路Il?In (η 為正整數(shù))，電感Lp是LED電源線上的寄生電感，LEDl?LEDn是LED驅(qū)動(dòng)芯片300的電流 輸出端口的LED燈，電阻RI用于設(shè)定LED驅(qū)動(dòng)芯片300的輸出電流值，電容C d和電容Cf為 系統(tǒng)電源濾波電容。當(dāng)通過(guò)邏輯信號(hào)發(fā)生器200的使能信號(hào)輸出端EN控制LEDl?LEDn 關(guān)閉時(shí)，電感Lp中的電流發(fā)生突變，根據(jù)電感Lp兩端電壓' 和電流L特性公式：

【權(quán)利要求】
1. 一種LED驅(qū)動(dòng)芯片的輸出驅(qū)動(dòng)電路，與所述LED驅(qū)動(dòng)芯片中的參考電壓源連接，所述 參考電壓源的偏置電壓端、漏電壓端及門電壓端分別輸出偏置電壓、漏電壓及門電壓，所述 輸出驅(qū)動(dòng)電路分別從所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的電源端和使能端接入供電電壓和使能信號(hào)，所述 LED驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端口驅(qū)動(dòng)LED工作；其特征在于，所述輸出驅(qū)動(dòng)電路包括： 電壓輸入控制模塊、開(kāi)關(guān)控制模塊及輸出模塊； 所述電壓輸入控制模塊的輸入端連接所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的電源端，所述電壓輸入控 制模塊的第一受控端和第二受控端分別連接所述參考電壓源的偏置電壓端和漏電壓端，所 述開(kāi)關(guān)控制模塊的第一輸入端和第二輸入端分別連接所述電壓輸入控制模塊的第一輸出 端和第二輸出端，所述開(kāi)關(guān)控制模塊的使能端連接所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的使能端，所述開(kāi)關(guān) 控制模塊的第一開(kāi)關(guān)控制端和第二開(kāi)關(guān)控制端分別連接所述輸出模塊的第一受控端和第 二受控端，所述輸出模塊的第二受控端還連接所述電壓輸入控制模塊的第三受控端，所述 輸出模塊的電流受控端連接所述參考電壓源的門電壓端，所述輸出模塊的輸出端作為所述 LED驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端口； 所述電壓輸入控制模塊根據(jù)所述漏電壓和所述輸出模塊的第二受控端的電壓向所述 開(kāi)關(guān)控制模塊輸出第一電壓和第二電壓，所述開(kāi)關(guān)控制模塊對(duì)所述第一電壓和所述第二電 壓進(jìn)行運(yùn)算放大處理，并根據(jù)所述使能信號(hào)控制所述輸出模塊開(kāi)啟或關(guān)閉電流輸出，所述 輸出模塊在開(kāi)啟電流輸出時(shí)根據(jù)其第二受控端的電壓和所述門電壓控制輸出電流值；當(dāng)所 述開(kāi)關(guān)控制模塊的第一輸入端出現(xiàn)過(guò)沖電壓時(shí)，所述電壓輸入控制模塊將所述過(guò)沖電壓進(jìn) 行泄放。
2. 如權(quán)利要求1所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電壓輸入控制模塊包括： PMOS管MP1、PMOS管MP2、PNP型三極管Q1及PNP型三極管Q2 ; 所述PMOS管MP1的源極與所述PMOS管MP2的源極的共接點(diǎn)為所述電壓輸入控制模塊 的輸入端，所述PMOS管MP1的柵極與所述PMOS管MP2的柵極的共接點(diǎn)為所述電壓輸入控 制模塊的第一受控端，所述PMOS管MP1的漏極與所述PNP型三極管Q1的發(fā)射極的共接點(diǎn) 為所述電壓輸入控制模塊的第一輸出端，所述PMOS管MP2的漏極與所述PNP型三極管Q2 的發(fā)射極的共接點(diǎn)為所述電壓輸入控制模塊的第二輸出端，所述PNP型三極管Q1的基極和 所述PNP型三極管Q2的基極分別為所述電壓輸入控制模塊的第二受控端和第三受控端，所 述PNP型三極管Q1的集電極和所述PNP型三極管Q2的集電極共接于地。
3. 如權(quán)利要求1所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)控制模塊包括： 運(yùn)算放大器、第一開(kāi)關(guān)管及第二開(kāi)關(guān)管； 所述運(yùn)算放大器的同相輸入端和反相輸入端分別為所述開(kāi)關(guān)控制模塊的第一輸入端 和第二輸入端，所述運(yùn)算放大器的使能端與所述第一開(kāi)關(guān)管的控制端以及所述第二開(kāi)關(guān)管 的控制端所形成的共接點(diǎn)為所述開(kāi)關(guān)控制模塊的使能端，所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述 第二開(kāi)關(guān)管的高電位端的共接點(diǎn)為所述開(kāi)關(guān)控制模塊的第一開(kāi)關(guān)控制端，所述第一開(kāi)關(guān)管 的高電位端為所述開(kāi)關(guān)控制模塊的第二開(kāi)關(guān)控制端，所述第一開(kāi)關(guān)管的低電位端與所述第 二開(kāi)關(guān)管的低電位端共接于地。
4. 如權(quán)利要求3所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)管為NM0S管麗1， 所述NM0S管麗1的柵極、漏極和源極分別為所述第一開(kāi)關(guān)管的控制端、高電位端和低電位 端； 所述第二開(kāi)關(guān)管為NMOS管MN2,所述NMOS管MN2的柵極、漏極和源極分別為所述第二 開(kāi)關(guān)管的控制端、高電位端和低電位端。
5. 如權(quán)利要求1所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述輸出模塊包括第三開(kāi)關(guān)管和 NMOS管MN4,所述第三開(kāi)關(guān)管的控制端和高電位端分別為所述輸出模塊的第一受控端和輸 出端，所述第三開(kāi)關(guān)管的低電位端與所述NMOS管MN4的漏極的共接點(diǎn)為所述輸出模塊的第 二受控端，所述NMOS管MN4的柵極為所述輸出模塊的電流受控端，所述NMOS管MN4的源極 接地。
6. 如權(quán)利要求5所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第三開(kāi)關(guān)管為NMOS管MN3,所 述NMOS管MN3的柵極、漏極和源極分別為所述第三開(kāi)關(guān)管的控制端、高電位端和低電位端。
7. -種LED驅(qū)動(dòng)芯片，其特征在于，所述LED驅(qū)動(dòng)芯片包括參考電壓源和多個(gè)如權(quán)利要 求1至6任一項(xiàng)所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路，
8. -種LED顯示裝置，其特征在于，所述LED顯示裝置包括LED和如權(quán)利要求7所述的 LED驅(qū)動(dòng)芯片。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104349538SQ201310341913
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月7日
【發(fā)明者】陳克勇, 李照華, 符傳匯, 戴文芳, 石磊 申請(qǐng)人:深圳市明微電子股份有限公司