本發明涉及一種驅動電路及顯示面板，且特別涉及一種具有緩沖層的驅動電路及顯示面板。

背景技術：

目前柵極驅動電路結構(gatedriveronarray；goa)顯示器多由薄膜晶體管(thinfilmtransistor；tft)所構成。在現有的柵極驅動電路中，位于第一層的信號線與位于第二層的信號線會有一部分互相交錯。在進行蝕刻制程時(例如是回蝕制程)，位于第二層的信號線容易在邊角出現缺陷。如此一來，在后續形成保護層的制程中，保護層會在缺陷附近出現應力集中，而造成保護層膜層缺陷。

由于保護層的缺陷的產生，在之后制程中使用的蝕刻溶液通過上述缺陷而侵蝕位于兩層信號線之間的絕緣層，而使兩層信號線之間漏電或是短路，導致驅動電路結構的輸出發生異常。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

技術實現要素：

本發明提供一種驅動電路，可以改善導線及信號線漏電所造成的信號異常。

本發明提供一種顯示面板，可以改善導線及信號線漏電所造成的信號異常。

本發明提出一種驅動電路，包括輸出電路、下拉模塊、多條導線、至少一第一信號線以及緩沖層。多條導線電性連接于輸出電路以及下拉模塊之間。第一信號線用以將輸出電路以及下拉模塊耦接于驅動控制信號，其中第一信號線與部分的導線之間具有第一重疊區域。緩沖層設置在第一信號線與部分的導線之間。緩沖層包括重疊部以及延伸部，重疊部至少位于第一重疊區域中，延伸部位于重疊部的外側，且重疊部的厚度大于延伸部的厚度。

本發明提出一種顯示面板，包括像素區以及位于像素區至少一側的驅動電路區。顯示面板包括像素陣列以及柵極驅動電路。像素陣列位于像素區中。像素陣列包括多條數據線、多條掃描線以及與掃描線以及數據線電性連接的多個像素結構。柵極驅動電路位于驅動電路區中，且與像素陣列電性連接。柵極驅動電路，包括輸出電路、下拉模塊、多條導線、至少一第一信號線以及緩沖層。輸出電路的一端與像素陣列連接。多條導線連接于輸出電路以及下拉模塊之間。第一信號線用以將輸出電路以及下拉模塊耦接于驅動控制信號。第一信號線與部分的導線之間具有第一重疊區域。緩沖層設置在第一信號線與部分的導線之間。緩沖層包括重疊部以及延伸部。重疊部至少位于第一重疊區域中。延伸部位于重疊部的外側。重疊部的厚度大于延伸部的厚度。

基于上述，本發明的驅動電路中，第一信號線耦接于驅動控制信號，且第一信號線與導線之間設置有緩沖層。此緩沖層的設計可以分散應力，以避免驅動電路中的第一信號線與導線之間產生漏電。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是依照本發明的一實施例的驅動電路的示意圖。

圖2是依照本發明的一實施例的驅動電路的具體等效電路示意圖。

圖3a是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的示意圖。

圖3b是沿著圖3a剖線aa’的剖面示意圖。

圖4是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的示意圖。

圖5是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的示意圖。

圖6是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的示意圖。

圖7是依照本發明的一比較例的驅動電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖8是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖9是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖10是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖11a是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖11b是依照本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的剖面示意圖。

圖12是依照本發明的一實施例的顯示面板的上視示意圖。

附圖標記說明：

10：輸出電路

20、20a、20b：穩壓控制電路

30、30a、30b：穩壓電路

40：下拉電路

50：下傳電路

100、l1、l2、l3、l4、l5、l6：導線

110、210、210a、210b、210c、210d：絕緣層

120、bf：緩沖層

122、or：重疊部

122a、or1：摻雜部

122b、or2：非晶部

er、124：延伸部

124a：延伸連接部

124b：延伸邊緣部

200：信號線

212a、212b、212c、212d：第一應力區

214：第二應力區

dc：驅動電路

t11、t12、t21、t31、t32、t33、t34、t35、t41、t42、t43、t44、t51、t52、t53、t54、t55、t56、t61、t62、t63、t64、t65、t66：薄膜晶體管

bs：基板

pm：下拉模塊

aa：主動區

gl：輸出信號線

ql：第一信號線

q1、204：頂層

q2、202：底層

c1：第二信號線

c2、c3：第三信號線

bf1、bf2、bf3、bf4、bf5、bf6：部分

d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d10：距離

ls1、ls2、ls3、ls4、ls5、ls6、ls7、ls8、ls9、ls10：長側邊

sw1、sw2、sw3、sw4、sw5、sw6、sw7、sw8、sw9、sw10：邊緣

t1、t2：轉折部

r1、r2、r3、r4、r5、r6：重疊區域

os1、os2：邊界

a1、a2、w1、w2：寬度

ds1、ds2：間距

h1、h2、h3：厚度

1000：顯示面板

1100：像素區

1200：驅動電路區

sl1、sln：掃描線

dl1、dlm：數據線

p：像素結構

pa：像素陣列

dd：源極驅動電路

gd：柵極驅動電路

具體實施方式

為了詳細說明本發明，在以下的實施例中，是以應用于顯示面板的驅動電路為例來說明。但本發明所提出的驅動電路不限于應用在顯示面板中，其他電子裝置的驅動電路亦可以應用本發明的驅動電路。

一般而言，顯示面板1000包括像素區1100以及位于像素區1100至少一側的驅動電路區1200，如圖12所示。以液晶顯示面板為例，驅動電路區1200通常是設置在基板bs上。更詳細而言，顯示面板包括像素陣列pa以及驅動電路，在本實施例中，驅動電路包括柵極驅動電路gd以及源極驅動電路dd。像素陣列pa位于像素區1100中，而驅動電路位于驅動電路區1200中。

像素陣列pa包括多條掃描線sl1～sln、多條數據線dl1～dlm、以及與掃描線sl1～sln以及數據線dl1～dlm電性連接的多個像素結構p。柵極驅動電路gd以及源極驅動電路dd位于驅動電路區1200中，且與像素陣列pa電性連接。上述的像素結構p可為已知任一種顯示面板的像素結構。以下實施例將以柵極驅動電路gd為例來說明，然本發明不限于僅能用于柵極驅動電路gd，實際上本發明也可以用于源極驅動電路dd。

請參考圖1以及圖2。圖1是依照本發明的一實施例的驅動電路的示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的驅動電路的具體等效電路示意圖。請參考圖1，在一實施例中，驅動電路dc包括輸出電路10以及與輸出電路10耦接的下拉模塊pm。輸出電路10與下拉模塊pm通過第一信號線耦接至驅動控制信號q(n)，第一信號線例如是用來傳遞驅動控制信號q(n)。第二信號線是用來傳遞時脈信號hc給輸出電路10。

在本實施例中，下拉模塊pm包括穩壓控制電路20、穩壓電路30、下拉電路40。輸出電路10例如通過導線而電性連接至穩壓電路30以及下拉電路40，且輸出電路10通過輸出信號線而電性連接至像素陣列pa，所述像素陣列pa也就是圖11所示的位于像素區1100的像素陣列pa。在一實施例中，輸出電路10根據驅動控制信號q(n)而將驅動信號g(n)傳遞至輸出信號線，且輸出電路10通過輸出信號線而電性連接至像素區1100中的像素陣列pa。

在一實施例中，驅動電路dc還包括下傳電路50，下傳電路50通過第一信號線耦接至驅動控制信號q(n)，并與輸出電路10電性連接。

在此實施例中，驅動電路dc例如是柵極驅動電路。也就是說，柵極驅動電路gd包括輸出電路10、下拉模塊pm、多條導線、至少一第一信號線。柵極驅動電路gd的輸出電路10根據驅動控制信號q(n)而將驅動信號g(n)傳遞至輸出信號線，且輸出電路10通過輸出信號線而電性連接至像素陣列pa中的掃描線sln。

請參考圖2。圖2為圖1的一實施例的具體等效電路示意圖，但不以此為限。在一實施例中，驅動電路dc的輸出電路10包括薄膜晶體管t21。薄膜晶體管t21包括柵極、源極以及漏極。薄膜晶體管t21的第一端(例如是柵極)與第一信號線連接，并接收驅動控制信號q(n)，在本實施例中，驅動控制信號q(n)例如為高電壓信號。薄膜晶體管t21的第二端(例如是源極)與第二信號線連接，并接收時脈信號hc。薄膜晶體管t21的第三端(例如是漏極)與輸出信號線連接，并輸出驅動信號g(n)。

請參考圖1，在一實施例中，驅動電路dc的下傳電路50例如通過第一信號線及/或導線而與輸出電路10、穩壓控制電路20、穩壓電路30以及下拉電路40電性連接。第二信號線傳遞時脈信號hc給下傳電路50。

請參考圖2，在一實施例中，驅動電路dc的下傳電路50包括薄膜晶體管t11以及薄膜晶體管t12。薄膜晶體管t11的第一端通過導線而電性連接至薄膜晶體管t12。薄膜晶體管t11的第二端電性連接至電壓vgh。薄膜晶體管t11的第三端電性連接至用來傳遞控制信號q(n+4)的第一信號線。薄膜晶體管t12的第一端電性連接至用來傳遞驅動控制信號q(n)的第一信號線。薄膜晶體管t12的第二端電性連接至用來傳遞時脈信號hc的第二信號線。薄膜晶體管t12的第三端電性連接至起始信號st(n)以及薄膜晶體管t11的第一端。

請參考圖1，驅動電路dc的穩壓控制電路20例如通過導線而電性連接至穩壓電路30。第三信號線傳遞時脈信號lc給穩壓控制電路20。穩壓控制電路20、穩壓電路30以及下拉電路40通過導線而電線連接至恒定電壓vss。

請參考圖2，在一實施例中，驅動電路dc包括穩壓控制電路20a、穩壓控制電路20b、穩壓電路30a、穩壓電路30b以及下拉電路40。

穩壓控制電路20a包括薄膜晶體管t51～t56。薄膜晶體管t51的第一端、薄膜晶體管t51的第二端以及薄膜晶體管t53的第二端電性連接至傳遞時脈信號lc1的第三信號線。薄膜晶體管t51的第三端通過導線而電性連接至薄膜晶體管t52的第二端、薄膜晶體管t53的第一端以及薄膜晶體管t55的第二端。薄膜晶體管t52的第一端與薄膜晶體管t54的第一端電性連接至用來傳遞控制信號q(n)的第一信號線。薄膜晶體管t55的第一端與薄膜晶體管t56的第一端電性連接至用來傳遞控制信號q(n-2)的第一信號線。薄膜晶體管t53的第三端、薄膜晶體管t54的第二端以及薄膜晶體管t56的第二端通過導線而電性連接至信號p(n)以及穩壓電路30a。薄膜晶體管t52、t54、t55、t56的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssq。

穩壓電路30a包括薄膜晶體管t42、薄膜晶體管t32以及薄膜晶體管t34。薄膜晶體管t42、薄膜晶體管t32以及薄膜晶體管t34的第一端通過導線而電性連接至信號p(n)以及穩壓控制電路20a。薄膜晶體管t42的第二端電性連接至用來傳遞控制信號q(n)的第一信號線。薄膜晶體管t32的第二端電性連接至穩壓電路30b以及輸出信號線。薄膜晶體管t34的第二端通過導線而電性連接至穩壓電路30b以及下傳電路50。薄膜晶體管t42以及薄膜晶體管t34的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssq。薄膜晶體管t32的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssg。

穩壓控制電路20b包括薄膜晶體管t61～t66。薄膜晶體管t61的第一端、薄膜晶體管t61的第二端以及薄膜晶體管t63的第二端電性連接至傳遞時脈信號lc2的第三信號線。薄膜晶體管t61的第三端通過導線而電性連接至薄膜晶體管t62的第二端、薄膜晶體管t63的第一端以及薄膜晶體管t65的第二端。薄膜晶體管t62的第一端與薄膜晶體管t64的第一端電性連接至用來傳遞控制信號q(n)的第一信號線。薄膜晶體管t65的第一端與薄膜晶體管t66的第一端電性連接至用來傳遞控制信號q(n-2)的第一信號線。薄膜晶體管t63的第三端、薄膜晶體管t64的第二端以及薄膜晶體管t66的第二端通過導線而電性連接至信號k(n)以及穩壓電路30b。薄膜晶體管t62、t64、t65、t66的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssq。

在一實施例中，傳遞至穩壓控制電路20b的時脈信號lc2與傳遞至穩壓控制電路20a的時脈信號lc1為反向信號。

穩壓電路30b包括薄膜晶體管t43、薄膜晶體管t33以及薄膜晶體管t35。薄膜晶體管t43、薄膜晶體管t33以及薄膜晶體管t35的第一端通過導線而電性連接至信號k(n)以及穩壓控制電路20b。薄膜晶體管t43的第二端電性連接至用來傳遞控制信號q(n)的第一信號線。薄膜晶體管t33的第二端電性連接至穩壓電路30a以及輸出信號線。薄膜晶體管t35的第二端通過導線而電性連接至穩壓電路30a以及下傳電路50。薄膜晶體管t43以及薄膜晶體管t35的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssq。薄膜晶體管t33的第三端電性通過導線而連接至恒定電壓vssg。

下拉電路40包括薄膜晶體管t31與薄膜晶體管t41。薄膜晶體管t31的第一端例如電性連接至下四級的驅動信號g(n+4)。薄膜晶體管t31的第二端通過導線而電性連接至輸出電路10以及驅動信號g(n)。薄膜晶體管t31的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssg。薄膜晶體管t41的第一端電性連接至信號st(n+4)。薄膜晶體管t41的第二端通過導線而電性連接至輸出電路10以及下傳電路50。薄膜晶體管t41的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssq。

在一實施例中，驅動電路dc還包括薄膜晶體管t44。薄膜晶體管t44的第一端電性連接至信號st。薄膜晶體管t44的第二端電性連接至用來傳遞控制信號q(n)的第一信號線。薄膜晶體管t44的第三端通過導線而電性連接至恒定電壓vssq。

圖3a繪示本發明的一實施例的驅動電路的局部電路布局的示意圖(例如是圖2的驅動電路的一局部區域的電路布局示意圖)。圖3b是沿著圖3a剖線aa’的剖面示意圖。請同時參考圖3a與圖3b，導線l1～l4位于基板bs上，輸出信號線gl、第一信號線ql、第二信號線c1以及第三信號線(未繪示)位于導線l1～l4上，且與導線l1～l4之間夾有絕緣層110。導線l1～l4與輸出信號線gl、第一信號線ql、第二信號線c1以及第三信號線(未繪示)屬于不同的金屬層。在一實施例中，第一信號線ql包括頂層q1以及介于頂層q1和絕緣層110之間的底層q2。在一實施例中，第一信號線ql的頂層q1的材料例如包括銅，且第一信號線ql的底層q2的材料例如包括鉬。在一實施例中，第一信號線ql的頂層q1的厚度大于底層q2的厚度。在一實施例中，第一信號線ql的頂層q1的側邊與底層q2的側邊可以切齊，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一信號線ql的底層q2的側邊可以內縮于頂層q1的側邊。在一實施例中，第一信號線ql的底層q2在垂直投影面上的寬度小于頂層q1在垂直投影面上的寬度，然而本發明不以此為限。在一實施例中，輸出信號線gl、第一信號線ql、第二信號線c1以及第三信號線(未繪示)可以由相同的材料以及疊層疊層構成。在一實施例中，第一信號線ql例如是用來傳遞驅動控制信號(例如是驅動控制信號q(n))。在一實施例中，第二信號線c1例如是用來傳遞時脈信號(例如是時脈信號hc)。在一實施例中，輸出信號線gl例如是用來傳遞驅動信號(例如是驅動信號g(n))。在一實施例中，輸出信號線gl例如是柵極信號線，且輸出信號線會與像素陣列pa中的掃描線sln電性連接。雖然在圖3a中僅繪出四條導線以及三條信號線，然而本發明不以此為限。在一實施例中，三條信號線可以與一條導線彼此交錯。在另一實施例中，一條信號線可以與一條以上的導線彼此交錯。此外，雖然在圖3a中繪出三條信號線位于四條導線上，然而本發明不以此為限。在一實施例中，一條信號線可以與位于四條導線下方且之間夾有絕緣層，而另兩條導線位于四條導線上且之間夾有絕緣層。

第一信號線ql與導線l1～l4之間具有重疊區域r1；更詳而言之，第一信號線ql與導線l1～l4之間彼此交錯而形成重疊區域r1。緩沖層bf的第一部分bf1設置在第一信號線ql與導線l1～l4之間。在一實施例中，緩沖層bf的第一部分bf1位于第一信號線ql以及絕緣層110之間。

在一實施例中，緩沖層bf的第一部分bf1包括至少位于重疊區域r1中的重疊部or以及位于重疊部or外側的延伸部er。在一實施例中，延伸部er位于重疊部or的兩側邊，然而本發明不以此為限，在其他實施例中，延伸部er位于重疊部or的周圍。重疊部or的厚度大于延伸部er的厚度。在一些較佳的實施例中，緩沖層bf的第一部分bf1的重疊部or在垂直投影面上凸出第一信號線ql與導線l1～l4的重疊區域r1。緩沖層bf的材料例如包括硅(例如是非晶硅、多晶硅、單晶硅以及經摻雜非晶硅疊層疊層)、絕緣材料(例如包括氮化鍺(genx))或其他合適的材料。在一實施例中，重疊部or例如為雙層結構。重疊部or包括摻雜部or1以及非晶部or2。在一實施例中，摻雜部or1的材料包括摻雜的非晶硅(例如是n型摻雜)，延伸部er與非晶部or2的材料包括未摻雜的非晶硅。雖然在本實施例中，僅繪示出緩沖層bf的第一部分bf1包括重疊部or以及延伸部er，然而本發明不以此為限。在一些實施例中，緩沖層bf的其他部分也包括重疊部or以及延伸部er。

在一實施例中，第一信號線ql具有第一長側邊ls1以及第二長側邊ls2，緩沖層bf的第一部分bf1具有第一邊緣sw1以及第二邊緣sw2。第一邊緣sw1沿著第一長側邊ls1的延伸方向延伸，第一邊緣sw1與第一長側邊ls1之間在垂直投影面上具有第一距離d1。在此，所述垂直投影面指的是垂直投影至基板bs上表面上。第二邊緣sw2沿著第二長側邊ls2的延伸方向延伸，且第二邊緣sw2與第二長側邊ls2之間在垂直投影面上具有第二距離d2。在本實施例中，d1＝d2。在本實施例中，第一邊緣sw1平行第一長側邊ls1，第二邊緣sw2平行第二長側邊ls2。

在一實施例中，第一信號線ql垂直投影到基板bs表面的寬度a1與重疊部or垂直投影到基板bs表面的寬度a2的比值a1/a2例如介于0.05～1之間。在一實施例中，a1/a2例如介于0.7～0.9之間。

在一實施例中，重疊部or具有第一邊界os1及第二邊界os2，第一邊界os1在垂直投影面上介于第一邊緣sw1與第一長側邊ls1之間，第二邊界os2在垂直投影面上介于第二邊緣sw2與第二長側邊ls2之間。在一實施例中，第一邊界os1在垂直投影面上沿著第一邊緣sw1的延伸方向延伸，例如第一邊界os1平行第一邊緣sw1。第二邊界os2在垂直投影面上沿著第二邊緣sw2的延伸方向延伸，例如第二邊界os2平行第二邊緣sw2。

在一實施例中，重疊部or在垂直投影面上具有凸出于第一信號線ql的第一長側邊ls1的寬度w1；也就是說，寬度w1為第一邊界os1與第一長側邊ls1之間在垂直投影面上的距離。延伸部er在垂直投影面上具有凸出于第一信號線ql的第一長側邊ls1的寬度w2；也就是說，寬度w2等于第一邊緣sw1與第一長側邊ls1之間在垂直投影面上的距離。在一實施例中，w1/w2例如介于0.01～0.99之間。在一實施例中，w1/w2例如介于0.05～0.5之間。在一實施例中，重疊部or在垂直投影面上凸出第一信號線ql的第一長側邊ls1的寬度等于重疊部or在垂直投影面上凸出第一信號線ql的第二長側邊ls2的寬度。在一實施例中，延伸部er在垂直投影面上凸出第一信號線ql的第一長側邊ls1的寬度等于延伸部er在垂直投影面上凸出第一信號線ql的第二長側邊ls2的寬度。

第二信號線c1與導線l1～l4之間具有重疊區域r2；更詳而言之，第一信號線ql與導線l1～l4之間彼此交錯而形成重疊區域r1。緩沖層bf的第二部分bf2更設置在第二信號線c1與導線l1～l4之間并至少位于重疊區域r2中。在一些較佳的實施例中，緩沖層bf的第二部分bf2的重疊部or在垂直投影面上凸出第二信號線c1與導線l1～l4的重疊區域r2。

在一實施例中，第二信號線c1具有第一長側邊ls3以及第二長側邊ls4，緩沖層bf的第二部分bf2具有第一邊緣sw3以及第二邊緣sw4。第一邊緣sw3沿著第一長側邊ls3的延伸方向延伸，第一邊緣sw3與第一長側邊ls3之間在垂直投影面上具有第一距離d3，垂直投影面例如是基板bs面對第二信號線c1的表面。第二邊緣sw4沿著第二長側邊ls4的延伸方向延伸，且第二邊緣sw4與第二長側邊ls4之間在垂直投影面上具有第二距離d4。在本實施例中，d3＝d4。在本實施例中，第一邊緣sw3平行第一長側邊ls3，第二邊緣sw4平行第二長側邊ls4。

在本實施例中，緩沖層bf的第二部分bf2與第二信號線c1之間的重疊關系，類似于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，緩沖層bf的第二部分bf2與第二信號線c1之間的重疊關系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系。

位于不同重疊區域中的緩沖層bf不會互相連接或是重疊。舉例來說，緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2之間是分開的，因此，第一部分bf1與第二部分bf2不會互相導通。

在一實施例中，驅動電路中的每個薄膜晶體管都包括半導體通道層，而緩沖層bf與每一個薄膜晶體管的半導體通道層都是分開的，因此，緩沖層bf不會影響薄膜晶體管所產生的信號。在一實施例中，緩沖層bf例如與驅動電路中的薄膜晶體管的半導體通道層屬于同個膜層。

在本實施例中，第一信號線ql鄰近于第二信號線c1。第一信號線ql具有對應于重疊區域r2的第一轉折部t1以及第二轉折部t2。因此，在對應重疊區域r2的第二信號線c1與第一信號線ql之間的第一間距ds1大于遠離重疊區域r2的第二信號線c1與第一信號線ql之間的第二間距ds2。也就是說，在對應重疊區域r2的第二信號線c1與第一信號線ql之間的第一間距ds1大于第二信號線c1與第一信號線ql的第一轉折部t1/第二轉折部t2之間的第二間距ds2。通過第一轉折部t1以及第二轉折部t2的設計，能使第一信號線ql以及第二信號線c1之間具有較大的距離可以設置緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2，且能避免緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2互相連接或是接觸。

雖然在本實施例中，僅有第一信號線ql具有轉折部，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第二信號線c1及/或第三信號線(未繪示)也可以有對應于重疊區域的轉折部。

在本實施例中，輸出信號線gl與導線l1～l4之間具有第一輸出信號重疊區域r3，且緩沖層bf不設置在第一輸出信號重疊區域r3(例如是第一柵極信號重疊區域)中。

雖然在本實施例中，輸出信號線gl沒有與第一信號線ql以及第二信號線c1重疊，然而本發明不以此為限。對應于第一信號線c1、第二信號線c1以及第三信號線的緩沖層bf是互相分離的，換句話說，第一信號線c1、第二信號線c1以及第三信號線(未繪示)不會通過緩沖層bf而電性連接。

本實施例的一種驅動電路包括輸出電路10、下拉模塊pm、導線l1～l4、第一信號線ql以及緩沖層bf。導線l1～l4例如電性連接于輸出電路以及下拉模塊之間。第一信號線ql用以將輸出電路10以及下拉模塊pm耦接于驅動控制信號q(n)，其中第一信號線ql與導線l1～l4之間具有重疊區域r1。緩沖層bf設置在第一信號線ql與導線l1～l4之間。緩沖層bf包括重疊部or以及延伸部er，重疊部or至少位于重疊區域r1中，延伸部er位于重疊部or的外側，且重疊部or的厚度大于延伸部er的厚度。

基于上述，本發明的驅動電路中，緩沖層bf設置在第一信號線ql與導線l1～l4之間以及第二信號線c1與導線l1～l4之間。因此，可以改善驅動電路中的第一信號線ql以及第二信號線c1漏電所造成的信號異常。

圖4是圖2的驅動電路的另一局部區域的電路布局示意圖。在此，圖4的實施例沿用圖3a、圖3b的實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。

圖4的實施例與圖3a的實施例的主要差異在于：除了輸出信號線gl與導線l1～l4之間具有第一輸出信號重疊區域r3，且緩沖層bf不設置在第一輸出信號重疊區域r3(例如是第一柵極信號重疊區域)中之外，圖4的實施例的輸出信號線gl與第一信號線ql之間具有第二輸出信號重疊區域r3a。

在本實施例中，緩沖層bf的第三部分bf3更設置在第二輸出信號重疊區域r3a(例如是第二柵極信號重疊區域)中。在一些實施例中，輸出信號線gl與第二信號線或第三信號線之間具有重疊區域，且緩沖層bf設置在輸出信號線gl、第二信號線或第三信號線之間的重疊區域中。

基于上述，本發明的驅動電路中，緩沖層bf設置在輸出信號線gl與第一信號線ql之間。因此，可以改善驅動電路中的輸出信號線gl以及第一信號線ql漏電所造成的信號異常。

圖5是圖2的驅動電路的另一局部區域的電路布局示意圖。在此，圖5的實施例沿用圖3a、圖3b的實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。

圖5的實施例與圖3a的實施例的主要差異在于：圖5的實施例的第一信號線ql在對應重疊區域r2的地方沒有轉折部。

在本實施例中，第一信號線ql與導線l1～l4之間具有重疊區域r1。緩沖層bf的第一部分bf1設置在第一信號線ql與導線l1～l4之間。

在一實施例中，第一信號線ql具有第一長側邊ls1以及第二長側邊ls2，緩沖層bf的第一部分bf1具有第一邊緣sw1以及第二邊緣sw2。第一邊緣sw1沿著第一長側邊ls1的延伸方向延伸，第一邊緣sw1與第一長側邊ls1之間在垂直投影面上具有第一距離d1，垂直投影面例如是基板bs面對第一信號線ql的表面。第二邊緣sw2沿著第二長側邊ls2的延伸方向延伸，且第二邊緣sw2與該第二長側邊ls2之間在垂直投影面上具有第二距離d2。在本實施例中，d1>d2。在本實施例中，第一邊緣sw1平行第一長側邊ls1，第二邊緣sw2平行第二長側邊ls2。

第二信號線c1與導線l1～l4之間具有重疊區域r2。緩沖層bf的第二部分bf2更設置在第二信號線c1與導線l1～l4之間并至少位于重疊區域r2中。在一些較佳的實施例中，緩沖層bf的第二部分bf2在垂直投影面上凸出第二信號線c1與導線l1～l4的重疊區域r2。

在一實施例中，第二信號線c1具有第一長側邊ls3以及第二長側邊ls4，緩沖層bf的第二部分bf2具有第一邊緣sw3以及第二邊緣sw4。第一邊緣sw3沿著第一長側邊ls3的延伸方向延伸，第一邊緣sw3與第一長側邊ls3之間在垂直投影面上具有第一距離d3，垂直投影面例如是基板bs面對第二信號線c1的表面。第二邊緣sw4沿著第二長側邊ls4的延伸方向延伸，且第二邊緣sw4與第二長側邊ls4之間在垂直投影面上具有第二距離d4。在本實施例中，d3>d4。在本實施例中，第一邊緣sw3平行第一長側邊ls3，第二邊緣sw4平行第二長側邊ls4。

在本實施例中，緩沖層bf的第一部分bf1的第二邊緣sw2靠近緩沖層bf的第二部分bf2的第二邊緣sw4。由于d1>d2且d3>d4，因此，緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2之間可以有足夠的間距，避免緩沖層bf的第一部分bf1與第二部分bf2互相接觸。

基于上述，本發明的驅動電路中，緩沖層bf設置在第一信號線ql與導線l1～l4之間以及第二信號線c1與導線l1～l4之間。因此，可以改善驅動電路中的第一信號線ql以及第二信號線c1漏電所造成的信號異常。

圖6是圖2的驅動電路的另一局部區域的電路布局示意圖。在此，圖6的實施例沿用圖3a、圖3b的實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。

在本實施例中，驅動電路包括了導線l5、導線l6、第二信號線c1、第三信號線c2以及第三信號線c3。導線l5、導線l6分別與第二信號線c1、第三信號線c2以及第三信號線c3屬于不同的金屬層。本實施例中的導線l5、導線l6例如與圖3a的導線l1～l4屬于同個膜層，且第二信號線c1、第三信號線c2以及第三信號線c3例如同屬于另外一個膜層。導線l5與第二信號線c1、第三信號線c2以及第三信號線c3之間例如夾有絕緣層與緩沖層bf。導線l6與第三信號線c3之間例如夾有絕緣層與緩沖層bf。在一實施例中，第二信號線c1例如是用來傳遞時脈信號(例如是時脈信號hc)。在一實施例中，第三信號線c2例如是用來傳遞時脈信號(例如是時脈信號lc1)。在一實施例中，第三信號線c3例如是用來傳遞時脈信號(例如是時脈信號lc2)。

第二信號線c1與導線l5之間具有重疊區域r4。緩沖層bf的第四部分bf4更設置在第二信號線c1與導線l5之間并至少位于重疊區域r4中。在一些較佳的實施例中，緩沖層bf的第四部分bf4在垂直投影面上凸出第二信號線c1與導線l5的重疊區域r4。

在一實施例中，第二信號線c1具有第一長側邊ls5以及第二長側邊ls6，緩沖層bf的第四部分bf4具有第一邊緣sw5以及第二邊緣sw6。第一邊緣sw5沿著第一長側邊ls5的延伸方向延伸，第一邊緣sw5與第一長側邊ls5之間在垂直投影面上具有第一距離d5，垂直投影面例如是基板bs面對第二信號線c1的表面。第二邊緣sw6沿著第二長側邊ls6的延伸方向延伸，且第二邊緣sw6與第二長側邊ls6之間在垂直投影面上具有第二距離d6。在本實施例中，d5>d6，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，d5＝d6。在本實施例中，第一邊緣sw5平行第一長側邊ls5，第二邊緣sw6平行第二長側邊ls6。

在一實施例中，緩沖層bf的第四部分bf4與第二信號線c1之間的重疊關系，類似于前述實施例中緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，緩沖層bf的第四部分bf4與第二信號線c1之間的重疊關系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系。

第三信號線c2與導線l5之間具有重疊區域r5。緩沖層bf的第五部分bf5更設置在第三信號線c2與導線l5之間并至少位于重疊區域r5中。在一些較佳的實施例中，緩沖層bf的第五部分bf5在垂直投影面上凸出第三信號線c2與導線l5的重疊區域r5。

在一實施例中，第三信號線c2具有第一長側邊ls7以及第二長側邊ls8，緩沖層bf的第五部分bf5具有第一邊緣sw7以及第二邊緣sw8。第一邊緣sw7沿著第一長側邊ls7的延伸方向延伸，第一邊緣sw7與第一長側邊ls7之間在垂直投影面上具有第一距離d7，垂直投影面例如是基板bs面對第三信號線c2的表面。第二邊緣sw8沿著第二長側邊ls8的延伸方向延伸，且第二邊緣sw8與第二長側邊ls8之間在垂直投影面上具有第二距離d8。在本實施例中，d7>d8，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，d7＝d8。在本實施例中，第一邊緣sw7平行第一長側邊ls7，第二邊緣sw8平行第二長側邊ls8。

在一實施例中，緩沖層bf的第五部分bf5與第三信號線c2之間的重疊關系，類似于前述實施例中緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，緩沖層bf的第五部分bf5與第三信號線c2之間的重疊關系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系。

第三信號線c3與導線l5、l6之間具有重疊區域r6。緩沖層bf的第六部分bf6更設置在第三信號線c3與導線l5、l6之間并至少位于重疊區域r6中。在一些較佳的實施例中，緩沖層bf的第六部分bf6在垂直投影面上凸出第三信號線c3與導線l5、l6的重疊區域r6。

在一實施例中，第三信號線c3具有第一長側邊ls9以及第二長側邊ls10，緩沖層bf的第六部分bf6具有第一邊緣sw9以及第二邊緣sw10。第一邊緣sw9沿著第一長側邊ls9的延伸方向延伸，第一邊緣sw9與第一長側邊ls9之間在垂直投影面上具有第一距離d9，垂直投影面例如是基板bs面對第三信號線c3的表面。第二邊緣sw10沿著第二長側邊ls10的延伸方向延伸，且第二邊緣sw10與第二長側邊ls10之間在垂直投影面上具有第二距離d10。在本實施例中，d9＝d10，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，d9>d10。在本實施例中，第一邊緣sw9平行第一長側邊ls9，第二邊緣sw10平行第二長側邊ls10。

在一實施例中，緩沖層bf的第六部分bf6與第三信號線c3之間的重疊關系，類似于前述實施例中緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，緩沖層bf的第六部分bf6與第三信號線c3之間的重疊關系，不同于緩沖層bf的第一部分bf1與第一信號線ql之間的重疊關系。

基于上述，本發明的驅動電路中，緩沖層bf設置在第二信號線c1與導線l5之間、第三信號線c2與導線之間、以及第三信號線c3與導線l5、l6之間。因此，可以改善驅動電路中的第二信號線c1以及第三信號線c2、c3漏電所造成的信號異常。

圖7是現有驅動電路的局部電路的剖面示意圖。圖8是依照本發明的一實施例的一種驅動電路的局部電路的剖面示意圖。圖9是依照本發明另一實施例的一種驅動電路的局部電路的剖面示意圖。圖10是依照本發明的又一實施例的一種驅動電路的局部電路的剖面示意圖。

請同時參考圖7～圖10，導線100設置在基板bs上。信號線200設置在導線100上，且信號線200與導線100之間夾有絕緣層110。信號線200例如類似于前述實施例中的第一信號線、第二信號線或第三信號線。在一實施例中，信號線200例如包括頂層204與底層202，其中底層202與絕緣層110接觸。絕緣層210a～210d覆蓋信號線200，且絕緣層210a～210d包括第一應力區212a～212d以及第二應力區214。第一應力區212a～212d的應力大于第二應力區214的應力。

在圖7的比較例(現有技術)中，信號線200與絕緣層110之間沒有設置緩沖層。而在圖8～圖10的實施例中，信號線200與絕緣層110之間設置有緩沖層120。緩沖層120包括重疊部122與延伸部124。重疊部122包括摻雜部122a以及非晶部122b。在圖8與圖9的實施例中，重疊部122在垂直投影面(例如是基板bs面對信號線200的表面)上凸出信號線200的一側。圖8的實施例中的重疊部122凸出信號線200的一側的寬度大于圖9的實施例中的重疊部122凸出信號線200的一側的寬度。在本實施例中，圖8的重疊部122的w1/w2約為0.3，圖9的重疊部122的w1/w2為0.1。在圖10的實施例中，重疊部122則與信號線200的側面切齊，換句話說，在圖10的實施例中，重疊部122沒有凸出信號線200的一側。

當信號線200與絕緣層110之間設置有緩沖層120時(圖8～圖10)，靠近信號線200邊界處(緩沖層120、信號線200以及絕緣層210交界)的第一應力區212b～212d的寬度，會大于沒有設置有緩沖層120時(圖7)，靠近信號線200邊界處(緩沖層120、信號線200以及絕緣層110交界)的第一應力區212a的寬度。換句話說，當設置有緩沖層120時，第一應力區212b～212d被分散開來。此外，第一應力區212b～212d的應力(圖8～圖10)小于第一應力區212a(圖7)的應力，因此，絕緣層210b～210d比較不容易在后續制程中由于應力集中而產生破洞。

此外，由圖8～圖10可以發現，在重疊部122凸出信號線200的一側的寬度較大的圖8中，第一應力區212b的寬度相對的大于圖9的第一應力區212c的寬度，而第一應力區212c的寬度又大于第一應力區212d的寬度。由此可知，在重疊部122凸出信號線200的圖9的實施例可以較佳的分散絕緣層210c的應力，使絕緣層210c較不容易在后續制程中由于應力集中而產生破洞。圖8的實施例則可以更佳的分散絕緣層210b的應力，使絕緣層210b更不容易在后續制程中由于應力集中而產生破洞。

圖11a是依照本發明的一實施例的一種驅動電路的局部電路的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11a的實施例沿用圖8的實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。

圖11a的實施例與圖8實施例的差異在于，圖11a的緩沖層120的延伸部124包括延伸邊緣部124b以及延伸連接部124a。

在本實施例中，延伸連接部124a位在延伸邊緣部124b與重疊部122之間。

在一實施例中，在形成信號線200之后且在形成絕緣層210之前，例如會進行一蝕刻制程(例如是等離子體蝕刻制程)。前述的蝕刻制程是以信號線200為罩幕而進行蝕刻，由于蝕刻率差異性的緣故，因而使得越靠近信號線200的緩沖層120會有越厚的厚度(亦即蝕刻率較低)，較遠離信號線200的緩沖層120的厚度較薄(亦即蝕刻率較高)。在一實施例中，重疊部122的厚度為h1，延伸連接部124a的厚度為h2，延伸邊緣部124b的厚度為h3，h1>h2>h3。

基于上述，本實施例中的信號線200與絕緣層110之間設置有緩沖層，因此，絕緣層210的應力可以被分散開來，使絕緣層210比較不容易在后續制程中由于應力集中而產生破洞。

圖11b是依照本發明的一實施例的一種驅動電路的局部電路的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖11b的實施例沿用圖11a的實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。

圖11b的實施例與圖11a的實施例的差異在于，圖11b的緩沖層120的重疊部122不包括摻雜部122a。

在本實施例中，緩沖層120例如為單層結構，重疊部122的厚度為h1，延伸連接部124a的厚度為h2，延伸邊緣部124b的厚度為h3，h1>h2>h3。

基于上述，本實施例中的信號線200與絕緣層110之間設置有緩沖層，因此，絕緣層210的應力可以被分散開來，使絕緣層210比較不容易在后續制程中由于應力集中而產生破洞。

綜上所述，本發明的驅動電路中，信號線與導線之間設置有緩沖層，因此，可以改善驅動電路中的信號線與導線漏電所造成的信號異常。在一實施例中，信號線是用來傳遞時脈信號或驅動控制信號。在本發明一實施例中，緩沖層包括重疊部與延伸部，其中重疊部的厚度大于延伸部的厚度，且重疊部在垂直投影面上凸出信號線的一側。因此，信號線上的絕緣層所受到的應力可以被分散開來，使絕緣層比較不容易在后續制程中由于應力集中而產生破洞。

雖然本發明已以實施例公開如上，然其并非用以限定本發明，任何所屬技術領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的變動與潤飾，故本發明的保護范圍當視后附的權利要求所界定者為準。