專利名稱：用于集成電路制造的曝光系統的校正方法和系統的制作方法
技術領域：
本發明涉及集成電路及半導體器件的制造工藝，尤其是，本發明提供了 一種用于集成電路制造的曝光系統的校正方法和器件。僅僅通過舉例，本發 明已經能夠被應用到確定優化曝光機的聚焦過程。但是，應認識到本發明具 有寬得多的應用范圍。例如，本發明可以用于在半導體晶圓上形成圖形。
背景技術：
集成電路已經從制造在單個硅芯片上的少量互連器件發展到數百萬個器 件。常規集成電路具有遠超過原來設想的性能和復雜性。為了實現復雜性和 電路密度(即，能封裝到給定芯片面積上的器件數目)的改進，亦稱為器件 "幾何尺寸"的最小器件特征的尺寸也隨著每代集成電路變得越來越小?，F
在制造的半導體器件的特征尺寸小于0.25nm。
增加電路密度不僅改善集成電路的復雜性和性能，而且為消費者提供較 低成本的部件。集成電路或芯片的制造設備可花費數億或甚至數十億美元。 各個制造設備將具有一定的晶片生產能力，并且各個晶片會在其上具有若干 集成電路。因此，通過使得集成電路的單個器件更小，可以在每個晶片上制 造更多的器件，因此增加制造設備的產出。使器件更小非常具有挑戰性，這 是因為集成電路構造中使用的每個工藝具有限制。即，給定工藝通常僅能加 工小至一定的特征尺寸，然后需要改變工藝或器件布局。這種極限的一個例 子是，在價格有效和制造有效率的方式下，制造集成電路所用到的化學干法 刻蝕工藝。
集成電路制造過程包括各種工藝，例如，所述工藝包括晶圓生長、光刻、 摻雜、氧化、淀積、刻蝕去除、外延生長以及其它。定義和形成晶圓上的特定區域以符合集成電路的特 定設計。通常，采用版圖設計產生光掩模版(根據不同的應用，或者產生掩 模版圖形)。晶圓表面通常會覆蓋一層光刻膠，然后晶圓被穿過光掩膜版的 光線曝光。曝光之后，被曝光過的光刻膠區域采用化學工藝被去除掉。結果， 所述晶圓上包含了干凈區域(光刻膠被去除的區域)和仍被光刻膠阻擋的區 域。接下來，進行僅影響干凈區域的不同工藝(諸如刻蝕、氧化或者擴散等)。 完成不同工藝之后，光刻膠材料被去除。
為了在半導體晶圓上定義圖形，在光刻工藝中通常使用曝光機。通常， 對曝光機來說，正確地聚焦至關緊要。過去，采用各種現有技術校正曝光機 的焦距。不幸的是，現有的技術并不足以滿足要求。
因此，需要一種校正曝光系統的改進方法和系統。

發明內容
本發明涉及集成電路及半導體器件的制造工藝，尤其是，本發明提供了 一種用于集成電路制造的曝光系統的校正方法和器件。僅僅通過舉例，本發 明已經能夠被應用到確定優化曝光機的聚焦過程。但是，應認識到本發明具 有寬得多的應用范圍。例如，本發明可以用于在半導體晶圓上形成圖形。
根據一個實施例，本發明提供了一種確定曝光系統的一個或者多個聚焦 參數的方法，作為一個實例，所述曝光系統用于在半導體晶圓上形成圖形，
所述方法包括提供半導體晶圓步驟，所述半導體晶圓具有一定的直徑；所述 方法還包括利用曝光系統在半導體晶圓上形成多個圖形步驟，作為 一個實例， 每一個圖形和一個聚焦參考數值相關聯(例如，聚焦距離、聚焦角度等)；所 述方法還包括確定多個偏移輪廓(Shift profile)步驟，每個偏移輪廓和多個圖 形中之一相關聯；所述方法進一步包括根據多個偏移輪廓從多個圖形中選取 第一圖形步驟；而且，所述方法包括根據第一圖形確定曝光系統的聚焦參數步驟。
根據另 一個實施方式，本發明提供了 一種確定曝光系統的 一個或者多個 聚焦參數的方法，用來在半導體晶圓上形成圖形，所述方法包括提供半導體
晶圓步驟，所述半導體晶圓具有一定的直徑；所述方法還包括在半導體晶圓 上定義多個區域步驟，作為一個實例，每一個區域都和一個預先定義的聚焦 參數相關聯；所述方法還包括利用曝光系統在半導體晶圓上形成多個圖形步 驟，作為一個實施例，每一個圖形位于多個區域中之一內；所述方法進一步 包括確定多個圖形位置步驟，每個圖形位置都和多個圖形中之一相關聯；而 且，所述方法包括根據多個圖形位置確定曝光系統的一個或者多個聚焦參數 步驟。
根據本發明的又一個實施方式，本發明提供了一種確定曝光系統的一個 或者多個聚焦參數的方法，作為一個實例，所述曝光系統在制造集成電路中 用于光刻工藝中，所述方法包括提供半導體晶圓步驟，所述半導體晶圓具有 一定的直徑；所述方法還包括利用曝光系統在半導體晶圓上形成多個圖形步 驟，每一個圖形和一個或者多個已知聚焦參數相關聯；所述方法還包括利用
光學測量器件獲得每一個圖形的特征，其中，所述特征包括所測量的中心位
置；所述方法還包括根據這些特征確定曝光系統的一個或者多個聚焦參數步 驟。
應該認識到，本發明實施例相比起傳統技術具有多種優勢。其中，本發 明的特定實施例大大減少了校正曝光系統的所需時間。例如，現有的校正技 術通常需要幾個小時才能完成。相反，本發明的幾個不同的實施例在幾分鐘 之內可靠地完成校正曝光系統，因此減少了大多數校正技術所必需的停機時 間(Downtime)。另外，本發明提供了 一種與現有工藝技術相兼容的工藝， 無需對現有設備和工藝作大幅度的修改。依賴于該實施例，可以獲得上述一 個或者多個優點，在本發明的整個說明書中會更詳細地說明這些及其他優點，特別是下文中。
參考詳細的說明書和隨后的附圖可以更完整地理解本發明的各個附加的 目的、特征和優點。


圖1為曝光系統的簡化示意圖2為根據本發明一個實施例的校正曝光機的方法的簡化示意圖； 圖3為根據本發明一個實施例的一個分區的半導體晶圓的簡化示意圖； 圖4為根據本發明一個實施例的掩模圖形的簡化示意圖； 圖5為根據本發明一個實施例的測量晶圓上圖形的技術的簡化示意圖； 圖6為根據本發明一個實施例的確定光學聚焦距離的圖表的簡化示意圖。
具體實施例方式
本發明涉及集成電路及半導體器件的制造工藝，尤其是，本發明提供了 一種用于集成電路制造的曝光系統的校正方法和器件。僅僅通過舉例，本發 明已經能夠被應用到確定優化曝光機的聚焦過程。但是，應認識到本發明具 有寬得多的應用范圍。例如，本發明可以用于在半導體晶圓上形成圖形。
應該認識到，本發明實施例相比起傳統技術具有多種優勢。其中，本發 明的特定實施例大大減少了校正曝光系統的所需時間。例如，現有的校正技 術通常需要幾個小時才能完成。相反，本發明的幾個不同的實施例在幾分鐘 之內可靠地完成校正曝光系統，因此減少了大多數校正技術所必需的停機時 間(Downtime)。另外，本發明提供了 一種與現有工藝技術相兼容的工藝， 無需對現有設備和工藝作大幅度的修改。依賴于該實施例，可以獲得上述一 個或者多個優點，在本發明的整個說明書中會更詳細地說明這些及其他優點， 特別是下文中。200810040571.2
圖1為曝光系統的簡化示意圖。如圖1所示， 一個曝光系統通過其投影 透鏡將圖形投影到晶圓102上。例如，在晶圓上投影預先定義的線條圖形。 為了預先定義的圖形在晶圓上具有清晰的定義，正確地聚焦投影至關緊要。
當圖形由曝光系統投影到晶圓上時，所投影的圖形通過焦深(Depth Of Focus, DOF)定義。焦深是所投影的圖形保持一個可接受的分辨率的深度范圍。例 如，DOF的大小由波長和數值孔徑(NumericalAperture, NA)所定義，可以 由下式來定義。
Z)0尸^^: (公式l)
如公式1所示，DOF是由一個常數、波長和數值孔徑定義。作為一個實 例，K2是用于定義DOF的可接受的數值和/或范圍的常數。與DOF大小相關的 是分辨率，其也是波長和數值孔徑的函數。分辨率可以由下式來定義。
分辨率=^: (公式2)
如圖l所示，數值孔徑和DOF與聚焦距離或者與投影透鏡和其下的晶圓 之間的距離有關。例如，如果投影的圖形落在DOF范圍之外，那么所投影的 圖形將顯示在焦距之外(即沒有足夠的分辨率)。
為了獲得適當的分辨率，通常需要調節聚焦距離和/或其他聚焦參數。隨 著制造技術的發展，有必要使用最優聚焦距離。比如，在制造溝道長度小于 180nm的集成電^各時，光刻工藝的DOF小于40nm。因此，任何少量的偏移 和/或改變可能影響分辨率。甚至曝光機的微小的位置改變都可能導致失效圖 形的產生。聚焦參數。在現有技術中，采用 帶有預先定義的版圖的晶圓材料確定最優的聚焦距離。例如，樣品晶圓被分 為許多網格。在校正過程中，附屬的曝光機對每個已定義的網格產生一個圖 形。例如，每個已定義的網格和一個聚焦參數相關聯，比如聚焦距離或者聚 焦角度。在晶圓上形成圖形之后，對晶圓進行處理。處理之后，對晶圓上形
成的每個圖形進行各種測量。例如，使用掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)測量每個圖形的分辨率?；谒鶞y量的分辨率，選擇具有 最高分辨率的圖形。作為一個實例，所選圖形與特定聚焦參數相關，正如通
過晶圓網格上所選圖形的特定位置所指定的聚焦距離 一樣。
如上所述，曝光機的現有校正工藝被廣泛應用，且在確定特定聚焦參數 諸如聚焦角度、聚焦距離等方面有效。遺憾的是，該工藝通常非常耗時。一 般來說，在晶圓材料上測量所定義的圖形的過程需要花費超過兩個小時。在 校正過程中，曝光機通常是空置的，等待著校正過程完成。除了引起空置時 間，由于需要采用SEM測量，上述的現有的校正過程通常是昂貴的。
因此，應該認識到，本發明的不同的實施例提供了一種校正曝光機的改 進的方法和系統。
圖2所示為根據本發明的一個實施例的一種校正曝光機的方法的簡化示 意圖。所述示意圖僅僅是一個例子，對此不應該不適當地限制本發明權利要 求所要求保護的范圍任何本領域的普通技術人員都可以認識到許多變化、 替換和該進。
在步驟201中，提供半導體晶圓。根據應用，所述晶圓可以具有不同的 尺寸，諸如8英寸或者12英寸。作為一個實例，所述晶圓包括純硅或者用于 制造集成電路的同樣類型的晶圓。
在步驟202中，將半導體晶圓分成不同區域。根據一個實施例，所述晶圓被分成不同網格，每個網格用來作為一個圖形。需要明確的是，由于晶圓 上的分塊區域用來幫助曝光機的校正過程，因此無需物理分區。
圖3為本發明根據本發明的一個實施例的一個分區的半導體晶圓的簡化 示意圖。所述示意圖僅僅是一個例子，對此不應該不適當地限制本發明權利 要求所要求保護的范圍。任何本領域的普通技術人員都可以認識到許多變化、
替換和該進。如圖3所示，晶圓300被分成不同區域。作為一個實例，區域 301或304包括采用40nm的聚焦距離所調整形成的圖形，而區域302或306 包括采用60nm的聚焦距離調整所形成的圖形。
現在回到圖2。
在步驟203中，使用曝光機將圖形形成于晶圓上。在每一個分塊區域， 使用曝光機以一個預先定義的聚焦參數將圖形定義。例如，在晶圓上的一行 網格中，曝光機以不同的聚焦距離將圖形形成。
圖4為根據本發明一個實施例的掩模圖形的簡化示意圖。所述示意圖僅 僅是一個例子，對此不應該不適當地限制本發明權利要求所要求保護的范圍。 任何本領域的普通技術人員都可以認識到許多變化、替換和該進。如圖4所 示，圖形400包括包圍成第一正方形410的第一組線條和包圍第一組線條的 第二正方形420的第二組線條。如本發明的不同實施例中所采用，所述圖形 400具有預先確定的尺寸。例如，條塊411和412以預先確定的距離分隔開。
如圖4所示，每個圖形包括具有不同寬度的線條。根據特定實施例，不 同寬度的線條用于不同類型的應用。例如，如表1所示，不同寬度相應于不 同的分辨率的要求。表l
項目圖形尺寸DOF范圍Om)尺寸示例Om)
WB1光刻膠分辨率極限與最小DOF0.1-00.11
WB2如形成多晶硅柵之類的關鍵光刻步驟0.3-0.40.15
WB3非關鍵的光刻層工藝窗口0.5-0.80.18
WB4對于重疊測量提供穩定的信號X1.5
SR1光刻膠分辨率極限與最小DOF0.3-0.40.11
SR2正常的光刻膠分辨率>0.80.15
SR3正常的光刻膠分辨率>0.80.18
現在回到圖2。在步驟204中，測量晶圓材料上的每個圖形。依賴于具體 應用，可以采用不同類型的工具進行測量，諸如光學掃描儀等。根據一個實 施例，測量同樣圖形的預先確定的兩個線條之間的距離。#4居另一個實施例， 測量同樣圖形的預先確定的兩個線條之間的中心位置。作為一個實例，所述 測量對晶圓上的每個圖形進行。
圖5為根據本發明一個實施例的測量晶圓上圖形的技術的簡化示意圖。 所述示意圖僅僅是一個例子，對此不應該不適當地限制本發明權利要求所要 求保護的范圍。任何本領域的普通技術人員都可以認識到許多變化、替換和 該進。如圖5所示，測量了兩條線條之間的中心位置，且確定了所測量的中 心位置與預先定義的中心位置之間的偏移(即圖中Ax所示)。在過去，中心 位置和其偏移用于校正圖形的重疊位置。應該認識到，可以看到，本發明的 不同實施例采用中心位置和偏移位置來確定適當的聚焦參數。作為 一個實例， 當圖形被更好的定義，適當的曝光聚焦減少了中心位置的偏移量。如圖5所 示，線條502沒有完全在焦距以內，故引起中心位置的偏移。
現在回到圖2中。在步驟205,基于步驟204中的測量，確定了一個或者 多個聚焦參數。依賴于應用，可以用不同方法確定聚焦參數。在本發明的一個特定的實施例中，選擇出晶圓上分辨率最高的圖形(即 中心偏移最小的)。如上述所解釋，晶圓上的每個圖形與一個或者多個聚焦參 數相關聯。例如，與所選圖形相關聯的聚焦參數被確定為最優聚焦參數。
根據不同的實施例，基于采用近似和/或插值方法所測量的圖形的數值確 定一個或者多個聚焦參數。例如，下表2中給出與聚焦距離數值相對的偏移 位置數值。
表2
焦距-0.8-0.6-0.4-0.200.20.40.60.8
AX(mm)86552515313204530
作為一個實例，將表2中的數值畫在一張圖上，然后作插值運算。根據 本發明的一個實施例，圖6為用于確定光學聚焦距離的圖表的簡化示意圖。 所述示意圖僅僅是一個例子，對此不應該不適當地限制本發明權利要求所要 求保護的范圍。任何本領域的技術人員都可以認識到許多變化、替換和改變。 如圖6所示，橫軸代表聚焦位置，縱軸代表偏移位置。作為一個實例，如圖6 中的數據點采用曲線進行最佳近似。例如，最優的聚焦距離確定為產生最小 中心偏移的聚焦距離。以圖6作為一個實例，所述偏移位置曲線可以由下述 公式來表達。
"120.64jc2-5.75jc +5.9394 (公式3 )
在公式3中，y代表偏移位置量，x表示聚焦位置，最優的聚焦距離僅為 代表聚焦位置的x所產生的最小y值。在本特定實施例中，對應最小y值的x 值為0.024|im。
根據一個實施例，本發明提供了一種確定曝光系統的一個或者多個聚焦 參數的方法。作為一個實例，所述曝光系統用于在半導體晶圓上形成圖形， 所述方法包括提供半導體晶圓步驟，所述半導體晶圓具有一定的直徑；所述方法還包括使用曝光系統在半導體晶圓上形成多個圖形，作為一個實例，每 一個圖形和一個聚焦參考數值相關聯(例如，聚焦距離、聚焦角度等等)；所 述方法還包括確定多個偏移輪廓步驟，每個偏移輪廓都和多個圖形中之一相 關聯；所述方法進一步包括根據多個偏移輪廓從多個圖形中選取第 一 圖形步 驟；而且，所述方法包括根據第一圖形確定曝光系統的聚焦參數步驟，例如， 如圖2所示的一個實施例。
根據本發明的另 一個實施方式，本發明提供了 一種確定曝光系統的一個 或者多個聚焦參數的方法，用來在半導體晶圓上形成圖形，所述方法包括提 供半導體晶圓步驟，所述半導體晶圓具有一定的直徑；所述方法還包括在半 導體晶圓上定義多個區域步驟，作為一個實例，每一個區域都和一個預先定 義的聚焦參數相關聯；所述方法還包括利用曝光系統在半導體晶圓上形成多 個圖形步驟，例如，每一個圖形位于多個區域中之一內；所述方法進一步包 括確定多個圖形的位置步驟，每個圖形的位置都和多個圖形中之一相關聯； 而且，所述方法包括根據多個圖形位置確定該曝光系統的一個或者多個聚焦 參數步驟，例如，如圖2所示的一個實施例。
根據本發明的又一個實施方式，本發明提供了一種確定曝光系統的一個 或者多個聚焦參數的方法，作為一個實例，所述曝光系統在制造集成電路中 用于光刻工藝中，所述方法包括提供半導體晶圓步驟，所述半導體晶圓具有 一定的直徑；所述方法還包括利用曝光系統在半導體晶圓上形成多個圖形， 每一個圖形和一個或者多個已知聚焦參數相關聯；所述方法還包括利用光學 測量器件獲得每一個圖形的特征，其中，所述特征包括所測量的中心位置； 所述方法還包括根據這些特征確定曝光系統的一個或者多個聚焦參數步驟， 例如，如圖2所示的一個實施例。
應該認識到，本發明實施例相比起傳統技術具有多種優勢。其中，本發 明的特定實施例大大減少了校正曝光系統的所需時間。例如，現有的校正技術通常需要幾個小時才能完成。相反，本發明的幾個不同的實施例在幾分鐘 之內可靠地完成校正曝光系統，因此減少了大多數校正技術所需要的停機時
間(Downtime)。另外，本發明提供了 一種與現有工藝技術相兼容的工藝， 無需對現有設備和工藝作大幅度的修改。依賴于實施例，可以獲得上述一個 或者多個優點。
還應該理解，本發明中所述實例和實施方案僅僅用于說明性目的，本領 域技術人員在本發明的啟迪下將會知道各種改變或變化，這些改變或變化也 包括在本申請的精神和范圍以及所附的權利要求的范圍內。
權利要求
1.一種確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，所述曝光系統用于在半導體晶圓上形成圖形，所述方法包括提供半導體晶圓，所述半導體晶圓具有一定的直徑；使用曝光系統在所述半導體晶圓上形成多個圖形，所述多個圖形中的每個與聚焦參考數值相關聯；確定多個偏移輪廓，每個偏移輪廓與所述多個圖形中的一個相關聯；根據所述多個偏移輪廓從所述多個圖形中選取第一圖形；根據所述第一圖形確定用于所述曝光系統的聚焦參數。
2. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述方法進一步包括基于所述多個圖形，刻蝕所述半導體晶圓。
3. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，其中所述多個偏移輪廓與偏移位置相關聯，所述偏移位置為從預先 確定的中心位置至所述多個圖形的測量的中心位置之間的距離。
4. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，其中所述多個圖形包括第一圖形，所述第一圖形包括第一線條和第 二線條，所述第一線條和所述第二線條相隔已知距離。
5. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，其中所述多個圖形包括第一圖形，所述第一圖形包括第一線條和第 二線條，所 述第一線條和所述第二線條具有已知的中心位置。
6. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述多個圖形包括第一圖形，所述第一圖形包括第一線條和第二線 條，所述第一線條和所述第二線條具有不同的寬度。
7. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述聚焦參數與聚焦距離相關聯。
8. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，聚焦參數與聚焦角度相關聯。
9. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，聚焦參數與聚焦光源相關聯。
10. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，所述聚焦參考數值與聚焦距離相關聯。
11. 根據權利要求1所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述聚焦參考數值與聚焦角度相關聯。
12. —種確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，所述曝光系統 用于在半導體晶圓上形成圖形，所述方法包括提供半導體晶圓，所述半導體晶圓具有一定的直徑； 在所述半導體晶圓上定義多個區域，所述多個區域中的每個與預先定義 的聚焦參數相關聯；使用所述曝光系統在所述半導體晶圓上形成多個圖形，所述多個圖形中 的每個位于所述多個區域中的一個內；確定多個圖形的位置，所述圖形的位置中的每個與所述多個圖形中的一 個相關聯；根據所述多個圖形位置確定所述曝光系統的一個或者多個聚焦參數。
13. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述多個圖形中的每個包括多個線條，所述多個線條具有不同的寬 度。
14. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述多個圖形中的每個包括多個線條，所述多個線條形成具有預定 的尺寸和中心位置的正方形形狀。
15. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，所述確定多個圖形的位置包括使用光學掃描儀測量所述多個圖形。
16. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述多個圖形中的每個具有已知的中心位置。
17. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述確定一個或者多個聚焦參數包括根據所述多個圖形的位置確定偏移數值； 根據所述偏移數值確定最優的聚焦距離。
18. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述確定一個或者多個聚焦參數包括根據所述多個圖形的位置確 定最優的聚焦距離，所述最優的聚焦距離與最小圖形偏移數值相關聯。
19. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述圖形的位置中的每個包括偏移位置。
20. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述一個或者多個聚焦參數包括聚焦距離。
21. 根據權利要求12所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述一個或者多個聚焦參數包括聚焦角度。
22. —種確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，所述曝光系統 用于集成電路制造中的光刻工藝，所述方法包括 提供半導體晶圓，所述半導體晶圓具有一定的直徑；使用所述曝光系統在所述半導體晶圓上形成多個圖形，所述多個圖形中 的每個與一個或者多個已知的聚焦參數相關聯；使用光學測量器件獲取所述多個圖形中的每個的特性，所述特性包括所 測量的中心位置；以及根據所述特性，確定所述曝光系統的一個或者多個聚焦參數。
23. 根據權利要求22所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法，所述光學測量器件為光學掃描儀。
24. 根據權利要求22所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述一個或者多個已知的聚焦參數包括已知的中心位置。
25. 根據權利要求24所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，進一步包括根據已知的中心位置和所測量的中心位置之間的差值， 確定偏移數值。
26. 根據權利要求25所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，進一步包括對偏移數值作插值運算。
27. 根據權利要求22所述的確定用于曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方 法，所述多個圖形中的每個包括非對稱設置的線條。
全文摘要
一種用于集成電路制造的曝光系統的校正方法和系統，根據實施例，本發明提供了一種確定曝光系統的一個或者多個聚焦參數的方法。作為一個實例，所述曝光系統用于在半導體晶圓上形成圖形，所述方法包括提供半導體晶圓，所述半導體晶圓具有一定的直徑；所述方法還包括使用曝光系統在半導體晶圓上形成多個圖形，作為一個實例，每一個圖形和一個聚焦參考數值相關聯(例如，聚焦距離、聚焦角度等)；所述方法還包括確定多個偏移輪廓，每個偏移輪廓和每一個圖形相關聯。
文檔編號G03F7/20GK101630126SQ20081004057
公開日2010年1月20日 申請日期2008年7月15日 優先權日2008年7月15日
發明者傅君豪, 陳自凡 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司