液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】液晶顯示裝置(100)的TFT基板(10)具有：設(shè)置在各像素的TFT(11)；與TFT的漏極電極(11d)電連接的上層電極(12)；設(shè)置在上層電極的下方的下層電極(13)；和設(shè)置在上層電極與下層電極之間的電介質(zhì)層(14)，相對基板(20)具有與上層電極相對的相對電極(21)。上層電極具有：具有相互不同的電極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域(R1)和第二區(qū)域(R2)；和用于將第一區(qū)域和第二區(qū)域電連接到漏極電極的第三區(qū)域(R3)。上層電極的第三區(qū)域包括對稱連接部(12c)，該對稱連接部(12c)是具有相對于將各像素分割為沿行方向相鄰的兩個區(qū)域的假想的直線(L1)實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。
【專利說明】
液晶顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置的顯示特性得到改善，不斷推進將其利用于電視接收機等。雖然液晶顯示裝置的視野角特性得到了提高，但是還期望進一步的改善。特別是改善使用垂直取向型的液晶層的液晶顯示裝置的視野角特性的要求強烈。具備垂直取向型液晶層的液晶顯示裝置被稱為VA(Vertical Alignment:垂直取向)模式的液晶顯示裝置。
[0003]現(xiàn)在，在電視機等大型顯示信息中使用的VA模式的液晶顯示裝置，為了改善視野角特性，采用在一個像素形成多個液晶疇(domain)的取向分割結(jié)構(gòu)。作為形成取向分割結(jié)構(gòu)的方法，MVA(Mult1-domain Vertical Alignment:多疇垂直取向)模式為主流。MVA模式例如在專利文獻I中公開。
[0004]在MVA模式中，通過在夾著垂直取向型液晶層相對的一對基板中的各個基板的液晶層側(cè)設(shè)置取向限制結(jié)構(gòu)，在各像素內(nèi)形成取向方向(傾斜(tilt)方向)不同的多個液晶疇(典型的是4種取向方向)。作為取向限制結(jié)構(gòu)，使用形成在電極的狹縫(開口部)或肋(rib)(突起結(jié)構(gòu))，從液晶層的兩側(cè)發(fā)揮取向限制力。
[0005]但是，如果使用狹縫或肋，貝Ij與利用現(xiàn)有的TN(Twisted Nematic:扭轉(zhuǎn)向列型)模式中使用的取向膜規(guī)定預傾斜(pretilt)方向的情況不同，因為狹縫和肋為線狀，所以相對于液晶分子的取向限制力在像素內(nèi)不均，因此存在在響應速度上產(chǎn)生分布的問題。
[0006]為了改善MVA模式的響應特性，開發(fā)有PSA技術(shù)(Polymer Sustained AlignmentTechnology:聚合物穩(wěn)定取向技術(shù)),PSA技術(shù)例如在專利文獻2和3中有所公開。在PSA技術(shù)中，為了對液晶分子賦予預傾斜，使用被稱為取向維持層的聚合物層。取向維持層通過在制作液晶單元之后、在對液晶層施加電壓的狀態(tài)下使預先混合于液晶材料的光聚合性單體聚合而形成。通過對在使單體聚合時施加的電場的分布和強度進行調(diào)整，能夠控制液晶分子的預傾斜方位(基板面內(nèi)的方位角)和預傾斜角(從基板面起的立起角)。
[0007]此外，在專利文獻3中公開有與PSA技術(shù)一起使用具有細微的條形(stribe)狀圖案(pattern)的像素電極(有時被稱為“魚骨(fish bone)型像素電極”)的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，當對液晶層施加電壓時，液晶分子與條形狀圖案的長度方向平行地取向。這與專利文獻I中記載的現(xiàn)有的MVA模式中液晶分子在與狹縫或肋等直線狀的取向限制結(jié)構(gòu)正交的方向上取向形成對比。細微的條形狀圖案的線寬&間距(line&space)可以比現(xiàn)有的MVA模式的取向限制結(jié)構(gòu)的寬度小。因此，魚骨型像素電極與現(xiàn)有的上述MVA模式的取向限制結(jié)構(gòu)相比具有容易應用于小型的像素的優(yōu)點。
[0008]根據(jù)上述那樣的VA模式的改良技術(shù)(PSA技術(shù)和魚骨型像素電極)，能夠?qū)崿F(xiàn)高的視野角特性。但是，近年來，期望進一步改善VA模式的液晶顯示裝置的視野角特性，因此“像素分割驅(qū)動技術(shù)”被實用化(例如專利文獻4和5)。
[0009]根據(jù)像素分割驅(qū)動技術(shù)，從正面方向觀測時的Y (伽馬)特性與從斜向觀測時的Y特性不同的問題、即Y特性的視角依賴性得到改善。此處，Y特性是指顯示亮度的灰度依賴性。
[0010]在像素分割驅(qū)動技術(shù)中，由能夠?qū)σ壕邮┘酉嗷ゲ煌碾妷骸⒓茨軌虺尸F(xiàn)相互不同的亮度的多個子像素構(gòu)成一個像素，利用一個像素整體實現(xiàn)與被輸入到像素的顯示信號電壓對應的規(guī)定的亮度。即，像素分割驅(qū)動技術(shù)是指通過合成多個子像素的相互不同的Y特性來改善像素的Y特性的視角依賴性的技術(shù)。
[0011]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0012]專利文獻
[0013]專利文獻1:日本特開平11-242225號公報
[0014]專利文獻2:日本特開2002-357830號公報
[0015]專利文獻3:日本特開2003-149647號公報
[0016]專利文獻4:日本特開2004-62146號公報
[0017]專利文獻5:日本特開2004-78157號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0019]但是，在使用像素分割驅(qū)動技術(shù)的情況下，需要使施加至液晶層的有效的施加電壓按每個子像素不同，因此設(shè)置在各像素的像素電極具有與多個子像素對應的多個子像素電極，與各個子像素電極對應地設(shè)置開關(guān)元件(例如TFT)。這樣，在各像素至少設(shè)置有兩個開關(guān)元件，因此各像素的孔徑比和光透射率降低。孔徑比和光透射率的降低在一個像素的面積較小的高精細的液晶顯示裝置中特別顯著。
[0020]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供視野角特性優(yōu)異且各像素具有足夠高的光透射率的液晶顯示裝置。
[0021]用于解決問題的技術(shù)方案
[0022]本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置包括:有源矩陣基板；與上述有源矩陣基板相對的相對基板；和設(shè)置在上述有源矩陣基板與上述相對基板之間的液晶層，上述液晶顯示裝置具有配置成包括多個行和多個列的矩陣狀的多個像素，其中上述有源矩陣基板具有:薄膜晶體管，其設(shè)置于上述多個像素中的各個像素，具有柵極電極、源極電極和漏極電極；上層電極，其與上述薄膜晶體管的上述漏極電極電連接；下層電極，其設(shè)置在上述上層電極的下方；和電介質(zhì)層，其設(shè)置在上述上層電極與上述下層電極之間，上述相對基板具有與上述上層電極相對的相對電極，上述上層電極具有:具有相互不同的電極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和第二區(qū)域；和用于使上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域與上述漏極電極電連接的第三區(qū)域，上述上層電極的上述第三區(qū)域包括對稱連接部，該對稱連接部是具有相對于將各像素分割為沿行方向相鄰的兩個區(qū)域的假想的直線實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。
[0023]在一個實施方式中，上述有源矩陣基板還具有以覆蓋上述薄膜晶體管的方式設(shè)置的層間絕緣層，在上述層間絕緣層和上述電介質(zhì)層，形成有接觸孔，該接觸孔是使上述漏極電極的一部分露出的接觸孔，上述上層電極的上述第三區(qū)域與上述漏極電極在上述接觸孔中電連接，上述接觸孔的中心位于從上述假想的直線偏離的位置。
[0024]在一個實施方式中，上述有源矩陣基板還具有:掃描配線，其與行方向大致平行地延伸設(shè)置，與上述薄膜晶體管的上述柵極電極電連接；和信號配線，其與列方向大致平行地延伸設(shè)置，與上述薄膜晶體管的上述源極電極電連接。
[0025]在一個實施方式中，在對上述液晶層施加有電壓時，在上述上層電極的上述第一區(qū)域上的上述液晶層生成的電場、與在上述上層電極的上述第二區(qū)域上的上述液晶層生成的電場的方向和/或強度不同。
[0026]在一個實施方式中，在上述多個像素中的某個像素顯示規(guī)定的中間灰度時，上述某個像素的與上述上層電極的上述第一區(qū)域?qū)膮^(qū)域的亮度比上述某個像素的與上述上層電極的上述第二區(qū)域?qū)膮^(qū)域的亮度低。
[0027]在一個實施方式中，在上述上層電極的上述第一區(qū)域，形成有多個狹縫，在上述上層電極的上述第二區(qū)域，未形成狹縫。
[0028]在一個實施方式中，在對上述液晶層施加有電壓時，在上述上層電極的上述第一區(qū)域上的上述液晶層，液晶分子與上述多個狹縫大致平行地取向，在上述上層電極的上述第二區(qū)域上的上述液晶層，液晶分子呈放射狀地取向。
[0029]在一個實施方式中，上述上層電極的上述第三區(qū)域與上述第一區(qū)域相連。
[0030]在一個實施方式中，上述上層電極的上述第三區(qū)域與上述第二區(qū)域相連。
[0031]在一個實施方式中，上述液晶層是垂直取向型的液晶層。
[0032]在一個實施方式中，上述有源矩陣基板和上述相對基板中的至少一者具有垂直取向膜和取向維持層，該取向維持層設(shè)置在上述垂直取向膜與上述液晶層之間，在未對上述液晶層施加電壓時規(guī)定液晶分子的預傾斜方位。
[0033]在一個實施方式中，上述上層電極和上述下層電極被施加相互不同的電位。
[0034]在一個實施方式中，上述上層電極和上述下層電極分別由透明的導電材料形成。
[0035]在一個實施方式中，上述上層電極在從顯示面法線方向看時，隔著上述電介質(zhì)層與上述下層電極的至少一部分重疊，上述上層電極、上述電介質(zhì)層和上述下層電極構(gòu)成輔助電容。
[0036]在一個實施方式中，本發(fā)明的液晶顯示裝置還包括隔著上述液晶層彼此相對的一對偏振片。
[0037]在一個實施方式中，上述薄膜晶體管具有氧化物半導體層。
[0038]在一個實施方式中，上述氧化物半導體層含In-Ga-Zn-O類的半導體。
[0039]發(fā)明效果
[0040]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能夠提供視野角特性優(yōu)異且各像素具有足夠高的光透射率的液晶顯示裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100的一個像素的平面圖。
[0042]圖2是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100的圖，且為沿圖1中的2A-2A’線的截面圖。
[0043]圖3是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100所具備的上層電極12的平面圖。
[0044]圖4是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100的圖，且為沿圖1中的4A-4A’線的截面圖。
[0045]圖5是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100的圖，且為沿圖1中的5A-5A’線的截面圖。
[0046]圖6是示意地表示對本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100所具備的氧化層30施加電壓時的液晶分子31的取向狀態(tài)的圖。
[0047]圖7是示意地表示比較例的液晶顯示裝置1000的一個像素的平面圖。
[0048]圖8是示意地表示比較例的液晶顯示裝置1000所具備的上層電極12’的平面圖。
[0049]圖9(a)是表示對比較例的液晶顯示裝置1000的施加電壓時的液晶分子31的取向狀態(tài)和光透射率進行模擬(simulat1n)而得到的結(jié)果的圖，(b)是表示對本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置100的施加電壓時的液晶分子31的取向狀態(tài)和光透射率進行模擬而得到的結(jié)果的圖。
[0050]圖10是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置200的一個像素的平面圖。
[0051]圖11是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置200所具備的上層電極12A的平面圖。
[0052]圖12是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置200的一個像素的平面圖。
[0053]圖13是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置300的一個像素的平面圖。
[0054]圖14是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置300所具備的上層電極12B的平面圖。
[0055]圖15是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置400的一個像素的平面圖。
[0056]圖16是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置400所具備的上層電極12C的平面圖。
[0057]圖17是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置500的一個像素的平面圖。
[0058]圖18是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置500所具備的上層電極12D的平面圖。
[0059]圖19是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置600的一個像素的平面圖。
[0060]圖20是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置600所具備的上層電極12E的平面圖。
[0061]圖21是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置700的一個像素的平面圖。
[0062]圖22是示意地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置700所具備的上層電極12F的平面圖。

【具體實施方式】
[0063]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。另外，本發(fā)明并不限定于以下的實施方式。
[0064](實施方式I)
[0065]圖1和圖2表示本實施方式的液晶顯示裝置100。液晶顯示裝置100具有配置成包括多個行和多個列的矩陣狀的多個像素。圖1是示意地表示液晶顯示裝置100的一個像素的平面圖，圖2是沿圖1中的2A-2A’線的截面圖。
[0066]液晶顯示裝置100包括有源矩陣基板(以下稱為“TFT基板” )10、與TFT基板10相對的相對基板20、和設(shè)置在TFT基板10與相對基板20之間的液晶層30。
[0067]TFT基板100具有分別設(shè)置在多個像素的薄膜晶體管(TFT) 11。TFTll具有半導體層11a、柵極電極llg、源極電極Ils和漏極電極lid。在本實施方式中，在各像素僅設(shè)置有一個 TFTlI。
[0068]此外，TFT基板10具有與TFTll的漏極電極Ild電連接的上層電極(第一電極)12、設(shè)置在上層電極12的下方的下層電極(第二電極)13、和設(shè)置在上層電極12與下層電極13之間的電介質(zhì)層14。在上層電極12和下層電極13，施加有相互不同的電位。上層電極12和下層電極13分別由透明的導電材料(例如ΙΤ0)形成。上層電極12在從顯示面法線方向看時，隔著電介質(zhì)層14與下層電極13的至少一部分重疊，上層電極12、電介質(zhì)層14和下層電極13構(gòu)成輔助電容。
[0069]TFT基板10還具有與行方向大致平行地延伸設(shè)置的掃描配線(柵極總線)15、和與列方向大致平行地延伸設(shè)置的信號配線(源極總線)16。掃描配線15與TFTll的柵極電極Ilg電連接，向TFTll供給掃描信號。信號配線16與TFTll的源極電極Ils電連接，向TFTll供給顯示信號。
[0070]上述TFT基板10的構(gòu)成要素由透明的絕緣性基板(例如玻璃基板)1a支承。在絕緣性基板1a的液晶層30側(cè)的表面上，設(shè)置有TFTll的柵極電極Ilg和掃描配線15，以覆蓋它們的方式設(shè)置有柵極絕緣層17。
[0071]在柵極絕緣層17上，設(shè)置有作為TFTll的溝道區(qū)域、源極區(qū)域和漏極區(qū)域發(fā)揮作用的半導體層11a。作為半導體層Ila的材料，能夠使用公知的各種半導體材料，例如能夠使用非晶娃、多晶娃、連續(xù)粒界結(jié)晶娃(CGS Continuous Grain Silicon)等。
[0072]此外，半導體層Ila也可以為氧化物半導體層。氧化物半導體層例如含In-Ga-Zn-O類的半導體。此處，In-Ga-Zn-O類半導體為In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)的三元類氧化物，In、Ga和Zn的比例(組成比)并無特別限定，例如包括In:Ga:Zn =2:2:1、In: Ga: Zn = 1:1:1、In: Ga: Zn = 1: 1:2 等。In-Ga-Zn-O 類半導體既可以為非晶質(zhì)也可以為晶質(zhì)。作為晶質(zhì)的In-Ga-Zn-O類半導體，優(yōu)選c軸與層面大致垂直地取向的晶質(zhì)的In-Ga-Zn-O類半導體。這樣的In-Ga-Zn-O類半導體的晶體結(jié)構(gòu)例如在日本特開2012-134475號公報中公開。為了參考，在本說明書中援用日本特開2012-134475號公報的全部公開內(nèi)容。具有In-Ga-Zn-O類半導體層的TFT具有高的遷移率(與a_SiTFT相比超過20倍)和低的漏電流(與a-SiTFT相比不到100分之I)。
[0073]另外，氧化物半導體層并不限定為In-Ga-Zn-O類半導體層。氧化物半導體層例如還可以包含Zn-O類半導體(ZnO)、In-Zn-O類半導體(IZO)、Zn-T1-O類半導體(ZTO)、Cd-Ge-O 類半導體、Cd-Pb-O 類半導體、In-Sn-Zn-O 類半導體(例如 In203-Sn02_Zn0)、In-Ga-Sn-O類半導體等。
[0074]以與半導體層Ila的源極區(qū)域和漏極區(qū)域相接的方式設(shè)置有源極電極Ils和漏極電極lid。此外，在柵極絕緣層17上還設(shè)置有信號配線16。
[0075]以覆蓋TFTll和信號配線16的方式設(shè)置有層間絕緣層18。在本實施方式中，層間絕緣層18具有包括無機絕緣膜18a和在無機絕緣膜18a上形成的有機絕緣膜18b的疊層結(jié)構(gòu)。有機絕緣膜18b例如由感光性樹脂形成。當然，層間絕緣層18也可以為單層。
[0076]在層間絕緣層18上設(shè)置有下層電極13，以覆蓋下層電極13的方式形成有電介質(zhì)層14。在電介質(zhì)層14上設(shè)置有上層電極12。在層間絕緣層18和電介質(zhì)層14，形成有將漏極電極Ild的一部分露出的接觸孔CH。在接觸孔CH之中，在漏極電極Ild電連接有上層電極12 (更具體而言為后述的第三區(qū)域R3)。
[0077]相對基板20具有與上層電極12相對的相對電極(第三電極)21。相對電極21典型的是在所有的像素共同地設(shè)置的共用電極。相對電極21由透明的導電材料(例如ΙΤ0)形成。另外，雖然此處未圖示，但是相對基板20典型地還具有彩色濾光片和遮光層(黑矩陣(black matrix))。TFT基板10的掃描配線15、信號配線16、TFTl 1、接觸孔CH等被遮光層遮光。相對電極21的構(gòu)成要素(相對電極21等)由透明的絕緣性基板(例如玻璃基板)20a支承。
[0078]液晶層30是垂直取向型的液晶層。即，液晶層30所含的液晶分子31在未對液晶層30施加電壓的狀態(tài)下，如圖2所示那樣，相對于基板面大致垂直地(典型的是以呈85°以上的角的方式)取向。另外，雖然此處未圖示，但是TFT基板10和相對基板20中的至少一個基板(典型的是兩個基板)具有以與液晶層30相接的方式設(shè)置的垂直取向膜。
[0079]另外，也可以利用專利文獻2和3中公開的PSA技術(shù)形成取向維持層。取向維持層設(shè)置在垂直取向膜與液晶層30之間，在未對液晶層30施加電壓時規(guī)定液晶分子31的預傾斜方位。取向維持層由光聚合物構(gòu)成。構(gòu)成取向維持層的光聚合物能夠通過使添加于液晶材料中的光聚合性化合物(典型的是光聚合性單體)在電壓施加狀態(tài)下光聚合(例如利用紫外線照射進行的光聚合)而形成。
[0080]此外，液晶顯示裝置100還包括隔著液晶層30彼此相對的一對偏振片40a和40b。在圖2例示的結(jié)構(gòu)中，偏振片40a和40b設(shè)置在一對基板10和20的外側(cè)。偏振片40a和40b配置成能夠與垂直取向型的液晶層30組合進行常黑模式(normally black mode)的顯示。例如在偏振片40a和40b為直線偏振片的情況下，偏振片40a和40b以偏振軸(透射軸或吸收軸)相互大致正交的方式配置(正交尼克爾(cross Nicol)配置)。當然,偏振片40a和40b也可以為圓偏振片。
[0081]此處，還參照圖3、圖4和圖5，更具體地說明TFT基板10具有的上層電極12和下層電極13的結(jié)構(gòu)。圖3是僅表示本實施方式的液晶顯示裝置100的上層電極12的平面圖。圖4和圖5分別是沿圖1中的4A-4A’線和5A-5A’線的截面圖。
[0082]上層電極12具有第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2，該第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2具有相互不同的電極結(jié)構(gòu)。此外，上層電極12具有第三區(qū)域R3，該第三區(qū)域R3用于將第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2電連接到漏極電極lid。
[0083]在本實施方式中，在上層電極12的第一區(qū)域Rl，如圖3和圖4所示那樣，形成有多個狹縫(除去導電膜之后的部分)12s。第一區(qū)域Rl具有相互大致平行地延伸的多個支部12b，各狹縫12s位于相鄰的兩個支部12b間。這樣，第一區(qū)域Rl具有梳齒狀電極結(jié)構(gòu)。在以下的說明中，第一區(qū)域Rl還稱為“形成狹縫區(qū)域”。
[0084]與此相對，在上層電極12的第二區(qū)域R2，如圖3和圖5所示那樣，未形成狹縫。即，第二區(qū)域R2具有面狀的(即整面)電極結(jié)構(gòu)。在以下的說明中，第二區(qū)域R2還稱為“不形成狹縫區(qū)域”或“整面區(qū)域”。
[0085]另外，在圖3等例示的結(jié)構(gòu)中，存在夾著位于像素的中央的第二區(qū)域R2的兩個第一區(qū)域Rl，但是如后所述，第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2的個數(shù)和配置并不限定于此。
[0086]上層電極12的第三區(qū)域R3在圖3等例示的結(jié)構(gòu)中與第一區(qū)域Rl相連。即，第三區(qū)域R3與第一區(qū)域Rl物理上連接。關(guān)于第三區(qū)域R3的更具體的結(jié)構(gòu)，在之后詳述。
[0087]下層電極13以導電膜遍及像素內(nèi)的大致整體(除TFTll上和接觸孔CH附近的部分)地存在的方式形成。即，下層電極13大致為整面電極。當然，下層電極13的結(jié)構(gòu)并不現(xiàn)定于此，但是為了形成后述的橫向電場，下層電極13優(yōu)選與上層電極12的狹縫12s的至少一部分重疊。
[0088]上層電極12與TFTll的漏極電極Ild電連接，因此被施加與從信號配線16被供給的顯不信號對應的電位。與此相對，下層電極13,被施加與施加于上層電極12的電位不同的電位。典型的是，下層電極13，被施加與施加于相對電極21的電位相同的電位。
[0089]如上所述，上層電極12的第一區(qū)域(形成狹縫區(qū)域)Rl和第二區(qū)域(不形成狹縫區(qū)域、整面區(qū)域)R2因為具有相互不同的電極結(jié)構(gòu)，所以在電壓施加于液晶層30時，在第一區(qū)域Rl上的液晶層30生成的電場與在第二區(qū)域R2上的液晶層30生成的電場的方向和/或強度不同。具體而言，在第二區(qū)域R2上的液晶層30，形成有與上層電極12與相對電極21的電位差相應的縱向電場，與此相對，在第一區(qū)域Rl上的液晶層30，不僅形成有與上層電極12與相對電極21的電位差相應的縱向電場，而且還形成有與上層電極12與下層電極13的電位差相應的橫向電場。
[0090]這樣，在第一區(qū)域Rl上的液晶層30不僅形成縱向電場而且還形成橫向電場，因此，在第一區(qū)域Rl上的液晶層30，與第二區(qū)域R2上的液晶層30相比，液晶分子31的傾斜的程度更低。因而，某個像素顯示規(guī)定的中間灰度時，與該像素的第一區(qū)域Rl對應的區(qū)域的亮度比與該像素的第二區(qū)域R2對應的區(qū)域的亮度低。即，在像素內(nèi)，形成有亮度彼此不同的兩種區(qū)域，由此與第一區(qū)域Rl對應的區(qū)域(相對較暗的暗區(qū)域)的電壓-透射率(V-T)特性相比于與第二區(qū)域R2對應的區(qū)域(相對較亮的亮區(qū)域)的電壓-透射率(V-T)特性，向高電壓側(cè)偏移(shift)。
[0091]圖6示意地表示對液晶層30施加電壓時的液晶分子31的取向狀態(tài)。在上層電極12的第一區(qū)域Rl的液晶層30，如圖6所示，液晶分子31與多個狹縫12s (即也與多個支部12b)大致平行地取向。不過，在位于像素的上側(cè)的第一區(qū)域Rl上的液晶層30和位于像素的下側(cè)的第一區(qū)域Rl上的液晶層30，取向方位相差大約180°。與此相對，在上層電極12的第二區(qū)域R2上的液晶層30，液晶分子31呈放射狀(即大致全方位地)取向。
[0092]如上所述，在本實施方式的液晶顯示裝置100，在某個像素顯示規(guī)定的中間灰度時，在像素內(nèi)形成亮度彼此不同的兩種區(qū)域，從而在像素內(nèi)形成電壓-透射率(V-T)特性不同的兩種區(qū)域。因此，能夠改善Y特性的視角依賴性。此外，在本實施方式的液晶顯示裝置100，因為需要在各像素設(shè)置多個TFT11，所以能夠充分地提高各像素的孔徑比和光透射率。這樣，本實施方式的液晶顯示裝置100的視野角特性優(yōu)異且各像素具有足夠高的光透射率。
[0093]另外，從充分地改善Y特性的視角依賴性的觀點出發(fā)，第一區(qū)域Rl的面積(此處為兩個第一區(qū)域Rl的合計)與第二區(qū)域R2的面積之比優(yōu)選為5:1?1:2，更優(yōu)選為3:1?1:1。
[0094]此外，第一區(qū)域Rl中的支部12b的寬度wl優(yōu)選為2.0 μ m以上8.0 μ m以下，狹縫12s的寬度w2優(yōu)選為2.Ομπι以上8.Ομπι以下。支部12b的寬度wl與狹縫12s的寬度w2之比(wl/w2)優(yōu)選為0.4以上3.0以下，更優(yōu)選為0.5以上1.5以下。
[0095]另外，本申請 申請人:在國際公開第2012/090773號中提出了一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置在TFT基板側(cè)具備上層電極和下層電極并且在相對基板側(cè)具備相對電極，在該液晶顯示裝置中，還在上層電極形成有電極結(jié)構(gòu)彼此不同的兩種區(qū)域(在上述申請中稱為“狹縫區(qū)域”和“面狀區(qū)域”)。作為參考在本說明書中援用上述國際公開第2012/090773號的所有的公開內(nèi)容。
[0096]但是，在上述申請中，關(guān)于上層電極中用于將狹縫區(qū)域和面狀區(qū)域與TFT電連接的區(qū)域(是TFT和接觸孔附近的區(qū)域，與本實施方式的液晶顯示裝置100中的上層電極12的第三區(qū)域R3對應)的結(jié)構(gòu)，并沒有進行特別詳細的研究。例如，在上述申請中，上層電極的接觸孔附近和TFT上的區(qū)域被視作具有“面狀電極結(jié)構(gòu)”，在上層電極的整個該區(qū)域形成有導電膜。
[0097]但是，如果上層電極的位于TFT上的區(qū)域具有那樣的結(jié)構(gòu)，則有時TFT特性發(fā)生變化。因此，在TFT上，優(yōu)選除去上層電極的導電膜。在這種情況下，如果接觸孔位于左右方向上的中央，則沒有特別的問題。但是，在高精細的液晶面板，因為像素尺寸小，所以存在不能將接觸孔配置在左右方向上的中央的情況，因此，上層電極中、用于將狹縫區(qū)域和面狀區(qū)域與TFT電連接的區(qū)域的導電膜成為左右非對稱的形狀，由此，顯示質(zhì)量降低。
[0098]與此相對，在本實施方式的液晶顯示裝置100，因為上層電極12的第三區(qū)域R3具有后述的結(jié)構(gòu)，所以能夠由此抑制上述那樣的顯示質(zhì)量的降低。以下，一邊與圖7和圖8所示的比較例的液晶顯示裝置1000的上層電極12’進行比較，一邊對本實施方式的液晶顯示裝置100的上層電極12的第三區(qū)域R3的結(jié)構(gòu)進行說明。圖7是示意地表示比較例的液晶顯示裝置1000的一個像素的平面圖，圖8是僅表示比較例的液晶顯示裝置1000的上層電極12’的平面圖。
[0099]在本實施方式的液晶顯示裝置100和比較例的液晶顯示裝置1000的任意液晶顯示裝置中，在考慮將各像素分割為沿行方向相鄰的兩個區(qū)域的(即在左右方向上分割為兩部分的)假想(虛擬)的直線LI時，如圖1和圖7所示，接觸孔CH的中心位于從該假想的直線(在以下的說明中稱為“左右分割線”)LI偏離的位置。
[0100]比較例的液晶顯示裝置1000中的上層電極12’的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2分別具有與本實施方式的液晶顯示裝置100中的上層電極12的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2相同的電極結(jié)構(gòu)，
[0101]如圖3所示，本實施方式的液晶顯示裝置100中的上層電極12的第三區(qū)域R3包括對稱連接部12c，該對稱連接部12c是具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。在圖3，為了容易理解而僅對對稱連接部12c標注陰影。在圖3例示的結(jié)構(gòu)中，對稱連接部12c與第一區(qū)域Rl中最左側(cè)的支部12b和最右側(cè)的支部12b連接(相連)。
[0102]另一方面，如圖8所示，比較例的液晶顯示裝置1000中的上層電極12’的第三區(qū)域R3’不包括具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案，第三區(qū)域R3’內(nèi)的導電膜具有僅與第一區(qū)域Rl的最右側(cè)的支部12b相連的顯著的左右非對稱的形狀。上層電極12’在接觸孔CH上存在大的凹陷(從圖2也能夠容易地推測)，因此，在施加電壓時，與第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2中的取向變化分開(單獨)地，在第三區(qū)域R3開始以接觸孔CH上的液晶分子31為起點的取向的變化。此時，如果第三區(qū)域R3’內(nèi)的導電膜具有顯著的左右非對稱的形狀，則以接觸孔CH上的液晶分子31為起點的取向的傳播在像素的左右不同，液晶分子31的取向也顯著地左右非對稱，因此這對顯示產(chǎn)生不良影響。此外，如果第三區(qū)域R3’的導電膜的面積大，則來自第三區(qū)域R3’的左右非對稱的取向限制力變大，由此有時不難得到所期望的取向狀態(tài)。
[0103]與此相對，當如本實施方式的液晶顯示裝置100那樣，上層電極12的第三區(qū)域R3包括具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的對稱連接部(導電膜圖案)12c時，對第三區(qū)域R3的液晶分子31的取向限制力在像素的左右成為相同程度，因此液晶層30的取向接近左右對稱而穩(wěn)定。
[0104]圖9(a)表示對比較例的液晶顯示裝置1000的施加電壓時的液晶分子31的取向狀態(tài)和光透射率進行模擬而得到的結(jié)果，圖9(b)表示對本實施方式的液晶顯示裝置100的施加電壓時的液晶分子31的取向狀態(tài)和光透射率進行模擬而得到的結(jié)果。在進行模擬時，使像素的長度在左右方向(X方向)為28.25 μ m、在上下方向(Y方向)為84.75 μ m，使對液晶層30的施加電壓為5.0V。
[0105]從圖9 (a)可知，比較例的液晶顯示裝置1000中，以接觸孔CH附近的液晶分子31為起點開始進行取向變化，取向變化在右下的導電膜(上層電極12’的第三區(qū)域R3’的導電膜)上傳播的情形。其結(jié)果是，像素的左下的區(qū)域的液晶分子31取向不順利，該區(qū)域變暗。
[0106]與此相對，從圖9(b)可知，本實施方式的液晶顯示裝置100中，取向變化從像素的左下和右下兩者傳播的情形。其結(jié)果是，像素的左下的區(qū)域的液晶分子31也順利地取向，該區(qū)域變亮。
[0107]這樣，在本實施方式的液晶顯示裝置100，上層電極12的第三區(qū)域R3包括對稱連接部12c，由此實現(xiàn)自由對稱的取向，顯示品質(zhì)得到提高。
[0108](實施方式2)
[0109]參照圖10和圖11說明本實施方式的液晶顯示裝置200。圖10是示意地表示液晶顯示裝置200的一個像素的平面圖，圖11是僅表示液晶顯示裝置200的上層電極12A的平面圖。在以下的說明中，以本實施方式的液晶顯示裝置200與實施方式I的液晶顯示裝置100的不同點為中心進行說明。
[0110]本實施方式的液晶顯示裝置200的上層電極12A與實施方式I的液晶顯示裝置100的上層電極12同樣地具有第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3。
[0111]液晶顯示裝置200的上層電極12A的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2分別具有與實施方式I的液晶顯示裝置100的上層電極12的第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2相同的電極結(jié)構(gòu)。
[0112]與此相對，液晶顯示裝置200的上層電極12A的第三區(qū)域R3具有與實施方式I的液晶顯示裝置100的上層電極12的第三區(qū)域R3稍有不同的電極結(jié)構(gòu)。具體而言，在實施方式I的液晶顯示裝置100，如圖3所示，上層電極12的第三區(qū)域R3的對稱連接部12c與第一區(qū)域Rl中的最左側(cè)的支部12b和最右側(cè)的支部12b相連，與此相對，在本實施方式的液晶顯示裝置200，如圖11所示，上層電極12A的第三區(qū)域R3的對稱連接部12c與第一區(qū)域Rl的位于中央的兩個支部12b相連。
[0113]在本實施方式的液晶顯示裝置200中也為如下情形:上層電極12A的第三區(qū)域R3包括對稱連接部12c，該對稱連接部12c是具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。因此，對于第三區(qū)域R3中的液晶分子31的取向限制力在像素的左右為相同程度，因此，液晶層30的取向接近左右對稱而穩(wěn)定。因此能夠提高顯示質(zhì)量。
[0114]另外，在本實施方式的液晶顯示裝置200，因為第三區(qū)域R3的對稱連接部12c與第一區(qū)域Rl的位于中央的支部12b相連，所以上層電極12的接近信號配線16的區(qū)域的面積變小，因此也能夠得到抑制信號配線16與上層電極12之間的寄生電容的效果。另一方面，在實施方式I的液晶顯示裝置100，因為第三區(qū)域R3的對稱連接部12c與第一區(qū)域Rl的位于左端和右端的支部12b相連，所以相同支部12b上的液晶分子31的取向方向成為相同方向，能夠得到在與一個支部12對應的區(qū)域內(nèi)、液晶分子31的取向方向不會相反而產(chǎn)生暗線的效果。與此相對，在液晶顯示裝置200，如在圖12中示意地表示的那樣，以位于中央的支部12b與對稱連接部12c的連接部(圖中的以虛線包圍的區(qū)域)為界，液晶分子31的取向方向相反，取向的邊界成為暗線而出現(xiàn)，如果這樣的暗線出現(xiàn)在像素內(nèi)的有助于顯示的區(qū)域，則透射率降低。
[0115]接著，參照圖13和圖14對本實施方式的另一液晶顯示裝置300進行說明。圖13是示意地表示液晶顯示裝置300的一個像素的平面圖，圖14是僅表示液晶顯示裝置300的上層電極12B的平面圖。在以下的說明中，以本實施方式的液晶顯示裝置300與實施方式I的液晶顯示裝置100的不同點為中心進行說明。
[0116]在實施方式I的液晶顯示裝置100，如圖1所示，上層電極12與位于其下側(cè)的TFTll連接。與此相對，在本實施方式的液晶顯示裝置300，如圖13所示，上層電極12B與位于其上側(cè)的TFTll連接。S卩，在實施方式I的液晶顯示裝置100，各像素通過位于其下側(cè)的掃描配線15被掃描，與此相對，在本實施方式的液晶顯示裝置300，各像素通過位于上側(cè)的掃描配線15被掃描。
[0117]在本實施方式的液晶顯示裝置300，也為如下情形:上層電極12B的第三區(qū)域R3如圖14所示那樣包括對稱連接部12c，該對稱連接部12c是具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。因此，對于第三區(qū)域R3中的液晶分子31的取向限制力在像素的左右為相同程度，因此液晶層30的取向接近左右對稱而穩(wěn)定。因此能夠提高顯示質(zhì)量。
[0118](實施方式3)
[0119]參照圖15和圖16說明本實施方式的液晶顯示裝置400。圖15是示意地表示液晶顯示裝置400的一個像素的平面圖，圖16是僅表示液晶顯示裝置400的上層電極12C的平面圖。在以下的說明中，以本實施方式的液晶顯示裝置400與實施方式I的液晶顯示裝置100的不同點為中心進行說明。
[0120]本實施方式的液晶顯示裝置400的上層電極12C與實施方式I的液晶顯示裝置100的上層電極12同樣地具有第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3。
[0121]不過，在實施方式I的液晶顯示裝置100，上層電極12具有兩個第一區(qū)域R1，與此相對，在本實施方式的液晶顯示裝置400，上層電極12C僅具有一個第一區(qū)域R1。具體而言，在像素的上側(cè)設(shè)置有第一區(qū)域R1，在其下側(cè)設(shè)置有第二區(qū)域R2。因此，上層電極13C的第三區(qū)域R3與第二區(qū)域R2相連(連接)。
[0122]在本實施方式的液晶顯示裝置400，也為如下情形:上層電極12C的第三區(qū)域R3包括對稱連接部12c，該對稱連接部12c是具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。因此，對于第三區(qū)域R3中的液晶分子31的取向限制力在像素的左右為相同程度，因此液晶層30的取向接近左右對稱而穩(wěn)定。因此能夠提高顯示質(zhì)量。
[0123]接著，參照圖17和圖18對本實施方式的另一液晶顯示裝置500進行說明。圖17是示意地表示液晶顯示裝置500的一個像素的平面圖，圖18是僅表示液晶顯示裝置500的上層電極12D的平面圖。
[0124]液晶顯示裝置500的上層電極12D也僅具有一個第一區(qū)域Rl。具體而言，在像素的上側(cè)設(shè)置有第二區(qū)域R2，在其下側(cè)設(shè)置有第一區(qū)域Rl。因此，上層電極13D的第三區(qū)域R3與第一區(qū)域Rl相連(連接)。
[0125]在液晶顯示裝置500，也為如下情形:上層電極12D的第三區(qū)域R3包括對稱連接部12c，該對稱連接部12c是具有相對于左右分割線LI實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。因此，對于第三區(qū)域R3中的液晶分子31的取向限制力在像素的左右為相同程度，因此液晶層30的取向接近左右對稱而穩(wěn)定。因此能夠提高顯示質(zhì)量。
[0126]另外，在本實施方式的液晶顯示裝置400和500，由于各像素的上層電極12C和12D僅具有一個第一區(qū)域R1，因此在像素的暗區(qū)域，液晶分子31取向的方位為一個。與此相對，在實施方式I和2的液晶顯示裝置100、200和300，各像素的上層電極12、12A和12B具有兩個第一區(qū)域R1，在像素的暗區(qū)域，液晶分子31取向的方位為兩個。因此，從充分地提高暗區(qū)域的視野角特性的觀點出發(fā)，實施方式I和2的液晶顯示裝置100、200和300更有優(yōu)勢。
[0127](實施方式4)
[0128]參照圖19和圖20說明本實施方式的液晶顯示裝置600。圖19是示意地表示液晶顯示裝置600的一個像素的平面圖，圖20是僅表示液晶顯示裝置600的上層電極12E的平面圖。在以下的說明中，以本實施方式的液晶顯示裝置600與實施方式I的液晶顯示裝置100的不同點為中心進行說明。
[0129]本實施方式的液晶顯示裝置600在上層電極12E具有四個第一區(qū)域Rl這一點上與實施方式I的液晶顯示裝置100不同。具體而言，上層電極12E不僅具有位于第二區(qū)域R2的上側(cè)和下側(cè)對的兩個第一區(qū)域R1，而且具有位于第二區(qū)域R2的左側(cè)和右側(cè)的兩個第一區(qū)域Rl。在后者的兩個第一區(qū)域R1，多個狹縫12s和多個支部12b在與前者的兩個第一區(qū)域Rl的多個狹縫12s和多個支部12b大致正交的方向上延伸。因此，后者的兩個第一區(qū)域Rl上的液晶分子31在與前者的兩個第一區(qū)域Rl上的液晶分子31的取向方向大致正交的方向取向。此外，在位于第二區(qū)域R2的左側(cè)的第一區(qū)域Rl上的液晶層30和位于第二區(qū)域R2的右側(cè)的第一區(qū)域Rl上的液晶層30，取向方位大致相差180°。因此，在本實施方式的液晶顯示裝置600，在像素的暗區(qū)域，液晶分子31在四個方位取向。因此能夠?qū)崿F(xiàn)視野角特性的進一步的提聞。
[0130]接著，參照圖21和圖22對本實施方式的另一液晶顯示裝置700進行說明。圖21是示意地表示液晶顯示裝置700的一個像素的平面圖，圖22是僅表示液晶顯示裝置700的上層電極12F的平面圖。
[0131]液晶顯示裝置700的上層電極12F也具有四個第一區(qū)域R1，在像素的暗區(qū)域，液晶分子31也在四個不同的方位取向。不過，在液晶顯示裝置600的上層電極12E具有的四個第一區(qū)域R1，多個狹縫12s和多個支部12b在相對于行方向和列方向大致平行或大致正交的方向上延伸，與此相對，在液晶顯示裝置700的上層電極12F具有的四個第一區(qū)域R1，多個狹縫12s和多個支部12b在相對于行方向和列方向大致成45°角的方向上延伸。
[0132]此外，在液晶顯示裝置700的上層電極12F，四個第一區(qū)域Rl的面積彼此大致相等。因此，能夠進一步提聞視野角特性。
[0133]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0134]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，能夠提供視野角特性優(yōu)異且各像素具有足夠高的光透射率的液晶顯示裝置。本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置即使為高精細，像素尺寸小，也能夠進行高質(zhì)量的顯示。
[0135]附圖標記的說明
[0136]10 有源矩陣基板(TFT基板)
[0137]1a絕緣性基板
[0138]11 薄膜晶體管(TFT)
[0139]Ila半導體層
[0140]Ilg柵極電極
[0141]Ils源極電極
[0142]Ild漏極電極
[0143]12、12A、12B、12C、12D、12E、12F 上層電極
[0144]12b 支部
[0145]12c對稱連接部
[0146]12s 狹縫
[0147]13 下層電極
[0148]14 電介質(zhì)層
[0149]15 掃描配線(柵極總線)
[0150]16 信號配線(源極總線)
[0151]17 柵極絕緣層
[0152]18 層間絕緣層
[0153]18a無機絕緣層
[0154]18b有機絕緣層
[0155]20 相對基板
[0156]20a絕緣性基板
[0157]21 相對電極
[0158]30 液晶層
[0159]31 液晶分子
[0160]40a、40b 偏振片
[0161]CH 接觸孔
[0162]Rl 上層電極的第一區(qū)域
[0163]R2 上層電極的第二區(qū)域
[0164]R3 上層電極的第三區(qū)域
[0165]100、200、300、400 液晶顯示裝置
[0166] 500、600、700 液晶顯示裝置
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，包括: 有源矩陣基板； 與所述有源矩陣基板相對的相對基板；和 設(shè)置在所述有源矩陣基板與所述相對基板之間的液晶層， 所述液晶顯示裝置具有配置成包括多個行和多個列的矩陣狀的多個像素，所述液晶顯示裝置的特征在于: 所述有源矩陣基板具有: 薄膜晶體管，其設(shè)置于所述多個像素中的各個像素，具有柵極電極、源極電極和漏極電極； 上層電極，其與所述薄膜晶體管的所述漏極電極電連接； 下層電極，其設(shè)置在所述上層電極的下方；和 電介質(zhì)層，其設(shè)置在所述上層電極與所述下層電極之間， 所述相對基板具有與所述上層電極相對的相對電極， 所述上層電極具有: 具有相互不同的電極結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域和第二區(qū)域；和 用于使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域與所述漏極電極電連接的第三區(qū)域， 所述上層電極的所述第三區(qū)域包括對稱連接部，該對稱連接部是具有相對于將各像素分割為沿行方向相鄰的兩個區(qū)域的假想的直線實質(zhì)上對稱的形狀的導電膜圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述有源矩陣基板還具有以覆蓋所述薄膜晶體管的方式設(shè)置的層間絕緣層， 在所述層間絕緣層和所述電介質(zhì)層，形成有接觸孔，該接觸孔是使所述漏極電極的一部分露出的接觸孔，所述上層電極的所述第三區(qū)域與所述漏極電極在所述接觸孔中電連接， 所述接觸孔的中心位于從所述假想的直線偏離的位置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述有源矩陣基板還具有: 掃描配線，其與行方向大致平行地延伸設(shè)置，與所述薄膜晶體管的所述柵極電極電連接；和 信號配線，其與列方向大致平行地延伸設(shè)置，與所述薄膜晶體管的所述源極電極電連接。
4.如權(quán)利要求1?3中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 在對所述液晶層施加有電壓時，在所述上層電極的所述第一區(qū)域上的所述液晶層生成的電場、與在所述上層電極的所述第二區(qū)域上的所述液晶層生成的電場的方向和/或強度不同。
5.如權(quán)利要求1?4中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 在所述多個像素中的某個像素顯示規(guī)定的中間灰度時， 所述某個像素的與所述上層電極的所述第一區(qū)域?qū)膮^(qū)域的亮度比所述某個像素的與所述上層電極的所述第二區(qū)域?qū)膮^(qū)域的亮度低。
6.如權(quán)利要求1?5中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 在所述上層電極的所述第一區(qū)域，形成有多個狹縫， 在所述上層電極的所述第二區(qū)域，未形成狹縫。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 在對所述液晶層施加有電壓時， 在所述上層電極的所述第一區(qū)域上的所述液晶層，液晶分子與所述多個狹縫大致平行地取向， 在所述上層電極的所述第二區(qū)域上的所述液晶層，液晶分子呈放射狀取向。
8.如權(quán)利要求6或7所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述上層電極的所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域相連。
9.如權(quán)利要求6或7所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述上層電極的所述第三區(qū)域與所述第二區(qū)域相連。
10.如權(quán)利要求1?9中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述液晶層是垂直取向型的液晶層。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述有源矩陣基板和所述相對基板中的至少一者具有垂直取向膜和取向維持層，該取向維持層設(shè)置在所述垂直取向膜與所述液晶層之間，在未對所述液晶層施加電壓時規(guī)定液晶分子的預傾斜方位。
12.如權(quán)利要求1?11中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述上層電極和所述下層電極被施加相互不同的電位。
13.如權(quán)利要求1?12中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述上層電極和所述下層電極分別由透明的導電材料形成。
14.如權(quán)利要求1?13中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述上層電極在從顯示面法線方向看時，隔著所述電介質(zhì)層與所述下層電極的至少一部分重疊， 所述上層電極、所述電介質(zhì)層和所述下層電極構(gòu)成輔助電容。
15.如權(quán)利要求1?14中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 還包括隔著所述液晶層彼此相對的一對偏振片。
16.如權(quán)利要求1?15中的任一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述薄膜晶體管具有氧化物半導體層。
17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述氧化物半導體層含In-Ga-Zn-O類的半導體。
【文檔編號】G02F1/1337GK104204927SQ201380018502
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月4日
【發(fā)明者】內(nèi)田誠一, 金子誠二, 小川康行, 高丸泰, 田中耕平, 村田充弘, 柴崎明, 久保木劍 申請人:夏普株式會社