一種基于ncsp封裝技術(shù)的封裝裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種基于NCSP封裝技術(shù)的封裝裝置，它涉及CSP封裝工藝領(lǐng)域，鋼板表面覆蓋一層UV膜，UV膜上蒸鍍上相應(yīng)面積的銅層，銅層表面蒸鍍上同等面積的鎳層，鎳層上蒸鍍銀層，銀層的上方設(shè)置有錫膏，倒裝芯片貼固在錫膏表面，銀層厚度為2.0?3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產(chǎn)品固晶區(qū)域，倒裝芯片的上部封裝有熒光膠，形成一個半成品，半成品的四周設(shè)置有一圈圓形蒸鍍銅層。它通過蒸鍍工藝來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的基板，其總厚度約為60um，芯片底部焊盤與基板緊密的結(jié)合，正負(fù)級焊盤中間區(qū)域也被熒光膠所填充，從而避免了NCSP燈珠在冷熱交替環(huán)境下使用自身所產(chǎn)生應(yīng)力而導(dǎo)致芯片受損，燈珠死燈現(xiàn)象。
【專利說明】
一種基于NCSP封裝技術(shù)的封裝裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種基于NCSP封裝技術(shù)的封裝裝置，屬于CSP封裝工藝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]典型的CSP封裝技術(shù)，不再需要額外的次級基板或是導(dǎo)線架，直接貼合在載板上，因此業(yè)界還稱之為白光芯片，免去封裝基板后，封裝體面積進(jìn)一步縮小，提高出光角度和光密度，不僅如此，還把傳統(tǒng)倒裝芯片封裝技術(shù)中固晶工藝所需的金錫共晶焊接變?yōu)榈统杀镜臒o鉛焊錫焊接，進(jìn)一步降低封裝成本;就目前封裝技術(shù)來看，完全免基板暫時不易實(shí)現(xiàn)，當(dāng)前絕大部分企業(yè)在生產(chǎn)CSP產(chǎn)品時，多會采用帶基板的倒裝焊技術(shù)；因此，從嚴(yán)格意義上分析，市場上大部分CSP可以歸結(jié)于NCSP產(chǎn)品，現(xiàn)有的CSP封裝是基于倒裝技術(shù)而存在的，隨著LED在材料、工藝、封裝制程技術(shù)等方面的研究不斷進(jìn)步，尤其是倒裝芯片的逐漸成熟與熒光粉涂覆技術(shù)的多樣化，同時為滿足應(yīng)用市場對LED器件小型化需求，源于硅半導(dǎo)體技術(shù)的芯片級封裝技術(shù)衍生出帶基板芯片級封裝，為LED白光封裝形態(tài)帶來新選擇。
[0003]NCSP技術(shù)依靠倒裝結(jié)構(gòu)的芯片，將倒裝芯片通過共晶焊技術(shù)焊接在陶瓷或柔性基板上，再將熒光粉層涂覆在作為出光窗口的藍(lán)寶石及芯片四周側(cè)壁上，形成五面發(fā)光型光源;現(xiàn)有的基板多采用銅材與膠材結(jié)合的形式組成，由于倒裝芯片底部焊盤面積通常為對等設(shè)計(jì)，與基板上的銅材結(jié)合是通過錫膏作為電極傳導(dǎo)介質(zhì)，共晶時需要在260°左右環(huán)境下進(jìn)行，在燈珠使用時可能會面臨高溫和低溫的環(huán)境交替，由此一來，基板上的膠材會發(fā)生熱脹冷縮的應(yīng)力現(xiàn)象，從而推擠和拉扯基板上的銅材，繼而導(dǎo)致基板拉扯芯片焊盤致使芯片損傷而造成燈珠死燈。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述問題，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種基于NCSP封裝技術(shù)的封駐駐罟
ο
[0005]本實(shí)用新型的一種基于NCSP封裝技術(shù)的封裝裝置，它包含鋼板1、UV膜2、第一銅層
3、鎳層4、銀層5、錫膏6、倒裝芯片7、熒光膠8和圓形蒸鍍銅層9，鋼板I表面覆蓋一層UV膜2，UV膜2上蒸鍍上相應(yīng)面積的銅層3，所述的銅層3的厚度為20-30um，銅層3表面蒸鍍上同等面積的鎳層4，所述的鎳層4厚度20-30um，鎳層4上蒸鍍銀層5，銀層5的上方設(shè)置有錫膏6，倒裝芯片7貼固在錫膏6表面，所述的銀層5厚度為2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產(chǎn)品固晶區(qū)域B，倒裝芯片7的上部封裝有熒光膠8，形成一個半成品，半成品的四周設(shè)置有一圈圓形蒸鍍銅層9。
[0006]作為優(yōu)選，所述的銀層5面積略大于倒裝芯片7底部焊盤面積。
[0007]本新型中的NCSP的封裝裝置的制備工藝包含蒸鍍基板工藝、固晶工藝、熒光膠涂布工藝和產(chǎn)品切割工藝。
[0008]本實(shí)用新型的有益效果:它通過蒸鍍工藝來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的基板，其總厚度約為60um，芯片底部焊盤與基板緊密的結(jié)合，正負(fù)級焊盤中間區(qū)域也被熒光膠所填充，從而避免了NCSP燈珠在冷熱交替環(huán)境下使用自身所產(chǎn)生應(yīng)力而導(dǎo)致芯片受損，燈珠死燈現(xiàn)象。
[0009]【附圖說明】
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[0010]為了易于說明，本實(shí)用新型由下述的具體實(shí)施及附圖作以詳細(xì)描述。
[0011 ]圖1為本實(shí)用新型中NCSP基板形態(tài)正視圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型中NCSP結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。
[0013]1-鋼板;2-UV膜;3-第一銅層;4-鎳層;5_銀層;6_錫膏；7_倒裝芯片；8-熒光膠;9-圓形蒸鍍銅層。
[0014]【具體實(shí)施方式】:
[0015]如圖1-2所示，本【具體實(shí)施方式】采用以下技術(shù)方案:它包含鋼板1、UV膜2、第一銅層
3、鎳層4、銀層5、錫膏6、倒裝芯片7、熒光膠8和圓形蒸鍍銅層9，鋼板I表面覆蓋一層UV膜2，UV膜2上蒸鍍上相應(yīng)面積的銅層3，所述的銅層3的厚度為20-30um，銅層3表面蒸鍍上同等面積的鎳層4，所述的鎳層4厚度20-30um，鎳層4上蒸鍍銀層5，銀層5的上方設(shè)置有錫膏6，倒裝芯片7貼固在錫膏6表面，所述的銀層5厚度為2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產(chǎn)品固晶區(qū)域B，倒裝芯片7的上部封裝有熒光膠8，形成一個半成品，半成品的四周設(shè)置有一圈圓形蒸鍍銅層9。
[0016]作為優(yōu)選，所述的銀層5面積略大于倒裝芯片7底部焊盤面積。
[0017]本【具體實(shí)施方式】中的NCSP的封裝裝置的制備工藝包含蒸鍍基板工藝、固晶工藝、熒光膠涂布工藝和產(chǎn)品切割工藝。
[0018]本【具體實(shí)施方式】的制備原理為:蒸鍍基板工藝是利用0.1-0.2mmm厚度鋼板I作為基板載體，表面覆蓋一層UV膜2，根據(jù)倒裝芯片7焊盤的面積大小使用蒸鍍工藝在UV膜2上蒸鍍上相應(yīng)面積的銅層3，銅層3厚度控制在20-30um，然后在銅層3表面蒸鍍上同等面積的鎳層4，鎳層4厚度20-30um，最后在鎳層4上蒸鍍銀層5，其銀層5面積略大于倒裝芯片7底部焊盤面積，厚度2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產(chǎn)品固晶區(qū)域B，由此區(qū)域面積所延伸形成的CSP產(chǎn)品外形進(jìn)行陣列蒸鍍排布，產(chǎn)品與產(chǎn)品接合處蒸鍍切割定位圓銅層9;所述的固晶工藝是使用錫膏印刷機(jī)在基板銀層5上進(jìn)行刷錫作業(yè)，然后使用固晶機(jī)將倒裝芯片7貼固在錫膏6表面，最后使用共晶爐設(shè)備進(jìn)行共晶作業(yè)，讓倒裝芯片7與基板銀層5很好焊接起來，起到導(dǎo)電和散熱作用;所述的熒光膠涂布工藝是將固晶完畢的基板放置在熒光膠制模機(jī)上，通過調(diào)配好熒光膠8成份，將其注入到模具型腔中，最后利用模機(jī)工藝將熒光膠涂布在基板上;所述的產(chǎn)品切割工藝是將涂布完成的連片半成品上的鋼板I從UV膜上2撕下來，然后將半成品放置在切割機(jī)上，通過切割定位圓形蒸鍍銅層9標(biāo)示將連片半成品切割成單體NCSP產(chǎn)品，最后再通過UV解膠方式將UV膜2去除來得到最終形態(tài)的NCSP產(chǎn)品。
[0019]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于NCSP封裝技術(shù)的封裝裝置，其特征在于:它包含鋼板(I)、UV膜(2)、第一銅層(3)、鎳層(4)、銀層(5)、錫膏(6)、倒裝芯片(7)、熒光膠(8)和圓形蒸鍍銅層(9)，鋼板(I)表面覆蓋一層UV膜(2)，UV膜(2)上蒸鍍上相應(yīng)面積的銅層(3)，所述的銅層(3)的厚度為20-30um，銅層(3)表面蒸鍍上同等面積的鎳層(4)，所述的鎳層(4)厚度20-30um，鎳層(4)上蒸鍍銀層(5)，銀層(5)的上方設(shè)置有錫膏(6)，倒裝芯片(7)貼固在錫膏(6)表面，所述的銀層(5)厚度為2.0-3.0um，三種蒸鍍層疊加在一起形成一個產(chǎn)品固晶區(qū)域(B)，倒裝芯片(7)的上部封裝有熒光膠(8)，形成一個半成品，半成品的四周設(shè)置有一圈圓形蒸鍍銅層(9)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于NCSP封裝技術(shù)的封裝裝置，其特征在于:所述的銀層(5)面積略大于倒裝芯片(7)底部焊盤面積。
【文檔編號】H01L33/48GK205723615SQ201620593650
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】李俊東, 張仲元, 張鐘文, 柳歡, 王鵬輝
【申請人】深圳市斯邁得半導(dǎo)體有限公司