像素電路及其驅(qū)動方法和有源矩陣有機發(fā)光顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法和有源矩陣有機發(fā)光顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機發(fā)光顯示器(英文全稱Active Matrix Organic LightingEmitting Display，簡稱AMOLED)能夠自行發(fā)光，不像薄膜晶體管液晶顯示器(英文全稱 Thin Film Transistor liquid crystal display，簡稱 TFT-LCD)需要背光系統(tǒng)(backlight system)才能點亮，因此可視度和亮度均更高，而且更輕薄。目前，有源矩陣有機發(fā)光顯示器被譽為可以取代薄膜晶體管液晶顯示器的新一代顯示器。
[0003]在有源矩陣有機發(fā)光顯示器中，每個像素包括有機發(fā)光二極管(英文全稱Organic Lighting Emitting D1de，簡稱0LED)和用于驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管的像素電路。每個像素的亮度由流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流決定，而流經(jīng)有機發(fā)光二極管的電流不但由其對應(yīng)的像素電路控制，還會受到電源線壓降的影響而改變。由于每個像素的電源線走線各不相同，因此在每條電源線上的壓降也各不相同，如此造成每個像素的亮度與預(yù)想值出現(xiàn)差異。各個像素響應(yīng)同一數(shù)據(jù)信號卻產(chǎn)生具有不同亮度的光，從而很難顯示具有均勻亮度的圖像。而且，顯示處于暗態(tài)時非常容易出現(xiàn)微亮點現(xiàn)象。例如，在全黑(O灰階)狀態(tài)時，部分像素的有機發(fā)光二極管因流經(jīng)的電流較高而發(fā)出肉眼可辨的光。
[0004]此外，有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素電路通常由薄膜晶體管(英文全稱ThinFilm Transistor，簡稱TFT)搭建而成，由于受到薄膜晶體管的漏電流的不利因素的影響，會進一步加重微亮點現(xiàn)象，造成對比度低。
[0005]請參考圖1，其為現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖。如圖1所示，有源矩陣有機發(fā)光顯示器所常用的像素電路10由6個薄膜晶體管(T31至T36)和I個電容(C)搭建而成，所述像素電路10分別與電源正壓VDD和電源負壓VSS連接，并接收第一掃描線scan[n-l]和第二掃描線scan[n]提供的掃描信號以及數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號DATA.。然而，當顯示處于暗態(tài)時第三薄膜晶體管T33和第四薄膜晶體管T34存在漏電流，使得N2節(jié)點的電壓降低，造成驅(qū)動薄膜晶體管T31的電流升高，因此流過有機發(fā)光二極管OLED的電流會增大，進而加重微亮點現(xiàn)象。
[0006]目前，常用的像素電路一般都存在漏電流問題，而且漏電流路徑比較多(兩條以上)，每條漏電流路徑的漏電流也比較大。例如，如圖1所示的像素電路10就存在2條漏電流路徑，2條漏電流路徑均為單個薄膜晶體管，分別是第三薄膜晶體管T33和第四薄膜晶體管 T34。
[0007]基此，如何提高有源矩陣有機發(fā)光顯示器的顯示均勻性，同時改善微亮點現(xiàn)象成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種像素電路及其驅(qū)動方法和有源矩陣有機發(fā)光顯示器，以解決現(xiàn)有的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的顯示均勻性差、存在微亮點的問題。
[0009]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種像素電路，所述像素電路用于與電源、掃描線和數(shù)據(jù)線連接，所述電源包括第一電源、第二電源和第三電源，所述掃描線包括第一掃描線、第二掃描線、第三掃描線和第四掃描線，所述像素電路包括:
[0010]第一薄膜晶體管，連接在第三節(jié)點與第三電源之間，其柵極連接到第三掃描線；
[0011]第二薄膜晶體管，連接在數(shù)據(jù)線與第一節(jié)點之間，其柵極連接到第四掃描線；
[0012]第三薄膜晶體管，連接在第一節(jié)點與第六薄膜晶體管的源極之間，其柵極接到第二節(jié)點；
[0013]第四薄膜晶體管，連接在第三節(jié)點與第六薄膜晶體管的源極之間，其柵極連接到第二掃描線；
[0014]第五薄膜晶體管，連接在第一電源與第一節(jié)點之間，其柵極連接到第一掃描線；
[0015]第六薄膜晶體管，連接在第三薄膜晶體管的漏極與有機發(fā)光二極管的陽極之間，其柵極連接到第一掃描線；
[0016]第七薄膜晶體管，連接在第二節(jié)點與第三節(jié)點之間，其柵極連接到第二掃描線；
[0017]第一電阻，連接在第一電源與第五薄膜晶體管的源極之間；
[0018]第二電阻，連接在第一節(jié)點與第五薄膜晶體管的漏極之間；
[0019]第一電容，連接在第一電源與第二節(jié)點之間；
[0020]第二電容，連接在第一電源與第一薄膜晶體管的源極之間。
[0021]可選的，在所述的像素電路中，所述有機發(fā)光二極管的陰極與第二電源連接，所述第一電源和第二電源用作所述有機發(fā)光二極管的驅(qū)動電源，所述第三電源用于提供初始化電平。
[0022]可選的，在所述的像素電路中，還包括第八薄膜晶體管，所述第八薄膜晶體管連接在所述第一薄膜晶體管的漏極與第三電源之間，所述第八薄膜晶體管的柵極連接到第三掃描線。
[0023]可選的，在所述的像素電路中，還包括第八薄膜晶體管，所述第八薄膜晶體管連接在所述第七薄膜晶體管的漏極與有機發(fā)光二極管的陽極之間，所述第八薄膜晶體管的柵極連接到第三掃描線。
[0024]可選的，在所述的像素電路中，還包括第三電容，所述第三電容連接在所述第二節(jié)點與第二薄膜晶體管的柵極之間。
[0025]可選的，在所述的像素電路中，還包括第三電容，所述第三電容連接在所述第二節(jié)點與第四薄膜晶體管的柵極之間。
[0026]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種像素電路的驅(qū)動方法，所述像素電路的驅(qū)動方法包括:掃描周期分為第一時間段、第二時間段和第三時間段，其中，
[0027]在第一時間段，第二掃描線和第三掃描線提供的掃描信號均為低電平，打開第四薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第一薄膜晶體管和第八薄膜晶體管，通過第三電源將第二節(jié)點的電壓初始化為低電平；
[0028]在第二時間段，第二掃描線和第四掃描線提供的掃描信號均為低電平，第三掃描線提供的掃描信號為高電平，關(guān)閉第一薄膜晶體管和第八薄膜晶體管，打開第二薄膜晶體管、第四薄膜晶體管和第七薄膜晶體管，將數(shù)據(jù)信號分別寫入第一電容和第二電容；
[0029]在第三時間段，第一掃描線提供的掃描信號為低電平，第二掃描線第三掃描線和第四掃描線提供的掃描信號均為高電平，打開第五薄膜晶體管和第六薄膜晶體管，驅(qū)動電流沿第一電源經(jīng)第五薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第六薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管的路徑流到第二電源，致使有機發(fā)光二極管點亮發(fā)光。
[0030]可選的，在所述的像素電路的驅(qū)動方法中，所述掃描周期還包括用于避免時序沖突的切換時間段，所述切換時間段設(shè)置于所述第一時間段與第二時間段之間。
[0031]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種有源矩陣有機發(fā)光顯示器，所述有源矩陣有機發(fā)光顯示器包括如上所述的像素電路。
[0032]在本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動方法和有源矩陣有機發(fā)光顯示器中，通過在像素電路中增設(shè)串聯(lián)電阻，降低電源線壓降及漏電流對顯示效果的影響，從而提高顯示均勻性，而且所述像素電路的漏電流路徑僅為一條，該條漏電流路徑由多個薄膜晶體管串聯(lián)組成，由此，采用所述像素電路及其驅(qū)動方法的有機發(fā)光顯示器不但可以進一步減少漏電流，減弱暗態(tài)時的微殼點，提尚對比度，而且還可以提尚顯不均勾性。
【附圖說明】
[0033]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的像素電路的電路圖；
[0034]圖2是本發(fā)明實施例一的像素電路的電路圖；
[0035]圖3是本發(fā)明實施例一的像素電路的驅(qū)動方法的時序圖；
[0036]圖4是本發(fā)明實施例二的像素電路的電路圖；
[0037]圖5是本發(fā)明實施例三的像素電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0038]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的一種像素電路及其驅(qū)動方法和有源矩陣有機發(fā)光顯示器作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0039]【實施例一】
[0040]請參考圖2，其為本發(fā)明實施例一的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述像素電路20包括:第一薄膜晶體管Tl，連接在第三節(jié)點N3與第三電源ELVL之間，其柵極連接到第三掃描線Sn3 ;第二薄膜晶體管T2，連接在數(shù)據(jù)線Dm與第一節(jié)點NI之間，其柵極連接到第四掃描線Sn4 ;第三薄膜晶體管T3，連接在第一節(jié)點NI與第六薄膜晶體管T6的源極之間，其柵極接到第二節(jié)點N2 ;第四薄膜晶體管T4，連接在第三節(jié)點N3與第六薄膜晶體管T6的源極之間，其柵極連接到第二掃描線Sn2 ;第五薄膜晶體管T5，連接在第一電源ELVDD與第一節(jié)點NI之間，其柵極連接到第一掃描線Snl ;第六薄膜晶體管T6，連接在第三薄膜晶體管T3的漏極與有機發(fā)光二極管OLED的陽