專利名稱：像素單元及主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素單元及主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1，圖I為現(xiàn)有技術(shù)的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖I所示，主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置10包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管，例如，像素單元Pl包括薄膜晶體管Tl,像素單元P2包括薄膜晶體管T2。在主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置10的制作過程中，由于曝光機(jī)精度原因，容易在不同的曝光位置出現(xiàn)薄膜晶體管的漏極相對(duì)于其柵極的覆蓋偏移(overlay shift)，使得在主
動(dòng)矩陣式平面顯示裝置10不同位置處的薄膜晶體管具有不同的寄生電容。以圖I中所示的像素單元Pl和P2為例，請(qǐng)參閱圖2，圖2為薄膜晶體Tl和薄膜晶體管T2的放大圖，如圖2所示，薄膜晶體管Tl的柵極和漏極的重疊面積所形成的寄生電容為Cgd 1，薄膜晶體管T2的柵極和漏極的重疊面積所形成的寄生電容為Cgd 2，由于薄膜晶體管Tl和T2的柵極和漏極的重疊面積(如圖中虛線所示的面積)不一致，導(dǎo)致CgdI幸Cgd 2，因此導(dǎo)致像素單元Pl和P2之間的灰度顯示不均勻，從而產(chǎn)生不均勻(Mura)、閃爍(Flicker)等顯示缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種像素單元及主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，能夠維持主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置中每個(gè)像素單元內(nèi)的薄膜晶體管組的寄生電容不變，從而避免產(chǎn)生顯示缺陷。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種像素單元，該像素單元包括平行間隔設(shè)置的第一掃描線和第二掃描線；數(shù)據(jù)線，與第一掃描線和第二掃描線相交設(shè)置；像素電極，分別與第一掃描線、第二掃描線和數(shù)據(jù)線電連接；薄膜晶體管組，分別與第一掃描線、第二掃描線、數(shù)據(jù)線和像素電極電連接；其中，薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關(guān)系式Cgd=Cl+C2 ；其中，Cl為第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，C2為第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，且Cl和C2的變化趨勢(shì)相反，變化量相同，使得Cgd的值保持不變。其中，第一薄膜晶體管的柵極連接第一掃描線，第一薄膜晶體管的源極連接數(shù)據(jù)線，第一薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第一導(dǎo)通孔電連接；第二薄膜晶體管的柵極連接第二掃描線，第二薄膜晶體管的源極連接數(shù)據(jù)線，第二薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第二導(dǎo)通孔電連接。其中，第一掃描線和第二掃描線首尾互相連接，并傳輸相同的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)。其中，第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在像素電極的對(duì)角位置處。
其中，像素單元包括一中線，中線與數(shù)據(jù)線平行并把像素單元的面積平分，第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在中線的兩側(cè)，并且第一導(dǎo)通孔到中線的垂直距離等于第二導(dǎo)通孔到中線的垂直距離。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，該主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，該顯示區(qū)域設(shè)置有多個(gè)像素單元，該像素單元包括平行間隔設(shè)置的第一掃描線和第二掃描線；數(shù)據(jù)線，與第一掃描線和第二掃描線相交設(shè)置；像素電極，分別與第一掃描線、第二掃描線和數(shù)據(jù)線電連接；薄膜晶體管組，分別與第一掃描線、第二掃描線、數(shù)據(jù)線和像素電極電連接；其中，薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關(guān)系式cgd = C1+C2 ;其中，Cl為第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，C2為第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，且Cl和C2的變化趨勢(shì)相反，變化量相同，使得Cgd的值保持不變。其中，第一薄膜晶體管的柵極連接第一掃描線，第一薄膜晶體管的源極連接數(shù)據(jù)線，第一薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第一導(dǎo)通孔電連接；第二薄膜晶體管的柵極連 接第二掃描線，第二薄膜晶體管的源極連接數(shù)據(jù)線，第二薄膜晶體管的漏極和像素電極通過第二導(dǎo)通孔電連接。其中，第一掃描線和第二掃描線在非顯不區(qū)域首尾互相連接,并傳輸相同的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)。其中，第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在像素電極的對(duì)角位置處。其中，像素單元包括一中線，中線與數(shù)據(jù)線平行并把像素單元的面積平分，第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在中線的兩側(cè)，并且第一導(dǎo)通孔到中線的垂直距離等于第二導(dǎo)通孔到中線的垂直距離。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明在一個(gè)像素單元中設(shè)置由第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管組成的薄膜晶體管組，該薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關(guān)系式Cgd = Cl+C2 ;其中，Cl為第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，C2為第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，并且Cl和C2變化趨勢(shì)相反，變化量相同，使得Cgd的值保持不變。因此克服了由于曝光的覆蓋偏移導(dǎo)致各像素單元的寄生電容值不同而產(chǎn)生的顯示缺陷。進(jìn)一步的，本發(fā)明在一個(gè)像素區(qū)域中平行間隔設(shè)置用于提供相同掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)的兩個(gè)分支的第一掃描線和第二掃描線，當(dāng)其中一條分支斷路時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以通過繞道的方式實(shí)現(xiàn)自動(dòng)修復(fù)，因此克服了因掃描線缺陷而產(chǎn)生的顯示缺陷。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I中的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置的兩個(gè)不同位置處的薄膜晶體管的放大結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明的一種主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3所示的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置中的一像素單元在理想曝光狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖5是圖3所示的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置中的一像素單元在出現(xiàn)覆蓋偏移的曝光狀態(tài)下的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明的一種主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置300包括顯示區(qū)域301和非顯示區(qū)域302。本實(shí)施例中，在顯示區(qū)域301中設(shè)置有多個(gè)像素單元30。請(qǐng)一并參閱圖3和圖4，圖4是圖3所示的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置中的一像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本發(fā)明的像素單元30包括第一掃描線31、第二掃描線32、·數(shù)據(jù)線33、像素電極35以及薄膜晶體管組36。其中，第一掃描線31和第二掃描線32在顯示區(qū)域301中平行間隔設(shè)置，數(shù)據(jù)線33分別與第一掃描線31和第二掃描線32垂直相交設(shè)置。像素電極35分別與第一掃描線
31、第二掃描線32和數(shù)據(jù)線33電連接。薄膜晶體管組36分別與第一掃描線31、第二掃描線32、數(shù)據(jù)線33以及像素電極35電連接，具體地薄膜晶體管組36包括第一薄膜晶體管37和第二薄膜晶體管38。其中，第一薄膜晶體管37的柵極371連接第一掃描線31，第二薄膜晶體管38的柵極381連接第二掃描線32。第一薄膜晶體管37的源極372與第二薄膜晶體管38的源極382連接數(shù)據(jù)線33。第一薄膜晶體管37的漏極373通過第一導(dǎo)通孔351電連接像素電極35，第二薄膜晶體管38的漏極383通過第二導(dǎo)通孔352電連接像素電極35。本發(fā)明實(shí)施例中，像素單元35包括一中線353，中線353與數(shù)據(jù)線33平行并把像素單元30的面積平分，第一導(dǎo)通孔351和第二導(dǎo)通孔352分別設(shè)置在中線353的兩側(cè)，并且第一導(dǎo)通孔351到中線353的垂直距離Dl等于第二導(dǎo)通孔352到中線353的垂直距離D2。其中，第一導(dǎo)通孔351和第二導(dǎo)通孔352優(yōu)選為分別設(shè)置在像素電極35的對(duì)角位置處。本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置300的不同尺寸，對(duì)應(yīng)設(shè)置薄膜晶體管不同的長(zhǎng)和寬。具體而言，當(dāng)主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置300為中小尺寸的平面顯示裝置時(shí)，則設(shè)計(jì)像素單元30中的第一薄膜晶體管37和第二薄膜晶體管38的尺寸小于現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管的尺寸，例如，設(shè)計(jì)為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管的尺寸的一半；另一方面，當(dāng)主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置300為大尺寸的平面顯示裝置時(shí)，則相應(yīng)的增大像素單元30中的第一薄膜晶體管37和第二薄膜晶體管38的尺寸。本發(fā)明通過在一個(gè)像素單元中設(shè)置兩個(gè)薄膜晶體管，能維持各個(gè)像素單元的寄生電容值不變。具體而言，請(qǐng)一并參閱圖4和圖5，圖4顯示在理想曝光狀態(tài)下像素單元30的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5顯示在出現(xiàn)覆蓋偏移的曝光狀態(tài)下像素單元30的結(jié)構(gòu)示意圖。首先請(qǐng)參閱圖4，在理想曝光狀態(tài)下，曝光機(jī)在對(duì)像素單元30進(jìn)行曝光時(shí)沒有產(chǎn)生覆蓋偏移，此時(shí)，第一薄膜晶體管37的柵極371與漏極373的重疊面積所產(chǎn)生的電容為Cl，第二薄膜晶體管38的柵極381與漏極383的重疊面積所產(chǎn)生的電容為C2，并且Cl和C2的和為薄膜晶體管組36的寄生電容Cgd，即Cgd滿足以下關(guān)系式Cgd=C I+C2 ο
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D5，圖5顯示曝光機(jī)在對(duì)像素單元30進(jìn)行曝光時(shí)產(chǎn)生覆蓋偏移的情形。具體而言，相對(duì)于圖4所示的像素單元30，如圖5所示，此時(shí)像素單元30的第一薄膜晶體管37的柵極371與漏極373的重疊面積減少了 X，與此相反，第二薄膜晶體管38的柵極381與漏極383的重疊面積相應(yīng)增加了 X。假設(shè)重疊面積X所產(chǎn)生的電容為Cx，則此時(shí)第一薄膜晶體管37的柵極371與漏極373的重疊面積所產(chǎn)生的電容Cl丨=Cl-Cx,第二薄膜晶體管38的柵極381與漏極383的重疊面積所產(chǎn)生的電容C2丨=C2+CX。因此，薄膜晶體管組36的寄生電容Cgd ’為Cg/ =Cl ; +C2 ; = (Cl-Cx)+ (C2+CX)=C1+C2。即薄膜晶體管組36在存在覆蓋偏移時(shí)的寄生電容Cgd丨的值等于理想曝光狀態(tài)下的寄生電容Cgd的值?？梢?，當(dāng)出現(xiàn)覆蓋偏移時(shí)，對(duì)于每個(gè)像素單元30而言，由于Cl和C2的變化量相同(均為Cx)，而變化趨勢(shì)相反，在Cl減少或增加Cx時(shí)，C2相應(yīng)增加或減少Cx，由此使得Cgd的值保持不變。因此，克服了由于曝光的覆蓋偏移導(dǎo)致不同位置處的像素單元30的寄生電容值不同而引起的顯示缺陷。
并且，本發(fā)明在一個(gè)像素單元中設(shè)置兩個(gè)薄膜晶體管的設(shè)計(jì)與一個(gè)像素單元中僅設(shè)置一個(gè)薄膜晶體管的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明的像素單元可以克服其中一個(gè)薄膜晶體管壞掉后像素單元無法顯示的問題。進(jìn)一步的，本發(fā)明在一個(gè)像素單元中平行間隔設(shè)置了兩條分支的掃描線，其中一條分支斷路時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以通過繞道的方式實(shí)現(xiàn)自動(dòng)修復(fù)，克服了因掃描線缺陷所產(chǎn)生的顯示缺陷。具體而言，請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D3所示，本發(fā)明像素單元30的第一掃描線31和第二掃描線32在非顯示區(qū)域302首尾互相連接，并傳輸相同的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)，由此使得第一掃描線31或者第二掃描線32的其中一條斷路時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)會(huì)通過另一條掃描線以繞道的方式傳送到與斷路掃描線電連接的薄膜晶體管中，由此保證第一薄膜晶體管37和第二薄膜晶體管38均能正常工作。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種像素單元，其特征在于，所述像素單元包括 平行間隔設(shè)置的第一掃描線和第二掃描線； 數(shù)據(jù)線，與所述第一掃描線和所述第二掃描線相交設(shè)置； 像素電極，分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線和所述數(shù)據(jù)線電連接； 薄膜晶體管組，分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極電連接； 其中，所述薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關(guān)系式 Cgd=Cl+C2 ； 其中，Cl為所述第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，C2為所述第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，且所述Cl和C2的變化趨勢(shì)相反，變化量相同，使得所述Cgd的值保持不變。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素單元，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第一薄膜晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第一導(dǎo)通孔電連接；所述第二薄膜晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第二薄膜晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第二導(dǎo)通孔電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述第一掃描線和所述第二掃描線首尾互相連接，并傳輸相同的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述第一導(dǎo)通孔和所述第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在所述像素電極的對(duì)角位置處。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元包括一中線，所述中線與所述數(shù)據(jù)線平行并把所述像素單元的面積平分，所述第一導(dǎo)通孔和所述第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在所述中線的兩側(cè)，并且所述第一導(dǎo)通孔到所述中線的垂直距離等于所述第二導(dǎo)通孔到所述中線的垂直距離。
6.一種主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，所述主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域設(shè)置有多個(gè)像素單元，其特征在于，所述像素單元包括 平行間隔設(shè)置的第一掃描線和第二掃描線； 數(shù)據(jù)線，與所述第一掃描線和所述第二掃描線相交設(shè)置； 像素電極，分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線和所述數(shù)據(jù)線電連接； 薄膜晶體管組，分別與所述第一掃描線、所述第二掃描線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極電連接； 其中，所述薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關(guān)系式 Cgd=Cl+C2 ； 其中，Cl為所述第一薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，C2為所述第二薄膜晶體管的柵極與漏極的重疊面積所產(chǎn)生的電容，且所述Cl和C2的變化趨勢(shì)相反，變化量相同，使得所述Cgd的值保持不變。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述第一掃描線，所述第一薄膜晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第一導(dǎo)通孔電連接；所述第二薄膜晶體管的柵極連接所述第二掃描線，所述第二薄膜晶體管的源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述第二薄膜晶體管的漏極和所述像素電極通過第二導(dǎo)通孔電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，其特征在于，所述第一掃描線和所述第二掃描線在非顯示區(qū)域首尾互相連接，并傳輸相同的掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)通孔和所述第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在所述像素電極的對(duì)角位置處。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，其特征在于，所述像素單元包括一中線，所述中線與所述數(shù)據(jù)線平行并把所述像素單元的面積平分，所述第一導(dǎo)通孔和所述第二導(dǎo)通孔分別設(shè)置在所述中線的兩側(cè)，并且所述第一導(dǎo)通孔到所述中線的垂直距離等 于所述第二導(dǎo)通孔到所述中線的垂直距離。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素單元及主動(dòng)矩陣式平面顯示裝置，該像素單元包括第一掃描線、第二掃描線和薄膜晶體管組，其中，薄膜晶體管組包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，薄膜晶體管組的寄生電容Cgd滿足以下關(guān)系式Cgd＝C1+C2；其中，C1和C2的變化趨勢(shì)相反，變化量相同，使得Cgd值保持不變。通過以上方式，本發(fā)明克服了由于曝光的覆蓋偏移導(dǎo)致各像素單元的寄生電容值不同而產(chǎn)生的顯示缺陷。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102881249SQ20121039789
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月18日
發(fā)明者王金杰 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司