專利名稱：硅基液晶器件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及用于電子器件制造的集成電路及其加工。特別地，本發明
提供了一種用于制造硅基液晶(LCOS)顯示器件的電容器結構的方法。 但M該認識到，本發明的適用范圍要廣泛得多。
背景技術：
近年來，電子顯示技術得到了迅速發展。從初期開始，陰極射線管 技術，通常稱為CRT，將選定的像素單元輸出到傳統電視機的玻璃屏 上。這些電視機最初輸出黑白的運動圖像。彩色電視機很快就取代了如 果不是全部也是大多數的黑白電視機。盡管CRT非常成功，但是它通 常體積龐大，難以做得更大，并且還有其他局限性。
液晶面板顯示器很快至少是部分地取代了 CRT。這些通常稱為LCD 的液晶面板顯示器采用耦合于液晶材料的晶體管單元陣列和濾色器，從 而輸出彩色的運動圖像。許多計算機終端和小型的顯示設備通常依賴于 LCD來輸出視頻、文本和其他可視特征。遺憾的是，液晶面板的成品 率通常比較低，且難以擴大到較大的尺寸。這些LCD通常不適用于電 視機等所需要的大型顯示器。
因此，投影顯示設備得到了發展。除了別的以外，這些投影顯示設 備包括對應的液晶顯示器，其將光從選定的像素單元通過透鏡輸出到較 大的顯示器上，從而產生運動畫面、文本和其他可視圖像。另一種技術 稱為"數字光處理"(DLP )，其是來自Texas Instruments Incorporated(TI)， Texas, USA的商業名稱。DLP通常稱作"微鏡"使 用。DLP依賴于幾十萬個微小的鏡子，這些鏡子排成800行，每行600 個。每個鏡子都裝有鉸鏈。每個鉸鏈都附連有致動器。致動器通常為能 夠以高頻使每個鏡子傾斜的靜電能量。運動的鏡子可以調節可透過透鏡 然后顯示在屏上的光。盡管DLP非常成功，但是它通常難以制造且成 品率低，等等。還有另外一種技術稱為LCOS，其采用鏡子和液晶。LCOS采用施 加于反射鏡襯底的液晶。隨著液晶的"打開"或"關閉"，光被反射或 被阻擋，這樣就可以調節光，從而產生顯示圖像。通常，至少有三個 LCOS芯片，每個芯片對應于紅色、綠色和藍色通道中的光。然而，LCOS 有很多局限性。僅僅作為一個示例，LOCS通常很難制造。另外，LCOS 至少需要三個芯片，這會使得投影儀體積龐大且笨重，并且導致成本較 高。所以，LCOS不適用于便攜式投影儀。
從上可以看出，需要一種改進的技術來加工器件。

發明內容
根據本發明，提供了用于電子器件制造的集成電路加工技術。特別地， 本發明提供了一種用于制造硅基液晶(LCOS)顯示器件的電容器結構的 方法。但是應該認識到，本發明的適用范圍要廣泛得多。
作為附加的背景信息，我們發現傳統的LCOS背板COMS驅動器通 常在單位顯示4象素中采用至少以下元件(見圖1):
1) 高壓(HV) MOS選擇晶體管101，其包括行105、列103和輸出 107;
2) 多晶硅-絕緣體-多晶硅(PIP)電容器，其包括電極112、 115，耦 合于地117和線111;
3) 鋁頂部金屬電極109，也作為入射光的反射器；以及
4) 頂部金屬電極(TM)的后續金屬光屏蔽物；
這些元件中的每個結合光/蝕刻加工的一個或兩個掩膜層單獨操作， 以獲得其被賦予的但是有限的功能性。同時，因為為了獲得更佳的反射 性，鋁(Al)頂部金屬變得甚至更薄，但是也使得將頂部金屬用作焊盤 (bonding pad)變得更不可行，所以通常需要額外的鈍化蝕刻，將焊盤開 放下至較厚的后續金屬層來進行芯片焊接。應該有余地來提高全面利用 有限的層堆疊的效率，同時提高甚至最大化LCOS背板驅動器芯片的性 能從而進一步提高性價比。本發明已經克服了這些及其他局限性中的至 少一部分和/或全部。在一個具體的實施例中，本發明提供了一種LCOS器件。所述器件 具有半導體襯底，例如硅襯底。所述器件具有在所述半導體襯底內形成 的晶體管。所述晶體管具有第一節點、第二節點和行節點。第一電容器 結構耦合于所述晶體管。所述第一電容器結構包括耦合于所述晶體管的 第二節點的第一多晶硅層。所述第一電容器結構還具有覆蓋在所述第一
多晶硅層上的第一電容器絕緣層和覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅 層。所述第二多晶硅層耦合于參考電勢，例如地。所述器件具有耦合于 所述晶體管的第二電容器結構。所述第二電容器結構具有耦合于所述參 考電勢的第一金屬層、第二電容器絕緣層以及耦合于所述晶體管的第二 節點的第二金屬層。像素電極包括所述第一金屬層。所述像素電極耦合 于所述晶體管的第二節點。鏡面位于所述像素電極上。所述器件具有由 所述第二金屬層的 一部分形成的光屏蔽層。
在一個可替換的具體實施例中，本發明提供了一種可替換的LCOS 器件。所述器件具有半導體襯底，例如硅晶片。所述器件具有在所述半 導體襯底內形成的高壓MOS晶體管。優選地，所述高壓MOS晶體管 具有耦合于第一節點的第一源極/漏極、耦合于第二節點的第二源極/漏 極以及耦合于行節點的柵極。PIP電容器結構耦合于所述HV MOS晶 體管。優選地，所述PIP電容器結構具有耦合于所述HV MOS晶體管 的第二節點的第一多晶硅層、覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器 絕緣層、以及覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層。所述第二多晶硅層 耦合于參考電勢，例如地電勢。金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結構耦合 于所述HVMOS晶體管。優選地，所述MIM電容器結構具有耦合于所 述參考電勢的第一金屬層、第二電容器絕緣層、以及耦合于所述HV
MOS晶體管的第二節點的第二金屬層。像素電極包括所述第一金屬層。 優選地，所述像素電極耦合于所述HV MOS晶體管的第二節點。鏡面 位于所述像素電極上。光屏蔽層由所述第二金屬層的一部分形成，并且 地電勢耦合于所述參考電勢。優選地，所述HV MOS器件適用于切換 從約10伏到約20伏的電壓電勢。
在另一個可替換的具體實施例中，本發明提供了一種用于制造 LCOS器件的方法。所述方法包括提供半導體襯底。所述方法還包括在 所述半導體襯底內形成晶體管結構。所述晶體管結構具有第一節點、第 二節點和行節點。所述方法包括形成耦合于所述晶體管結構的第一電容器結構。優選地，所述第一電容器結構包括耦合于所述晶體管結構的第 二節點的第一多晶硅層、覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器絕緣 層、以及覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層。所述第二多晶硅層耦合 于參考電勢。所述方法進一步包括形成耦合于所述晶體管結構的第二電
容器結構。優選地，所述第二電容器結構包括耦合于所述參考電勢的第 一金屬層、第二電容器絕緣層、以及耦合于所述晶體管結構的第二節點 的第二金屬層。所述方法包括形成包括所述第一金屬層的像素電極。優 選地，所述像素電極耦合于所述晶體管結構的第二節點。所述方法包括 在所述像素電極上形成鏡面并且由所述第二金屬層的一部分形成光屏
本發明與傳統技術相比，可以獲得很多益處。例如，本技術提供了 一種依賴于傳統技術的易于使用的工藝。在一些實施例中，該方法提高了 按照每晶片管芯數的器件成品率。此外，該方法提供了一種與傳統工藝技 術相兼容的工藝而無需對傳統的設備和工藝進行大量修改。優選地，本發
明提供了一種用于顯示器的LCOS器件的改進電容器結構。本發明的某些 實施例可以包括以下特征中的一個或多個
1) 單位顯示像素具有高壓(HV) MOS選擇晶體管，其漏極與并聯 的PIP電容器和MIM電容器電氣連接；
2 ) MIM電容器具有也作為光>^射器的頂部金屬(TM)像素電極和 接地的后續金屬光屏蔽物，它們被諸如Si3N4、 Si02或AU03的 電介質材料、或者這些和其他合適材料的任意組合的薄層分隔；
3) PIP電容器具有頂部多晶珪板和底部多晶硅板，它們也被諸如 Si3N4、 Si02或A1203的電介質材料、或者這些和其他合適材料 的組合的薄層分隔；以及
4 ) 薄但是寬的開放式通孔在焊盤區連接TM與后續金屬層，從而 形成堆疊式的較厚焊盤結構，這比單(TM或后續金屬)層焊 盤更加結實；這種通孔不需要W插頭CVD淀積，因為它比傳 統的IMD電介質薄得多。
依賴于實施例，在所集成的那些所述特性的可用功能性超越其傳統設置時，本發明的內涵可以擴展，并且由此本發明提供了大大提高的價
值成本比。特別地，通過單位像素單元上電氣并聯的PIP和MIM電容 器而構成的總電容能夠大大增加，同時可以為更高驅動電流的HVMOS 晶體管重新布置更大的面積。TM和后續的金屬層不僅被用作陣列像素 的第二電容器，即MIM電容器，而且被集成為更結實的焊盤結構。依 賴于實施例，可以獲得這些益處中的一個或多個。這些及其他益處將貫穿 本說明書并且特別是在下面加以更詳細的描述。
參考下面的詳細描述和附圖，可以更全面地理解本發明的各種其它目 的、特征及優點。


圖l為傳統LCOS像素單元的筒化圖。
圖2為根據本發明實施例的LCOS像素單元的簡化橫截面視圖。
圖3為根據本發明實施例的LCOS像素單元的簡化電路圖。
圖4為根據本發明實施例的LCOS像素器件的簡化橫截面視圖。
具體實施例方式
根據本發明，提供了用于電子器件制造的集成電路加工技術。更具體 地，本發明提供了一種用于制造硅基液晶(LCOS)顯示器件的電容器結 構的方法。但是應該認識到，本發明的適用范圍要廣泛得多。
圖2為根據本發明實施例的LCOS像素單元的簡化橫截面視圖。該 圖僅作為一個示例，其不應當在此不適當地限制權利要求的范圍。本領 域的普通技術人員可以做出很多變化、替換和修改。如圖所示，本發明提 供了 LCOS器件200。該器件具有半導體襯底203,例如硅晶片。該器件 具有在半導體襯底內形成的高壓MOS晶體管201。優選地，該高壓MOS 晶體管具有耦合于第一節點的第一源^/漏極207、耦合于笫二節點的第二 源^/漏極205 A^合于行節點227的柵極。源^/漏極區包括雙擴散漏極 區(DDD)和N+型插頭注入區(plug implant region),優選地，第一節點 通過耦合于列節點的插頭耦合于金屬1。該器件還包括層間電介質層229， 例如硼磷珪酸鹽玻璃(BPSG )、磷珪酸鹽玻璃(PSG )、氟化硅玻璃(FSG )。該器件還包括覆蓋在金屬l層上的金屬層間電介質(IMD1) 231。
PIP電容器結構209耦合于HV MOS晶體管。優選地，該PIP電容器 結構具有耦合于HV MOS晶體管的第二節點223的第一多晶珪層217、覆 蓋在第一多晶珪層上的第一電容器絕緣層215、以;5Lft蓋在絕緣層上的第 二多晶硅層213。第二多晶硅層耦合于參考電勢225，例如地電勢。第二多 晶硅層也是上覆的絕緣區211，其可為場隔離氧化物或其他合適的隔離結 構。另外，如圖所示，第一多晶硅層與耦合于金屬1層221的插頭層219 連接，金屬1層221耦合于插頭層223,插頭層223耦合于源^/漏極區205。 PIP電容器絕緣層包括厚度為約500埃到約1500埃的二氧化硅材料。絕緣 層由從Si3N4、 Si02、或入1203、或這些材料的任意組合以及其他合適的材 料中選出的材料制成。
MIM電容器結構250耦合于HV MOS晶體管。優選地，該MIM電 容器結構具有耦合于參考電勢的第一金屬層239、第二電容器絕緣層243、 以及耦合于HVMOS晶體管第二節點的第二金屬層241。第二金屬層耦合 于金屬3 245，金屬3 245耦合于插頭層247，插頭層247耦合于金屬2 249, 金屬2 249耦合于插頭層251，插頭層251耦合于金屬1 221，金屬1 221 輛合于插頭層223,插頭層223耦合于HV MOS器件的源;fel/漏極區205。 電容器絕緣層由從Si3N4、 Si02、或入1203、或這些材料的任意組合以及其 他合適的材料中選出的材料制成。
像素電極包括第一金屬層。優選地，該像素電極耦合于HV MOS 晶體管的第二節點。鏡面253位于像素電極上。光屏蔽層239由第二金 屬層的一部分形成，并且地電勢耦合于參考電勢。優選地，該HVMOS 器件適用于切換約10伏到約20伏的電壓電勢。
該器件還包括由金屬4 237制成的、覆蓋在金屬3的一部分上的焊 盤237,其中金屬3也是焊盤的一部分。焊盤耦合于與金屬2層耦合的 插頭。當然，也可以有其他變化、修改和替換。
依賴于實施例，上述實施例可以有多種變化。僅僅作為一個示例， MIM電容器的第一金屬層包括含鋁材料。MIM電容器的第二金屬層也 包括含鋁材料。在一個具體的實施例中，第一金屬層的面積為約30平 方微米到約100平方微米。對于PIP電容器，第一多晶硅層包括摻雜的
10多晶硅材料，且第二多晶硅層也包括摻雜的多晶硅材料。此外，根據具
體的實施例，PIP電容器的電容值約為50-100飛法。根據具體的實施例， MIM電容器的電容值約為5-100飛法。
當然，本領域的普通技術人員可以做出其他變化、修改和替換。本 LCOS器件的進一步細節可以貫穿本^兌明書并且特別是在下面找到。圖3 為根據本發明實施例的LCOS像素單元的簡化電路圖。該圖僅僅作為示 例，其不應當在此不適當地限制權利要求的范圍。本領域的普通技術人 員可以做出很多變化、替換和修改。如圖所示，本發明提供了一種LCOS 器件。該器件具有半導體襯底，例如硅晶片。該器件具有在半導體襯底內 形成的高壓MOS晶體管301。優選地，該高壓MOS晶體管具有耦合于第 一節點311的第一源^7漏極307、耦合于第二節點325的第二源^l/漏極 309、以及耦合于行節點305的柵極。
PIP電容器結構315耦合于HVMOS晶體管。優選地，該PIP電容器 結構具有耦合于HVMOS晶體管第二節點的第一多晶硅層317、覆蓋在第 一多晶硅層上的第一電容器絕緣層321、以及覆蓋在絕緣層上的第二多晶 硅層319。第二多晶硅層耦合于參考電勢323，例如地電勢。
MIM電容器結構327耦合于HV MOS晶體管。優選地，該MIM電 容器結構具有耦合于參考電勢335的第一金屬層329、第二電容器絕緣層 331、以及耦合于HV MOS晶體管第二節點325的第二金屬層333。優選 地，PIP電容器結構和MIM電容器結構適用于保持與維持像素電極上的 預定電壓電勢相關聯的電荷值。
像素電極包括第一金屬層。優選地，像素電極耦合于HVMOS晶體 管的第二節點。鏡面位于像素電極上。光屏蔽層329由第二金屬層的一 部分形成，并且地電勢耦合于參考電勢。優選地，該HV MOS器件適 用于切換約10伏到約20伏的電壓電勢。如圖所示，才艮據具體的實施例， PIP和MIM電容器結構彼此并聯。
圖4為根據本發明實施例的LCOS像素器件400的簡化橫截面視圖。 該圖僅僅作為示例，其不應當在此處不適當地限制權利要求的范圍。本 領域的普通技術人員可以做出很多變化、替換和修改。如圖所示，該LCOS 器件具有半導體襯底，例如硅晶片。形成覆蓋在半導體襯底上的MOS器件層。優選地，該MOS器件層具有多個MOS器件。每個MOS器件具有 用于電極的接觸區和用于電壓電勢的接觸區。形成覆蓋在MOS器件層上 的平面化層間電介質層。LCOS器件還具有在部分層間電^h質層內的多個 凹陷區(例如，波紋結構)及填充每個凹陷區的金屬層(例如鋁)，從而 形成分別對應于每個凹陷區的多個電極區。優選地，金屬層被鍍到每個波 紋結構中。每個電極區通過互連結構109分別耦合于多個MOS器件中的 至少一個MOS器件，其中互連結構109可以為插頭或其他類似的結構。 形成覆蓋在多個電極區中每一個的表面區上的保護層，以保護表面區。每 個表面區上都有鏡面拋光(mirror finish)。優選地，鏡面拋it^本上沒有來
約4000埃，也可以為其他尺度。每個電極代表LCOS器件的像素單元陣 列中的一個像素單元。該圖還示出了覆蓋在電極上的液晶薄膜。該LCOS 器件還具有透明的電極層(例如，氧化銦錫)以及封住該多層結構的上覆 玻璃板119。操作LCOS器件的方法的細節可以貫穿本說明書并且特別是 在下面找到。
為了操作LCOS器件，光穿過玻璃罩、經由透明電極并到達液晶薄膜。 當該電極未被施加偏壓時，液晶薄膜基本上處于不允許光穿過的關閉位 置。相反，光被阻擋而且不被電極的鏡面反射出去。當該電極通過MOS 器件被施加偏壓時，液晶薄膜處于允許光通過的打開位置。光被電極的表 面反射并穿過處于打開位置的液晶薄膜。優選地，鏡面基本上沒有瑕瘋。 因此，至少93%的進入光穿出LCOS器件。制造LCOS器件的方法的細 節可以貫穿本說明書并且特別是在下面找到。
根據本發明的實施例，用于制造LCOS器件的電極結構的方法可概述 如下
1. 提供半導體襯底；
2. 在半導體襯底內形成晶體管結構，其中晶體管結構具有第一節點、
第二節點和行節點；
3. 形成耦合于晶體管結構的第一電容器結構，其中第一電容器結構包 括耦合于晶體管結構第二節點的第一多晶硅層、覆蓋在第一多晶硅 層上的第一電容器絕緣層、以M蓋在絕緣層上的第二多晶硅層；4. 形成耦合于晶體管結構的第二電容器結構，其中第二電容器結構包 括耦合于參考電勢的第一金屬層、第二電容器絕緣層、以及耦合于
晶體管結構第二節點的第二金屬層；
5. 形成包括第一金屬層的像素電極；
6. 在《象素電極上形成鏡面；
7. 由第二金屬層的一部分形成光屏蔽層；
8. 提供覆蓋在像素電極上的液晶層、覆蓋在液晶層上的透明電極層、 以及覆蓋在透明電極層上的玻璃層，從而形成LCOS器件；以及
9. 根據需要執行其他步驟。
上述步驟序列提供了才艮據本發明實施例的方法。如上所示，該方法
采用了包括形成LCOS器件的多個電容器結構的方法的步驟組合。在不 背離權利要求的范圍的情況下，也可以提供其他替換方案，其中增加一 些步驟、去掉一個或多個步驟或者按照不同的順序提供一個或多個步。
應該理解，在此描述的示例和實施例僅是說明性的，并且依照其的各 種修改或變更對于本領域的技術人員是可想到的，并且應當包括在本申請 的精神和范圍以及所附權利要求的范圍內。
權利要求
1.一種硅基液晶器件，包括半導體襯底；在所述半導體襯底內形成的晶體管，所述晶體管具有第一節點、第二節點以及行節點；耦合于所述晶體管的第一電容器結構，所述第一電容器結構包括耦合于所述晶體管的第二節點的第一多晶硅層；覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器絕緣層；覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層，所述第二多晶硅層耦合于參考電勢；耦合于所述晶體管的第二電容器結構，所述第二電容器結構包括耦合于所述參考電勢的第一金屬層；第二電容器絕緣層；耦合于所述晶體管的所述第二節點的第二金屬層；包括所述第一金屬層的像素電極，所述像素電極耦合于所述晶體管的所述第二節點；位于所述像素電極上的鏡面；以及由所述第二金屬層的一部分形成的光屏蔽層。
2. 如權利要求l所述的硅基液晶器件，其中所述參考電勢為地。
3. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一金屬層包括含鋁材 料。
4. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二金屬層包括含鋁材 料。
5. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一多晶硅層包括摻雜 的多晶硅材料。
6. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二多晶硅層包括摻雜 的多晶硅材料。
7. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一金屬層的面積為約 30平方微米至約100平方微米。
8. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二電容器是電容值為 約50至100飛法的多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器。
9. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一電容器是電容值為約5至100飛法的金屬-絕緣體-金屬電容器。
10. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二電容器絕緣層包括 厚度為約500埃至約1500埃的二氧化硅材料。
11. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述晶體管為適合于切換約 10伏至約20伏電壓的高壓N溝道金屬氧化物半導體器件。
12. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第一電容器和所述第二 電容器彼此并聯。
13. 如權利要求1所述的硅基液晶器件，其中所述第二電容器絕緣層由從 Si3N4、 Si02或Al203中選擇的材料制成。
14. 如權利要求1所述的器件，其中所述第一電容器絕緣層由從Si3N4、 Si02或A1203中選擇的材料制成。
15. —種硅基液晶器件，包括 半導體襯底；在所述半導體襯底內形成的高壓金屬氧化物半導體晶體管，所述高壓 金屬氧化物半導體晶體管具有耦合于第一節點的第一源極/漏極、耦合 于第二節點的第二源極/漏極、以及耦合于行節點的柵極；耦合于所述高壓金屬氧化物半導體晶體管的多晶硅-絕緣體-多晶硅 電容器結構，所述多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器結構包括耦合于所述高壓金屬氧化物半導體晶體管的所述第二節點的第一多晶硅層；覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器絕緣層； 覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層，所述第二多晶硅層耦合于 參考電勢；耦合于所述高壓金屬氧化物半導體晶體管的金屬-絕緣體-金屬電容 器結構，所述金屬-絕緣體-金屬電容器結構包括 耦合于所述參考電勢的第一金屬層； 第二電容器絕緣層；耦合于所述高壓金屬氧化物半導體晶體管的所述第二節點的第二 金屬層；包括所述第一金屬層的像素電極，所述像素電極耦合于所述高壓金 屬氧化物半導體晶體管的所述第二節點； 所述像素電極上的鏡面； 由所述第二金屬層的一部分形成的光屏蔽層； 耦合于所述參考電勢的地電勢。
16. 如權利要求15所述的硅基液晶器件，其中所述高壓金屬氧化物半導 體晶體管適合于切換約10伏至約20伏的電壓電勢。
17. 如權利要求15所述的硅基液晶器件，其中所述多晶硅-絕緣體-多晶 硅電容器以并聯配置連接到所述金屬-絕緣體-金屬電容器。
18. 如權利要求15所述的a液晶器件，其中所述多晶硅-絕緣體-多晶 硅電容器結構和所述金屬-絕緣體-金屬電容器結構適用于保持與維 持所述像素電極上的預定電壓電勢相關聯的電荷值。
19. 一種用于制造a液晶器件的方法，所述方法包括 提供半導體襯底；在所述半導體襯底內形成晶體管結構，所述晶體管結構具有第一節 點、第二節點以及行節點；形成耦合于所述晶體管結構的第一電容器結構，所述第一電容器結構 包括耦合于所述晶體管結構的所述第二節點的第一多晶硅層； 覆蓋在所述第一多晶硅層上的第一電容器絕緣層； 覆蓋在所述絕緣層上的第二多晶硅層，所述第二多晶硅層耦合于 參考電勢；形成耦合于所述晶體管結構的第二電容器結構，所述第二電容器結構 包括耦合于所述參考電勢的第 一金屬層； 第二電容器絕緣層；耦合于所述晶體管結構的第二節點的第二金屬層；形成包括所述第 一金屬層的像素電極，所述像素電極耦合于所述晶體 管結構的第二節點；在所述像素電極上形成鏡面；以及 由所述第二金屬層的一部分形成光屏蔽層。
全文摘要
在一個具體的實施例中，本發明提供了一種硅基液晶器件。該器件具有半導體襯底，例如硅襯底。該器件具有在半導體襯底內形成的晶體管。該晶體管具有第一節點、第二節點和行節點。第一電容器結構耦合于該晶體管。第一電容器結構包括耦合于該晶體管第二節點的第一多晶硅層。第一電容器結構還具有覆蓋在第一多晶硅層上的第一電容器絕緣層和覆蓋在絕緣層上的第二多晶硅層。第二多晶硅層耦合于參考電勢，例如地。該器件具有耦合于該晶體管的第二電容器結構。第二電容器結構具有耦合于參考電勢的第一金屬層、第二電容器絕緣層、以及耦合于該晶體管第二節點的第二金屬層。像素電極包括第一金屬層。該像素電極耦合于該晶體管的第二節點。鏡面位于該像素電極上。該器件具有由第二金屬層的一部分形成的光屏蔽層。
文檔編號G02F1/1362GK101620347SQ20081004029
公開日2010年1月6日 申請日期2008年7月3日 優先權日2008年7月3日
發明者任自如, 李衛民, 李海艇, 韓軼男, 河 黃 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司