專利名稱：一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法及光刻工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體芯片制造領域，尤其涉及一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法及光刻工藝。
背景技術：
隨著集成電路的芯片集成度越來越高，芯片的設計規則向著更小尺寸的工藝進行挑戰。在縮小尺寸的過程中，光刻工藝是芯片制造中最為重要的工藝步驟之一，其主要作用是將掩膜板上的圖形復制到硅片上，為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。而曝光工藝又是光刻工藝中最為重要的一步，就是利用紫外線把光罩上的圖形成像到晶片表面，從而把光罩上面的圖形轉移到晶片表面的光刻膠中，這一步中曝光的能量和成像焦點偏移尤為重要。而在芯片的生產過程中，由于光刻機臺作業以及晶片中心邊緣均勻性差異，會出現晶片中心光刻膠的形貌正常，但是晶片邊緣區域的光刻膠有倒梯形的問題，造成晶片邊緣的散焦，如附圖1所示。晶片邊緣的散焦會給晶片的曝光過程帶來不利的影響，尤其對于多晶硅柵，金屬層等關鍵層次，會造成良率的損失。目前的解決方案主要是優化光刻機臺的均勻性；進行工藝更改；更換新的光刻膠等。如公開號為CN102147572A的中國專利申請公開了一種晶片邊緣曝光模塊及晶片邊緣曝光方法。晶片邊緣曝光模塊包括一晶片旋轉裝置、一光學系統、一掃面機界面模塊以及一控制器。該光學系統同時將一曝光光線指向該晶片的一邊緣部分，以于該晶片的邊緣上創造一偽圖案，該掃描界面模塊通過一計算機網絡傳送及/或接受來自一掃描機的一偽邊緣曝光信息，該控制器接收來自該掃描機界面模塊的該偽邊緣曝光信息，并利用該偽邊緣曝光信息控制該光學系統。該方法需要更新硬件，增加了成本。另如公開號為CN1885159A的中國專利申請公開了一種消除半導體晶片邊緣區圖形缺陷的方法。該方法的主要特征是，在對形成光刻膠圖形的顯影工藝步驟之后增加了用溶劑清洗半導體晶片邊緣的工藝步驟，消除了半導體晶片邊緣區的圖形缺陷。該方法增加了工序，同樣增加成本，并且引入更多的不可控制的因素。現有技術的缺點是如果在光刻機臺硬件方面優化均勻性，則需要更新部件，增加額外的成本，而且不一定能達到優化效果；如果更換更加先進的曝光機臺，又價格昂貴；如果進行工藝更改，增加工序，則同樣增加成本，并且引入更多不可控制的因素；如果更滑新的光刻膠，需要大量的窗口驗證，驗證周期長。

發明內容
針對以上的缺點，本發明的目的是在原有的機臺及工藝條件下，僅通過優化光刻程序，解決晶片邊緣曝光散焦的問題。為達此目的，本發明采用以下技術方案
一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法，其特征在于在對晶片進行曝光的過程中，調整晶片中心區域與晶片邊緣區域的曝光能量與焦距，在將晶片邊緣區域曝光能量減小的同時使晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。進一步地，晶片中心區域的曝光能量與晶片邊緣區域的曝光能量不同。進一步地，晶片中心區域的曝光能量大于晶片邊緣區域的曝光能量。進一步地，晶片中心區域的曝光能量為30 31mJ，晶片邊緣區域的曝光能量為
29 29. 9mJ0進一步地，晶片中心區域的曝光能量為30. 4mJ，晶片邊緣區域的曝光能量為29. 4mJο進一步地，晶片邊緣區域的曝光焦距與晶片中心區域的曝光焦距不同。進一步地，晶片邊緣區域的曝光焦距比晶片中心區域的曝光焦距更向正方向。進一步地，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 3 -O. 1，晶片邊緣區域的曝光焦距為-O. 2 O。進一步地，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2，晶片邊緣區域的曝光焦距為-O.1。進一步地，將所述曝光方法用于多晶硅柵極的制作過程。進一步地，將所述曝光方法用于金屬層的制作過程。本發明還提供了一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法，其特征在于在對晶片進行曝光的過程中，保持晶片中心區域的曝光能量與曝光焦距不變，只調整晶片邊緣區域的曝光能量與曝光焦距。進一步地，將晶片邊緣區域的曝光能量減小，同時將晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。進一步地，晶片中心區域的曝光能量為30. 4mJ，焦距為-O. 2。進一步地，晶片邊緣區域的曝光能量為29 30mJ，焦距為-O. 15 O。進一步地，晶片邊緣區域的曝光能量為29. 4mJ，焦距為-O.1。本發明還提供了一種光刻工藝，能夠減少晶片邊緣區域曝光散焦，包括以下步驟I)預處理；2)旋涂光刻膠，采用旋轉涂布法在2000 3000rpm的工作轉速下進行；3)軟烘，在80_100°C的熱板中完成；4)曝光；5)后烘，采用溫度偏差小于O. 3°C的熱板進行；6)顯影；其特征在于，所屬曝光工藝采用之前所述的任一曝光方法完成。與現有技術相比，本發明的優點是在不更新先進的機臺而且不更改光刻膠的前提下，不增加額外的工序，僅通過優化光刻程序，解決晶片邊緣散焦的問題，提高晶片良率，驗證周期短，而且沒有額外的成本。


圖1為晶片邊緣倒膠區域的光刻膠形貌與晶片中心正常區域的光刻膠形貌的對比圖。圖2為具體實施例中的曝光工藝流程圖
具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。圖2示出了本發明的實施例中曝光工藝的流程圖。具體實施例一首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠如附圖1中的步驟101，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中要調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。調整的主要思路是將晶片邊緣區域的曝光焦距往正方向調整(這里的正方向是指以零點為參照，向正的方向調整，如將焦距由-O. 2調整到-O. 1，在本說明其他部分的正方向的含義也是如此)，可以減小光刻膠的倒梯形現象，但是會導致單線(ISO)的關鍵尺寸(CD)的變小，所以同時要將晶片邊緣區域的曝光能量減小以補償由于焦距偏正帶來的關鍵尺寸的變化。如附圖1中的步驟102。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為O.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為O. 01，接著進行曝光，如附圖1中的步驟103。每次曝光之后，可以經過顯影查看曝光出圖像的質量，如附圖1中的步驟104。在質量不理想的情況下，重新進行調整。因此調整曝光條件的步驟102和曝光的過程103是個不斷循環的過程，直到達到最優的曝光條件。經過多次試驗調整，得到優化的曝光條件為對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30. 4mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29. 4mJ,晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2，晶片的邊緣區域曝光焦距為-O.1。曝光的結果發現能夠大幅度地降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例二 首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。在將晶片邊緣區域曝光能量減小的同時使晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為O.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為O. 01。經過多次試驗調整，對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30. 4mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29. 4mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 3，晶片的邊緣區域曝光焦距為-O. 2。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例三首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。在將晶片邊緣區域曝光能量減小的同時使晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為O.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為O. 01。經過多次試驗調整，對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30. 4mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29. 4mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 1，晶片的邊緣區域曝光焦距為O。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例四首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。在將晶片邊緣區域曝光能量減小的同時使晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為O.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為O. 01。經過多次試驗調整，對于晶片的中心區域采用的曝光能量為31mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29. 9mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2，晶片的邊緣區域曝光焦距為-O.1。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例五首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。在將晶片邊緣區域曝光能量減小的同時使晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為O.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為O. 01。經過多次試驗調整，對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2，晶片的邊緣區域曝光焦距為-O.1。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例六首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。并且在調整晶片邊緣區域曝光能量和焦距的過程中，晶片中心區域的曝光能量和曝光焦距保持不變。首先將晶片邊緣區域的曝光焦距往正方向調整，可以較小光刻膠的倒梯形現象，但是會導致單線(ISO)的關鍵尺寸(CD)的變小，所以同時要將晶片邊緣區域的曝光能量減小以補償由于焦距偏正帶來的關鍵尺寸的變化。對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30.4mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2。經過多次試驗調整，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29. 4mJ,晶片的邊緣區域曝光焦距為-O.1。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例七首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。并且在調整晶片邊緣區域曝光能量和焦距的過程中，晶片中心區域的曝光能量和曝光焦距保持不變。首先將晶片邊緣區域的曝光焦距往正方向調整，可以較小光刻膠的倒梯形現象，但是會導致單線(ISO)的關鍵尺寸(CD)的變小，所以同時要將晶片邊緣區域的曝光能量減小以補償由于焦距偏正帶來的關鍵尺寸的變化。對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30.4mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2。經過多次試驗調整，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為30mJ，晶片的邊緣區域曝光焦距為-O. 15。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例八首先在晶片上涂覆光致抗蝕劑即光刻膠，光刻膠的材料組成可以為聚乙烯醇肉桂酸酯膠(KPR膠)、聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯膠、環化橡膠型購膠(0MR - 83膠)和重氮萘醌磺酰氯為感光劑主體的紫外正型光刻膠(AZ - 1350)等。接著對晶片實施曝光過程，在曝光的過程中調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距，并且調整幅度要恰當。并且在調整晶片邊緣曝光能量和焦距的過程中，晶片中心區域的曝光能量和曝光焦距保持不變。首先將晶片邊緣的曝光焦距往正方向調整，可以較小光刻膠的倒梯形現象，但是會導致單線(ISO)的關鍵尺寸(CD)的變小，所以同時要將晶片邊緣的曝光能量減小以補償由于焦距偏正帶來的關鍵尺寸的變化。在調整晶片邊緣曝光能量和焦距的過程中，晶片中心區域的曝光能量和曝光焦距保持不變。對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30.4mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2。經過多次試驗調整，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29mJ，晶片的邊緣區域曝光焦距為O。曝光的結果發現能夠降低晶片邊緣的散焦現象。具體實施例九一種光刻工藝，包括以下步驟I)預處理；目的是改變晶圓片表面的性質，使其能和光刻膠粘連牢固。主要方法就是涂HMDS (六甲基二硅胺烷)，在密閉腔體內晶圓下面加熱到120°C，上面用噴入氮氣加壓的霧狀HMDS，使得HMDS和晶圓表面的-OH健發生反應已除去水汽和親水健結構，反應充分后在23 °C冷板上降溫。2)旋涂光刻膠，用旋轉涂布法能提高光刻膠薄膜的均勻性與穩定性。一般設備的穩定工作最高轉速不超過4000rpm,而最好的工作轉速在2000 3000rpm。3)軟烘，目的是除去光刻膠中溶劑，是在90°C的熱板中完成。4)曝光；對晶片實施曝光過程，調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為0.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為0.01。經過多次試驗調整，對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30.4mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29.4MJ，晶片中心區域的曝光焦距為-0.2，晶片的邊緣區域曝光焦距為-0.1。5)后烘，這一步主要控制的是溫度與時間，對 于溫度的均勻性要求非常高，通常要求熱板內溫度偏差小于0.30C。6)顯影；顯影和清洗都在顯影槽中完成，每一步的轉速和時間都至為重要，要嚴格進行控制。在顯影工藝完成之后，光刻工藝基本完成，但在送入下一工序之前還要進行檢測，主要是檢測有無散焦，圖形倒塌，異常顆粒，刮傷等現象，以及進行線寬測量和套準精度的測量。具體實施例十:一種光刻工藝，包括以下步驟:I)預處理；目的是改變晶圓片表面的性質，使其能和光刻膠粘連牢固。主要方法就是涂HMDS (六甲基二硅胺烷)，在密閉腔體內晶圓下面加熱到120°C，上面用噴入氮氣加壓的霧狀HMDS，使得HMDS和晶圓表面的-OH健發生反應已除去水汽和親水健結構，反應充分后在23 °C冷板上降溫。2)旋涂光刻膠，用旋轉涂布法能提高光刻膠薄膜的均勻性與穩定性。一般設備的穩定工作最高轉速不超過4000rpm,而最好的工作轉速在2000 3000rpm。3)軟烘，目的是除去光刻膠中溶劑，是在90°C的熱板中完成。4)曝光；對晶片實施曝光過程，調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距。對于晶片中心區域和邊緣區域的曝光能量和曝光焦距同時調整。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為0.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為0.01。經過多次試驗調整，對于晶片的中心區域采用的曝光能量為31mJ，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29.9MJ，晶片中心區域的曝光焦距為-0.2，晶片的邊緣區域曝光焦距為-0.1。5)后烘，這一步主要控制的是溫度與時間，對于溫度的均勻性要求非常高，通常要求熱板內溫度偏差小于0.30C。6)顯影；顯影和清洗都在顯影槽中完成，每一步的轉速和時間都至為重要，要嚴格進行控制。具體實施例十一:一種光刻工藝，包括以下步驟:
I)預處理；目的是改變晶圓片表面的性質，使其能和光刻膠粘連牢固。主要方法就是涂HMDS (六甲基二硅胺烷)，在密閉腔體內晶圓下面加熱到120°C，上面用噴入氮氣加壓的霧狀HMDS，使得HMDS和晶圓表面的-OH健發生反應已除去水汽和親水健結構，反應充分后在23 °C冷板上降溫。2)旋涂光刻膠，用旋轉涂布法能提高光刻膠薄膜的均勻性與穩定性。一般設備的穩定工作最高轉速不超過4000rpm,而最好的工作轉速在2000 3000rpm。3)軟烘，目的是除去光刻膠中溶劑，是在90°C的熱板中完成。4)曝光；對晶片實施曝光過程，調整兩個最重要的參數即曝光能量和焦距。并且保持晶片中心區域的曝光能量和焦距不變，只調整晶片邊緣區域的曝光能量和焦距。對于晶片的中心區域采用的曝光能量為30.4mJ，晶片中心區域的曝光焦距為-O. 2。在調整曝光能量的過程中，每步調整的量為O.1mJ,同時在調整曝光焦距的過程中，每步的調整量為O. 01。經過多次試驗調整，對于晶片的邊緣區域采用的曝光能量為29. 4mJ,晶片的邊緣區域曝光焦距為-O.1。5)后烘，這一步主要控制的是溫度與時間，對于溫度的均勻性要求非常高，通常要求熱板內溫度偏差小于O. 30C。6)顯影；顯影和清洗都在顯影槽中完成，每一步的轉速和時間都至為重要，要嚴格進行控制。注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明，但是本發明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發明的范圍由所附的權利要求范圍決定。
權利要求
1.一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法，其特征在于:在對晶片進行曝光的過程中，調整晶片中心區域與晶片邊緣區域的曝光能量，在將晶片邊緣區域曝光能量減小的同時使晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。
2.根據權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，晶片中心區域的曝光能量大于晶片邊緣區域的曝光能量。
3.根據權利要求2所述的曝光方法，其特征在于，晶片中心區域的曝光能量為30 3ImJ,晶片邊緣區域的曝光能量為29 29.9mJ。
4.根據權利要求1-3所述的曝光方法，其特征在于，晶片邊緣區域的曝光焦距比晶片中心區域的曝光焦距更向正方向。
5.根據權利要求4所述的曝光方法，其特征在于，晶片中心區域的曝光焦距為-0.3 -0.1，晶片邊緣區域的曝光焦距為-0.2 O。
6.一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法，其特征在于:在對晶片進行曝光的過程中，保持晶片中心 區域的曝光能量與曝光焦距不變，只調整晶片邊緣區域的曝光能量與曝光焦距，將晶片邊緣區域的曝光能量減小，同時將晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整。
7.根據權利要求6所述的曝光方法，其特征在于，晶片中心區域的曝光能量為30.4mJ,焦距為-0.2。
8.根據權利要求7所述的曝光方法，其特征在于，晶片邊緣區域的曝光能量為29 30mJ，焦距為-0.15 O。
9.一種光刻工藝，能夠減少晶片邊緣區域曝光散焦，包括以下步驟: 1)預處理； 2)旋涂光刻膠，采用旋轉涂布法在2000 3000rpm的工作轉速下進行； 3)軟烘，在80-100°C的熱板中完成； 4)曝光； 5)后烘，采用溫度偏差小于0.3°C的熱板進行； 6)顯影； 其特征在于，所屬曝光工藝采用權利要求1-8中的任一曝光方法完成。
全文摘要
本發明公開了一種用于減少晶片邊緣區域曝光散焦的曝光方法，該方法包括保持晶片中心區域的曝光能量和焦距不變，對晶片邊緣區域的曝光能量和曝光焦距進行調整。具體為在進行曝光的過程中，將晶片邊緣區域的曝光焦距向正方向調整，曝光能量減小。本發明同時還提供了一種包括上述曝光方法的光刻工藝。該發明通過調整曝光過程中晶片邊緣的焦距和能量，在不更新先進的機臺而且不更改光刻膠的前提下，僅通過優化光刻程序，解決晶片邊緣曝光散焦的問題，驗證周期短，而且沒有額外的成本。
文檔編號G03F7/20GK103076722SQ201310011428
公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月11日 優先權日2013年1月11日
發明者王輝, 黃兆興 申請人:無錫華潤上華科技有限公司