背景技術：

1、本公開整體涉及具有顯示器的電子設備，并且更具體地涉及用于顯示器諸如有機發光二極管(oled)顯示器的顯示驅動器電路。

2、電子設備通常包括顯示器。例如，蜂窩電話和便攜式計算機典型地包括用于向用戶呈現圖像內容的顯示器。oled顯示器具有基于發光二極管的顯示器像素陣列。在這種類型的顯示器中，每個顯示器像素包括發光二極管和用于控制向發光二極管施加數據信號以產生光的相關聯的晶體管。設計顯示器像素可能是具有挑戰性的。

技術實現思路

1、電子設備可包括具有顯示器像素陣列的顯示器。每個顯示器像素可至少包括發射光的有機發光二極管(oled)和用于控制該像素的操作的相關聯的晶體管。根據一個實施方案，顯示器像素可包括發光二極管、至多三個晶體管和至多兩個電容器。該顯示器像素可包括驅動晶體管、發射晶體管和選擇晶體管。該發射晶體管、該驅動晶體管和該二極管可串聯耦接在第一電源線和第二電源線之間。存儲電容器可跨該驅動晶體管的柵極和源極節點耦接。附加電容器可耦接到該二極管的陽極。該選擇晶體管可被配置為施加參考電壓或數據電壓到該驅動晶體管的該柵極節點。

2、該顯示器像素可在全局重置階段、全局補償階段、數據編程階段和發射階段工作，以支持像素內閾值電壓消除。在該全局重置階段，該第一電源線被拉低到重置電壓，并且該發射晶體管可用于通過該驅動晶體管傳遞該重置電壓，以重置該二極管。在該全局重置階段，所有顯示器像素中的該選擇晶體管同時被斷言，以向每個驅動晶體管的該柵極節點施加參考電壓。在該全局補償階段，該第一電源線被拉高到正電源電壓，從而在各自的存儲電容器上采樣每個驅動晶體管的閾值電壓。在該數據編程階段，可依次激活不同行的選擇晶體管，以將需要的數據信號加載到每個像素中。在該發射階段，可激活發射晶體管，使得相對應的二極管可發射為編程到像素中的數據信號的函數的一定量的光。

3、如果需要，每個像素可省略該發射晶體管。在某些實施方案中，一行像素可耦接到單個共享(公共)發射晶體管。該發射晶體管可耦接到電壓線，該電壓線可使用電源管理電路在高電壓和低電壓之間切換，或者該發射晶體管可選擇性地耦接到高電壓線或低電壓線。

技術特征：

1.一種顯示器像素，包括：

2.根據權利要求1所述的顯示器像素，還包括：

3.根據權利要求2所述的顯示器像素，還包括：

4.根據權利要求2所述的顯示器像素，其中在所述全局重置階段，所述選擇晶體管和所述發射晶體管接通。

5.根據權利要求4所述的顯示器像素，其中在所述全局重置階段，所述電源線被驅動至低電壓，以重置所述發光二極管的陽極。

6.根據權利要求5所述的顯示器像素，其中在所述全局重置階段之后的全局閾值電壓補償階段，所述選擇晶體管和所述發射晶體管接通，并且其中在所述全局閾值電壓補償階段，所述電源線被驅動至高電壓。

7.根據權利要求6所述的顯示器像素，其中：

8.根據權利要求2所述的顯示器像素，所述顯示器像素總共僅包括三個薄膜晶體管以及一個或多個電容器，所述三個薄膜晶體管包括所述驅動晶體管、所述選擇晶體管和所述發射晶體管。

9.根據權利要求1所述的顯示器像素，其中所述選擇晶體管包括具有使用半導體氧化物形成的溝道區域的半導體氧化物晶體管，或者是使用全耗盡絕緣體上硅(fd-soi)技術制造的硅晶體管。

10.一種操作具有像素陣列的顯示器的方法，所述方法包括：

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述全局閾值電壓采樣階段在所述全局重置階段之后、所述編程階段之前。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述像素陣列中的至少一些像素包括：

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述像素陣列中的所述至少一些像素還包括：

15.顯示器電路，包括：

16.根據權利要求15所述的顯示器電路，其中所述第一像素還包括第一電容器，所述第一電容器跨所述第一驅動晶體管的所述柵極端子和源極端子耦接。

17.根據權利要求16所述的顯示器電路，其中所述第一像素還包括第二電容器，所述第二電容器耦接在所述第一發光二極管的陽極和靜態電壓線之間。

18.根據權利要求16所述的顯示器電路，還包括：

19.根據權利要求15所述的顯示器電路，還包括：

20.根據權利要求15所述的顯示器電路，其中所述掃描線上的掃描信號在重置階段被脈沖，在數據編程階段被脈沖，并且在所述重置階段和所述數據編程階段之間的補償階段被多次脈沖。

21.根據權利要求15所述的顯示器電路，其中調整所述補償階段的持續時間或所述重置階段的持續時間來調節所述第一像素和所述第二像素的發射占空比。

22.根據權利要求15所述的顯示器電路，還包括：

23.根據權利要求15所述的顯示器電路，還包括：

技術總結
顯示器可包括像素陣列。像素可包括有機發光二極管、至多三個薄膜晶體管和至多兩個電容器。該像素可包括驅動晶體管、發射晶體管和選擇晶體管。該選擇晶體管可用于在全局重置階段和在全局閾值電壓采樣階段將參考電壓施加到該驅動晶體管的柵極，并且還可用于在數據編程階段將數據電壓施加到該驅動晶體管的該柵極。該驅動晶體管可接收在該全局重置階段的低電壓和在其他操作階段的高電壓之間切換的電源電壓。以這種方式配置和操作，該像素不需要包括單獨的專用陽極重置和初始化晶體管。

技術研發人員：A·奧茲古魯克,A·林,羅卓知,湯俊明,小野晉也,黃俊堯
受保護的技術使用者：蘋果公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24