本發明的一個方式涉及一種包括氧化物半導體的半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置及其制造方法。注意，本發明的一個方式不局限于上述
技術領域：
：。本說明書等所公開的發明的一個方式的
技術領域：
：涉及一種物體、方法或制造方法。另外，本發明的一個方式涉及一種工序(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(compositionofmatter)。具體而言，本說明書所公開的本發明的一個方式的
技術領域：
：的例子包括半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明裝置、蓄電裝置、存儲裝置、它們的驅動方法以及它們的制造方法。在本說明書等中，半導體裝置是指能夠通過利用半導體特性而工作的裝置。晶體管及半導體電路是半導體裝置的一個方式。存儲裝置、顯示裝置或電子設備有時包含半導體裝置。
背景技術：
：：使用形成在具有絕緣表面的襯底上的半導體膜形成晶體管的技術受到關注。該晶體管被廣泛地應用于如集成電路(IC)或圖像顯示裝置(顯示裝置)等電子設備。作為可以應用于晶體管的半導體薄膜，硅類半導體材料被周知。作為其他材料，氧化物半導體受到關注。例如，專利文獻1公開了一種晶體管，該晶體管的活性層包括包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的非晶氧化物半導體。對于顯示裝置，除了厚度及重量的降低之外，柔性或耐沖擊性的提高也被期待。例如，專利文獻2公開了在薄膜襯底上設置有有機EL元件及用作開關元件的晶體管的柔性有源矩陣型發光裝置。[參考文獻][專利文獻][專利文獻1]日本專利申請公開2006-165528號公報[專利文獻2]日本專利申請公開2003-174153號公報技術實現要素：在柔性顯示裝置的制造工序中，當使用硬質襯底時不會發生問題的微細的不良部分有可能擴大，而使成品率降低。此外，該不良部分有時在顯示裝置完成后因彎曲或撓曲而擴大，而使顯示品質及可靠性降低。因此，在柔性顯示裝置的制造方法中，優選使用適當的材料的組合或加工方法使得工序中途的制造物中不產生微細的不良部分。本發明的一個方式的目的是提供一種顯示品質高的顯示裝置。另一目的是提供一種可靠性高的顯示裝置。另一目的是提供一種新穎的顯示裝置。此外，另一目的是提供一種新穎的半導體裝置等。另一目的是提供一種上述顯示裝置的制造方法。注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。在本發明的一個方式中，并不一定必須要實現所有上述目的。可以從說明書、附圖、權利要求書等的記載得知并抽出其他的目的。本發明的一個方式涉及包括使用氧化物半導體層的晶體管的柔性顯示裝置以及該柔性顯示裝置的制造方法。本發明的一個方式是一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置包括：第一元件層及第二元件層，第一元件層和第二元件層中的一方包括像素部及電路部，另一方包括著色層及遮光層。該像素部包括具有氧化物半導體層的第一晶體管及顯示元件，該電路部包括具有氧化物半導體層的第二晶體管。該制造方法包括如下步驟：在第一襯底上形成第一有機樹脂層的工序；在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜的工序；在第一絕緣膜上形成第一元件層的工序；在第二襯底上形成第二有機樹脂層的工序；在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜的工序；在第二絕緣膜上形成第二元件層的工序；以將第一元件層及第二元件層密封的方式貼合第一襯底與第二襯底的工序；使第一有機樹脂層與第一襯底之間的附著性降低而分離第一襯底的工序(第一分離工序)；利用第一粘合層貼合第一有機樹脂層與第一柔性襯底的工序；使第二有機樹脂層與第二襯底之間的附著性降低而分離第二襯底的工序(第二分離工序)；以及，利用第二粘合層貼合第二有機樹脂層與第二柔性襯底的工序。在本說明書中，“第一”、“第二”等序數詞是為了避免構成要素之間的混淆而使用的，由此，這些序數詞在數目方面上不限制構成要素。第一有機樹脂層及第二有機樹脂層可以使用選自環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰胺-酰亞胺樹脂的材料來形成。優選使用線狀的準分子激光進行照射來降低上述第一有機樹脂層與上述第一襯底之間的附著性以及上述第二有機樹脂層與上述第二襯底之間的附著性。上述準分子激光優選是將從多個振蕩器發出的激光合成而得到的激光。優選以上述第一柔性襯底與滾筒的曲面接觸的方式進行上述第二分離工序。第一絕緣膜及第二絕緣膜優選包含氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。作為氧化物半導體層，可以使用In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)。氧化物半導體層優選具有c軸取向的結晶。作為顯示元件，可以使用有機EL元件。本發明的另一個方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括如下構成要素：第一柔性襯底；第一粘合層；第一有機樹脂層；第一絕緣膜；包括像素部及電路部的第一元件層，該像素部包括具有氧化物半導體層的第一晶體管及顯示元件，該電路部包括第二晶體管；包括著色層及遮光層的第二元件層；第二絕緣膜；第二有機樹脂層；第二粘合層；以及第二柔性襯底，其中上述構成要素按該順序層疊。第一晶體管所具有的氧化物半導體層可以為單層，并且，第二晶體管所具有的氧化物半導體層可以為多層。第一晶體管所具有的氧化物半導體層優選具有與包括氧化物半導體層的第二晶體管中的接觸于柵極絕緣膜的層相同的組成。根據本發明的一個方式，可以提供一種顯示品質良好的顯示裝置。或者，根據本發明的一個方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。或者，根據本發明的一個方式，可以提供一種新穎的顯示裝置等。或者，根據本發明的一個方式，可以提供一種上述顯示裝置的制造方法。或者，根據本發明的一個方式，可以提供一種成品率高的顯示裝置的制造方法。注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個方式并不一定必須要實現所有上述效果。從說明書、附圖、權利要求書等的記載可以得知并抽出上述以外的效果。附圖說明圖1是說明顯示裝置的俯視圖。圖2是說明顯示裝置的截面圖。圖3是說明顯示裝置的截面圖。圖4A至4D是說明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖5A至5C是說明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖6示出使用準分子激光器的加工裝置的例子。圖7A至7E示出分離裝置的例子。圖8A至8C示出分離裝置的例子。圖9A至9C示出分離裝置的例子。圖10A至10E示出分離裝置的例子。圖11A至11C示出分離裝置的例子。圖12A至12C示出分離裝置的例子。圖13A至13C示出分離裝置的例子。圖14A和14B示出分離裝置的例子。圖15A1、15A2、15B1、15B215C1和15C2示出分離裝置的例子。圖16A1、16A2、16B1、16B216C1和15C2示出分離裝置的例子。圖17A至17C是說明顯示裝置的方框圖及電路圖。圖18示出顯示模塊。圖19A和19B是說明晶體管的截面圖。圖20A和20B是說明晶體管的截面圖。圖21A至21D是CAAC-OS的截面的Cs校正高分辨率TEM圖像以及CAAC-OS的截面示意圖。圖22A至22D是CAAC-OS的平面的Cs校正高分辨率TEM圖像。圖23A至23C示出通過XRD得到的CAAC-OS及單晶氧化物半導體的結構分析。圖24A至24D示出電子設備。圖25A和25B是說明晶體管的截面圖。圖26A和26B是說明晶體管的截面圖。圖27A和27B是說明晶體管的截面圖。圖28A和28B是說明晶體管的截面圖。圖29A和29B是說明晶體管的截面圖。圖30是說明顯示裝置的截面圖。圖31是說明顯示裝置的截面圖。圖32A至32D是說明晶體管的制造方法的截面圖。圖33A至33D是說明晶體管的制造方法的截面圖。圖34A至34D是說明晶體管的制造方法的截面圖。圖35A和35B是說明晶體管的截面圖。圖36示出電阻率的溫度依賴性。圖37A至37F是說明晶體管的截面圖。圖38A至38F是說明晶體管的截面圖。圖39A至39E是說明晶體管的截面圖。圖40A和40B示出CAAC-OS的電子衍射圖案。圖41示出因電子照射而發生的In-Ga-Zn氧化物的結晶部中的變化。圖42A和42B是說明CAAC-OS層及nc-OS層的成膜模型的示意圖。圖43A至43C示出InGaZnO4的結晶及顆粒。圖44A至44D是說明CAAC-OS的成膜模型的示意圖。具體實施方式參照附圖對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不局限于以下說明，所屬
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：的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定于以下的實施方式的記載內容中。注意，在以下說明的本發明的結構中，有時在不同的附圖中使用相同的參照符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而不進行反復說明。另外，還要注意的是，有時在不同的附圖中使用不同的陰影線來表示相同構成要素，或者有時省略該陰影線。例如，在本說明書等中，明確的記載“X與Y連接”意味著：X與Y電連接；X與Y在功能上連接；以及X與Y直接連接。因此，不局限于附圖及文中所示的連接關系等規定的連接關系，也可以在處于附圖或文中所示的連接關系的元件之間設置有其他元件。這里，X和Y表示對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導電膜、層等)。X與Y直接連接的情況的例子包括：在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如，開關、晶體管、電容器、電感器、電阻器、二極管、顯示元件、發光元件及負載)的情況；以及，X與Y沒有通過能夠電連接X與Y的上述元件而彼此連接的情況。例如，在X與Y電連接的情況下，可以在X和Y之間連接有一個以上的能夠電連接X和Y的元件(例如，開關、晶體管、電容器、電感器、電阻器、二極管、顯示元件、發光元件或負載)。開關被控制為開啟或關閉。也就是說，開關處于導通狀態或非導通狀態(開啟或關閉)來決定是否使電流流過。或者，開關具有選擇并切換電流路徑的功能。另外，X與Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。例如，在X與Y在功能上連接的情況下，可以在X與Y之間連接有一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如，反相器、NAND電路、NOR電路等邏輯電路；DA轉換電路、AD轉換電路、伽馬校正電路等信號轉換電路；電源電路(例如，DC-DC轉換器、升壓型DC-DC轉換器、降壓型DC-DC轉換器)、改變信號的電位電平的電平轉移電路等電位電平轉換電路；電壓源；電流源；切換電路；能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差分放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等放大電路；信號產生電路；存儲電路；及/或控制電路)。注意，例如，在即使X與Y之間夾有其他電路，也從X輸出的信號傳送到Y的情況下，X與Y在功能上連接。另外，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況以及X與Y電連接的情況。此外，在本說明書等中，明確的記載“X與Y電連接”意味著：X與Y電連接(即，X與Y通過設置在其間的其他元件或其他電路連接的情況)；X與Y在功能上連接(即，X與Y通過設置在其間的其他電路在功能上連接的情況)；以及X與Y直接連接(即，X與Y不通過設置在其間的其他元件或其他電路而連接的情況)。也就是說，在本說明書等中，明確的記載“X與Y電連接”與記載“X與Y連接”相同。注意，例如，晶體管的源極(或第一端子等)通過(或不通過)Z1與X電連接，并且晶體管的漏極(或第二端子等)通過(或不通過)Z2與Y電連接的情況；或者晶體管的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，而晶體管的漏極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況可以使用下述任一表現方法來表示。該表現方法的例子包括：“X、Y、晶體管的源極(或第一端子等)及晶體管的漏極(或第二端子等)互相電連接，并且按X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)及Y的順序電連接”；“晶體管的源極(或第一端子等)與X電連接，晶體管的漏極(或第二端子等)與Y電連接，并且按X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)及Y的順序電連接”；以及“X經由晶體管的源極(或第一端子等)及漏極(或第二端子等)與Y電連接，并且按X、晶體管的源極(或第一端子等)、晶體管的漏極(或第二端子等)及Y的順序連接”。當利用與這些例子同樣的表現方法規定電路結構中的連接順序時，可以區別晶體管的源極(或第一端子等)與漏極(或第二端子等)而指定技術范圍。該表現方法的其他例子包括：“晶體管的源極(或第一端子等)至少通過第一連接路徑與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是晶體管的源極(或第一端子等)與晶體管的漏極(或第二端子等)之間的路徑，Z1位于所述第一連接路徑上，晶體管的漏極(或第二端子等)至少通過第三連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，并且，Z2位于所述第三連接路徑上”。或者，也可以使用如下表現：“晶體管的源極(或第一端子等)至少經過第一連接路徑上的Z1與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有通過晶體管的連接路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少經過第三連接路徑上的Z2與Y電連接，并且，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。該表現的其他例子是：“晶體管的源極(或第一端子等)至少經過第一電路徑上的Z1與X電連接，所述第一電路徑不具有第二電路徑，所述第二電路徑是從晶體管的源極(或第一端子等)到晶體管的漏極(或第二端子等)的電路徑，晶體管的漏極(或第二端子等)至少經過第三電路徑上的Z2與Y電連接，所述第三電路徑不具有第四電路徑，并且，所述第四電路徑是從晶體管的漏極(或第二端子等)到晶體管的源極(或第一端子等)的電路徑”。當利用與這些例子同樣的表現方法規定電路結構中的連接路徑時，可以區別晶體管的源極(或第一端子等)和漏極(或第二端子等)而指定技術范圍。注意，上述表現方法只是例子，所以對表現方法沒有限制。在此，X、Y、Z1及Z2表示對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導電膜及層)。即使在電路圖上獨立的構成要素彼此電連接，也有時一個構成要素兼有多個構成要素的功能。例如，當布線的一部分還被用作電極時，一個導電膜兼有布線和電極的功能。因此，本說明書中的“電連接”在其范疇內包括這種一個導電膜兼有多個構成要素的功能的情況。另外，“膜”和“層”根據情形或狀況可以相互調換。例如，“導電層”有時可以換為“導電膜”。此外，“絕緣膜”有時可以換為“絕緣層”。實施方式1在本實施方式中，參照附圖說明本發明的一個方式的顯示裝置及其制造方法。本說明書中的“顯示裝置”是指圖像表示裝置或光源(包括照明裝置)。另外，顯示裝置在其范疇內包括如下模塊：具有柔性印刷電路板(FPC)或載帶封裝(TCP)等連接器的模塊；在TCP的端部設置有印刷線路板的模塊；通過COG(玻璃覆晶封裝)方式將驅動電路直接安裝在顯示元件上的模塊。本發明的一個方式的顯示裝置具有柔性(柔性顯示裝置)。注意，“柔性裝置”是指能夠彎曲或撓曲的裝置。另外，該柔性有時用在成品中，有時用在制造工序中。在為后者時，成品有時不具有柔性。圖1是本發明的一個方式的顯示裝置300的俯視圖。在圖1中，為了明確起見，一部分的構成要素被擴大、縮小、透過或者省略。顯示裝置300包括：第一柔性襯底301上的像素部302；用來驅動該像素部的第一電路部304及第二電路部305；以圍繞像素部302、第一電路部304及第二電路部305的方式配置的密封材料312；以及以與第一柔性襯底301對置的方式設置的第二柔性襯底307。作為第一電路部304及第二電路部305，例如分別可以使用信號線驅動電路(源極驅動器)及掃描線驅動電路(柵極驅動器)。第一柔性襯底301與第二柔性襯底307通過密封材料312彼此粘合。雖然在圖1中未圖示，但是第一柔性襯底301與第二柔性襯底307之間設置有顯示元件。換言之，像素部302、第一電路部304、第二電路部305及顯示元件由第一柔性襯底301、密封材料312及第二柔性襯底307密封。另外，在顯示裝置300中，在第一柔性襯底301上的與由密封材料312圍繞的區域不同的區域中，設置有與像素部302、第一電路部304及第二電路部305電連接的FPC端子部308(FPC：flexibleprintedcircuit)。FPC端子部308與FPC316連接，并且通過FPC316對像素部302、第一電路部304及第二電路部305供應各種信號。此外，信號線310連接于像素部302、第一電路部304、第二電路部305及FPC端子部308。從FPC316被供應的各種信號通過信號線310供應給像素部302、第一電路部304及第二電路部305。在圖1中，用來驅動像素部302的電路配置為兩個區域，但是該電路的結構不局限于此。例如，可以將該電路配置為一個區域。或者，也可以將該電路分割配置為三個以上的部分。另外，也可以將第一電路部304和第二電路部305中的任一方設置在第一柔性襯底301上，并將另一方設置在外部。另外，用來驅動像素部302的電路可以與像素部302所包括的晶體管同樣地形成在第一柔性襯底301上，或者也可以通過利用COG(chiponglass：玻璃覆晶封裝)等安裝IC芯片來形成。或者，該電路也可以連接到TCP等。顯示裝置300中的像素部302、第一電路部304及第二電路部305包括使用氧化物半導體層形成其溝道形成區域的多個晶體管。由于使用氧化物半導體層的晶體管具有高遷移率，因此可以減小該晶體管所占的面積，而可以提高開口率。通過使用該晶體管，可以將第一電路部304及第二電路部305形成在設置有像素部302的襯底上。另外，該晶體管的關態電流(off-statecurrent)極小，并可以長時間保持圖像信號等，因此可以降低幀頻率，而可以降低顯示裝置的功耗。氧化物半導體層優選具有c軸取向的結晶。在將具有該結晶的氧化物半導體層用于晶體管的溝道形成區的情況下，例如當折彎顯示裝置300時在該氧化物半導體層中不容易產生裂痕(crack)等。其結果是，可以提高可靠性。因此，通過使用包括氧化物半導體層的晶體管，例如可以形成比包括非晶硅層或多晶硅層更優異的顯示裝置。作為包括在顯示裝置300中的顯示元件，典型地可以使用液晶元件或發光元件。接著，說明包括液晶元件的顯示裝置300a。圖2是在將液晶元件用于顯示裝置300時的圖1所示的沿著點劃線A1-A2的截面圖。顯示裝置300a包括：第一柔性襯底301；第一粘合層318a；第一有機樹脂層320a；第一絕緣膜321a；第一元件層；第二元件層；第二絕緣膜321b；第二有機樹脂層320b；第二粘合層318b；以及第二柔性襯底307。這些構成要素按該順序層疊。在圖2中，第一元件層包括：晶體管350、352；絕緣膜364、366、368；平坦化絕緣膜370；連接電極360；導電膜372等。第二元件層包括：導電膜374；絕緣膜334；著色層336(濾色片)；遮光層338(黑矩陣)等。在第一元件層及第二元件層中，有時不包括上述要素的一部分，或者，有時包括上述要素以外的要素。第一元件層及第二元件層由液晶層376及密封材料312密封，形成液晶元件375。第一柔性襯底301及第二柔性襯底307的材料的例子包括：其厚度薄得具有柔性的玻璃、聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚砜(PES)樹脂、聚酰胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酰胺-酰亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂以及聚醚醚酮(PEEK)樹脂。尤其是，優選使用熱膨脹系數低的材料，例如優選使用聚酰胺-酰亞胺樹脂、聚酰亞胺樹脂或PET。另外，也可以使用將有機樹脂浸滲于玻璃纖維中的襯底或通過混合無機填料與有機樹脂來降低熱膨脹系數的襯底。作為粘合層318a、318b，例如可以使用雙液型樹脂等可在常溫下固化的樹脂、光固化樹脂、熱固化樹脂等。該樹脂的例子包括：環氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、酚醛樹脂等。尤其是，優選使用環氧樹脂等透濕性低的材料。第一有機樹脂層320a及第二有機樹脂層320b例如可以使用選自環氧樹脂、芳族聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰胺酰亞胺樹脂的材料來形成。作為第一絕緣膜321a及第二絕緣膜321b，可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜的單層、或者包含這些膜的疊層。尤其是，優選使用對雜質的阻擋性高的包含氮的膜，以防止包含在第一柔性襯底301及第一粘合層318a等中的雜質擴散到晶體管等。顯示裝置300a包括：引繞布線部311；像素部302；第一電路部304；以及FPC端子部308。引繞布線部311包括信號線310。顯示裝置300a具有如下結構：像素部302及第一電路部304分別包括晶體管350及晶體管352。在圖2中，晶體管350和晶體管352的尺寸相同，但是該尺寸并不局限于此。可以適當地改變晶體管350和晶體管352的尺寸(溝道長度及溝道寬度等)，或者可以改變晶體管的數量。另外，當改變連接位置或連接方法等時，第二電路部305(圖2中未圖示)可以具有與第一電路部304同樣的結構。引繞布線部311所包括的信號線310可以通過形成晶體管350的源電極層及漏電極層的工序來形成。FPC端子部308包括連接電極360、各向異性導電膜380及FPC316。連接電極360可以通過形成晶體管350的源電極層及漏電極層的工序來形成。另外，連接電極360通過各向異性導電膜380與FPC316的端子電連接。作為連接到像素部的晶體管及在驅動電路部中的晶體管的信號線，優選使用包含銅元素的布線。當使用包含銅元素的布線時，可以抑制起因于布線電阻的信號延遲等。另外，在圖2中，在晶體管350及晶體管352上設置有絕緣膜364、366、368及平坦化絕緣膜370。絕緣膜364、366可以使用相同的材料形成，例如，可以使用氧化硅、氧氮化硅等。絕緣膜364優選使用缺陷量較少的氧化物絕緣膜來形成，并且絕緣膜366優選使用包含超過化學計量組成的氧的氧化物絕緣膜來形成。另外，也可以使用相同的材料以單層形成絕緣膜364、366。絕緣膜368具有阻擋氧、氫、水、堿金屬、堿土金屬等的功能。例如，優選使用氮化絕緣膜。平坦化絕緣膜370可以使用耐熱性有機材料諸如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺酰胺樹脂、苯并環丁烯類樹脂、聚酰胺樹脂或環氧樹脂來形成。另外，也可以層疊多個由這些材料形成的絕緣膜來形成平坦化絕緣膜370。或者，也可以采用沒有平坦化絕緣膜370的結構。導電膜372與晶體管350的源電極層及漏電極層中的一方電連接。導電膜372被用作形成在平坦化絕緣膜370上的像素電極，即，液晶元件的一方的電極。作為導電膜372，優選使用具有可見光透過性的導電膜。例如，作為該導電膜，優選使用包含銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的一種的材料。液晶元件375包括導電膜372、導電膜374及液晶層376。導電膜374被設置在第二柔性襯底307一側，并具有對置電極的功能。在圖2所示的顯示裝置300a中，利用施加到導電膜372及導電膜374的電壓改變液晶層376的取向狀態，來控制光的透過或非透過，由此可以顯示圖像。雖然在圖2中未示出，但是可以在導電膜372與液晶層376之間以及導電膜374與液晶層376之間形成有取向膜。此外，可以適當地設置有偏振構件、相位差構件、抗反射構件等光學構件(光學襯底)等。例如，可以使用偏振襯底及相位差襯底來采用圓偏振。此外，可以使用背光、側光等作為光源。在第一柔性襯底301與第二柔性襯底307之間設置有間隔物378。間隔物378是通過選擇性地對絕緣膜進行蝕刻而得到的柱狀的間隔物，并用來調節液晶層376的厚度(盒厚(cellgap))。作為間隔物378，也可以使用球狀的間隔物。作為液晶層376，可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等液晶材料。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、近晶相、立方相、手征向列相、均質相等。或者，在采用橫向電場方式的情況下，可以使用不需要取向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，并是指當膽固醇型液晶的溫度上升時從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為藍相只在較窄的溫度范圍內出現，所以將其中混合有幾重量百分比以上的手征試劑的液晶組合物用于液晶層，以擴大上述溫度范圍。包含呈現藍相的液晶和手征試劑的液晶組成物的響應速度快，并且其具有光學各向同性，所以不需要取向處理，并且視角依賴性小。不需要設置取向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止因摩擦處理而引起的靜電破壞，并且可以降低制造工序中的液晶顯示裝置的不良和破損。在作為顯示元件使用液晶元件的情況下，可以使用：扭曲向列(twistednematic：TN)模式、平面內轉換(in-plane-switching：IPS)模式、邊緣電場轉換(fringefieldswitching：FFS)模式、軸對稱排列微單元(axiallysymmetricalignedmicro-cell：ASM)模式、光學補償彎曲(opticalcompensatedbirefringence：OCB)模式、鐵電性液晶(ferroelectricliquidcrystal：FLC)模式、以及反鐵電性液晶(antiferroelectricliquidcrystal：AFLC)模式等。優選使用常黑型液晶顯示裝置諸如利用垂直取向(VA)模式的透過型液晶顯示裝置。該垂直配向模式有幾個例子，例如，可以采用多疇垂直取向(multi-domainverticalalignment：MVA)模式、垂直取向構型(patternedverticalalignment：PVA)模式、高級超視覺(advancedsuperview：ASV)模式等。作為像素部302中的顯示方式，可以采用逐行掃描方式或隔行掃描方式等。此外，當進行彩色顯示時在像素中被控制的顏色要素不局限于RGB(R、G及B分別對應于紅色、綠色及藍色)這三種顏色。例如，顯示單元可以由R像素、G像素、B像素及W(白色)像素的四個像素構成。或者，如PenTile排列，顯示單元也可以由R、G及B中的兩個顏色要素構成。該兩個顏色要素可以在顯示單元之間彼此不同。或者，可以對RGB追加黃色(yellow)、青色(cyan)、品紅色(magenta)等中的一種或多種顏色。另外，顯示區域的尺寸可以在各個顏色要素的點之間彼此不同。所公開的發明的一個方式不局限于彩色顯示的顯示裝置，而也可以將所公開的發明應用于黑白顯示的顯示裝置。接著，說明包括發光元件的顯示裝置300b。圖3是在將發光元件用于顯示裝置300時的圖1所示的沿著點劃線A1-A2的截面圖。注意，省略與上述包括液晶元件的顯示裝置300a重復的說明。顯示裝置300b包括：第一柔性襯底301；第一粘合層318a；第一有機樹脂層320a；第一絕緣膜321a；第一元件層410；第二元件層411；第二絕緣膜321b；第二有機樹脂層320b；第二粘合層318b；以及第二柔性襯底307。這些構成要素按該順序層疊。在圖3中，第一元件層410包括：晶體管350、352；絕緣膜364、366、368；平坦化絕緣膜370；發光元件480；絕緣膜430；信號線310；以及連接電極360。第二元件層411包括：絕緣膜334；著色層336；以及遮光層338。第一元件層410及第二元件層411由密封層432及密封材料312密封。在第一元件層410及第二元件層411中，有時不包括上述要素的一部分，或者，有時包括上述要素以外的要素。發光元件480包括導電膜444、EL層446及導電膜448。顯示裝置300b當發光元件480所包括的EL層446發光時可以顯示圖像。平坦化絕緣膜370上的導電膜444上設置有絕緣膜430。絕緣膜430部分地覆蓋導電膜444。作為導電膜444使用對EL層所發射的光的反射功能高的導電膜，而作為導電膜448使用對EL層所發射的光的透過功能高的導電膜，來可以使發光元件480具有頂部發射結構。或者，作為導電膜444使用對該光的透過功能高的導電膜，而作為導電膜448使用對該光的反射功能高的導電膜，來可以使發光元件480具有底部發射結構。或者，作為導電膜444及導電膜448雙方使用對該光的透過功能高的導電膜，來可以實現雙面發射結構。以與發光元件480重疊的方式設置有著色層336，并且，以與絕緣膜430重疊且包括在引繞布線部311及第一電路部304中的方式設置有遮光層338。著色層336及遮光層338被第三絕緣膜334覆蓋。由密封層432填充發光元件480與第三絕緣膜334之間。雖然在此示出設置有著色層336的結構作為顯示裝置300b，但是該結構并不局限于此。在通過分別涂布(separatecoloring)方法形成EL層446的情況下，不一定需要設置著色層336。在顯示裝置300b中，可以在粘合層318a、318b中包含干燥劑。例如，可以使用堿土金屬的氧化物(例如，氧化鈣或氧化鋇)等利用化學吸附來吸附水分的物質。或者，可以使用沸石或硅膠等利用物理吸附來吸附水分的物質。優選包含干燥劑，因為能夠抑制水分等雜質侵入到發光元件480，而能夠提高顯示裝置的可靠性。另外，優選對密封層432混合折射率高的填料(例如，氧化鈦)，此時可以提高從發光元件480的光提取效率。粘合層318a及318b還可以包括散射光的散射構件。例如，粘合層318a及318b可以為密封層432與其折射率不同于該密封層432的粒子的混合物。該粒子被用作散射光的散射構件。密封層432的折射率與上述粒子的折射率之間的差優選為0.1或更大，更優選為0.3或更大。作為粒子，可以使用氧化鈦、氧化鋇或沸石等。由于氧化鈦的粒子或氧化鋇的粒子高效地散射光，所以是優選的。當使用沸石時，能夠吸附密封層432等所包含的水，因此能夠提高發光元件的可靠性。第一柔性襯底301及第二柔性襯底307優選使用韌性高的材料來形成。由此，能夠提供抗沖擊性高且不易破損的發光裝置。例如，當第一柔性襯底301及第二柔性襯底307為有機樹脂襯底時，能夠制造與使用玻璃襯底時相比更輕量且不容易破損的顯示裝置。另外，當對第一柔性襯底301使用熱輻射率高的材料時，能夠防止顯示裝置的表面溫度上升，從而能夠防止顯示裝置的損壞或可靠性下降。例如，第一柔性襯底301可以具有金屬襯底與熱輻射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料來形成的層)的疊層結構。接著，參照圖4A至4D以及圖5A至5C說明圖3所示的顯示裝置300b的制造方法。注意，在圖4A至4D以及圖5A至5C中，為了避免附圖的繁雜而簡化圖3所示的第一元件層410及第二元件層411。首先，在第一襯底462上以第一有機樹脂層320a、第一絕緣膜321a及第一元件層410的順序層疊來形成疊層(參照圖4A)。在第二襯底463上層疊第二有機樹脂層320b、第二絕緣膜321b及第二元件層411來形成疊層(參照圖4B)。第一襯底462及第二襯底463至少需要能夠承受后面進行的加熱處理的耐熱性。例如，可以使用玻璃襯底、陶瓷襯底、石英襯底、藍寶石襯底等。第一有機樹脂層320a及第二有機樹脂層320b可以使用環氧樹脂、芳族聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰胺酰亞胺樹脂等有機樹脂來形成。尤其是，優選使用聚酰亞胺樹脂，因為其具有高耐熱性。在使用聚酰亞胺樹脂的情況下，該聚酰亞胺樹脂的厚度大于或等于3nm且小于或等于20μm，優選大于或等于500nm且小于或等于2μm。該聚酰亞胺樹脂可以利用旋涂法、浸涂法、刮刀涂布法(doctorblademethod)等形成。第一絕緣膜321a及第二絕緣膜321b可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等，并利用濺射法或CVD法等形成。通過利用第一絕緣膜321a，例如可以抑制雜質從第一襯底462或第一有機樹脂層320a擴散到第一元件層410。在形成第一元件層410時，包括在晶體管350中的全部構成要素的形成溫度優選高于或等于室溫且低于或等于300℃。例如，第一元件層410所包含的使用無機材料形成的絕緣膜或導電膜在高于或等于150℃且低于或等于300℃，優選高于或等于200℃且低于或等于270℃的溫度下形成。第一元件層410所包含的使用有機樹脂材料形成的絕緣膜等優選在高于或等于室溫且低于或等于100℃的溫度下形成。在形成晶體管350時，例如，可以省略加熱工序。第一元件層410所包括的絕緣膜430、導電膜444、EL層446及導電膜448可以使用如下方法形成。作為絕緣膜430，例如，可以使用有機樹脂或無機絕緣材料。作為有機樹脂，例如，可以使用聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、硅氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。作為無機絕緣材料，例如，可以使用氧化硅、氧氮化硅等。對絕緣膜430的形成方法沒有特別的限制。可以使用光刻法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(例如，噴墨法)、印刷法(例如，絲網印刷法或膠版印刷法)等。當通過光刻法使用感光性樹脂形成絕緣膜430時，可以簡化形成工序。作為導電膜444，優選使用可見光反射性高的金屬膜。作為該金屬膜，例如，可以使用鋁、銀或它們的合金等。導電膜444例如可以利用濺射法形成。作為EL層446，可以使用能夠使從導電膜444及導電膜448注入的空穴與電子復合而發射光的發光材料。除了該發光材料之外，根據需要可以形成空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層。另外，EL層446例如可以利用蒸鍍法或涂敷法等形成。作為導電膜448，優選使用對可見光具有透光性的導電膜。例如，作為該導電膜，優選使用包含銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的一種的材料。作為導電膜448，可以使用透光導電材料諸如包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物。在根據本發明的一個方式的顯示裝置中，優選將添加有硅的銦錫氧化物用于導電膜448。當使用添加有硅的銦錫氧化物時，導電膜448的對彎曲的耐性提高，而不容易產生裂痕等。導電膜448例如可以利用濺射法形成。第二元件層411中的著色層336是使在特定波長區域內的光透射的著色層。例如，可以使用使在紅色波長范圍內的光透射的紅色(R)濾色片、使在綠色波長范圍內的光透射的綠色(G)濾色片、使在藍色波長范圍內的光透射的藍色(B)濾色片等。或者，也可以使用黃色(Y)濾色片或白色(W)濾色片。各濾色片使用各種材料并通過打印法、噴墨法、利用光刻技術的蝕刻法等形成在所希望的位置上。第二元件層411中的遮光層338具有遮蔽在特定波長區域內的光的功能，且能夠使用金屬膜或包含黑色顏料的有機絕緣膜等來形成。作為第二元件層411中的第三絕緣膜434，例如可以使用包含丙烯酸樹脂等的有機絕緣膜。注意，不一定需要形成第三絕緣膜434，也可以使用沒有第三絕緣膜434的結構。接著，隔著密封層432貼合第一元件層410與第二元件層411(參照圖4C)。注意，圖中未示出密封材料312。作為密封層432，可以使用具有柔性的固體密封材料。例如，可以使用玻璃粉等玻璃材料或者可在常溫下固化的雙液混合型樹脂、光固化樹脂、熱固化樹脂等樹脂材料。接著，從圖4C所示的結構分離第一襯底462(參照圖4D)。注意，也可以在該第一襯底462的分離之前進行分離第二襯底463的工序。作為上述分離工序，可以適當地采用各種各樣的方法。例如，可以以如下方式分離第一襯底462：通過經第一襯底462對第一有機樹脂層320a照射紫外線468，使第一有機樹脂層320a脆化或者降低第一有機樹脂層320a與第一襯底462之間的附著性。另外，該紫外線468的照射也可以在如下條件下進行：通過調整照射能量密度，來形成第一襯底462與第一有機樹脂層320a之間的附著性高的區域以及第一襯底462與第一有機樹脂層320a之間的附著性低的區域，然后可以分離第一襯底462。作為紫外線的光源，例如可以使用發射波長308nm的紫外線的準分子激光器。或者，也可以使用高壓汞燈或UV-LED等。準分子激光器是高輸出的脈沖激光器，并可以利用光學系統將光束形成為線狀。在線狀激光束的照射范圍內移動襯底，由此可以對襯底的整體或所需要的部分照射激光。另外，當線狀光束的長度大于或等于上述襯底的一邊時，可以只將襯底向一個方向移動而對襯底整體照射激光。作為準分子激光器裝置，既可以使用安裝有一個激光振蕩器的裝置，又可以使用安裝有兩個以上的激光振蕩器的裝置。在包括多個激光振蕩器的裝置中，利用光學系統合成(疊加)從各激光振蕩器同步輸出的激光，而可以獲得高能量密度的激光。因此，在根據本實施方式的用途中，可以對大于或等于第八代玻璃襯底(2160mm×2460mm)的尺寸的襯底進行處理。在包括多個激光振蕩器的裝置中，從各激光振蕩器輸出的激光的輸出偏差被校正，因此每個脈沖的強度偏差減少，而可以進行成品率高的處理。另外，可以使用多個準分子激光器裝置代替包括多個激光振蕩器的裝置。圖6示出使用準分子激光器的加工裝置的例子。利用光學系統630合成從具有兩個激光振蕩器的準分子激光器裝置600輸出的激光610a及610b。被光學系統630在水平方向上拉伸的激光610c通過反射鏡650入射到透鏡670，而縮小成線狀光束610d。此時，線狀光束610d經襯底720照射到加工物700中的加工區域710。在本實施方式中，加工物700相當于圖4C或圖5A所示的結構，加工區域710相當于第一有機樹脂層320a或第二有機樹脂層320b，襯底720相當于第一襯底462或第二襯底463。將加工物700向圖中的箭頭方向移動，據此可以對加工區域710整體照射線狀光束610d。作為準分子激光器，優選使用其波長為308nm或更大的激光器。通過使用波長為308nm或更大的激光器，即使對襯底720使用玻璃襯底也可以將加工所需的充分量的激光透過襯底720。在本實施方式中，示出在第一襯底462與第一有機樹脂層320a之間的界面處進行分離的方法，但是，分離方法并不局限于此。例如，在進行分離后第一有機樹脂層320a的一部分可以殘留在第一襯底462上。另外，也可以在第一有機樹脂層320a與第一元件層410之間的界面處進行分離。另外，也可以通過使液體浸透到第一襯底462與有機樹脂層320a之間的界面而從第一襯底462分離第一有機樹脂層320a。或者，可以通過使液體浸透到第一有機樹脂層320a與第一元件層410之間的界面而從第一有機樹脂層320a分離第一元件層410。作為上述液體，例如，可以使用水、極性溶劑等。通過使用該液體，可以抑制分離時發生的靜電，而可以抑制第一元件層410中的晶體管等的靜電破壞。接著，使用第一粘合層318a粘合第一有機樹脂層320a與第一柔性襯底301(參照圖5A)。接著，通過與上述同樣的方法分離第二襯底463，使用第二粘合層318b粘合第二有機樹脂層320b與第二柔性襯底307(參照圖5B)。然后，使用各向異性導電膜380對連接電極360貼合FPC316。如果需要也可以安裝IC芯片等。通過上述步驟，可以制造圖3所示的顯示裝置300b。當在第一有機樹脂層320a與第一元件層410之間的界面處進行分離時，可以得到圖5C所示的結構。此時，在圖2及圖3所示的顯示裝置300a、300b中不存在有機樹脂層320a。在本發明的一個方式中，在有機樹脂層上形成包括使用氧化物半導體層的晶體管等的元件層，使該有機樹脂層脆化或降低該有機樹脂層與襯底之間的附著性，來分離元件層。在采用包括多晶硅的晶體管的情況下，進行激光照射工序以使非晶硅晶化。在該激光照射工序中，在一瞬間產生硅熔融的高溫區域。因此，在與本發明的一個方式同樣使用有機樹脂層的情況下，熱傳導到該有機樹脂層，而因脫氣或熱膨脹等有時在晶體管與襯底之間形成的無機膜中產生裂痕或剝離。在用能量密度低的激光進行照射以抑制上述裂痕或剝離的情況下，不能獲得具有充分的結晶性的多晶硅。另一方面，在使用氧化物半導體層的晶體管的制造工序中，不需要高溫工序，能夠以不使該有機樹脂層脆化的方式穩定地進行工序直到晶體管等的完成，而可以形成成品率及可靠性高的晶體管。本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式2在本實施方式中，參照圖7A至7E、圖8A至8C、圖9A至9C、圖10A至10E、圖11A至11C、圖12A至12C、圖13A至13C以及圖14A和14B說明本發明的一個方式的分離裝置。本發明的一個方式是一種分離裝置，該分離裝置包括：能夠保持加工構件的第一構件的結構體；以及能夠保持加工構件的第二構件的載物臺。通過使用該分離裝置，一邊卷繞第一構件一邊將結構體與載物臺之間的加工構件分離成第一構件及第二構件。例如，第一構件相當于圖5A所示的第二襯底463以外的疊層物，第二構件相當于第二襯底463。通過使用本發明的一個方式的分離裝置，可以高效地將加工構件分離成第一構件及第二構件。本發明的一個方式的分離裝置不具有復雜的結構，而可以應用于各種尺寸的加工構件的分離。下面說明分離裝置的結構和工作以及使用該分離裝置的分離方法。＜結構例子1＞參照圖7A至7E、圖8A至8C以及圖9A至9C示出從加工構件103剝離第一構件103a來分離第一構件103a與第二構件103b的例子。圖7A是即將進行剝離之前的分離裝置的透視圖，圖7B是其正面圖，圖7D是其側面圖。圖7A至7E所示的分離裝置包括結構體101及載物臺105。結構體101具有凸面。載物臺105具有與該凸面相對的支撐面。在圖7A至7E中，在分離裝置的該凸面與該支撐面之間配置加工構件103。圖7C是示出相對于結構體101的加工構件103的配置與圖7A、圖7B及圖7D不同的情況的俯視圖。圖7A示出在加工構件103的邊部開始剝離的情況。此外，如圖7C的俯視圖所示，也可以在加工構件103的角部開始剝離。當在加工構件103的邊部開始剝離時，優選在短邊開始剝離，而在長邊方向上進行剝離。據此，容易調節結構體的旋轉速度等的條件，而可以提高分離的成品率。加工構件103為薄片狀且包括薄片狀的第一構件103a及薄片狀的第二構件103b。第一構件103a及第二構件103b可以為單層或疊層。在加工構件103中優選形成有剝離起點。通過利用該起點，在第一構件103a與第二構件103b之間的界面處容易進行剝離。在分離裝置具有傳送單元的情況下，可以利用該傳送單元在載物臺105上設置加工構件103。如圖7D的對應于雙點劃線圈出的部分的放大圖圖7E所示，將結構體101的凸面重疊于形成在加工構件103中的點狀或線狀(包括實線、虛線、框狀)的剝離起點102。然后，通過使結構體101旋轉，將用來剝離第一構件103a的力量施加到加工構件103，來在剝離起點102附近開始第一構件103a的剝離。然后，將加工構件103分離成第一構件103a及第二構件103b。結構體101優選具有凸面，例如為圓筒狀(包括圓柱狀、直圓柱狀、橢圓柱狀、拋物柱狀等)、球狀、其一部分為圓筒的結構、其一部分為球狀的結構等。例如，可以使用滾筒機等的滾筒。作為結構體的材料，可以舉出金屬、合金、有機樹脂等。結構體也可以在其內部具有空間或空洞。圖10C及10D示出其一部分具有凸面的結構體151及結構體152。結構體151及結構體152在其一部分為圓筒狀。結構體的凸面的曲率半徑小于載物臺105的支撐面的曲率半徑。凸面的曲率半徑例如可以為大于或等于0.5mm且小于或等于1000mm。例如，當分離加工構件時，凸面的曲率半徑也可以為大于或等于0.5mm且小于或等于500mm，具體而言，可以為150mm、225mm或300mm等。具有這種凸面的結構體的例子包括：直徑為300mm、450mm或600mm的滾筒。注意，根據加工構件的厚度或大小，凸面的曲率半徑的優選的范圍變化。因此，該結構體的曲率半徑不局限于此，結構體的曲率半徑優選小于載物臺105的支撐面的曲率半徑。在加工構件103具有附著性低的疊層結構的情況下，有時在該附著性低的界面發生分離，而導致分離的成品率降低。例如，在加工構件103包括有機EL元件的情況下，在EL層所包括的兩層之間的界面或在EL層與電極之間的界面發生分離，由此有時難以在第一構件103a與第二構件103b之間的界面進行分離。因此，以在第一構件103a與第二構件103b之間的界面產生分離的方式決定凸面的曲率半徑。或者，也可以通過利用結構體101的旋轉速度來調節分離部分。當凸面的曲率半徑過小時，卷起在凸面上的第一構件103a所包括的元件有可能損壞。因此，凸面的曲率半徑優選大于或等于0.5mm。另外，當凸面的曲率半徑較大時，可以將玻璃襯底、藍寶石襯底、石英襯底或硅襯底等低柔性高剛性的襯底卷起在凸面上。因此，凸面的曲率半徑優選大于或等于300mm。另外，當凸面的曲率半徑較大時，分離裝置增大，有可能對其設置位置等有限制。因此，凸面的曲率半徑例如優選小于或等于1000mm，更優選小于或等于500mm。凸面的至少一部分可以具有粘合性。例如，可以對凸面的一部分或整體配置粘合膠帶等。如圖10E所示，凸面的至少一部分可以設置有對第一構件103a具有粘合性的部分104。另外，結構體101本身也可以具有吸附機構，使得凸面可以吸附到第一構件103a。結構體101或載物臺105也可以在如下方向中的至少一個方向上移動：前后、左右、上下。優選的是，結構體101的凸面與載物臺105的支撐面之間的距離可調節為適合于各種各樣的厚度的加工構件的分離。在結構例子1中，結構體101能夠在載物臺105的長邊方向上移動。作為用來保持配置在載物臺105上的構件等(例如，加工構件103或第二構件103b)的保持單元，可以舉出抽吸卡盤、靜電卡盤或機械卡盤等卡盤。例如，可以使用多孔卡盤。另外，也可以將構件固定在吸附工作臺、加熱工作臺或旋轉工作臺(spinnertable)等。接著，圖8A是剝離中途的分離裝置的透視圖，圖8B是其正面圖，圖8C是其側面圖。圖9A是進行剝離后的分離裝置的透視圖，圖9B是其正面圖，圖9C是其側面圖。結構體101的中心設置有旋轉軸109。雖然圖8A及8C等示出結構體101的旋轉方向，但是結構體101除了在圖8A及8C等示出的方向之外也可以在與此相反的方向上旋轉。另外，旋轉軸109沿著引導107的槽而移動，據此結構體101可以在載物臺105的長邊方向上移動(圖8C及圖9C中的橫方向)。通過使結構體101旋轉，在剝離起點附近開始與結構體101的凸面重疊的第一構件103a從加工構件103剝離，并且該第一構件103a一邊被卷繞在凸面上一邊從第二構件103b分離。第一構件103a保持在結構體101的凸面上，第二構件103b保持在載物臺105上。在本發明的一個方式的分離裝置中，通過將載物臺105及結構體101之中的至少一個移動，來可以將結構體101的旋轉中心的相對于載物臺105的位置移動。在結構例子1中示出：結構體101的旋轉中心移動的例子。具體而言，示出：在載物臺105不動(或者被固定)的狀態下，結構體101能夠一邊卷繞第一構件103a一邊從加工構件103的一個端部向相對的端部移動(旋轉)的例子。結構體101的凸面的線速度高于或等于結構體101的旋轉中心相對于載物臺105的移動速度。另外，也可以一邊對第一構件103a或第二構件103b施加張力，一邊將第一構件103a與第二構件103b分離。如圖8C中的箭頭108所示，也可以設置能夠對第一構件103a與第二構件103b彼此分離的面供應液體的液體供應機構。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電對第一構件103a所包括的元件等造成的不良影響(例如，半導體元件因靜電而被破壞的現象)。此外，也可以噴射霧狀或蒸氣狀的液體。作為液體，可以使用純水或有機溶劑。此外，也可以使用中性、堿性或酸性的水溶液或者溶解有鹽的水溶液。在分離裝置包括傳送單元的情況下，在分離后可以利用該傳送單元將載物臺105上的第二構件103b或在結構體101上卷繞的第一構件103a傳送。如圖10A及10B所示，通過進一步使結構體101旋轉，可以將設置在載物臺105上的薄片狀的構件111與第一構件103a貼合。構件111可以具有單層結構或疊層結構。構件111的與第一構件103a接觸的面的至少一部分優選具有對第一構件103a的附著性。例如，可以形成有粘合層。在結構體101旋轉一圈的時間內，可以將第一構件103a整體卷繞在凸面上。由此可以防止第一構件103a接觸到載物臺105且被結構體101施加壓力，所以這是優選的工序。另外，優選的是，以被卷繞的第一構件103a不接觸到載物臺105的方式將該第一構件103a貼合于構件111。例如，可以以如下方式進行旋轉工序。首先，將結構體101旋轉1/4圈，將第一構件103a整體卷繞于凸面上。接著，將結構體101旋轉3/4圈，將結構體101移動到構件111的端部附近。然后，將結構體101旋轉1/4圈，在構件111上粘貼第一構件103a。或者，在分離結束之后，也可以以在結構體101上卷繞的第一構件103a不接觸于載物臺105的方式調節結構體101與載物臺105之間的間隔。＜結構例子2＞在結構例子2中，示出將載物臺移動，來改變結構體的旋轉中心的相對于載物臺的位置的例子。具體而言，示出不將結構體的旋轉中心的位置移動，而將載物臺從加工構件的一個端部向相對的端部移動的例子。參照圖11A至11C、圖12A至12C以及圖13A至13C示出從加工構件153剝離第一構件153a來分離第一構件153a與第二構件153b的例子。圖11A是即將進行剝離之前的分離裝置的透視圖，圖11B是其正面圖，圖11C是其側面圖。圖11A至11C所示的分離裝置包括結構體151、載物臺155、支撐體157及輸送輥158。結構體151具有凸面。載物臺155具有與該凸面相對的支撐面。支撐體157支撐結構體151。在圖11A至11C中，在分離裝置的該凸面與該支撐面之間配置加工構件153。雖然圖11A示出在加工構件153的邊部開始剝離的例子，但是與結構例子1同樣地，也可以在加工構件153的角部開始剝離。結構體151、加工構件153及載物臺155可以分別具有與結構例子1的結構體101、加工構件103及載物臺105同樣的結構，所以省略其說明。在加工構件153中設置有剝離起點162。支撐體157支撐結構體151的旋轉軸159。支撐體157具有調節結構體151的垂直位置的功能。由此，可以調節結構體151的凸面與載物臺155的支撐面之間的距離。輸送輥158可以將載物臺155移動。對用來移動載物臺155的單元沒有特別的限制，可以使用傳送帶或傳送機器人。在分離裝置包括傳送單元的情況下，可以利用該傳送單元在載物臺155上設置加工構件153。圖12A是剝離中途的分離裝置的透視圖，圖12B是其正面圖，圖12C是其側面圖。圖13A是剝離后的分離裝置的透視圖，圖13B是其正面圖，圖13C是其側面圖。結構體151的中心設置有旋轉軸159。雖然圖12A及12C等示出結構體151或輸送輥158的旋轉方向，但是結構體151或輸送輥158除了在圖12A及12C等示出的方向之外也可以在與此相反的方向上旋轉。通過使輸送輥158旋轉，可以將載物臺155以及該載物臺155上的加工構件153的相對于結構體151的旋轉中心的位置移動(具體而言，圖12C或圖13C中的橫方向的移動)。保持在結構體151上的第一構件153a從加工構件153被剝離，被卷繞在凸面上，并與第二構件153b分離。在載物臺155上保持有第二構件153b。將結構體151的凸面重疊于形成在加工構件153中的剝離起點162。然后，通過使結構體151旋轉，將用來剝離第一構件153a的力量施加到加工構件153，來在剝離起點162附近剝離第一構件153a。從加工構件103剝離的第一構件153a被卷繞在凸面上并從第二構件103b分離。第一構件153a保持在結構體151的凸面上，第二構件153b保持在載物臺155上。在分離裝置包括傳送單元的情況下，在分離后可以利用該傳送單元將載物臺155上的第二構件153b或在結構體151上卷繞的第一構件153a傳送。如圖14A及14B所示，通過進一步使結構體151及輸送輥158旋轉，可以將設置在載物臺156上的薄片狀的構件161與第一構件153a貼合。另外，也可以在設置有加工構件153的載物臺155上設置構件161。＜結構例子3＞參照圖15A1、15A2、15B1、15B2、15C1和15C2說明本發明的一個方式的分離裝置的其他結構。圖15A1、15A2、15B1、15B2、15C1和15C2示出本發明的一個方式的分離裝置的結構及工作。圖15A1、圖15B1及圖15C1是示出本發明的一個方式的分離裝置的側面的示意圖。圖15A2、圖15B2及圖15C2是示出該分離裝置的頂面的示意圖。圖15A1及15A2示出本發明的一個方式的分離裝置開始從加工構件103分離第一構件103a的工序的狀態。圖15B1及15B2示出本發明的一個方式的分離裝置正在從加工構件103剝離第一構件103a的狀態。圖15C1及15C2示出本發明的一個方式的分離裝置從加工構件103剝離第一構件103a之后的狀態。本實施方式的結構例子3所說明的分離裝置包括：圓筒狀的結構體101；以及接觸于圓筒狀的結構體101的內壁且能夠與結構體101的旋轉同步地旋轉的旋轉體101a，這是與參照圖7A至7E、圖8A至8C、圖9A至9C、圖10A至10E、圖11A至11C、圖12A至12C、圖13A至13C以及圖14A和14B說明的分離裝置不同之處。以下詳細地說明不同的要素。至于其他同樣的要素，援用上述說明。結構體101具有圓筒狀。注意，結構體101也可以在其外周設置有構件101b(參照圖15A1及圖15A2)。構件101b可以改善結構體101表面的物理性質。例如，構件101b可以使結構體101表面具有粘合性。或者，構件101b可以使結構體101表面具有能夠分散集中在凸部及凹部的應力的弾性。例如，可以將橡膠、硅橡膠、樹脂或天然材料等用于構件101b。在配置在結構體101上的構件101b具有接縫的情況下，將加工構件設置在載物臺105與結構體101之間，以防止加工構件103接觸于接縫部分。旋轉體101a接觸于圓筒狀的結構體101的內周，并且，加工構件103夾在結構體101的外周與載物臺105之間。旋轉體101a被設置為能夠在中心軸的周圍旋轉。例如，旋轉體101a可以在其外周具有圓柱狀的滾筒或齒輪。在旋轉體101a在其外周具有齒輪的情況下，與該設置在旋轉體101a的齒輪嚙合的齒輪設置在結構體101的內周。在該結構中，例如可以使用驅動機構驅動且旋轉該旋轉體101a，將該旋轉傳達到結構體101。作為第一步驟，將設置有剝離起點102的加工構件103插入到載物臺105與結構體101之間(參照圖15A1及圖15A2)。在加工構件103具有短邊及長邊的情況下，優選將剝離起點102設置在角部，在從上面看時對于與旋轉體101a的中心軸正交的方向傾斜角度θ的狀態下從上述角部插入加工構件103。其結果是，可以從剝離起點102逐步地進行第一構件103a與第二構件103b的剝離。作為第二步驟，進一步進行第一構件103a與第二構件103b的剝離(參照圖15B1及圖15B2)。使用箭頭108所示的液體供給機構，對第一構件103a與第二構件103b的分離面供應液體(參照圖15B1)。例如，將液體滲透于分離面。或者，也可以將液體噴射。例如，作為所滲透或所噴射的液體，可以使用水、極性溶劑等。通過將液體滲透，可以降低因剝離而發生的靜電等的影響。另外，也可以一邊用液體溶解剝離層一邊進行剝離。作為第三步驟，分離第一構件103a與第二構件103b(參照圖15C1及圖15C2)。＜結構例子4＞參照圖16A1、16A2、16B1、16B2、16C1和16C2說明本發明的一個方式的分離裝置的其他結構。圖16A1、16A2、16B1、16B2、16C1和16C2示出本發明的一個方式的分離裝置的結構及工作。圖16A1、圖16B1及圖16C1是示出本發明的一個方式的分離裝置的側面的示意圖。圖16A2、圖16B2及圖16C2是示出其頂面的示意圖。圖16A1及圖16A2示出本發明的一個方式的分離裝置開始從加工構件153剝離第一構件153a的工序的狀態。圖16B1及圖16B2示出本發明的一個方式的分離裝置正在進行從加工構件153剝離第一構件153a的狀態。圖16C1及圖16C2示出本發明的一個方式的分離裝置從加工構件153剝離第一構件153a之后的狀態。本實施方式的結構例子4所說明的分離裝置包括：圓筒狀的結構體101代替圓筒狀的結構體151；以及接觸于圓筒狀的結構體101的內壁且能夠與結構體101的旋轉同步地旋轉的旋轉體101a，這是與參照圖11A至11C、圖12A至12C以及圖13A至13C說明的分離裝置不同之處。另外，在結構例子4所說明的分離裝置中，結構體151被固定而代替結構體101，并且載物臺155移動，這是與參照圖15A1、15A2、15B1、15B2、15C1和15C2說明的分離裝置不同之處。本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。實施方式3在本實施方式中，說明本發明的一個方式的顯示裝置的結構及顯示元件。圖17A所示的顯示裝置包括：具有顯示元件的像素的區域(以下將該區域稱為像素部502)；設置在像素部502外側并具有用來驅動像素的電路的電路部(以下將該區域稱為驅動電路部504)；具有保護元件的功能的電路(以下將該電路稱為保護電路506)；以及端子部507。此外，不一定需要設置保護電路506。驅動電路部504的一部分或全部優選形成在與像素部502相同的襯底上。由此，可以減少構件的數量及端子的數量。在驅動電路部504的一部分或全部不形成在與像素部502相同的襯底上的情況下，可以通過COG或TAB(tapeautomatedbonding：帶式自動接合)安裝IC芯片。像素部502包括用來驅動X行(X為2或更大的自然數)Y列(Y為2或更大的自然數)的多個顯示元件的電路(以下將該電路稱為像素電路501)。驅動電路部504包括輸出選擇像素的信號(掃描信號)的電路(以下將該電路稱為柵極驅動器504a)、用來供應用來驅動像素的顯示元件的信號(數據信號)的電路(以下將該電路稱為源極驅動器504b)等驅動電路。柵極驅動器504a具有移位寄存器等。柵極驅動器504a通過端子部507接收用來驅動移位寄存器的信號并輸出信號。例如，柵極驅動器504a接收起始脈沖信號、時鐘信號等并輸出脈沖信號。柵極驅動器504a具有控制被供應掃描信號的布線(以下將該布線稱為掃描線GL_1至GL_X)的電位的功能。另外，也可以設置多個柵極驅動器504a，來分別控制掃描線GL_1至GL_X。或者，柵極驅動器504a具有供應初始化信號的功能，但是不局限于此。柵極驅動器504a可以供應其他信號。源極驅動器504b具有移位寄存器等。除了用來驅動移位寄存器的信號之外，源極驅動器504b通過端子部507還接收從其中得出數據信號的信號(圖像信號)。源極驅動器504b具有根據圖像信號生成寫入到像素電路501的數據信號的功能。另外，源極驅動器504b具有依照由起始脈沖、時鐘信號等的輸入而產生的脈沖信號來控制數據信號的輸出的功能。另外，源極驅動器504b具有控制被供應數據信號的布線(以下將該布線稱為數據線DL_1至DL_Y)的電位的功能。或者，源極驅動器504b具有供應初始化信號的功能，但是不局限于此。源極驅動器504b可以供應其他信號。源極驅動器504b例如包括多個模擬開關等。通過依次開啟多個模擬開關，源極驅動器504b可以輸出對圖像信號進行時間分割而成的信號作為數據信號。源極驅動器504b也可以使用移位寄存器等形成。脈沖信號及數據信號分別通過被供應掃描信號的多個掃描線GL之一以及被供應數據信號的多個數據線DL之一輸入到多個像素電路501的每一個。通過利用柵極驅動器504a進行多個像素電路501的每一個中的數據信號的寫入及保持。例如，對第m行第n列(m是小于或等于X的自然數，n是小于或等于Y的自然數)的像素電路501，通過掃描線GL_m從柵極驅動器504a輸入脈沖信號，并根據掃描線GL_m的電位通過數據線DL_n從源極驅動器504b輸入數據信號。圖17A所示的保護電路506例如與柵極驅動器504a和像素電路501之間的掃描線GL連接。或者，保護電路506與將源極驅動器504b與像素電路501連接的數據線DL連接。或者，保護電路506可以與柵極驅動器504a和端子部507之間的布線連接。或者，保護電路506可以與源極驅動器504b和端子部507之間的布線連接。此外，端子部507是指具有用來從外部的電路對顯示裝置輸入電源、控制信號及圖像信號的端子的部分。保護電路506是當與該保護電路連接的布線被供應超過一定范圍的電位時連接該布線與其他布線的電路。如圖17A所示，對像素部502和驅動電路部504設置保護電路506，由此可以提高顯示裝置對因靜電放電(electrostaticdischarge：ESD)等而產生的過電流的耐性。注意，保護電路506的結構不局限于此，例如，也可以采用將保護電路506與柵極驅動器504a連接的結構或將保護電路506與源極驅動器504b連接的結構。或者，保護電路506也可以與端子部507連接。在圖17A所示的例子中，驅動電路部504包括柵極驅動器504a和源極驅動器504b，但是不局限于該結構。例如，可以只形成柵極驅動器504a并安裝另行準備的源極驅動電路(IC芯片等)。例如，在本說明書等中，顯示元件、具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及具有發光元件的裝置的發光裝置可以采用各種方式或可以具有各種元件。顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置的例子包括：其對比度、亮度、反射率、透射率等由電磁作用而變化的顯示媒體，諸如電致發光(EL)元件(例如，包含有機和無機材料的EL元件、有機EL元件或無機EL元件)、LED(例如，白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、晶體管(根據電流而發光的晶體管)、電子發射體、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵光閥(GLV)、等離子體顯示面板(PDP)、使用微電機系統(MEMS)的顯示元件、數字微鏡設備(DMD)、數字微快門(DMS)、MIRASOL(注冊商標)、干涉測量調節(IMOD)元件、MEMS快門顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器或碳納米管。具有EL元件的顯示裝置的例子包括EL顯示器。具有電子發射體的顯示裝置的例子包括：場致發射顯示器(FED)、SED方式平面型顯示器(SED：surface-conductionelectron-emitterdisplay：表面傳導電子發射顯示器)等。具有液晶元件的顯示裝置的例子包括：液晶顯示器(例如，透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)。具有電子墨水、電子粉流體或電泳元件的顯示裝置的例子包括電子紙等。在采用半透過型液晶顯示器或反射型液晶顯示器的情況下，像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能。例如，像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等。此時，可以將SRAM等存儲電路設置在反射電極下，由此可以實現低功耗。圖17A中的多個像素電路501例如可以具有圖17B所示的結構。圖17B所示的像素電路501包括液晶元件570、晶體管550以及電容器560。根據像素電路501的規格適當地設定液晶元件570的一對電極中的一個電極的電位。根據被寫入的數據設定液晶元件570的取向狀態。此外，也可以對多個像素電路501的每一個所具有的液晶元件570的一對電極中的一個電極供應公共電位。此外，對一個行中的像素電路501的每一個所具有的液晶元件570的一對電極中的一個電極供應的電位也可以不同于對另一個行中的像素電路501的每一個所具有的液晶元件570的一對電極中的一個電極供應的電位。作為具有液晶元件570的顯示裝置的驅動方法的例子，可以采用如下模式中的任一個：TN模式；STN模式；VA模式；ASM(axiallysymmetricalignedmicro-cell：軸對稱排列微單元)模式；OCB(opticallycompensatedbirefringence：光學補償彎曲)模式；FLC(ferroelectricliquidcrystal：鐵電性液晶)模式；AFLC(antiFerroelectricliquidcrystal：反鐵電液晶)模式；MVA模式；PVA(patternedverticalalignment：垂直取向構型)模式；IPS模式；FFS模式；TBA(transversebendalignment：橫向彎曲取向)模式等。顯示裝置的驅動方法的其他例子包括：ECB(electricallycontrolledbirefringence：電控雙折射)模式、PDLC(polymerdispersedliquidcrystal：聚合物分散型液晶)模式、PNLC(polymernetworkliquidcrystal：聚合物網絡型液晶)模式、賓主模式。注意，本發明的一個方式不局限于此，可以使用各種液晶元件及驅動方式。在第m行第n列的像素電路501中，晶體管550的源極和漏極中的一方與數據線DL_n電連接，源極和漏極中的另一方與液晶元件570的一對電極中的另一個電極電連接。晶體管550的柵電極與掃描線GL_m電連接。晶體管550具有通過成為開啟狀態或關閉狀態而控制是否寫入數據信號的功能。電容器560的一對電極中的一個電極與被供應電位的布線(以下，稱為電位供應線VL)電連接，另一個電極與液晶元件570的一對電極中的另一個電極電連接。根據像素電路501的規格適當地設定電位供應線VL的電位。電容器560具有儲存被寫入的數據的存儲電容器的功能。例如，在具有圖17B的像素電路501的顯示裝置中，通過圖17A所示的柵極驅動器504a對像素電路501進行逐行選擇，據此晶體管550成為開啟狀態而寫入數據信號。當晶體管550成為關閉狀態時，被寫入數據的像素電路501成為保持狀態。通過逐行進行上述步驟，來顯示圖像。圖17A中的多個像素電路501例如可以具有圖17C所示的結構。圖17C所示的像素電路501包括晶體管552及554、電容器562以及發光元件572。晶體管552的源電極和漏電極中的一個電連接于被供應數據信號的布線(以下，稱為信號線DL_n)。晶體管552的柵電極電連接于被供應柵極信號的布線(以下，稱為掃描線GL_m)。晶體管552具有通過成為開啟狀態或關閉狀態而控制是否寫入數據信號的功能。電容器562的一對電極中的一個與被供應電位的布線(以下，稱為電位供應線VL_a)電連接，另一個與晶體管552的源電極和漏電極中的另一個電連接。電容器562具有儲存被寫入的數據的存儲電容器的功能。晶體管554的源電極和漏電極中的一個與電位供應線VL_a電連接。晶體管554的柵電極與晶體管552的源電極和漏電極中的另一個電連接。發光元件572的陽極和陰極中的一個與電位供應線VL_b電連接，另一個與晶體管554的源電極和漏電極中的另一個電連接。作為發光元件572，例如可以使用有機電致發光元件(也稱為有機EL元件)等。注意，發光元件572并不局限于有機EL元件，也可以使用包含無機材料的無機EL元件。高電源電位VDD施加于電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個，低電源電位VSS施加于電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的另一個。例如，在具有圖17C的像素電路501的顯示裝置中，通過圖17A所示的柵極驅動器504a對像素電路501進行逐行選擇，據此晶體管552成為開啟狀態而寫入數據信號。當晶體管552成為關閉狀態時，被寫入數據的像素電路501成為保持狀態。并且，流在晶體管554的源電極與漏電極之間的電流量根據被寫入的數據信號的電位被控制。發光元件572以對應于電流量的亮度發射光。通過逐行進行上述步驟，來顯示圖像。例如，在本說明書等中，晶體管可以采用各種各樣的結構。對晶體管的種類沒有限制。例如，作為晶體管可以使用具有單晶硅的晶體管或者具有以非晶硅、多晶硅或微晶(microcrystalline)(也稱為納米晶、半非晶(semi-amorphous))硅等為代表的非單晶半導體膜的晶體管。或者，可以使用其半導體膜為薄的薄膜晶體管(TFT)。在使用TFT的情況下，有各種優點。例如，因為可以在比使用單晶硅時低的溫度下制造TFT，所以可以實現制造成本的降低或制造裝置的大型化。由于可以使制造裝置大型化，所以可以使用大型襯底形成TFT。因此，可以以低成本同時形成多個顯示裝置。此外，由于制造溫度低，因此可以使用低耐熱性襯底。由此，可以使用透光襯底形成晶體管。或者，可以通過利用使用透光襯底形成的晶體管來控制顯示元件的透光。或者，因為該晶體管的厚度較薄，所以晶體管所包括的膜的一部分能夠使光透過。因此，能夠提高開口率。另外，當在形成多晶硅的情況下使用催化劑(例如，鎳)時，可以進一步提高結晶性，從而可以形成電特性良好的晶體管。由此，可以在與像素部相同的基板上形成柵極驅動電路(例如，掃描線驅動電路)、源極驅動電路(例如，信號線驅動電路)以及信號處理電路(例如，信號產生電路、伽馬校正電路、DA轉換電路)。另外，當在制造微晶硅的情況下使用催化劑(例如，鎳)時，可以進一步提高結晶性，從而可以形成電特性良好的晶體管。此時，可以通過僅進行熱處理而不進行激光照射，來提高結晶性。由此，可以使用與像素部相同的襯底形成柵極驅動電路(例如，掃描線驅動電路)以及源極驅動電路的一部分(例如，模擬開關)。另外，當不進行為結晶化的激光照射時，可以抑制硅結晶性的不均勻。因此，可以顯示高質量圖像。注意，可以以不使用催化劑(例如，鎳)的方式制造多晶硅或微晶硅。另外，優選在整個面板上使硅的結晶性提高到多晶或微晶等，但是本發明不局限于此。可以只在面板的一部分區域中提高硅的結晶性。通過選擇性地照射激光，可以選擇性地提高結晶性。例如，可以僅對如下區域照射激光：像素以外的區域的外圍電路區域；柵極驅動電路及源極驅動電路等區域；或者源極驅動電路的一部分(例如，模擬開關)。由此，可以只在需要高速工作的電路區域中提高硅的結晶性。由于像素區不必需要高速工作，所以即使不被提高結晶性，也可以使像素電路工作而不發生問題。由此，需提高結晶性的區域較少，可以縮短制造工序。因此，可以提高生產量并可以降低制造成本。或者，因為所需要的制造裝置的數量少，所以可以降低制造成本。例如，作為晶體管可以使用包括化合物半導體(例如，SiGe、GaAs等)或氧化物半導體(例如，Zn-O、In-Ga-Zn-O、In-Zn-O、In-Sn-O、Sn-O、Ti-O、Al-Zn-Sn-O、In-Sn-Zn-O)等的晶體管。或者，可以使用使上述化合物半導體或上述氧化物半導體薄膜化而得到的薄膜晶體管。由于能夠降低制造溫度，所以這種晶體管可以例如在室溫下制造。因此，可以在塑料襯底或薄膜襯底等耐熱性低的襯底上直接形成晶體管。此外，不僅可以將這些化合物半導體或氧化物半導體用于晶體管的溝道部分，而且還可以用作其他用途。例如，可以將這些化合物半導體或氧化物半導體用于布線、電阻器、像素電極或透光電極等。因為這些構件可以與晶體管同時沉積或形成，所以可以降低成本。例如，作為晶體管可以使用通過噴墨法或印刷法形成的晶體管等。由此，可以在室溫下、在低真空下或在大型襯底上形成晶體管。因此，可以以不使用掩模(掩模版(reticule))的方式形成晶體管，所以可以容易地改變晶體管的布局。或者，因為可以以不使用抗蝕劑的方式形成晶體管，所以可以減少材料費并減少工序數。此外，因為可以只在需要的部分上形成膜，所以與在整個面上形成膜之后進行蝕刻的制造方法相比不浪費材料，由此可以降低成本。例如，作為晶體管可以使用具有有機半導體或碳納米管的晶體管等。由此，這種晶體管可以使用能夠彎曲的襯底而形成。包括具有有機半導體或碳納米管的晶體管的裝置能抗沖擊。作為晶體管可以使用其他各種結構的晶體管。例如，作為晶體管，可以使用MOS型晶體管、接合型晶體管、雙極晶體管等。通過作為晶體管使用MOS型晶體管，可以減小晶體管尺寸。因此，可以安裝多個晶體管。通過作為晶體管使用雙極晶體管，可以使較大的電流流過。因此，電路實現高速工作。另外，也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管形成在一個基板上。由此，可以實現低功耗、小型化、高速工作等。本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式4在本實施方式中，說明可以使用本發明的一個方式的顯示裝置來形成的顯示模塊。在圖18的顯示模塊8000中，在上蓋8001與下蓋8002之間設置有連接于FPC8003的觸摸面板8004、連接于FPC8005的顯示面板8006、背光8007、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。例如，可以將本發明的一個方式的顯示裝置用于顯示面板8006。根據觸摸屏8004及顯示面板8006的尺寸可以適當地改變上蓋8001及下蓋8002的形狀及尺寸。上蓋8001及下蓋8002可以具有柔性。觸摸面板8004可以是電阻式觸摸面板或電容式觸摸面板，并且可以與顯示面板8006重疊。顯示面板8006的對置襯底(密封襯底)可以具有觸摸面板功能。光傳感器也可以設置在顯示面板8006的各像素內，以使觸摸面板8004具有光學觸摸面板的功能。觸摸面板8004可以具有柔性。背光8007包括光源8008。注意，雖然在圖18中示出在背光8007上設置光源8008的結構，但是本發明的一個方式不局限于該結構。例如，可以采用在背光8007的端部設置有光源8008并且還設置有光擴散板的結構。在使用有機EL元件等自發光型發光元件的情況下或者在使用反射型面板的情況下，不一定必須要設置背光8007。背光8007可以具有柔性。框架8009保護顯示面板8006且具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。框架8009可以具有散熱板的功能。框架8009可以具有柔性。印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視頻信號及時鐘信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，可以使用外部的商業電源或另行設置的利用電池8011的電源。在使用商用電源時，可以省略電池8011。印刷電路板8010可以為FPC。顯示模塊8000還可以設置有偏振片、相位差板或棱鏡片等構件。本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式5在本實施方式中，說明可以用于本發明的一個方式的顯示裝置的晶體管及包含在該晶體管中的材料。可以將本實施方式所說明的晶體管用于上述實施方式所說明的晶體管350、352、550、552、554等。注意，在本實施方式中說明的晶體管具有轉置到柔性襯底之前的結構。圖19A是可以用于本發明的一個方式的顯示裝置的晶體管的例子的截面圖。該晶體管包括：襯底900上的有機樹脂層910；絕緣膜915；柵電極層920；依次層疊有柵極絕緣膜931及柵極絕緣膜932的柵極絕緣膜930；氧化物半導體層940；以及接觸于該氧化物半導體層的一部分的源電極層950及漏電極層960。此外，也可以在柵極絕緣膜930、氧化物半導體層940、源電極層950以及漏電極層960上形成有絕緣膜970、絕緣膜980以及絕緣膜990。如圖19B所示，本發明的一個方式的晶體管也可以包括導電膜921，該導電膜921與柵電極層920及氧化物半導體層940重疊且在絕緣膜980或絕緣膜990上。當將該導電膜用作第二柵電極層(背柵極)時，能夠增加通態電流(on-statecurrent)并控制閾值電壓。為了增加通態電流，例如，將柵電極層920和導電膜921設定為具有相同的電位，來將該晶體管作為雙柵極(double-gate)晶體管進行動作。另外，為了控制閾值電壓，對導電膜921供應與柵電極層920的電位不同的恒電位。本發明的一個方式的晶體管也可以具有如圖25A及25B所示的溝道保護型的底柵結構。在該結構中，絕緣膜933具有保護溝道區的功能。因此，絕緣膜933可以只設置在與溝道區重疊的區域或者如圖25A及圖25B所示那樣配置在該區域之外的區域。本發明的一個方式的晶體管也可以具有如圖26A和26B所示的自對準型的頂柵結構。在圖26A的結構中，源區951及漏區961可以通過如下方式形成：將源電極層950及漏電極層960接觸于氧化物半導體層而產生氧缺陷；或者，使用柵電極層920作為掩模對氧化物半導體層摻雜硼、磷、氬等雜質。在圖26B的結構中，源區951及漏區961可以通過利用如下方式代替摻雜方法來形成：以與氧化物半導體層940的一部分接觸的方式形成氮化硅膜等包含氫的絕緣膜975，并使氫擴散到氧化物半導體層940的一部分。本發明的一個方式的晶體管也可以具有如圖27A所示的自對準型的頂柵結構。在圖27A的結構中，源區951及漏區961可以通過如下方式形成：將源電極層950及漏電極層960接觸于氧化物半導體層而產生氧缺陷；或者，使用柵極絕緣膜930作為掩模對氧化物半導體層摻雜硼、磷、氬等雜質。在圖27A的結構中，源電極層950、漏電極層960以及柵電極層920可以在同一工序中形成。本發明的一個方式的晶體管也可以具有如圖27B所示的自對準型的頂柵結構。在圖27B的結構中，源區951及漏區961可以通過除了使用柵極絕緣膜930作為掩模的硼、磷、氬等雜質的摻雜方法之外，通過如下方式形成：以與氧化物半導體層940的一部分接觸的方式形成氮化硅膜等包含氫的絕緣膜975，并使氫擴散到氧化物半導體層940的一部分。在該結構中，源區951及漏區961可以具有低電阻。或者，可以形成不摻雜上述雜質的結構或沒有絕緣膜975的結構。注意，以在氧化物半導體層中形成氧缺陷的元素為雜質(雜質元素)進行說明。雜質元素的典型例子是硼、碳、氮、氟、鋁、硅、磷、氯以及稀有氣體元素。稀有氣體元素的典型例子是氦、氖、氬、氪以及氙。當對因被添加雜質元素而產生氧缺損的氧化物半導體添加氫時，氫進入氧缺損的位點而在導帶附近形成施主能級。其結果是，氧化物半導體的導電性增高，由此該氧化物半導體成為導電體。可以將成為導電體的氧化物半導體稱為氧化物導電體。一般而言，由于氧化物半導體的能隙大，因此其具有可見光透過性。氧化物導電體是在導帶附近具有施主能級的氧化物半導體。因此，起因于該施主能級的吸收的影響小，并且，氧化物導電體具有與氧化物半導體相同程度的可見光透過性。參照圖36說明使用氧化物導電體形成的膜(下面，稱為氧化物導電體層)中的電阻率的溫度依賴性。在此，形成包括氧化物導電體層的樣品。作為氧化物導電體層，形成如下氧化物導電體層：通過將氮化硅膜接觸于氧化物半導體層而形成的氧化物導電體層(OC_SiNx)；利用摻雜裝置對氧化物半導體層添加氬并且將氧化物半導體層接觸于氮化硅膜而形成的氧化物導電體層(OC_Ardope+SiNx)；以及利用等離子體處理裝置通過將氧化物半導體層暴露于氬等離子體并且將氧化物半導體層接觸于氮化硅而形成的氧化物導電體層(OC_Arplasma+SiNx)。上述氮化硅膜包括氫。下面說明包含氧化物導電體層(OC_SiNx)的樣品的形成方法。在玻璃襯底上通過等離子體CVD法形成400nm厚的氧氮化硅膜，然后將其暴露于氧等離子體，以對氧氮化硅膜添加氧離子，由此形成因加熱而釋放氧的氧氮化硅膜。接著，在因加熱而釋放氧的氧氮化硅膜上通過使用原子數比為In:Ga:Zn＝5:5:6的濺射靶材的濺射法形成100nm厚的In-Ga-Zn氧化物膜，在450℃的氮氣氛下進行加熱處理，然后在450℃的氮與氧的混合氣體氣氛下進行加熱處理。接著，通過等離子體CVD法形成100nm厚的氮化硅膜。然后，在350℃的氮與氧的混合氣體氣氛下對上述膜進行加熱處理。下面說明包含氧化物導電體層(OC_Ardope+SiNx)的樣品的形成方法。在玻璃襯底上通過等離子體CVD法形成400nm厚的氧氮化硅膜，然后將其暴露于氧等離子體，以對氧氮化硅膜添加氧離子，由此形成因加熱而釋放氧的氧氮化硅膜。接著，在因加熱而釋放氧的氧氮化硅膜上通過使用原子數比為In:Ga:Zn＝5:5:6的濺射靶材的濺射法形成100nm厚的In-Ga-Zn氧化物膜，在450℃的氮氣氛下進行加熱處理，然后在450℃的氮與氧的混合氣體氣氛下進行加熱處理。接著，利用摻雜裝置對In-Ga-Zn氧化物膜以10kV的加速電壓添加劑量為5×1014/cm2的氬，由此在In-Ga-Zn氧化物膜中形成氧缺陷。接著，通過等離子體CVD法形成100nm厚的氮化硅膜。然后，在350℃的氮與氧的混合氣體氣氛下對上述膜進行加熱處理。下面說明包含氧化物導電體層(OC_Arplasma+SiNx)的樣品的形成方法。在玻璃襯底上通過等離子體CVD法形成400nm厚的氧氮化硅膜，然后將其暴露于氧等離子體，由此形成因加熱而釋放氧的氧氮化硅膜。接著，在因加熱而釋放氧的氧氮化硅膜上通過使用原子數比為In:Ga:Zn＝5:5:6的濺射靶材的濺射法形成100nm厚的In-Ga-Zn氧化物膜，在450℃的氮氣氛下進行加熱處理，然后在450℃的氮與氧的混合氣體氣氛下進行加熱處理。接著，利用等離子體處理裝置產生氬等離子體，并將加速的氬離子碰撞In-Ga-Zn氧化物膜，由此產生氧缺陷。接著，通過等離子體CVD法形成100nm厚的氮化硅膜。然后，在350℃的氮與氧的混合氣體氣氛下對上述膜進行加熱處理。圖36示出各樣品的電阻率的測定結果。該電阻率的測定使用四個端子的Van-der-Pauw法進行。在圖36中，橫軸表示測定溫度，縱軸表示電阻率。在附圖中，方塊、三角及圓圈分別示出氧化物導電體層(OC_SiNx)的測定結果、氧化物導電體層(OC_Ardope+SiNx)的測定結果以及氧化物導電體層(OC_Arplasma+SiNx)的測定結果。雖然在圖中未顯示，但不與氮化硅膜接觸的氧化物半導體層具有高電阻率，并且測定該電阻率是困難的。因此，可知氧化物導電體層具有比氧化物半導體層低的電阻率。根據圖36，在氧化物導電體層(OC_Ardope+SiNx)及氧化物導電體層(OC_Arplasma+SiNx)包括氧缺陷及氫的情況下，電阻率的變動小。典型的是，在80K至290K的溫度下，電阻率的變動小于±20％。或者，在150K至250K的溫度下，電阻率的變動小于±10％。換言之，氧化物導電體是簡并半導體，并可以推測其導帶邊緣能級與費米能級一致或大致一致。因此，當將氧化物導電體層用作晶體管的源區及漏區時，在氧化物導電體層與用作源電極及漏電極的導電膜接觸的區域發生歐姆接觸，而可以降低氧化物導電體層與用作源電極及漏電極的導電膜的接觸電阻。此外，氧化物導電體的電阻率的溫度依賴性低，所以氧化物半導體層與用作源電極及漏電極的導電膜的接觸電阻的變動少，而能夠形成可靠性高的晶體管。如圖28A和28B所示，本發明的一個方式的晶體管也可以包括隔著柵極絕緣膜935與氧化物半導體層940重疊的導電膜921。雖然圖28A和28B示出將導電膜921設置在圖26A和26B所示的晶體管中的例子，但是也可以將導電膜921設置在圖27A和27B所示的晶體管中。在本發明的一個方式的顯示裝置中，如上所述將氧化物半導體用于活性層。使用氧化物半導體層的晶體管具有比使用非晶硅的晶體管高的遷移率，所以可以容易減小其尺寸，而可以縮小像素的尺寸。使用氧化物半導體層的晶體管能夠使柔性顯示裝置具有高可靠性。注意，本發明的方式不局限于此。根據情形或狀況，活性層也可以包括氧化物半導體以外的半導體。另外，如圖19A和19B等所示，柵電極層920的寬度優選大于氧化物半導體層940的寬度。在具有背光的顯示裝置中，該柵電極層被用作遮光層，可以抑制因對氧化物半導體層940照射光而導致的電特性劣化。在EL顯示裝置中，可以將頂柵型晶體管中的柵電極用作遮光層。接著，詳細說明本發明的一個方式的晶體管的構成要素。為了容易地進行將構成要素轉置到柔性襯底的工序，襯底900優選為硬質襯底。例如，可以使用玻璃襯底、陶瓷襯底、石英襯底、藍寶石襯底、金屬襯底等。注意，襯底900相當于實施方式1的第一襯底462。作為有機樹脂層910，例如可以使用環氧樹脂、芳族聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰胺酰亞胺樹脂等有機樹脂。注意，有機樹脂層910相當于實施方式1的有機樹脂層320a。作為絕緣膜915，例如可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜等單層或者包括上述膜的疊層。絕緣膜915相當于實施方式1的第一絕緣膜321a。柵電極層920及導電膜921可以使用如下材料形成：選自鉻(Cr)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈷(Co)的金屬元素；包含上述金屬元素的合金；或者組合上述金屬元素的合金等。此外，柵電極層920可以具有單層結構或兩層以上的疊層結構。另外，柵電極層920及導電膜921可以使用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化硅的銦錫氧化物等透光導電材料來形成。另外，也可以采用上述透光導電材料與上述金屬元素的疊層結構。另外，可以在柵電極層920和柵極絕緣膜932之間設置In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜、In-Sn類氧氮化物半導體膜、In-Ga類氧氮化物半導體膜、In-Zn類氧氮化物半導體膜、Sn類氧氮化物半導體膜、In類氧氮化物半導體膜、金屬氮化物(如InN或ZnN等)膜等。作為用作柵極絕緣膜930的柵極絕緣膜931及932，可以使用包括通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD：plasmaenhancedchemicalvapordeposition)法或濺射法等形成的如下膜中的至少一個的絕緣層：氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜和氧化釹膜。另外，柵極絕緣膜930也可以使用選自上述材料而形成的單層的絕緣膜或三層以上的絕緣膜而代替絕緣膜931和932的疊層結構。另外，接觸于用作晶體管的溝道形成區的氧化物半導體層940的柵極絕緣膜932優選為氧化物絕緣膜，并優選具有包含超過化學計量組成的氧的區域(氧過剩區域)。換言之，柵極絕緣膜932是能夠釋放氧的絕緣膜。為了在柵極絕緣膜932中設置氧過剩區域，例如在氧氣氛下形成柵極絕緣膜932。或者，也可以對形成后的柵極絕緣膜932引入氧來設置氧過剩區域。可以利用離子注入法、離子摻雜法、等離子體浸沒式離子注入法、等離子體處理法等進行氧的引入。在作為柵極絕緣膜931、932使用氧化鉿的情況下，可以發揮如下效果。氧化鉿具有比氧化硅及氧氮化硅高的相對介電常數。因此，通過使用氧化鉿或氧化鋁，可以使物理厚度比等效氧化物厚度(equivalentoxidethickness)大。由此，即使等效氧化物厚度小于或等于10nm、或者小于或等于5nm，也可以減少隧道電流所引起的泄漏電流。也就是說，可以提供關態電流小的晶體管。再者，與包括非晶結構的氧化鉿相比，包括結晶結構的氧化鉿具有更高的相對介電常數。因此，為了提供關態電流小的晶體管，優選使用包括結晶結構的氧化鉿。該結晶結構的例子包括：單斜晶結構及立方體晶結構。注意，本發明的一個方式不局限于上述例子。在本實施方式中，作為柵極絕緣膜931形成氮化硅膜，作為絕緣膜932形成氧化硅膜。此外，與氧化硅膜相比，氮化硅膜具有更高的相對介電常數且為了得到相等的靜電容量需要的厚度較大，因此，當將氮化硅膜用于晶體管的柵極絕緣膜930時，可以增加柵極絕緣膜的物理厚度。據此，通過抑制晶體管的耐壓性降低且提高晶體管的耐壓性，可以防止晶體管的靜電破壞。氧化物半導體層940典型地使用In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)而形成。尤其是，作為氧化物半導體層940優選使用In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)。在氧化物半導體層940為In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)的情況下，優選的是，用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子數比滿足In≥M及Zn≥M。作為這種濺射靶材的金屬元素的原子個數比，優選為In:M:Zn＝1:1:1、In:M:Zn＝5:5:6、In:M:Zn＝3:1:2。注意，所形成的氧化物半導體層940中的金屬元素的原子數比與上述濺射靶材的金屬元素的原子數比之間有±40％的范圍內的誤差。在將In-M-Zn氧化物用于氧化物半導體層940的情況下，當不考慮Zn和O時，In的比率和M的比率分別優選為高于或等于25atomic％和低于75atomic％，更優選的是，In的比率和M的比率分別為高于或等于34atomic％和低于66atomic％。氧化物半導體層940的能隙為2eV或更大，優選為2.5eV或更大，更優選為3eV或更大。像這樣，通過使用能隙寬的氧化物半導體，可以減少晶體管的關態電流。氧化物半導體層940的厚度大于或等于3nm且小于或等于200nm，優選為3nm至100nm，更優選為3nm至50nm。作為氧化物半導體層940使用載流子密度低的氧化物半導體層。例如，作為氧化物半導體層940使用其載流子密度小于或等于1×1017/cm3，優選小于或等于1×1015/cm3，更優選小于或等于1×1013/cm3，進一步優選小于或等于1×1011/cm3的氧化物半導體層。但是，上述構成要素不局限于上述記載，可以根據所需的晶體管的半導體特性及電特性(例如，場效應遷移率、閾值電壓)來使用具有適當的組成的材料。另外，為了得到所需的晶體管的半導體特性，優選將氧化物半導體層940的載流子密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數比、原子間距離、密度等設定為適當的值。此外，在氧化物半導體層中，氫、氮、碳、硅以及除了主要成分以外的金屬元素都是雜質。例如，氫和氮形成施主能級，而增高載流子密度。硅在氧化物半導體層中形成雜質能級。該雜質能級成為陷阱，有可能使晶體管的電特性劣化。優選在氧化物半導體層中或與其他層的界面中降低雜質濃度。此外，通過降低氧化物半導體層中的雜質濃度，使該氧化物半導體層具有本征或實質上本征的特性，來可以對將氧化物半導體層用作溝道的晶體管賦予穩定的電特性。“實質上本征”是指氧化物半導體層的載流子密度低于1×1017/cm3，優選低于1×1015/cm3，更優選低于1×1013/cm3，更優選低于8×1011/cm3，更優選低于1×1011/cm3，更優選低于1×1010/cm3且為1×10-9/cm3或更高的狀態。為了使氧化物半導體層具有本征或實質上本征的特性，在SIMS(secondaryionmassspectrometry：二次離子質譜)中，例如在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中的硅濃度低于1×1019atoms/cm3，優選低于5×1018atoms/cm3，更優選低于1×1018atoms/cm3。此外，在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中的氫濃度低于或等于2×1020atoms/cm3，優選低于或等于5×1019atoms/cm3，更優選低于或等于1×1019atoms/cm3，進一步優選低于或等于5×1018atoms/cm3。此外，在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中的氮濃度低于5×1019atoms/cm3，優選低于或等于5×1018atoms/cm3，更優選低于或等于1×1018atoms/cm3，進一步優選低于或等于5×1017atoms/cm3。在氧化物半導體層包含結晶的情況下，高濃度的硅或碳有時會使氧化物半導體層的結晶性降低。為了防止氧化物半導體層的結晶性的降低，例如在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中的硅濃度低于1×1019atoms/cm3，優選低于5×1018atoms/cm3，更優選低于1×1018atoms/cm3。此外，在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中的碳濃度低于1×1019atoms/cm3，優選低于5×1018atoms/cm3，更優選低于1×1018atoms/cm3。根據各種實驗可以證明將被高度純化的氧化物半導體層用于溝道形成區的晶體管的低關態電流。例如，即使元件的溝道寬度為1×106μm且溝道長度為10μm，在源電極與漏電極之間的電壓(漏極電壓)為1V至10V的范圍內的關態電流也可以小于或等于半導體參數分析儀的測量極限，即小于或等于1×10-13A。在此情況下，可知以晶體管的溝道寬度進行標準化的關態電流小于或等于100zA/μm。此外，將電容器與晶體管彼此連接，并用該晶體管控制流入到電容器的電荷或從電容器流出的電荷來測量關態電流。在該測量中，將被高度純化的氧化物半導體層用于上述晶體管的溝道形成區，并且通過利用電容器的每單位時間的電荷量推移測量該晶體管的關態電流密度。其結果是，可知在晶體管的源電極與漏電極之間的電壓為3V的情況下，可以獲得幾十yoctoamperespermicrometer(yA/μm，幺安每微米)的極低的關態電流。由此，由被高度純化的氧化物半導體層形成其溝道形成區的晶體管的關態電流比包括具有結晶性的硅的晶體管的關態電流顯著低。優選將具有從氧化物半導體層抽出氧的性質的導電膜用于源電極層950及漏電極層960。例如，可以使用Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Mn、Nd或Sc。此外，也可以使用上述材料的合金或上述材料的導電性氮化物。此外，也可以使用選自上述材料、上述材料的合金及上述材料的導電性氮化物中的多種材料的疊層。典型的是，優選使用容易與氧鍵合的Ti或者具有高熔點而能以較高的溫度進行后續的處理的W。此外，也可以使用低電阻的Cu或Cu-X合金(X表示Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。此外，也可以使用包括上述材料、Cu或Cu-X合金的疊層。在使用Cu-X合金(X表示Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)的情況下，有時因加熱處理而在與氧化物半導體層接觸的區域或與絕緣膜接觸的區域形成覆蓋膜。該覆蓋膜具有包含X的化合物。包含X的化合物的例子包括：X的氧化物、In-X氧化物、Ga-X氧化物、In-Ga-X氧化物、In-Ga-Zn-X氧化物。當形成覆蓋膜時，該覆蓋膜被用作阻擋膜，而可以防止Cu-X合金膜中的Cu進入氧化物半導體層。通過利用能夠從氧化物半導體層抽出氧的導電膜，氧化物半導體層中的氧脫離，而在氧化物半導體膜中形成氧缺陷。包含于層中的微量的氫與該氧缺陷鍵合，由此該區域明顯地成為n型區域。因此，該n型區域可以用作晶體管的源極區域或漏極區域。絕緣膜970、980、990具有保護絕緣膜的功能。例如，絕緣膜970是能夠使氧透過的絕緣膜。此外，絕緣膜970還具有緩和在形成絕緣膜980時氧化物半導體層940所受到的損傷的功能。作為絕緣膜970，可以使用厚度為大于或等于5nm且小于或等于150nm，優選大于或等于5nm且小于或等于50nm的氧化硅膜、氧氮化硅膜等。注意，在本說明書中，“氧氮化硅膜”是指含有比氮多的氧的膜，而“氮氧化硅膜”是指含有比氧多的氮的膜。此外，優選的是，絕緣膜970中的缺陷量較少，典型的是，通過電子自旋共振(ESR：electronspinresonance)測量在起因于硅的懸空鍵的g＝2.001處呈現的信號的自旋密度低于或等于3×1017spins/cm3。這是因為若絕緣膜970中的缺陷密度較高，則氧與該缺陷鍵合，并且經過絕緣膜970中的氧量減少。絕緣膜980使用其氧含量超過化學計量組成的氧化物絕緣膜形成。氧的一部分通過加熱從氧含量超過化學計量組成的氧化物絕緣膜脫離。包含超過化學計量組成的氧的氧化物絕緣膜是如下氧化物絕緣膜：在熱脫附譜(TDS：thermaldesorptionspectroscopy)分析中換算為氧原子的氧的脫離量大于或等于1.0×1018atoms/cm3，優選大于或等于3.0×1020atoms/cm3。在該TDS分析中，在如下條件下進行加熱處理：膜的表面溫度高于或等于100℃且低于或等于700℃以下、或者高于或等于100℃且低于或等于500℃。作為絕緣膜980可以使用厚度為大于或等于30nm且小于或等于500nm，優選大于或等于50nm且小于或等于400nm的氧化硅膜、氧氮化硅膜等。此外，優選的是，絕緣膜980中的缺陷量較少，典型的是，通過ESR測量在起因于硅的懸空鍵的g＝2.001處呈現的信號的自旋密度低于1.5×1018spins/cm3，更優選低于或等于1×1018spins/cm3。絕緣膜980與絕緣膜970相比距離氧化物半導體層940較遠，因此，絕緣膜980可以具有比絕緣膜970高的缺陷密度。另外，由于絕緣膜970、980可以使用相同種類的材料形成，因此有時難以明確地確認到絕緣膜970與絕緣膜980之間的界面。因此，在本實施方式中，以虛線表示絕緣膜970與980之間的界面。雖然在本實施方式中說明絕緣膜970和980的兩層結構，但是本發明不局限于此，例如，可以采用絕緣膜970的單層結構、絕緣膜980的單層結構或包含三層以上的疊層結構。絕緣膜990可以具有阻擋氧、氫、水、堿金屬、堿土金屬等的功能。通過使用絕緣膜990，可以防止氧從氧化物半導體層940擴散到外部，并且可以防止氫、水等從外部擴散到氧化物半導體層940中。作為絕緣膜990，例如可以使用氮化物絕緣膜。該氮化物絕緣膜使用氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氮氧化鋁等形成。另外，也可以設置對氧、氫、水等具有阻擋效果的氧化物絕緣膜代替對氧、氫、水、堿金屬、堿土金屬等具有阻擋效果的氮化物絕緣膜。作為對氧、氫、水等具有阻擋效果的氧化物絕緣膜，可以舉出氧化鋁膜、氧氮化鋁膜、氧化鎵膜、氧氮化鎵膜、氧化釔膜、氧氮化釔膜、氧化鉿膜、氧氮化鉿膜。另外，氧化物半導體層940也可以具有層疊有多個氧化物半導體層的結構。例如，如圖20A所示的晶體管那樣，氧化物半導體層940可以由第一氧化物半導體層941a和第二氧化物半導體層941b的疊層構成。第一氧化物半導體層941a和第二氧化物半導體層941b可以具有原子數比不同的金屬氧化物。例如，一個氧化物半導體層可以具有包含兩種金屬的氧化物、包含三種金屬的氧化物以及包含四種金屬的氧化物中的一種，而另一個氧化物半導體層可以具有包含兩種金屬的氧化物、包含三種金屬的氧化物以及包含四種金屬的氧化物中的另一種。或者，第一氧化物半導體層941a和第二氧化物半導體層941b可以以不同的原子數比包含相同的構成元素。例如，一個氧化物半導體層可以以1:1:1、5:5:6或3:1:2的原子數比包含In、Ga和Zn，而另一個氧化物半導體層可以以1:3:2、1:3:4、1:3:6、1:4:5、1:6:4或1:9:6的原子數比包含In、Ga和Zn。另外，各氧化物半導體層的原子數比在上述原子數比的±20％的范圍內變動作為誤差。在上述結構中，與柵電極較近的一側的一個氧化物半導體層(溝道一側的氧化物半導體層)的原子數比為In≥Ga(在原子數比上，In大于或等于Ga)，并且，離柵電極較遠的一側的另一個氧化物半導體層(背溝道一側的氧化物半導體層)的原子數比為In＜Ga。此時，可以制造場效應遷移率高的晶體管。另一方面，當溝道一側的氧化物半導體層的原子數比為In＜Ga，并且，背溝道一側的氧化物半導體層的原子數比為In≥Ga(在原子數比上，In大于或等于Ga)時，可以減少晶體管的經時變化或因可靠性測試導致的閾值電壓的變動量。另外，晶體管的半導體膜也可以具有第一氧化物半導體層、第二氧化物半導體層和第三半導體層的三層結構。此時，第一氧化物半導體層至第三氧化物半導體層可以以不同的原子數比包含相同的構成元素。參照圖20B以及圖29A和29B說明包括三層半導體膜的晶體管。另外，也可以將半導體膜具有多層結構的結構用于本實施方式所示的其他晶體管。圖20B以及圖29A和29B所示的晶體管包括從柵極絕緣膜127一側依次層疊的第三氧化物半導體層942a、第二氧化物半導體層942b及第一氧化物半導體層942c。第一氧化物半導體層942c及第三氧化物半導體層942a使用以InM1xZnyOz(x≥1，y＞1，z＞0，M1＝Ga、Hf等，其中x大于或等于1)表示的材料形成。第二氧化物半導體層942b使用以InM2xZnyOz(x≥1，y≥x，z＞0，M2＝Ga、Sn等，其中x大于或等于1，y大于或等于x)表示的材料形成。適當地選擇第一至第三氧化物半導體層的材料，以形成阱結構。在該阱結構中，與第一及第三氧化物半導體層942a的導帶底相比，第二氧化物半導體層942b的導帶底離真空能級較深。例如，第一氧化物半導體層942c及第三氧化物半導體層942a的原子數比可以為In:Ga:Zn＝1:1:1、1:3:2、1:3:4、1:3:6、1:4:5、1:6:4或1:9:6，并且，第二氧化物半導體層942b的原子數比可以為In:Ga:Zn＝1:1:1、5:5:6或3:1:2。由于第一至第三氧化物半導體層942c至942a具有相同的構成元素，所以第二氧化物半導體層942b的與第三氧化物半導體層942a之間的界面的缺陷態(陷阱能級)少。具體地說，該缺陷態(陷阱能級)比柵極絕緣膜與第三氧化物半導體層942a之間的界面的缺陷態少。由此，當如上所述那樣層疊氧化物半導體層時，可以減少晶體管的經時變化或因可靠性測試導致的閾值電壓的變動量。另外，通過適當地選擇第一至第三氧化物半導體層的材料，以形成阱結構。在該阱結構中，與第一及第三氧化物半導體層942a的導帶底相比，第二氧化物半導體層942b的導帶底離真空能級較深。其結果是，可以提高晶體管的場效應遷移率，并且可以減少晶體管的經時變化或因可靠性測試導致的閾值電壓的變動量。另外，第一至第三氧化物半導體層942c至942a也可以使用結晶性不同的氧化物半導體來形成。注意，至少可被用作溝道形成區的第二氧化物半導體層942b優選是具有結晶性的膜，更優選是其c軸朝向垂直于表面的方向的膜。圖35A和35B所示的結構優選用于圖29A等所示的頂柵型晶體管的溝道形成區的在溝道寬度方向上的截面。在上述結構中，在溝道寬度方向上由柵電極層920電性上包圍氧化物半導體層940。將這種晶體管結構稱為surroundedchannel(s-channel，圍繞溝道)結構。在具有如圖28A和28B所示的包括導電膜921的結構中，柵電極層920和導電膜921可以如圖35B所示那樣通過接觸孔彼此連接，使得具有相同的電位。本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式6在本實施方式中，說明本發明的一個方式的顯示裝置所包括的晶體管。本發明的一個方式的顯示裝置所包括的各晶體管不一定必需要具有同一結構。例如，顯示裝置的像素部中的晶體管與用來驅動該像素部的驅動電路部所使用的晶體管具有不同的結構，由此各晶體管可以具有適合于各個部分的電特性，而可以提高顯示裝置的可靠性。當驅動電路部所包括的晶體管具有雙柵極結構時，該晶體管具有高場效應遷移率。另外，驅動電路部的晶體管與像素部的晶體管可以具有不同的溝道長度。典型的是，驅動電路部的晶體管194的溝道長度小于2.5μm、或者大于或等于1.45μm且小于或等于2.2μm。像素部的晶體管190的溝道長度大于或等于2.5μm、或者大于或等于2.5μm且小于或等于20μm。當驅動電路部的晶體管194的溝道長度小于2.5μm、或者大于或等于1.45μm且小于或等于2.2μm時，與像素部的晶體管相比，能夠提高場效應遷移率，從而可以增大通態電流。其結果是，可以形成能夠進行高速工作的驅動電路部。當驅動電路部的晶體管具有高場效應遷移率時，可以減少輸入端子的數量。圖30示出將圖26A所示的晶體管用作圖2的液晶顯示裝置的像素部中的晶體管且將圖29A所示的晶體管用作驅動電路部中的晶體管的例子。圖31示出在圖3的EL顯示裝置中像素部的晶體管與驅動電路部的晶體管具有不同結構的例子。此外，作為像素部中的晶體管，可以使用圖26B以及圖27A和27B所示的晶體管。作為驅動電路部中的晶體管，可以使用在圖29A和29B以及圖27A和27B中的氧化物半導體層具有多層結構的晶體管。對于像素部的晶體管，優選采用對來自背光或EL元件的光照射的可靠性高的晶體管。例如，將通過使用原子數比為In:Ga:Zn＝1:1:1的材料作為靶材的濺射法形成的氧化物半導體層用于溝道形成區，由此可以形成對光照射的可靠性高的晶體管。另一方面，對于驅動電路部的晶體管，優選采用場效應遷移率高的晶體管。除了上述結構之外，將通過使用原子數比為In:Ga:Zn＝3:1:2的材料作為靶材的濺射法形成的氧化物半導體層用于溝道形成區，由此可以形成場效應遷移率高的晶體管。在本實施方式中，參照圖32A至32D以及圖33A至33D說明在一個襯底上形成上述兩種晶體管的方法。當一方的晶體管包括具有疊層結構的氧化物半導體層時，能夠以簡便的工序在一個襯底上形成上述兩種晶體管。作為像素部的晶體管，附圖的左側示出與圖26A的晶體管同樣的結構的晶體管A的在溝道長度方向上的截面。作為驅動電路部的晶體管，附圖的右側示出與圖29A的晶體管同樣的結構的晶體管B的在溝道長度方向上的截面。注意，只對晶體管A和晶體管B中的一個附加雙方共用的符號。在本實施方式所說明的晶體管的制造方法中，包括實施方式1所說明的向柔性襯底轉置的要素(有機樹脂層等)的制造方法。作為襯底900，可以使用玻璃襯底、陶瓷襯底、石英襯底、藍寶石襯底等。此外，也可以使用由硅或碳化硅等形成的單晶半導體襯底或多晶半導體襯底、由硅鍺等形成的化合物半導體襯底、SOI(silicononinsulator：絕緣體上硅片)襯底等。或者，也可以使用還設置有半導體元件的上述襯底。作為有機樹脂層910，可以使用環氧樹脂、芳族聚酰胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰胺酰亞胺樹脂等有機樹脂。其中優選使用聚酰亞胺樹脂，因為其具有高耐熱性。當使用聚酰亞胺樹脂時，該聚酰亞胺樹脂的厚度大于或等于3nm且小于或等于20μm，優選大于或等于500nm且小于或等于2μm。該聚酰亞胺樹脂可以通過旋涂法、浸涂法、刮刀涂布法(doctorblademethod)等形成。絕緣膜915可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等并利用濺射法或CVD法等形成。絕緣層935可以通過等離子體CVD法或濺射法等使用包含氧化鋁、氧化鎂、氧化硅、氧氮化硅、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿或氧化鉭等的氧化物絕緣膜；包含氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氮氧化鋁等的氮化物絕緣膜；或者上述材料的混合材料來形成。此外，可以使用包含上述材料的疊層，并且，與氧化物半導體層接觸的上層至少優選使用包含過剩氧的材料形成，該過剩氧對氧化物半導體層供應氧。另外，可以利用離子注入法、離子摻雜法、等離子體浸沒離子注入法(plasmaimmersionionimplantationmethod)、等離子體處理等對絕緣層935添加氧。通過添加氧，可以更容易地使絕緣層935將氧供應給氧化物半導體層。在襯底900的表面由絕緣體構成且不受雜質擴散到之后形成的氧化物半導體層中的影響的情況下，不一定必須要設置絕緣層935。此外，如圖28A和28B所示，可以在絕緣膜915上形成導電膜921，并在該導電膜上形成絕緣層935。接著，利用濺射法、CVD法、MBE法等在絕緣層935上形成驅動電路的晶體管中的成為第一氧化物半導體層942c的第一氧化物半導體膜940c以及成為第二氧化物半導體層942b的第二氧化物半導體膜940b。接著，利用光刻法在驅動電路區中形成抗蝕劑掩模801(參照圖32A)。使用該抗蝕劑掩模選擇性地對第一氧化物半導體膜940c及第二氧化物半導體膜940b進行蝕刻，來形成包括第一氧化物半導體層942c及第二氧化物半導體層942b的疊層(參照圖32B)。接著，以覆蓋上述疊層的方式形成成為第三氧化物半導體層942a的第三氧化物半導體膜940a。可以將實施方式5所說明的材料用于第一氧化物半導體膜940c、第二氧化物半導體膜940b及第三氧化物半導體膜940a。在本實施方式中，例如，對第一氧化物半導體膜940c及第三氧化物半導體膜940a使用In-Ga-Zn氧化物(In:Ga:Zn＝1:1:1[原子數比])，對第二氧化物半導體膜940b使用In-Ga-Zn氧化物(In:Ga:Zn＝3:1:2[原子數比])。第一氧化物半導體膜940c、第二氧化物半導體膜940b及第三氧化物半導體膜940a的原子數比中的各原子比率有可能在±20％的范圍內變動作為誤差。在作為成膜法使用濺射法的情況下，可以將上述材料用作靶材。能夠用于第一氧化物半導體膜940c、第二氧化物半導體膜940b及第三氧化物半導體膜940a的氧化物半導體優選至少包含銦(In)或鋅(Zn)。或者，優選包含In和Zn的雙方。為了減少包括該氧化物半導體的晶體管的電特性變動，除了In和Zn以外，上述氧化物半導體優選還包含穩定劑(stabilizer)。作為穩定劑，可以舉出鎵(Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋁(Al)或鋯(Zr)等。作為其他穩定劑，可以舉出鑭系元素諸如鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)等。作為氧化物半導體，例如可以使用如下材料：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn氧化物、Sn-Zn氧化物、Al-Zn氧化物、Zn-Mg氧化物、Sn-Mg氧化物、In-Mg氧化物、In-Ga氧化物、In-Ga-Zn氧化物、In-Al-Zn氧化物、In-Sn-Zn氧化物、Sn-Ga-Zn氧化物、Al-Ga-Zn氧化物、Sn-Al-Zn氧化物、In-Hf-Zn氧化物、In-La-Zn氧化物、In-Ce-Zn氧化物、In-Pr-Zn氧化物、In-Nd-Zn氧化物、In-Sm-Zn氧化物、In-Eu-Zn氧化物、In-Gd-Zn氧化物、In-Tb-Zn氧化物、In-Dy-Zn氧化物、In-Ho-Zn氧化物、In-Er-Zn氧化物、In-Tm-Zn氧化物、In-Yb-Zn氧化物、In-Lu-Zn氧化物、In-Sn-Ga-Zn氧化物、In-Hf-Ga-Zn氧化物、In-Al-Ga-Zn氧化物、In-Sn-Al-Zn氧化物、In-Sn-Hf-Zn氧化物、In-Hf-Al-Zn氧化物。在此，例如“In-Ga-Zn氧化物”是指作為主要成分包含In、Ga和Zn的氧化物。In-Ga-Zn氧化物也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。此外，在本說明書中，將使用In-Ga-Zn氧化物形成的膜稱為IGZO膜。另外，也可以使用以InMO3(ZnO)m(滿足m＞0，且m不是整數)表示的材料。M表示選自Ga、Y、Zr、La、Ce及Nd中的一種或多種金屬元素。另外，也可以使用以In2SnO5(ZnO)n(n＞0，且n是整數)表示的材料。以使第二氧化物半導體膜940b具有比第一氧化物半導體膜940c及第三氧化物半導體膜940a大的電子親和能的方式選擇第二氧化物半導體膜940b的材料。另外，優選利用濺射法形成氧化物半導體膜。作為濺射法，可以使用RF濺射法、DC濺射法、AC濺射法等。為了提高氧化物半導體膜的膜厚度、膜成分及結晶性的均勻性，與RF濺射法相比，優選使用DC濺射法或AC濺射法。第二氧化物半導體膜940b的銦含量優選多于第一及第三氧化物半導體膜940c及940a的銦含量。在氧化物半導體中，重金屬的s軌道主要有助于載流子傳導，并且當氧化物半導體中的In的比率增加時，s軌道的重疊會增大。由此，In的比率多于Ga的氧化物具有比In的比率等于或少于Ga的氧化物高的遷移率。因此，通過將銦的比率高的氧化物用于溝道形成區，可以獲得遷移率高的晶體管。在形成第三氧化物半導體膜940a之后可以進行第一加熱處理。第一加熱處理可以在高于或等于250℃且低于或等于650℃，優選高于或等于300℃且低于或等于500℃的溫度下且在惰性氣體氣氛、包含10ppm以上的氧化氣體的氣氛或減壓狀態下進行。另外，也可以以如下方法進行第一加熱處理：在惰性氣體氣氛下進行加熱處理，然后為了填補脫離了的氧而在包含10ppm以上的氧化氣體的氣氛下進行另一加熱處理。該第一加熱處理可以提高第一至第三氧化物半導體膜940c至940a的結晶性，且可以從第一至第三氧化物半導體膜940c至940a以及絕緣層935去除水及氫等雜質。另外，第一加熱處理也可以在后面所述的第三氧化物半導體膜940a的蝕刻工序之后進行。接著，利用光刻法在像素區中形成抗蝕劑掩模802。在驅動電路區中的包括第一氧化物半導體層942c及第二氧化物半導體層942b的疊層上形成抗蝕劑掩模803(參照圖32C)。接著，使用上述抗蝕劑掩模選擇性地對第三氧化物半導體膜940a進行蝕刻，而在像素區中形成氧化物半導體層943a。此外，在驅動電路區中形成包括第一氧化物半導體層942c、第二氧化物半導體層942b及第三氧化物半導體層942a的疊層(參照圖32D)。接著，在氧化物半導體層943a及上述疊層上形成第一導電膜。作為第一導電膜，可以使用選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Mn、Nd、Sc及這些金屬材料的合金中的材料形成單層或疊層。接著，在第一導電膜上形成抗蝕劑掩模，并使用該抗蝕劑掩模選擇性地對第一導電膜進行蝕刻，由此形成源電極層950及漏電極層960(參照圖33A)。此時，氧化物半導體層930a及包括第一至第三氧化物半導體層的疊層的一部分n型化。接著，以覆蓋像素區及驅動電路區的方式形成柵極絕緣膜930(參照圖33B)。柵極絕緣膜930可以使用氧化鋁、氧化鎂、氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿或氧化鉭等形成。柵極絕緣膜930也可以是包含上述材料的疊層。柵極絕緣膜930可以通過濺射法、CVD法、MBE法等形成。然后，在柵極絕緣膜930上形成成為柵電極層920的第二導電膜。作為第二導電膜，可以使用Al、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ru、Ag、Mn、Nd、Sc、Ta及W的單層、疊層或合金。第二導電膜可以利用濺射法或CVD法等形成。第二導電膜也可以使用包含氮的導電膜或者包括上述導電膜與包含氮的導電膜的疊層。然后，在第二導電膜上形成抗蝕劑掩模，使用該抗蝕劑掩模對第二導電膜選擇性地進行蝕刻，來形成柵電極層920。接著，對氧化物半導體層943a及包括第一至第三氧化物半導體層942c至942a的疊層中的沒有被源電極層950、漏電極層960及柵電極層920覆蓋的區域添加雜質810，使得該區域成為n型區，來形成源區951及漏區961(參照圖33C)。作為該雜質的添加方法，可以使用等離子體處理、離子注入法、離子摻雜法、等離子體浸沒式離子注入法等。注意，雜質的添加也可以在將柵電極層920用作掩模而選擇性地對柵極絕緣膜930進行蝕刻之后進行。作為用來提高氧化物半導體層的導電率的雜質，例如可以使用如下材料中的一種或多種：磷、砷、銻、硼、鋁、硅、氮、氦、氖、氬、氪、氙、銦、氟、氯、鈦、鋅及碳。當作為雜質元素對氧化物半導體層添加稀有氣體時，氧化物半導體層中的金屬元素與氧之間的鍵合被斷開，而產生氧缺陷。氧化物半導體膜中的氧缺陷與殘留在氧化物半導體層中的或者后來被添加的氫之間的相互作用可以提高氧化物半導體層的導電率。具體而言，氫進入氧化物半導體膜中的氧缺陷，由此生成作為載流子的電子。其結果是，導電率提高。在圖33C中，當所謂的偏置(offset)區域(氧化物半導體層中的不與柵電極層920、源電極層及漏電極層重疊的區域)的寬度小于0.1μm時，不一定必須要進行上述雜質的摻雜。在該偏置區域小于0.1μm的情況下，因雜質的摻雜的有無而產生的晶體管的通態電流的差極小。接著，在柵極絕緣膜930及柵電極層920上形成絕緣膜970、絕緣膜980及絕緣膜990(參照圖33D)。此外，也可以利用離子注入法、離子摻雜法、等離子體浸沒離子注入法、等離子體處理等對絕緣膜970及/或絕緣膜980添加氧。通過添加氧，可以更容易地將氧從絕緣膜970及/或絕緣膜980供應給氧化物半導體層943a及第一至第三氧化物半導體層942c至942a。然后，可以進行第二加熱處理。第二加熱處理可以在與第一加熱處理同樣的條件下進行。通過第二加熱處理，過剩氧容易從絕緣層935、絕緣膜970、絕緣膜980釋放，而可以降低氧化物半導體層943a及包括第一至第三氧化物半導體層942c至942a的疊層中的氧缺陷。此外，圖34A至34D示出如下結構的形成方法：作為像素部的晶體管使用與圖26B的晶體管同樣結構的晶體管C，并且，作為驅動電路部的晶體管使用與圖29B的晶體管同樣結構的晶體管D。進行與上述晶體管的形成方法同樣的工序直到圖33B所示的工序為止，來形成柵電極層920(參照圖34A)。接著，使用柵電極層920作為掩模對柵極絕緣膜930進行蝕刻(參照圖34B)。接著，以與氧化物半導體層940的一部分接觸的方式形成氮化硅膜或氮化鋁膜等包含氫的絕緣膜975，由此，氫擴散到氧化物半導體層940的一部分中(參照圖34C)。該擴散的氫與氧化物半導體層940中的氧缺陷鍵合而成為施主，因此，可以形成低電阻的源區951及低電阻的漏區961。在圖34C的結構中，也可以對氧化物半導體層摻雜上述雜質。接著，在絕緣膜975上形成絕緣膜970、絕緣膜980及絕緣膜990(參照圖34D)。通過上述工序，可以簡便地在一個襯底上形成包括單層結構的氧化物半導體層的晶體管以及包括疊層結構的氧化物半導體層的晶體管。此外，可以形成能夠進行高速工作且光照射的劣化少的包括顯示品質良好的像素部的顯示裝置。雖然本實施方式所說明的金屬膜、半導體膜及無機絕緣膜等各種膜可以典型地利用濺射法或等離子體CVD法形成，但是上述膜也可以利用如熱CVD法等其他方法形成。作為熱CVD法的例子，可以采用MOCVD(metalorganicchemicalvapordeposition：有機金屬化學氣相沉積)法或ALD(atomiclayerdeposition：原子層沉積)法。由于熱CVD法在形成膜時不使用等離子體，因此具有不產生因等離子體損傷所引起的缺陷的優點。可以以如下方法進行利用熱CVD法的成膜：將源氣體及氧化劑同時供應到處理室內，將處理室內的壓力設定為大氣壓或減壓，使其在襯底附近或在襯底上起反應。可以以如下方法進行利用ALD法的成膜：將處理室內的壓力設定為大氣壓或減壓，將用于反應的源氣體依次引入處理室中，然后按該順序反復地引入氣體。例如，通過切換各開關閥(也稱為高速閥)來將兩種以上的源氣體依次供應給處理室內。例如，引入第一源氣體，與此同時或之后引入惰性氣體(例如，氬或氮)等以防止源氣體的混合，然后引入第二源氣體。注意，在同時引入第一源氣體及惰性氣體的情況下，惰性氣體被用作載流子氣體，并且也可以在引入第二源氣體的同時引入惰性氣體。另外，也可以利用真空抽氣將第一源氣體排出而代替引入惰性氣體，然后引入第二源氣體。第一源氣體附著到襯底表面形成第一層，之后引入的第二源氣體與該第一層起反應，其結果是，第二層層疊在第一層上而形成薄膜。按該順序反復多次地引入氣體直到獲得所希望的厚度為止，據此可以形成臺階覆蓋性良好的薄膜。該薄膜的厚度可以根據按順序反復引入氣體的次數進行調節，因此，ALD法可以準確地調節厚度而適用于制造微型FET。通過利用MOCVD法或ALD法等熱CVD法可以形成上述實施方式所公開的金屬膜、半導體膜、無機絕緣膜等各種膜。例如，在形成In-Ga-Zn-OX(X＞0)膜的情況下，可以使用三甲基銦、三甲基鎵及二甲基鋅。三甲基銦的化學式為In(CH3)3。三甲基鎵的化學式為Ga(CH3)3。二甲基鋅的化學式為Zn(CH3)2。不局限于上述組合，可以使用三乙基鎵(化學式：Ga(C2H5)3)代替三甲基鎵，并且，可以使用二乙基鋅(化學式：Zn(C2H5)2)代替二甲基鋅。例如，在利用使用ALD法的成膜裝置形成氧化鉿膜的情況下，使用兩種氣體，即：用作氧化劑的臭氧(O3)；以及通過使包含溶劑和鉿前體化合物的液體(鉿醇鹽溶液，典型為四(二甲基氨基)鉿(TDMAH))氣化而得到的源氣體。四(二甲基氨基)鉿的化學式為Hf[N(CH3)2]4。其他材料液的例子包括：四(乙基甲基氨基)鉿。例如，在利用采用ALD的成膜裝置形成氧化鋁膜的情況下，使用兩種氣體，例如：用作氧化劑的H2O；以及通過使包含溶劑和鋁前體化合物的液體(例如，三甲基鋁(TMA))氣化而得到的源氣體。三甲基鋁的化學式為Al(CH3)3。其他材料液的例子包括：三(二甲基酰胺)鋁、三異丁基鋁、鋁三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)。例如，在利用使用ALD法的成膜裝置形成氧化硅膜的情況下，將六氯乙硅烷附著在要形成膜的表面上，去除附著物所包含的氯，供應氧化性氣體(例如，O2或一氧化二氮)的自由基使其與附著物起反應。例如，在利用采用ALD的成膜裝置形成鎢膜的情況下，依次反復引入WF6氣體和B2H6氣體形成初始鎢膜，然后同時引入WF6氣體和H2氣體形成鎢膜。此外，也可以使用SiH4氣體代替B2H6氣體。例如，在利用采用ALD的成膜裝置形成In-Ga-Zn-OX(X＞0)膜等氧化物半導體膜的情況下，依次反復引入In(CH3)3氣體和O3氣體形成In-O層，同時引入Ga(CH3)3氣體和O3氣體形成GaO層，然后同時引入Zn(CH3)2氣體和O3氣體形成ZnO層。注意，這些層的順序不局限于上述例子。此外，也可以混合這些氣體來形成In-Ga-O層、In-Zn-O層或Ga-Zn-O層等混合化合物層。注意，雖然可以使用利用Ar等惰性氣體進行鼓泡而得到的H2O氣體代替O3氣體，但是優選使用不包含H的O3氣體。此外，可以使用In(C2H5)3氣體代替In(CH3)3氣體。可以使用Ga(C2H5)3氣體代替Ga(CH3)3氣體。另外，也可以使用Zn(CH3)2氣體。本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。實施方式7在本實施方式中，說明能夠用于根據本發明的一個方式的晶體管的氧化物半導體膜。<氧化物半導體的結構>下面說明氧化物半導體的結構。在本說明書中，“平行”是指兩條直線所形成的角度大于或等于-10°且小于或等于10°的狀態，因此，也包括該角度大于或等于-5°且小于或等于5°的情況。“大致平行”是指兩條直線所形成的角度為大于或等于-30°且小于或等于30°的狀態。“垂直”是指兩條直線所形成的角度大于或等于80°且小于或等于100°的狀態，因此，也包括該角度大于或等于85°且小于或等于95°的情況。“大致垂直”是指兩條直線所形成的角度大于或等于60°且小于或等于120°的狀態。在本說明書中，六方晶系包括三方晶系和菱方晶系。氧化物半導體被分為單晶氧化物半導體和非單晶氧化物半導體。非單晶氧化物半導體的例子包括：c軸取向結晶氧化物半導體(CAAC-OS：c-axisalignedcrystallineoxidesemiconductor)、多晶氧化物半導體、微晶氧化物半導體以及非晶氧化物半導體。從其他觀點看來，氧化物半導體被分為非晶氧化物半導體和結晶氧化物半導體。結晶氧化物半導體的例子包括：單晶氧化物半導體、CAAC-OS、多晶氧化物半導體以及微晶氧化物半導體。<CAAC-OS>首先，對CAAC-OS進行說明。注意，可以將CAAC-OS稱為具有c軸取向納米晶(CANC：c-axisalignednanocrystals)的氧化物半導體。CAAC-OS是包含多個c軸取向的結晶部(也稱為顆粒)的氧化物半導體之一。在使用透射電子顯微鏡(TEM：transmissionelectronmicroscope)觀察所得到的CAAC-OS的明視場圖像與衍射圖案的復合分析圖像(也稱為高分辨率TEM圖像)中，觀察到多個顆粒。然而，在高分辨率TEM圖像中，觀察不到顆粒之間的明確的邊界，即晶界(grainboundary)。因此，在CAAC-OS中，不容易發生起因于晶界的電子遷移率的降低。下面說明利用TEM進行觀察的CAAC-OS。圖21A示出從大致平行于樣品面的方向進行觀察的CAAC-OS層的截面的高分辨率TEM圖像。利用球面像差校正(sphericalaberrationcorrector)功能得到高分辨率TEM圖像。將利用球面像差校正功能所得到的高分辨率TEM圖像特別稱為Cs校正高分辨率TEM圖像。例如可以使用日本電子株式會社(JEOLLtd)制造的原子分辨率分析型電子顯微鏡JEM-ARM200F得到Cs校正高分辨率TEM圖像。圖21B示出圖21A中的區域(1)的放大Cs校正高分辨率TEM圖像。圖21B顯示在顆粒中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反映形成CAAC-OS膜的面(以下，將該表面稱為形成面)或CAAC-OS膜的頂面的凸凹的配置，并以平行于CAAC-OS的形成面或頂面的方式被排列。如圖21B所示，CAAC-OS具有特有的原子排列。在圖21C中以輔助線示出特有的原子排列。由圖21B和21C可知，顆粒的尺寸大致為1nm至3nm，由各顆粒的傾斜產生的空隙的尺寸大致為0.8nm。因此，也可以將該顆粒稱為納米晶(nc：nanocrystal)。在此，根據Cs校正高分辨率TEM圖像，將襯底5120上的CAAC-OS的顆粒5100的示意性的配置表示為堆積有磚塊或塊體的結構(參照圖21D)。如圖21C中觀察到的那樣顆粒傾斜的部分相當于圖21D所示的區域5161。圖22A示出從大致垂直于樣品表面的方向進行觀察而得到的CAAC-OS的平面的Cs校正高分辨率TEM圖像。圖22B、22C和22D分別是圖22A中的區域(1)、(2)和(3)的放大Cs校正高分辨率TEM圖像。圖22B、22C和22D顯示在顆粒中金屬原子排列為三角形狀、四角形狀或六角形狀。但是，在不同的顆粒之間金屬原子的排列沒有規律性。接著，說明利用X射線衍射(XRD：X-raydiffraction)進行分析的CAAC-OS。例如，當利用out-of-plane法(面內法)對包含InGaZnO4結晶的CAAC-OS的結構進行分析時，如圖23A所示，在衍射角(2θ)為31°附近出現峰值。該峰值來源于InGaZnO4結晶的(009)面，由此可知CAAC-OS中的結晶具有c軸取向性，并且該c軸在大致垂直于CAAC-OS的形成面或頂面的方向上取向。注意，在利用out-of-plane法的CAAC-OS的結構分析中，除了2θ為31°附近的峰值以外，在2θ為36°附近有可能出現另一峰值。2θ為36°附近的峰值表示CAAC-OS的一部分中包含不具有c軸取向性的結晶。優選的是，在利用out-of-plane法分析的CAAC-OS中，在2θ為31°附近出現峰值而在2θ為36°附近不出現峰值。另一方面，在利用從大致垂直于c軸的方向使X射線入射到樣品的in-plane法(面內法)的CAAC-OS的結構分析中，在2θ為56°附近時出現峰值。該峰值來源于InGaZnO4結晶的(110)面。在CAAC-OS中，當將2θ固定為56°附近并在以樣品表面的法線向量為軸(φ軸)旋轉樣品的狀態下進行分析(φ掃描)時，如圖23B所示的那樣，觀察不到明確的峰值。反之，在InGaZnO4的單晶氧化物半導體中，當將2θ固定為56°附近進行φ掃描時，如圖23C所示的那樣，觀察到來源于相等于(110)面的結晶面的六個峰值。因此，利用XRD的結構分析顯示：在CAAC-OS中a軸和b軸的方向不同。接著，說明利用電子衍射進行分析的CAAC-OS。例如，當對包含InGaZnO4結晶的CAAC-OS在平行于樣品表面的方向上入射束徑為300nm的電子線時，可能會獲得圖40A所示的衍射圖案(也稱為選區透射電子衍射圖案)。在該衍射圖案中包含起因于InGaZnO4結晶的(009)面的斑點(spot)。因此，該電子衍射還顯示：CAAC-OS所包含的顆粒具有c軸取向性，并且該c軸在大致垂直于CAAC-OS的形成面或頂面的方向取向。另一方面，圖40B示出對相同的樣品在垂直于樣品表面的方向上入射束徑為300nm的電子線而得到的衍射圖案。如圖40B所示，得到環狀的衍射圖案。因此，該電子衍射還顯示：CAAC-OS所包含的顆粒的a軸和b軸不具有取向性。可以認為圖40B中的第一環起因于InGaZnO4結晶的(010)面和(100)面等。并且，可以認為圖40B中的第二環起因于(110)面等。另外，CAAC-OS是缺陷態密度低的氧化物半導體。氧化物半導體的缺陷例如是起因于雜質的缺陷以及氧缺損。因此，可以將CAAC-OS稱為雜質濃度低的氧化物半導體。此外，可以將CAAC-OS稱為氧缺損少的氧化物半導體。包含于氧化物半導體中的雜質有時成為載流子陷阱或載流子發生源。另外，氧化物半導體中的氧缺損成為載流子陷阱或者在其俘獲氫時成為載流子發生源。此外，雜質是指氧化物半導體的主要成分以外的元素，諸如氫、碳、硅或過渡金屬元素。例如，與氧的鍵合力比氧化物半導體所包含的金屬元素強的元素(具體而言，硅等)奪取氧化物半導體中的氧，因此導致氧化物半導體的原子排列的雜亂以及結晶性的下降。鐵或鎳等重金屬、氬、二氧化碳等具有較大的原子半徑(或分子半徑)，因此打亂氧化物半導體的原子排列且降低結晶性。缺陷態密度低(氧缺損少)的氧化物半導體可以具有低載流子密度。將這樣的氧化物半導體稱為高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體。CAAC-OS具有低雜質濃度和低缺陷態密度。也就是說，CAAC-OS容易成為高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體。因此，包括CAAC-OS的晶體管很少具有負閾值電壓特性(很少成為常開啟型)。高純度本征或實質上高純度本征的氧化物半導體的載流子陷阱很少。被氧化物半導體中的載流子陷阱俘獲的電荷到被釋放需要很長時間。該被俘獲的電荷有可能像固定電荷那樣動作。因此，包括雜質濃度高且缺陷態密度高的氧化物半導體的晶體管有時具有不穩定的電特性。但是，包括CAAC-OS的晶體管的電特性變動小且其可靠性高。由于CAAC-OS的缺陷態密度低，所以因光照射等而生成的載流子很少被缺陷態俘獲。因此，在使用CAAC-OS的晶體管中，起因于可見光或紫外光的照射的電特性變動小。<微晶氧化物半導體>接著，說明微晶氧化物半導體。該微晶氧化物半導體在高分辨率TEM圖像中具有觀察到結晶部的區域和觀察不到明確的結晶部的區域。在很多情況下，微晶氧化物半導體所包含的結晶部的尺寸大于或等于1nm且小于或等于100nm或者大于或等于1nm且小于或等于10nm。將包含其尺寸為大于或等于1nm且小于或等于10nm或者大于或等于1nm且小于或等于3nm的微晶的納米晶的氧化物半導體特別稱為nc-OS(nanocrystallineoxidesemiconductor：納米晶氧化物半導體)。例如，在nc-OS的高分辨率TEM圖像中，有時觀察不到明確的晶界。注意，納米晶的來源有可能與CAAC-OS中的顆粒相同。因此，在下面的說明中有時將nc-OS的結晶部稱為顆粒。在nc-OS中，微小的區域(例如，大于或等于1nm且小于或等于10nm的區域，特別是，大于或等于1nm且小于或等于3nm的區域)具有周期性的原子排列。在nc-OS中的不同顆粒之間沒有結晶取向的規律性。因此，未觀察到膜整體的取向。所以，根據分析方法有時不能將nc-OS與非晶氧化物半導體區別。例如，當通過利用其直徑比顆粒大的X射線的XRD裝置的out-of-plane法對nc-OS進行結構分析時，不顯出表示結晶面的峰值。另外，當使用其束徑比顆粒大(例如，50nm或更大)的電子射線對nc-OS進行電子衍射(該電子衍射也稱為選區電子衍射)時，觀察到類似光暈圖案的衍射圖案。另一方面，當照射其束徑近于或小于顆粒尺寸的電子射線時，斑點顯示在nc-OS的納米束電子衍射圖案中。另外，在nc-OS的納米束電子衍射圖案中，有時顯出圓圈(環狀)的亮度高的區域。而且，在nc-OS層的納米束電子衍射圖案中，有時多個斑點顯示在環狀區域內。由于如上所述在顆粒(納米晶)之間沒有結晶取向的規律性，所以也可以將nc-OS稱為包含無規取向納米晶(RANC：randomalignednanocrystals)的氧化物半導體或包含無取向納米晶(NANC：non-alignednanocrystals)的氧化物半導體。因此，nc-OS是其規律性比非晶氧化物半導體高的氧化物半導體。因此，nc-OS容易具有比非晶氧化物半導體低的缺陷態密度。注意，在nc-OS中的不同顆粒之間沒有晶體取向的規律性。所以，nc-OS具有比CAAC-OS高的缺陷態密度。<非晶氧化物半導體>接著，說明非晶氧化物半導體。非晶氧化物半導體是具有沒有規律性的原子排列且不具有結晶部的氧化物半導體，其一個例子是處于如石英那樣的無定形狀態的氧化物半導體。在非晶氧化物半導體的高分辨率TEM圖像中，無法發現結晶部。當使用XRD裝置通過out-of-plane法對非晶氧化物半導體進行結構分析時，檢測不到表示結晶面的峰值。當對非晶氧化物半導體進行電子衍射時，觀察到光暈圖案。此外，當對非晶氧化物半導體進行納米束電子衍射時，觀察不到斑點而只觀察到光暈圖案。關于非晶結構，有各種見解。例如，將原子排列完全沒有規律性的結構稱為完全的非晶結構(completelyamorphousstructure)。另一方面，將到最接近原子間距或到第二接近原子間距具有規律性并且不是長程有序的結構稱為非晶結構。因此，根據最嚴格的定義，即使在原子排列中存在有可忽略程度的規律性，該氧化物半導體也不能被稱為非晶氧化物半導體。至少不能將長程有序的氧化物半導體稱為非晶氧化物半導體。因此，由于結晶部的存在，例如不能將CAAC-OS和nc-OS稱為非晶氧化物半導體或完全的非晶氧化物半導體。<amorphous-like氧化物半導體層>注意，氧化物半導體有時具有nc-OS與非晶氧化物半導體之間的中間結構。將具有這樣的結構的氧化物半導體特別稱為amorphous-like(類非晶)氧化物半導體(a-likeOS：amorphous-likeoxidesemiconductor)。在a-likeOS的高分辨率TEM圖像中，有時觀察到空洞(void)。另外，在高分辨率TEM圖像中，有明確地觀察到結晶部的區域和觀察不到結晶部的區域。由于a-likeOS包含空洞，所以為不穩定的結構。為了證明與CAAC-OS及nc-OS相比a-likeOS具有不穩定的結構，下面示出由電子照射導致的結構變化。作為進行電子照射的樣品，準備a-likeOS(樣品A)、nc-OS(樣品B)和CAAC-OS(樣品C)。這些樣品都是In-Ga-Zn氧化物。首先，取得各樣品的高分辨率截面TEM圖像。該高分辨率截面TEM圖像表明這些樣品都具有結晶部。注意，將哪個部分視為結晶部是由如下方式決定的。已知InGaZnO4結晶的單位晶格具有包括三個In-O層和六個Ga-Zn-O層的9個層在c軸方向上層疊的結構。這些彼此靠近的層之間的間隔與(009)面上的晶格間隔(也稱為d值)相等。通過結晶結構分析求出其值為0.29nm。由此，可以將晶格條紋之間的晶格間隔大于或等于0.28nm且小于或等于0.30nm的部分視為InGaZnO4結晶部。每個晶格條紋對應于InGaZnO4結晶的a-b面。圖41示出各樣品的結晶部(22地點至45地點)的平均尺寸的變動。注意，結晶部的尺寸對應于上述晶格條紋的長度。圖41表明a-likeOS中的結晶部的尺寸隨著電子的累積照射量的增大而變大。具體而言，如圖41中的(1)所示，在TEM觀察的開始時其尺寸為1.2nm左右的結晶部(該結晶部也稱為初始晶核)在累積照射量為4.2×108e-/nm2時生長到2.6nm左右的尺寸。另一方面，nc-OS和CAAC-OS中的結晶部尺寸在開始電子照射時到電子的累積照射量為4.2×108e-/nm2時的范圍內幾乎沒有變化。具體而言，如圖41中的(2)及(3)所示，無論累積電子照射量如何，nc-OS層及CAAC-OS層的平均結晶部尺寸都分別為1.4nm左右及2.1nm左右。如此，由于電子照射引起a-likeOS中的結晶部的生長。另一方面，在nc-OS和CAAC-OS中，電子照射幾乎沒有引起結晶部的生長。由此，a-likeOS與nc-OS及CAAC-OS相比具有不穩定的結構。由于a-likeOS包含空洞，所以其密度比nc-OS及CAAC-OS低。具體地，a-likeOS的密度為具有相同組成的單晶氧化物半導體的高于或等于78.6％且低于92.3％。nc-OS及CAAC-OS的密度為具有相同組成的單晶氧化物半導體的高于或等于92.3％且低于100％。注意，難以形成其密度比單晶氧化物半導體的密度的78％低的氧化物半導體。例如，在原子數比為In:Ga:Zn＝1:1:1的氧化物半導體中，具有菱方晶系結構的單晶InGaZnO4的密度為6.357g/cm3。因此，在原子數比為In:Ga:Zn＝1:1:1的氧化物半導體中，a-likeOS的密度高于或等于5.0g/cm3且低于5.9g/cm3。例如，在原子數比為In:Ga:Zn＝1:1:1的氧化物半導體中，nc-OS和CAAC-OS的密度高于或等于5.9g/cm3且低于6.3g/cm3。注意，有時不存在相同組成的單晶。此時，以任意的比例組合組成不同的單晶氧化物半導體，來可以算出相當于所希望的組成的單晶氧化物半導體的密度。根據組成不同的單晶氧化物半導體的組合比例使用加權平均計算出所希望的組成的單晶氧化物半導體的密度。注意，優選使用盡可能少種類的單晶氧化物半導體來計算密度。如上所述，氧化物半導體具有各種結構及各種特性。注意，氧化物半導體例如可以是包括非晶氧化物半導體、a-likeOS、微晶氧化物半導體和CAAC-OS中的兩種以上的疊層膜。<成膜模型>下面對CAAC-OS和nc-OS的成膜模型的例子進行說明。圖42A是利用濺射法形成CAAC-OS膜時的成膜室內的示意圖。靶材5130被附到墊板上。在隔著墊板與靶材5130相對的位置配置多個磁體。該多個磁體產生磁場。將利用磁體的磁場提高成膜速度的濺射法稱為磁控濺射法。襯底5120以與靶材5130相對的方式配置，其距離d(也稱為靶材與襯底間的距離(T-S間距離))大于或等于0.01m且小于或等于1m，優選大于或等于0.02m且小于或等于0.5m。成膜室內幾乎被成膜氣體(例如，氧氣體、氬氣體或包含5vol％以上的氧的混合氣體)充滿，并且成膜室內的壓力被控制為高于或等于0.01Pa且低于或等于100Pa，優選高于或等于0.1Pa且低于或等于10Pa。在此，對靶材5130施加一定程度以上的電壓來開始放電，而確認到等離子體。由上述磁場在靶材5130附近形成高密度等離子體區域。在高密度等離子體區域中，成膜氣體被離子化，而產生離子5101。離子5101的例子包括：氧的陽離子(O+)及氬的陽離子(Ar+)。這里，靶材5130具有包括多個晶粒的多晶結構，其中至少一個晶粒中存在有劈開面。作為一個例子，圖43A示出靶材5130所包含的InGaZnO4結晶的結構。注意，圖43A示出從平行于b軸的方向觀察InGaZnO4結晶時的結構。圖43A顯示，Ga-Zn-O層中的氧原子和與其靠近的Ga-Zn-O層中的氧原子配置得很近。氧原子具有負電荷，據此兩個Ga-Zn-O層之間產生斥力。其結果是，InGaZnO4結晶在靠近的兩個Ga-Zn-O層之間具有劈開面。在高密度等離子體區域中產生的離子5101由電場向靶材5130一側被加速而碰撞到靶材5130。此時，平板狀(顆粒狀)的濺射粒子的顆粒5100a和顆粒5100b從劈開面分離而濺出。注意，顆粒5100a和顆粒5100b的結構有時因離子5101碰撞的沖擊而產生畸變。顆粒5100a是具有三角形平面，例如正三角形平面的平板狀(顆粒狀)的濺射粒子。顆粒5100b是具有六角形平面，例如正六角形平面的平板狀(顆粒狀)的濺射粒子。注意，將顆粒5100a和顆粒5100b等平板狀(顆粒狀)的濺射粒子總稱為顆粒5100。顆粒5100的平面形狀不局限于三角形或六角形。例如，該平面有時具有組合兩個或更多個三角形而成的形狀。例如，通過組合兩個三角形(例如，正三角形)可以形成四角形(例如，菱形)。顆粒5100的厚度是根據成膜氣體的種類等而決定的。顆粒5100的厚度優選為均勻；其理由在后面說明。另外，與厚度大的方塊狀相比，濺射粒子優選具有厚度小的顆粒狀。例如，顆粒5100的厚度大于或等于0.4nm且小于或等于1nm，優選大于或等于0.6nm且小于或等于0.8nm。另外，例如，顆粒5100的寬度大于或等于1nm且小于或等于3nm，優選大于或等于1.2nm且小于或等于2.5nm。顆粒5100相當于在圖41中的(1)所說明的初始晶核。例如，當離子5101碰撞到包含In-Ga-Zn氧化物的靶材5130時，如圖43B所示，包含Ga-Zn-O層、In-O層和Ga-Zn-O層的三個層的顆粒5100分離。圖43C示出從平行于c軸的方向進行觀察的已分離的顆粒5100的結構。因此，顆粒5100具有包含兩個Ga-Zn-O層(面包片)和In-O層(餡)的納米尺寸的三明治結構。顆粒5100在經過等離子體時有可能接受電荷，其側面帶負電或帶正電。例如，在顆粒5100中，位于其側面的氧原子有可能帶負電。如此，當側面以相同極性帶電時，電荷相互排斥，由此顆粒5100可以維持平板形狀。在CAAC-OS是In-Ga-Zn氧化物的情況下，有與銦原子鍵合的氧原子帶負電的可能性。或者，也有與銦原子、鎵原子或鋅原子鍵合的氧原子帶負電的可能性。另外，顆粒5100有可能在經過等離子體時與銦原子、鎵原子、鋅原子或氧原子等鍵合而生長。上述圖41中的(2)和(1)之間的尺寸差異相當于等離子體中的生長程度。這里，在襯底5120的溫度為室溫左右的情況下，襯底5120上的顆粒5100不容易生長；因此，形成nc-OS膜(參照圖42B)。由于能夠在室溫下進行nc-OS的成膜，所以在襯底5120具有大面積時能夠形成nc-OS。注意，為了在等離子體中使顆粒5100生長，提高濺射法的成膜功率是有效的。通過利用高成膜功率可以使顆粒5100的結構穩定。如圖42A和42B所示，顆粒5100像風箏那樣在等離子體中飛著，并輕飄飄地飛到襯底5120。由于顆粒5100帶電，所以當顆粒5100靠近其他顆粒5100已沉積的區域時產生斥力。在此，在襯底5120之上，產生平行于襯底5120頂面的磁場(也稱為水平磁場)。在襯底5120與靶材5130之間有電位差，所以電流從襯底5120向靶材5130流過。因此，顆粒5100在襯底5120的頂面上由于磁場和電流的作用受到力量(洛倫茲力)。這可以由弗萊明左手定則得到解釋。顆粒5100的質量比原子的質量大。因此，為了在襯底5120頂面上進行移動，重要的是從外部對顆粒5100施加某些力量。該力量之一有可能是由磁場和電流的作用產生的力量。為了對顆粒5100施加充分的力量以便顆粒5100在襯底5120頂面上移動，優選在該頂面上設置平行于襯底5120頂面的磁場為10G或更高，優選為20G或更高，更優選為30G或更高，進一步優選為50G或更高的區域。或者，優選在該頂面上設置平行于襯底5120頂面的磁場為垂直于襯底5120頂面的磁場的1.5倍或更高，優選為2倍或更高，更優選為3倍或更高，進一步優選為5倍或更高的區域。此時，磁體與襯底5120相對地移動或旋轉，由此襯底5120頂面的水平磁場的方向不斷地變化。因此，顆粒5100受到各種方向的力量而可以在襯底5120頂面上的各種方向移動。另外，如圖42A所示，當襯底5120被加熱時，顆粒5100與襯底5120之間的由摩擦等引起的電阻小。其結果是，顆粒5100在襯底5120頂面滑動。顆粒5100的滑動在其平板面朝向襯底5120的狀態下發生。然后，當顆粒5100到達已沉積的其他顆粒5100的側面時，這些顆粒5100的側面彼此鍵合。此時，顆粒5100的側面的氧原子脫離。CAAC-OS中的氧缺損有時被所脫離的氧原子填補；因此，CAAC-OS具有低缺陷態密度。注意，襯底5120的頂面溫度例如高于或等于100℃且低于500℃、高于或等于150℃且低于450℃、或者高于或等于170℃且低于400℃。因此，即使襯底5120具有大面積也能夠形成CAAC-OS。另外，顆粒5100在襯底5120上被加熱，由此原子重新排列，從而可以減小離子5101的碰撞所引起的結構畸變。其畸變得到減小的顆粒5100是實質上的單晶。由于顆粒5100成為實質上的單晶，即使顆粒5100在彼此鍵合之后被加熱也幾乎不會發生顆粒5100本身的伸縮。因此，可以防止因顆粒5100之間的空隙擴大導致的晶界等缺陷的形成，從而可以防止裂縫(crevasses)的發生。CAAC-OS不是具有如平板的單晶氧化物半導體的結構，而是具有磚塊或塊體堆積的顆粒5100(納米晶)的集合體的排列的結構。另外，顆粒5100之間沒有晶界。因此，即使因成膜時的加熱、成膜后的加熱或彎曲等在CAAC-OS中發生收縮等變形，也能夠緩和局部應力或者能夠解除畸變。因此，上述結構適合于柔性半導體裝置。注意，nc-OS具有其顆粒5100(納米晶)無序地堆積的排列。當離子5101碰撞到靶材5130時，有時不僅是顆粒5100，氧化鋅等也分離。氧化鋅比顆粒5100輕，因此在顆粒5100之先到達襯底5120的頂面。其結果是，該氧化鋅形成厚度為大于或等于0.1nm且小于或等于10nm、大于或等于0.2nm且小于或等于5nm或者大于或等于0.5nm且小于或等于2nm的氧化鋅層5102。圖44A至44D是截面示意圖。如圖44A所示，在氧化鋅層5102上沉積顆粒5105a和顆粒5105b。在此，顆粒5105a和顆粒5105b的側面彼此接觸。另外，顆粒5105c沉積到顆粒5105b上，然后在顆粒5105b上滑動。此外，與氧化鋅一起從靶材分離的多個粒子5103因來自襯底5120的熱量而晶化，并在顆粒5105a的其他側面上形成區域5105a1。注意，多個粒子5103有可能包含氧、鋅、銦或鎵等。然后，如圖44B所示，區域5105a1生長成顆粒5105a的一部分而形成顆粒5105a2。另外，顆粒5105c的側面與顆粒5105b的其他側面接觸。接著，如圖44C所示，顆粒5105d沉積到顆粒5105a2及顆粒5105b上，然后在顆粒5105a2及顆粒5105b上滑動。另外，顆粒5105e在氧化鋅層5102上向顆粒5105c的其他側面滑動。然后，如圖44D所示，顆粒5105d被配置為該顆粒5105d的側面與顆粒5105a2的側面接觸。另外，顆粒5105e的側面與顆粒5105c的其他側面接觸。與氧化鋅一起從靶材5130分離的多個粒子5103因來自襯底5120的熱量而晶化，并在顆粒5105d的其他側面上形成區域5105d1。如上所述，所沉積的顆粒彼此接觸地配置，然后在顆粒的側面發生生長，由此在襯底5120上形成CAAC-OS。因此，CAAC-OS的顆粒的每一個比nc-OS的顆粒大。圖41中的(3)和(2)之間的尺寸差異相當于沉積之后的生長程度。當顆粒彼此之間的空隙極小時，有時產生大顆粒。該大顆粒具有單晶結構。例如，當從上面看時，顆粒的尺寸有時大于或等于10nm且小于或等于200nm、大于或等于15nm且小于或等于100nm或者大于或等于20nm且小于或等于50nm。此時，在用于微細的晶體管的氧化物半導體中，有時溝道形成區域容納在大顆粒中。也就是說，可以將具有單晶結構的區域用作溝道形成區域。另外，當顆粒尺寸增大時，可以將具有單晶結構的區域用作晶體管的溝道形成區域、源區域和漏區域。如此，當將晶體管的溝道形成區域等形成在具有單晶結構的區域中時，有時可以提高晶體管的頻率特性。如上述模型那樣，可認為顆粒5100沉積在襯底5120上。因此，即使形成面不具有結晶結構，也能夠形成CAAC-OS；所以，此時的生長機理是與外延生長不同的。此外，CAAC-OS的形成不需要激光晶化，并且在大面積的玻璃襯底等上也能夠形成均勻的膜。例如，即使襯底5120的頂面(形成面)具有非晶結構(例如，該頂面由非晶氧化硅形成)，也能夠形成CAAC-OS。另外，可知即使作為形成面的襯底5120頂面具有凹凸，在CAAC-OS中的顆粒5100也根據襯底5120頂面的形狀排列。例如，在襯底5120的頂面為原子級平坦的情況下，顆粒5100以使其平行于a-b面的平板面朝下的方式排列。在顆粒5100的厚度均勻的情況下，形成厚度均勻、平坦且結晶性高的層。通過層疊n個(n是自然數)上述層，可以得到CAAC-OS。在襯底5120的頂面具有凹凸的情況下，形成CAAC-OS，其中層疊有沿著該凹凸顆粒5100被排列的n個層(n是自然數)。由于襯底5120具有凹凸，在CAAC-OS中有時容易在顆粒5100之間產生空隙。注意，在此情況下，由于分子間力，即使在凹凸表面上，顆粒5100也以盡可能地減小它們之間的空隙的方式排列。因此，即使形成面具有凹凸也可以得到結晶性高的CAAC-OS。因為根據上述模型形成CAAC-OS膜，所以濺射粒子優選具有厚度小的顆粒狀。注意，當濺射粒子具有厚度大的方塊狀時，朝向襯底5120的面變化，而有時導致其厚度或結晶取向不均勻的膜。根據上述成膜模型，即使在具有非晶結構的膜形成面上也可以形成結晶性高的CAAC-OS。本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式8在本實施方式中，參照圖24A至24D對應用本發明的一個方式的電子設備進行說明。通過應用本發明的一個方式的顯示裝置，可以制造可靠性高的柔性電子設備。電子設備的例子是電視裝置、計算機等的監視器、數碼相機或數碼攝像機等相機、數碼相框、移動電話機(也稱為移動電話或移動電話裝置)、便攜式游戲機、便攜式信息終端、聲音再現裝置、大型游戲機等。本發明的一個方式的顯示裝置具有柔性，由此可以沿著房屋或高樓的彎曲內/外壁、或者汽車的彎曲內/外裝飾被組裝。圖24A示出移動電話機的例子。移動電話機7100包括組裝在外殼7101中的顯示部7102、操作按鈕7103、外部連接端口7104、揚聲器7105、麥克風7106、相機7107等。另外，該移動電話機7100通過將本發明的一個方式的發光裝置用于顯示部7102來制造。根據本發明的一個方式，能夠提供一種具有彎曲顯示部的高可靠性移動電話機。當用手指等觸摸圖24A所示的移動電話機7100的顯示部7102時，可以對移動電話機7100輸入數據。通過用手指等觸摸顯示部7102可以進行打電話及輸入文字等各種操作。例如，通過觸摸顯示于顯示部7102上的圖標7108，可以啟動應用程序。通過利用操作按鈕7103可以切換電源的ON、OFF。此外，可以改變顯示在顯示部7102上的圖像的種類，例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主菜單畫面。圖24B示出手表型便攜式信息終端的例子。便攜式信息終端7200包括外殼7201、顯示部7202、帶子7203、帶扣7204、操作按鈕7205、輸入輸出端子7206等。便攜式信息終端7200可以執行移動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網絡通訊、電腦游戲等各種應用程序。顯示部7202的顯示面彎曲，并且在該彎曲顯示面上可以顯示圖像。另外，顯示部7202包括觸摸傳感器，可以用手指或觸屏筆等觸摸畫面來進行操作。例如，通過觸摸顯示于顯示部7202上的圖標7207，可以啟動應用程序。通過利用操作按鈕7205，可以進行電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的執行及解除、省電模式的執行及解除等各種功能。例如，通過設定組裝在便攜式信息終端7200中的操作系統，可以自由地設定操作按鈕7205的功能。便攜式信息終端7200可以采用根據現有的通信標準的近距離無線通訊。此時，例如可以進行該便攜式信息終端7200與可進行無線通訊的耳麥之間的雙向通信，由此可以實現免提通話。另外，便攜式信息終端7200包括輸入輸出端子7206，可以通過連接器直接向其他信息終端發送數據或從其他信息終端接收數據。可以通過輸入輸出端子7206進行充電。另外，該充電工作也可以利用無線供電而不利用輸入輸出端子7206來進行。可以將本發明的一個方式的顯示裝置用于便攜式信息終端7200的顯示部7202中。圖24C示出便攜式顯示裝置的例子。顯示裝置7300包括框體7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。顯示裝置7300在筒狀的框體7301中包括卷起來的柔性顯示部7102。顯示裝置7300能夠由控制部7305接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示于顯示部7302。此外，控制部7305包括電池。此外，控制部7305也可以包括用來連接連接器的端子部，使得能夠用布線從外部直接供應影像信號或電力。通過按下該操作按鈕7303，可以進行電源的ON/OFF操作以及所顯示的影像的切換等。圖24D示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態下的顯示裝置7300。在該狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。此外，通過利用框體7301表面上的操作按鈕7303，可以進行單手操作。如圖24C所示那樣，將操作按鈕7303配置在框體7301的一側而不是框體7301的中央，來可以容易地進行單手操作。另外，也可以在顯示部7302的側部設置加強框，使得在取出顯示部7302時該顯示部7302具有平面狀的顯示面。此外，除了上述結構以外，可以在框體中設置揚聲器，使得使用與影像信號同時接收的音聲信號輸出音聲。顯示部7302包括本發明的一個方式的發光裝置。根據本發明的一個方式，能夠提供一種輕量且可靠性高的發光裝置。本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。實施方式9在本實施方式中，參照圖37A至37F、圖38A至38F以及圖39A至39E說明上述實施方式所示的晶體管的變形例子。圖37A至37F所示的晶體管包括：在襯底821上的絕緣膜824上的氧化物半導體層828；與氧化物半導體層828接觸的絕緣膜837；以及與絕緣膜837接觸且與氧化物半導體層828重疊的導電膜840。絕緣膜837具有柵極絕緣膜的功能。導電膜840具有柵電極層的功能。此外，該晶體管設置有與氧化物半導體層828接觸的絕緣膜846及與絕緣膜846接觸的絕緣膜847。此外，該晶體管設置有通過絕緣膜864及絕緣膜847中的開口與氧化物半導體層828接觸的導電膜856、857。導電膜856、857具有源電極層及漏電極層的功能。此外，該晶體管設置有與絕緣膜847及導電膜856、857接觸的絕緣膜862。作為本實施方式所示的晶體管的結構及接觸于該結構的導電膜及絕緣膜，可以適當地使用上述實施方式所示的晶體管的結構及接觸于該結構的導電膜及絕緣膜。在圖37A所示的晶體管中，氧化物半導體層828包括：與導電膜840重疊的區域中的區域828a以及包含雜質元素的區域828b、828c。該區域828b及828c之間夾有區域828。導電膜856、857分別與區域828b、828c接觸。區域828a被用作溝道區。區域828b、828c具有比區域828a低的電阻率，并可以稱為低電阻區。區域828b、828c被用作源區及漏區。或者，如圖37B所示的晶體管那樣，氧化物半導體層828可以具有如下結構：不對與導電膜856、857接觸的區域828d、828e添加雜質元素。此時，包含雜質元素的區域828b、828c設置在接觸于導電膜856、857的區域828d、828e與區域828a之間。當導電膜856、857被施加電壓時區域828d、828e具有導電性，因此區域828d、828e具有源區及漏區的功能。通過在形成導電膜856、857之后使用導電膜840及導電膜856、857作為掩模對氧化物半導體層添加雜質元素，來可以形成圖37B所示的晶體管。導電膜840的端部可以為錐形。在絕緣膜837接觸導電膜840的面與導電膜840的側面之間形成的角度θ1可以小于90°、大于或等于10°且小于或等于85°、大于或等于15°且小于或等于85°、大于或等于30°且小于或等于85°、大于或等于45°且小于或等于85°、或者大于或等于60°且小于或等于85°。當角度θ1小于90°、大于或等于10°且小于或等于85°、大于或等于15°且小于或等于85°、大于或等于35°且小于或等于85°、大于或等于45°且小于或等于85°、大于或等于60°且小于或等于85°時，能夠提高對絕緣膜837及導電膜840的側面的絕緣膜846的覆蓋性。接著，說明區域828b、828c的變形例子。圖37C至37F是圖37A所示的氧化物半導體層828附近的放大圖。溝道長度L是指包含雜質元素的一對區域之間的間隔。如圖37C所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a、區域828b、區域828c之間的邊界隔著絕緣膜837與導電膜840的端部一致或大致一致。換言之，從上面看時，區域828a、區域828b、區域828c之間的邊界與導電膜840的端部一致或大致一致。或者，如圖37D所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a具有不與導電膜840的端部重疊的區域。該區域具有偏置區域(offsetregion)的功能。將溝道長度方向上的偏置區域的長度記為Loff。注意，當設置有多個偏置區域時，Loff表示一個偏置區域的長度。Loff包括在溝道長度中。此外，Loff小于溝道長度L的20％、10％、5％或2％。或者，如圖37E所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828b、828c具有隔著絕緣膜837與導電膜840重疊的區域。該區域具有重疊區域(overlapregion)的功能。將溝道長度方向上的重疊區域的長度記為Lov。Lov小于溝道長度L的20％、10％、5％或2％。或者，如圖37F所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a與區域828b之間設置有區域828f，并且，區域828a與區域828c之間設置有區域828g。區域828f、828g具有比區域828b、828c低的雜質元素濃度及高電阻率。雖然在此區域828f、828g與絕緣膜837重疊，但是該區域828f、828g也可以與絕緣膜837及導電膜840重疊。注意，在圖37C至37F中，說明了圖37A所示的晶體管，但是，圖37B所示的晶體管可以適當地采用圖37C至37F的結構。在圖38A所示的晶體管中，絕緣膜837的端部位于導電膜840的端部的外側。換言之，絕緣膜837具有其端部突出于導電膜840的端部的形狀。絕緣膜846可以與區域828a離開，因此可以防止絕緣膜846所含的氮、氫等進入到被用作溝道區的區域828a。在圖38B所示的晶體管中，絕緣膜837及導電膜840具有錐形，并且各錐形的角度彼此不同。換言之，角度θ1與角度θ2不同，其中，角度θ1是在絕緣膜837接觸導電膜840的面與導電膜840的側面之間形成的，角度θ2是在氧化物半導體層828接觸絕緣膜837的面與絕緣膜837的側面之間形成的。角度θ2可以小于90°、大于或等于30°且小于或等于85°、或者大于或等于45°且小于或等于70°。例如，當角度θ2小于角度θ1時，絕緣膜846的覆蓋性提高。或者，當角度θ2大于角度θ1時，絕緣膜846可以與區域828a離開，因此可以防止絕緣膜846所含的氮、氫等進入用作溝道區的區域828a。接著，參照圖38C至38F說明區域828b、828c的變形例子。圖38C至38F是圖38A所示的氧化物半導體層828附近的放大圖。如圖38C所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a、區域828b、區域828c之間的邊界隔著絕緣膜837與導電膜840的端部一致或大致一致。換言之，從上面看時，區域828a、區域828b、區域828c之間的邊界與導電膜840的端部一致或大致一致。如圖38D所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a具有不與導電膜840重疊的區域。該區域具有偏置區域的功能。換言之，從上面看時，區域828b、828c的端部與絕緣膜837的端部一致或大致一致，且不與導電膜840的端部重疊。如圖38E所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828b、828c具有隔著絕緣膜837與導電膜840重疊的區域。將該區域稱為重疊區域。換言之，從上面看時，區域828b、828c的端部與導電膜840重疊。如圖38F所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a與區域828b之間設置有區域828f，并且，區域828a與區域828c之間設置有區域828g。區域828f、828g具有比區域828b、828c低的雜質元素濃度及高電阻率。雖然在此區域828f、828g與絕緣膜837重疊，但是該區域828f、828g也可以與絕緣膜837及導電膜840重疊。注意，在圖38C至38F中，說明了圖38A所示的晶體管，但是，圖38B所示的晶體管可以適當地采用圖38C至38F的結構。在圖39A所示的晶體管中，導電膜840具有疊層結構，該疊層結構包括與絕緣膜837接觸的導電膜840a及與導電膜840a接觸的導電膜840b。導電膜840a的端部位于導電膜840b的端部的外側。換言之，絕緣膜840a具有其端部突出于導電膜840b的端部的形狀。接著，說明區域828b、828c的變形例子。注意，圖39B至39E是圖39A所示的氧化物半導體層828附近的放大圖。如圖39B所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a、區域828b、區域828c之間的邊界隔著絕緣膜837與導電膜840中的導電膜840a的端部一致或大致一致。換言之，從上面看時，區域828a、區域828b、區域828c之間的邊界與導電膜840的端部一致或大致一致。如圖39C所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a具有不與導電膜840重疊的區域。該區域具有偏置區域的功能。該結構也可以具有如下結構：從上面看時，區域828b、828c的端部與絕緣膜837的端部一致或大致一致，且不與導電膜840的端部重疊。如圖39D所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828b、828c具有與導電膜840(具體而言，導電膜840a)重疊的區域。將該區域稱為重疊區域。換言之，從上面看時，區域828b、828c的端部與導電膜840a重疊。如圖39E所示，在溝道長度方向上的截面圖中，區域828a與區域828b之間設置有區域828f，并且，區域828a與區域828c之間設置有區域828g。雜質元素穿過導電膜840被添加到區域828f、828g，因此區域828f、828g具有比區域828b、828c低的雜質元素濃度及高電阻率。雖然在此區域828f、828g與導電膜840a重疊，但是該區域828f、828g也可以與導電膜840a及導電膜840b重疊。絕緣膜837的端部也可以位于導電膜840a的端部的外側。或者，絕緣膜837的側面也可以彎曲。或者，絕緣膜837也可以具有錐形。換言之，在氧化物半導體層828接觸絕緣膜837的面與絕緣膜837的側面之間形成的角度也可以小于90°，優選大于或等于30°且小于90°。如圖39A至39E所示，氧化物半導體層828包括區域828f、828g，該區域828f、828g具有比區域828b、828c低的雜質元素濃度及高電阻率，由此能夠緩和漏區的電場。因此，能夠降低起因于漏區的電場的晶體管的劣化，諸如晶體管的閾值電壓的變動。本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。符號說明101：結構體、101a：旋轉體、101b：構件、102：起點、103：加工構件、103a：構件、103b：構件、104：部分、105：載物臺、107：引導、108：箭頭、109：旋轉軸、111：構件、151：結構體、152：結構體、153：加工構件、153a：構件、153b：構件、155：載物臺、156：載物臺、157：支撐體、158：輸送輥、159：旋轉軸、160：柵極絕緣膜、161：構件、162：起點、170：柵電極層、190：晶體管、194：晶體管、300：顯示裝置、300a：顯示裝置、300b：顯示裝置、301：柔性襯底、302：像素部、304：電路部、305：電路部、307：柔性襯底、308：FPC端子部、310：信號線、311：布線部、312：密封材料、316：FPC、318a：粘合層、318b：粘合層、320a：有機樹脂層、320b：有機樹脂層、321a：絕緣膜、321b：絕緣膜、334：絕緣膜、336：著色層、338：遮光層、350：晶體管、352：晶體管、360：連接電極、364：絕緣膜、366：絕緣膜、368：絕緣膜、370：平坦化絕緣膜、372：導電膜、374：導電膜、375：液晶元件、376：液晶層、378：間隔物、380：各向異性導電膜、400：顯示裝置、408：FPC、410：元件層、411：元件層、430：絕緣膜、432：密封層、434：絕緣膜、444：導電膜、446：EL層、448：導電膜、462：襯底、463：襯底、468：紫外線、480：發光元件、501：像素電路、502：像素部、504：驅動電路部、504a：柵極驅動器、504b：源極驅動器、506：保護電路、507：端子部、550：晶體管、552：晶體管、554：晶體管、560：電容器、562：電容器、570：液晶元件、572：發光元件、600：準分子激光器裝置、610a：激光、610b：激光、610c：激光、610d：線狀光束、630：光學系統、650：反射鏡、670：透鏡、700：加工物、710：加工區域、720：襯底、801：抗蝕劑掩模、802：抗蝕劑掩模、803：抗蝕劑掩模、810：雜質、821：襯底、824：絕緣膜、828：氧化物半導體層、828a：區域、828b：區域、828c：區域、828d：區域、828e：區域、828f：區域、828g：區域、837：絕緣膜、840：導電膜、840a：導電膜、840b：導電膜、846：絕緣膜、847：絕緣膜、856：導電膜、857：導電膜、862：絕緣膜、900：襯底、910：有機樹脂層、915：絕緣膜、920：柵電極層、921：導電膜、930：柵極絕緣膜、931：柵極絕緣膜、932：柵極絕緣膜、933：絕緣膜、935：絕緣層、940：氧化物半導體層、940a：氧化物半導體膜、940b：氧化物半導體膜、940c：氧化物半導體膜、941a：氧化物半導體層、941b：氧化物半導體層、942a：氧化物半導體層、942b：氧化物半導體層、942c：氧化物半導體層、943a：氧化物半導體層、950：源電極層、951：源區、960：漏電極層、961：漏區、970：絕緣膜、975：絕緣膜、980：絕緣膜、990：絕緣膜、7100：移動電話機、7101：框體、7102：顯示部、7103：操作按鈕、7104：外部連接端口、7105：揚聲器、7106：麥克風、7107：相機、7108：圖標、7200：便攜式信息終端、7201：框體、7202：顯示部、7203：帶子、7204：帶扣、7205：操作按鈕、7206：輸入輸出端子、7207：圖標、7300：顯示裝置、7301：框體、7302：顯示部、7303：操作按鈕、7304：構件、7305：控制部、5100：顆粒、5100a：顆粒、5100b：顆粒、5101：離子、5102：氧化鋅層、5103：粒子、5105a：顆粒、5105a1：區域、5105a2：顆粒、5105b：顆粒、5105c：顆粒、5105d：顆粒、5105d1：區域、5105e：顆粒、5120：襯底、5130：靶材、5161：區域、8000：顯示模塊、8001：上蓋、8002：下蓋、8003：FPC、8004：觸摸面板、8005：FPC、8006：顯示面板、8007：背光、8008：光源、8009：框架、8010：印刷電路板、8011：電池本申請基于2013年12月2日由日本專利局受理的日本專利申請第2013-249631號、2013年12月12日由日本專利局受理的日本專利申請第2013-256872號、2013年12月27日由日本專利局受理的日本專利申請第2013-272176號以及2014年4月11日由日本專利局受理的日本專利申請第2014-047348號，其全部內容通過引用納入本文。當前第1頁1 2 3 當前第1頁1 2 3