本發明涉及感光性組合物。進一步詳細而言，涉及適于形成液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等圖像顯示裝置、觸摸面板、集成電路元件、固體拍攝元件等電子部件的平坦化膜、保護膜及層間絕緣膜等的感光性組合物。此外，涉及固化膜、液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置、及觸摸面板的制造方法。
背景技術：
：：在液晶顯示裝置、及有機電致發光顯示裝置等圖像顯示裝置、及觸摸面板等輸入裝置中，多數情況下設置有形成有圖案的層間絕緣膜。在層間絕緣膜的形成中，由于用于得到所需的圖案形狀的工序數少、并且可以得到充分的平坦性，所以廣泛使用感光性組合物。對于上述裝置中的層間絕緣膜，正在嘗試使用丙烯酸系樹脂作為膜形成成分(參照專利文獻1)。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2011-215596號公報技術實現要素：發明所要解決的課題感光性組合物中為了提高涂布性，經常使用表面活性劑。在專利文獻1中，也為了提高涂布性而使用氟系表面活性劑。然而，氟系表面活性劑有時在涂布后在涂膜的表面不均衡存在。當將使用感光性組合物而制造的固化膜作為永久膜使用時，經常在固化膜上層疊各種層。此時，若在膜表面中氟系表面活性劑不均衡存在，則有時層疊于固化膜上的上層與固化膜的密合性降低。因此，有時對固化膜的表層進行灰化處理等，從而將氟系表面活性劑不均衡存在的膜表層除去。這樣，以往，有時對于固化膜需要灰化處理等工序，有時工序數增加。近年來，期望削減工序數，簡化工序和抑制制造成本。因而，本發明的目的在于提供涂布性良好、且能夠制造與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜的感光性組合物。此外，在于提供固化膜、液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置、及觸摸面板的制造方法。用于解決課題的手段基于所述狀況，本發明人進行了研究，結果發現，通過使感光性組合物中含有后述的具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S，涂布性良好，并且，能夠不經由灰化等工序而制造與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜，從而完成本發明。即，本發明提供以下方案。<1>一種感光性組合物，其包含：聚合物成分A，其包含含有具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元a1的聚合物A1；產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑B；溶劑C；和具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S，相對于聚合物成分A的100質量份，含有0.001～20質量份的化合物S，所述感光性組合物滿足下述的a～c中的至少一個必要條件；a：聚合物A1進一步包含具有交聯性基團的構成單元a2；b：聚合物成分A包含含有具有交聯性基團的構成單元a2的聚合物；c：感光性組合物進一步包含具有交聯性基團的分子量為1,000以下的化合物；[化學式1]式中，波浪線表示與構成化合物S的原子團的鍵合位置，R1表示烷基，R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或2價的連結基團，在L1表示2價的連結基團的情況下，R1也可以與L1鍵合而形成環，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳原子數為1～12的烷基，n表示0～30的整數，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n為2～30時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基，R100表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，多個L100可以相同，也可以不同。<2>根據<1>所述的感光性組合物，其中，化合物S為具有在側鏈上具有式S1所表示的結構的構成單元S1-1和在側鏈上具有式S2所表示的結構的構成單元S2-1的聚合物。<3>根據<1>或<2>所述的感光性組合物，其中，化合物S為具有式S1-2所表示的構成單元和式S2-2所表示的構成單元的聚合物；[化學式2]式中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或2價的連結基團，在L10表示2價的連結基團的情況下，R12也可以與L10鍵合而形成環，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基，L101表示碳原子數為1～12的亞烷基，R101表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，n1表示0～30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n1為2～30時，多個L101可以相同，也可以不同。<4>根據<1>～<3>中任一項所述的感光性組合物，其中，化合物S為具有式S1-3所表示的構成單元和式S2-3所表示的構成單元的聚合物；[化學式3]式中，R21表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，R22表示碳原子數為1～3的烷基，R23表示氫原子，L20表示碳原子數為1～12的亞烷基，Rf1表示碳原子數為3～6的全氟烷基，R22也可以與L20鍵合而形成環，L201表示碳原子數為1～12的亞烷基，R201表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，n2表示1～20的整數，當n2為2～20時，多個L201可以相同，也可以不同。<5>根據<2>～<4>中任一項所述的感光性組合物，其中，化合物S為含有化合物S的全部構成單元的70質量％以上的構成單元S1-1和構成單元S2-1的聚合物，并且，構成單元S1-1與構成單元S2-1的質量比為構成單元S1-1：構成單元S2-1＝5：95～95：5。<6>根據<1>～<5>中任一項所述的感光性組合物，其中，化合物S的重均分子量為100～100000。<7>根據<1>～<6>中任一項所述的感光性組合物，其中，構成單元a1以式A2’表示；[化學式4]式中，R1及R2分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R1及R2中的至少一個為烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚，R4表示氫原子或甲基，X表示單鍵或亞芳基。<8>根據<1>～<7>中任一項所述的感光性組合物，其中，交聯性基團為選自環氧基及氧雜環丁烷基中的至少1種。<9>一種固化膜的制造方法，其包括以下工序：將<1>～<8>中任一項所述的感光性組合物涂布到基板上的工序；從所涂布的感光性組合物中除去溶劑的工序；將除去了溶劑的感光性組合物利用活性光線進行曝光的工序；將曝光后的感光性組合物利用顯影液進行顯影的工序；以及將顯影后的感光性組合物進行熱固化的工序。<10>一種液晶顯示裝置的制造方法，其包含<9>所述的固化膜的制造方法。<11>一種有機電致發光顯示裝置的制造方法，其包含<9>所述的固化膜的制造方法。<12>一種觸摸面板的制造方法，其包含<9>所述的固化膜的制造方法。發明效果能夠提供涂布性良好、并且能夠不經由灰化等工序而制造與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜的感光性組合物。此外，能夠提供固化膜的制造方法、固化膜及裝置。附圖說明圖1表示液晶顯示裝置的一個例子的構成概念圖。圖2是液晶顯示裝置的其他例子的構成概念圖。圖3表示有機EL顯示裝置的一個例子的構成概念圖。圖4是表示靜電容量方式的觸摸面板的構成例的剖面圖。圖5是表示正面板的一個例子的說明圖。圖6是表示第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的一個例子的說明圖。圖7是表示具有觸摸面板的功能的液晶顯示裝置的一個例子的概略圖。圖8是表示具有觸摸面板的功能的液晶顯示裝置的一個例子的概略圖。具體實施方式以下，對本發明的內容進行詳細說明。以下記載的構成要件的說明有時基于本發明的代表性實施方式而進行，但是本發明并不限定于這樣的實施方式。另外，本說明書中“～”以將其前后記載的數值作為下限值及上限值包含的意思使用。在本說明書中的基團(原子團)的表述中，未記載取代及未取代的表述包含不具有取代基的基團(原子團)，同時也包含具有取代基的基團(原子團)。例如所謂“烷基”，不僅包含不具有取代基的烷基(未取代烷基)，而且也包含具有取代基的烷基(取代烷基)。另外，本說明書中，“(甲基)丙烯酸酯”表示“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”，“(甲基)丙烯酸基”表示“丙烯酸基”及“甲基丙烯酸基”，“(甲基)丙烯酰基”表示“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”。本說明書中，重均分子量(Mw)及數均分子量(Mn)作為利用凝膠滲透色譜法(GPC)測定的聚苯乙烯換算值來定義。本發明的感光性組合物為一種感光性組合物，其包含后述的聚合物成分A、產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑B、溶劑C和后述的具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S，相對于聚合物成分A100質量份，含有0.001～20質量份的化合物S，滿足下述的a～c中的至少一個必要條件。a：聚合物A1進一步包含具有交聯性基團的構成單元a2；b：聚合物成分A包含含有具有交聯性基團的構成單元a2的聚合物；c：感光性組合物進一步包含具有交聯性基團的分子量為1,000以下的化合物。根據本發明，通過使用上述構成的感光性組合物，涂布性良好，并且，能夠不經由灰化等工序而制造與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜。本發明的效果體現的機制如下述那樣推定。即，后述的式S1所表示的結構由于具有氟烷基，所以疏水性優異，式S2所表示的結構由于具有親水性基，所以親水性優異。推定兼具兩者的結構的化合物S作為表面活性劑發揮功能，能夠得到優異的涂布性。此外，認為化合物S所具有的式S1所表示的結構由于氟烷基介由縮醛鍵而鍵合，所以在加熱時等情況下縮醛鍵被切斷，氟烷基部分容易脫離而揮發，氟難以不均衡地存在于固化膜的表層。因此，推定能夠不經由灰化等工序而制造與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜。進而，化合物S所具有的式S1所表示的結構由于氟烷基介由縮醛鍵而鍵合，所以通過磺酸等酸的作用而縮醛鍵被切斷，氟烷基部分脫離。因此在暴露于酸中的部分中疏液性降低。因此，本發明的感光性組合物具有以下優異的特性：除了涂布性和上層密合優異以外，而且沒有因堿顯影而產生的顯影殘渣，顯影圖案的邊緣的粗糙度小。本發明的感光性組合物可以作為化學放大型正型感光性組合物優選使用。以下對本發明進行詳細說明。<聚合物成分A>本發明的感光性組合物包含含有具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元a1的聚合物A1。其中，本發明的感光性組合物滿足下述的a～c中的至少一個必要條件。a：聚合物A1進一步包含具有交聯性基團的構成單元a2。b：聚合物成分A包含含有具有交聯性基團的構成單元a2的聚合物。c：感光性組合物進一步包含具有交聯性基團的分子量為1,000以下的化合物(交聯劑)。因此，在感光性組合物不含有具有交聯性基團的分子量為1,000以下的化合物的情況下，聚合物成分A優選滿足下述(1)及(2)中的至少一個。(1)：包含含有具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元a1和具有交聯性基團的構成單元a2的聚合物Ax1的聚合物成分。(2)：包含含有具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元a1的聚合物Ax2和含有具有交聯性基團的構成單元a2的聚合物Ax3的聚合物成分。以下，將具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元a1也稱為構成單元(a1)。此外，將具有交聯性基團的構成單元a2也稱為構成單元(a2)。本發明中，聚合物成分意味著除了包含上述聚合物以外，還包含根據需要添加的其他的聚合物的聚合物成分。在上述(1)的方式中，是包含至少1種聚合物Ax1，且聚合物Ax1具有構成單元(a1)、及構成單元(a2)的方式。構成單元(a1)、構成單元(a2)也可以分別包含2種以上。此外，也可以包含后述的構成單元(a3)、構成單元(a4)等。在上述(2)的方式中，是包含具有構成單元(a1)的聚合物Ax2和具有構成單元(a2)的聚合物Ax3的方式。包含構成單元(a1)的聚合物Ax2也可以進一步包含構成單元(a2)。同樣地，包含構成單元(a2)的聚合物Ax3也可以包含構成單元(a1)。這樣的情況下，成為滿足1和2這兩者的方式。此外，聚合物Ax2及聚合物Ax3也可以包含后述的構成單元(a3)、構成單元(a4)等。在上述(2)的方式中，聚合物Ax2與聚合物Ax3的質量比例優選為95：5～5：95，更優選為80：20～20：80，進一步優選為70：30～30：70。本發明中，聚合物成分A優選為加成聚合型的聚合物，更優選為包含來自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構成單元的聚合物。另外，也可以具有除來自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構成單元以外的構成單元、例如來自苯乙烯的構成單元、或來自乙烯基化合物的構成單元等。將“來自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構成單元”也稱為“丙烯酸系構成單元”。<<構成單元(a1)>>聚合物成分A至少含有具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元a1(構成單元(a1))。聚合物成分A通過含有構成單元(a1)，能夠制成高感度的感光性組合物。本發明中的“酸基被酸分解性基團保護的基團”意味著以酸作為催化劑(或引發劑)引起脫保護反應、從而產生酸基和被再生的酸分解而成的結構的基團。關于本發明中的“酸基被酸分解性基團保護的基團”，作為酸基及酸分解性基團可以使用公知的基團，沒有特別限定。作為酸基，優選羧基、及酚性羥基。作為酸分解性基團，可列舉出通過酸比較容易分解的基團(例如后述的酯結構、四氫吡喃酯基、或四氫呋喃酯基等縮醛系官能團)、或通過酸比較難分解的基團(例如叔丁酯基等叔烷基酯基、碳酸叔丁酯基等碳酸叔烷基酯基)等。構成單元(a1)優選為具有羧基被酸分解性基團保護的保護羧基的構成單元(以下，也稱為“具有被酸分解性基團保護的保護羧基的構成單元”)、或具有酚性羥基被酸分解性基團保護的保護酚性羥基的構成單元(以下，也稱為“具有被酸分解性基團保護的保護酚性羥基的構成單元”)。以下，依次對具有被酸分解性基團保護的保護羧基的構成單元(a1-1)、和具有被酸分解性基團保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)，分別進行說明。<<<具有被酸分解性基團保護的保護羧基的構成單元(a1-1)>>>構成單元(a1-1)為含有具有羧基的構成單元的羧基被以下說明的酸分解性基團保護的保護羧基的構成單元。作為具有羧基的構成單元，可以沒有特別限制地使用公知的構成單元。可列舉出例如來自在分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構成單元(a1-1-1)。作為上述不飽和羧酸，也可以是不飽和單羧酸、不飽和多元羧酸、或其酸酐。例如可列舉出日本特開2014-238438號公報的段落0043中記載的化合物。其中，從顯影性的觀點出發，優選丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基鄰苯二甲酸、或不飽和多元羧酸的酐等，更優選丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氫鄰苯二甲酸。構成單元(a1-1-1)可以由1種單獨構成，也可以由2種以上構成。作為可以用于構成單元(a1-1)的酸分解性基團，可列舉出上述的酸分解性基團。這些酸分解性基團中，優選具有酸基以縮醛的形式被保護的結構的基團。例如，羧基為以縮醛的形式被保護的保護羧基，這從感光性組合物的基本物性、特別是感度或圖案形狀、接觸孔的形成性、感光性組合物的保存穩定性的觀點出發是優選的。進而，羧基為下述式(a1-10)所表示的以縮醛的形式被保護的保護羧基，這從感度的觀點出發更優選。另外，當羧基為下述式(a1-10)所表示的以縮醛的形式被保護的保護羧基時，作為保護羧基的整體，成為-(C＝O)-O-CR101R102(OR103)的結構。式(a1-10)[化學式5]式(a1-10)中，R101及R102分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基。其中，將R101與R102均為氫原子的情況除外。R103表示烷基或芳基。R101或R102與R103也可以連結而形成環狀醚。R101～R103所表示的烷基可以為直鏈、支鏈、環狀中的任一種。作為直鏈或支鏈的烷基，優選碳原子數為1～12，更優選碳原子數為1～6，進一步優選碳原子數為1～4。具體而言，可列舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、叔己基(2,3-二甲基丁烷-2-基)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。作為環狀的烷基，優選碳原子數為3～12，更優選碳原子數為4～8，進一步優選碳原子數為4～6。作為上述環狀烷基，可列舉出例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、異冰片基等。烷基也可以具有取代基，作為取代基，可例示出鹵素原子、芳基、烷氧基。在具有鹵素原子作為取代基時，R101、R102、R103成為鹵代烷基，在具有芳基作為取代基時，R101、R102、R103成為芳烷基。作為上述鹵素原子，可例示出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，它們中，優選氟原子或氯原子。此外，作為上述芳基，優選碳原子數為6～20的芳基，更優選碳原子數為6～12，具體而言，可例示出苯基、α-甲基苯基、萘基等，作為被芳基取代的烷基整體、即芳烷基，可例示出芐基、α-甲基芐基、苯乙基、萘基甲基等。作為上述烷氧基，優選碳原子數為1～6的烷氧基，更優選碳原子數為1～4的烷氧基，進一步優選甲氧基或乙氧基。此外，在上述烷基為環狀的烷基時，也可以具有碳原子數為1～10的直鏈或支鏈的烷基作為取代基。此外，在烷基為直鏈或支鏈的烷基的情況下，也可以具有碳原子數為3～12的環狀的烷基作為取代基。這些取代基也可以被上述取代基進一步取代。R101～R103所表示的芳基優選為碳原子數為6～12的芳基，更優選為碳原子數為6～10的芳基。上述芳基也可以具有取代基，作為上述取代基，可優選例示出碳原子數為1～6的烷基。作為芳基的具體例子，例如可例示出苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、1-萘基等。R101、R102及R103可以彼此鍵合并與它們所鍵合的碳原子一起形成環。作為R101與R102、R101與R103或R102與R103鍵合時的環結構，可列舉出例如環丁基、環戊基、環己基、環庚基、四氫呋喃基、金剛烷基及四氫吡喃基等。另外，在上述式(a1-10)中，R101及R102中的任一者優選為氫原子或甲基。為了形成具有上述式(a1-10)所表示的保護羧基的構成單元而使用的自由基聚合性單體可以使用市售的自由基聚合性單體，也可以使用通過公知的方法合成的自由基聚合性單體。上述的自由基聚合性單體例如可以利用日本特開2011-221494號公報的段落號0037～0040中記載的合成方法等來合成，其內容被納入本說明書中。上述構成單元(a1-1)的第一優選的方式為下述式A2’所表示的構成單元。[化學式6]式中，R1及R2分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R1及R2中的至少一個為烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2與R3也可以連結而形成環狀醚，R4表示氫原子或甲基，X表示單鍵或亞芳基。當R1及R2為烷基時，優選為碳原子數為1～10的烷基。當R1及R2為芳基時，優選為苯基。R1及R2分別獨立地優選為氫原子或碳原子數為1～4的烷基。R3表示烷基或芳基，優選碳原子數為1～10的烷基，更優選1～6的烷基。X表示單鍵或亞芳基，優選為單鍵。上述構成單元(a1-1)的第二優選的方式為下述式(1-12)所表示的構成單元。式(1-12)[化學式7](式(1-12)中，R121表示氫原子或碳原子數為1～4的烷基，L1表示羰基或亞苯基，R122～R128分別獨立地表示氫原子或碳原子數為1～4的烷基。)R121優選為氫原子或甲基。L1優選為羰基。R122～R128優選為氫原子。作為上述構成單元(a1-1)的優選的具體例子，可例示出下述的構成單元。另外，R表示氫原子或甲基。[化學式8]<<<具有被酸分解性基團保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)>>>作為具有被酸分解性基團保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)，可列舉出羥基苯乙烯系構成單元或酚醛清漆系的樹脂中的構成單元。它們中，來自羥基苯乙烯、或α-甲基羥基苯乙烯的構成單元從感度的觀點出發是優選的。此外，作為具有酚性羥基的構成單元，日本特開2014-238438號公報的段落0065～0073中記載的構成單元從感度的觀點出發也是優選的。(構成單元(a1)的優選的方式)當含有上述構成單元(a1)的聚合物實質上不含有構成單元(a2)時，構成單元(a1)的含量優選為聚合物的構成單元的20～100摩爾％，更優選為30～90摩爾％。另外，所謂實質上不含有構成單元(a2)是在聚合物的全部構成單元中，構成單元(a2)的含量優選為0.5摩爾％以下，更優選為0.1摩爾％以下，進一步優選不含有構成單元(a2)。當含有上述構成單元(a1)的聚合物含有構成單元(a2)時，構成單元(a1)的含量優選為聚合物的構成單元的3～70摩爾％，更優選為10～60摩爾％。此外，特別是當能用于上述構成單元(a1)的上述酸分解性基團為具有羧基以縮醛的形式被保護的保護羧基的構成單元時，優選為20～50摩爾％。此外，構成單元(a1)的含量優選為聚合物成分的構成單元的3～70摩爾％，更優選為10～60摩爾％，進一步優選為20～50摩爾％。另外，本發明中，當將“構成單元”的含量以摩爾比來規定時，“構成單元”與“單體單元”含義相同。此外，本發明中，“單體單元”也可以通過高分子反應等在聚合后被修飾。以下也同樣。若上述構成單元(a1-1)與上述構成單元(a1-2)相比，則有顯影較快的特征。因而，在欲快速顯影的情況下，優選為構成單元(a1-1)。相反地在欲減慢顯影的情況下，優選使用構成單元(a1-2)。<<具有交聯性基團的構成單元(a2)>>聚合物成分A優選含有具有交聯性基團的構成單元(a2)。根據該方式，可以得到耐熱性優異的固化膜。交聯性基團只要是一個大氣壓下的加熱處理時的交聯反應的引發溫度為100℃以上的基團則沒有特別限定。交聯反應的引發溫度可以使用公知的方法進行分析，例如可以通過使用了DSC測定(Differentialscanningcalorimetry)的方法進行分析。作為具有交聯性基團的構成單元的方式，可列舉出包含選自由環氧基、氧雜環丁烷基、-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳原子數為1～20的烷基)所表示的基團及烯屬不飽和基團組成的組中的至少一個的構成單元。交聯性基團優選為選自由環氧基、氧雜環丁烷基、及-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳原子數為1～20的烷基)所表示的基團中的至少1種，更優選為環氧基和/或氧雜環丁烷基。<<<具有環氧基和/或氧雜環丁烷基的構成單元(a2-1)>>>聚合物成分A優選含有包含具有環氧基和/或氧雜環丁烷基的構成單元(a2-1)的聚合物。另外，3元環的環狀醚基也稱為環氧基，4元環的環狀醚基也稱為氧雜環丁烷基。上述構成單元(a2-1)只要在一個構成單元中具有至少一個環氧基或氧雜環丁烷基即可。雖然沒有特別限定，但優選具有合計1個～3個環氧基和/或氧雜環丁烷基，更優選具有1個或2個，進一步優選具有一個環氧基或氧雜環丁烷基。作為為了形成具有環氧基的構成單元而使用的自由基聚合性單體的具體例子，可列舉出例如丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、α-乙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丁基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸3,4-環氧丁酯、甲基丙烯酸3,4-環氧丁酯、丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、α-乙基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、鄰乙烯基芐基縮水甘油醚、間乙烯基芐基縮水甘油醚、對乙烯基芐基縮水甘油醚、日本專利第4168443號公報的段落號0031～0035中記載的含有脂環式環氧骨架的化合物等，這些內容被納入本說明書中。作為為了形成具有氧雜環丁烷基的構成單元而使用的自由基聚合性單體的具體例子，可列舉出例如日本特開2001-330953號公報的段落號0011～0016中記載的具有氧雜環丁烷基的(甲基)丙烯酸酯、日本特開2012-088459公報的段落號0027中記載的化合物等，這些內容被納入本說明書中。它們中優選的單體是甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、鄰乙烯基芐基縮水甘油醚、間乙烯基芐基縮水甘油醚、對乙烯基芐基縮水甘油醚、丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯、及甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯。這些單體可以單獨使用一種或將兩種以上組合使用。作為上述構成單元(a2-1)的優選的具體例子，可例示出下述的構成單元。另外，下述的構成單元中，R表示氫原子或甲基。[化學式9]<<<具有烯屬不飽和基團的構成單元(a2-2)>>>作為上述具有交聯性基團的構成單元(a2)的一種，可列舉出具有烯屬不飽和基團的構成單元(a2-2)。構成單元(a2-2)優選為在側鏈上具有烯屬不飽和基團的構成單元，更優選為具有碳原子數為3～16的側鏈、且在側鏈末端具有烯屬不飽和基團的構成單元。此外，關于構成單元(a2-2)，可列舉出日本特開2011-215580號公報的段落號0072～0090的記載及日本特開2008-256974的段落號0013～0031中記載的化合物等作為優選的例子，這些內容被納入本說明書中。<<<具有-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳原子數為1～20的烷基)所表示的基團的構成單元(a2-3)>>>構成單元(a2)也優選為具有-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳原子數為1～20的烷基)所表示的基團的構成單元(a2-3)。通過含有構成單元(a2-3)，可以通過緩慢的加熱處理來引起固化反應，可以獲得各種特性優異的固化膜。R優選為碳原子數為1～9的烷基，更優選為碳原子數為1～4的烷基。此外，烷基可以為直鏈、支鏈或環狀的烷基中的任一種，但優選為直鏈或支鏈的烷基。構成單元(a2-3)更優選為下述式(a2-30)所表示的構成單元。式(a2-30)[化學式10]式(a2-30)中，R1表示氫原子或甲基，R2表示氫原子或碳原子數為1～20的烷基。R2優選為碳原子數為1～9的烷基，進一步優選為碳原子數為1～4的烷基。此外，烷基可以為直鏈、支鏈或環狀的烷基中的任一種，但優選為直鏈或支鏈的烷基。作為R2的具體例子，可列舉出甲基、乙基、正丁基、異丁基、環己基、及正己基。其中，優選為異丁基、正丁基、甲基。(構成單元(a2)的優選的方式)在含有上述構成單元(a2)的聚合物實質上不含有構成單元(a1)的情況下，構成單元(a2)的含量優選為聚合物的全部構成單元的5～90摩爾％，更優選為20～80摩爾％。另外，所謂實質上不含有構成單元(a1)的聚合物是在聚合物的全部構成單元中，構成單元(a1)的含量優選為0.5摩爾％以下，更優選為0.1摩爾％以下，進一步優選不含有構成單元(a1)。在含有上述構成單元(a2)的聚合物含有上述構成單元(a1)的情況下，構成單元(a2)的含量優選為聚合物的全部構成單元的3～70摩爾％，更優選為10～60摩爾％。本發明中，進而，無論為哪一方式，在聚合物成分A的全部構成單元中，構成單元(a2)的含量優選為3～70摩爾％，更優選為10～60摩爾％。通過設定為上述的數值的范圍內，可以形成各種特性優異的固化膜。此外，本發明的聚合物成分也可以為實質上不含有構成單元(a2)的方式。所謂實質上不含有構成單元(a2)是例如在聚合物成分A的全部構成單元中，構成單元(a2)的含量優選為1摩爾％以下，更優選為0.5摩爾％以下，進一步優選不含有。<<具有酸基的構成單元(a3)>>本發明中，聚合物成分A也可以含有具有酸基的構成單元(a3)。構成單元(a3)可以是具有上述構成單元(a1)的聚合物所具有，也可以是實質上不含有上述構成單元(a1)的聚合物所包含。通過聚合物成分具有構成單元(a3)，變得容易溶解于堿性的顯影液中，顯影性提高。進而，感度優異。作為酸基，可例示出羧基、磺酰胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基、磺酰胺基、磺酰基亞胺基、以及這些酸基的酸酐基，優選為羧基和/或酚性羥基。即，構成單元(a3)優選為具有羧基的構成單元、及具有酚性羥基的構成單元。構成單元(a3)更優選為來自苯乙烯的構成單元、來自乙烯基化合物的構成單元、來自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構成單元。例如可以使用日本特開2012-88459號公報的段落0021～0023及段落0029～0044記載的化合物，其內容被納入本說明書中。其中，優選為來自對羥基苯乙烯、(甲基)丙烯酸、馬來酸、馬來酸酐的構成單元。作為具有構成單元(a3)的聚合物，優選為在側鏈上具有羧基的聚合物。可列舉出例如在日本特開昭59-44615號、日本特公昭54-34327號、日本特公昭58-12577號、日本特公昭54-25957號、日本特開昭59-53836號、日本特開昭59-71048號的各公報中記載的那樣的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、巴豆酸共聚物、馬來酸共聚物、部分酯化馬來酸共聚物等、以及在側鏈上具有羧基的酸性纖維素衍生物、在具有羥基的聚合物上加成酸酐而成的物質等，進而還可列舉出在側鏈上具有(甲基)丙烯酰基的聚合物作為優選的例子。可列舉出例如(甲基)丙烯酸芐酯/(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯/(甲基)丙烯酸芐酯/(甲基)丙烯酸共聚物、日本特開平7-140654號公報中記載的(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羥基乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羥基乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物等。除此以外，還可以使用日本特開平7-207211號公報、日本特開平8-259876號公報、日本特開平10-300922號公報、日本特開平11-140144號公報、日本特開平11-174224號公報、日本特開2000-56118號公報、日本特開2003-233179號公報、日本特開2009-52020號公報等中記載的公知的高分子化合物，這些內容被納入本說明書中。這些聚合物也可以使用市售的SMA1000P、SMA2000P、SMA3000P、SMA1440F、SMA17352P、SMA2625P、SMA3840F(以上為Sartomer公司制)、ARUFONUC-3000、ARUFONUC-3510、ARUFONUC-3900、ARUFONUC-3910、ARUFONUC-3920、ARUFONUC-3080(以上為東亞合成株式會社制)、Joncryl690、Joncryl678、Joncryl67、Joncryl586(以上為BASF制)等。(構成單元(a3)的優選的方式)當具有上述構成單元(a3)的聚合物含有構成單元(a1)及構成單元(a2)時，構成單元(a3)的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為1～30摩爾％，更優選為3～20摩爾％，進一步優選為5～15摩爾％。當具有上述構成單元(a3)的聚合物僅含有構成單元(a1)及構成單元(a2)中的任一者時，構成單元(a3)的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為1～50摩爾％，更優選為5～45摩爾％，進一步優選為10～40摩爾％。當含有上述構成單元(a3)的聚合物實質上不含有構成單元(a1)及構成單元(a2)時，構成單元(a3)的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為1～50摩爾％，更優選為2～40摩爾％，進一步優選為3～30摩爾％。本發明中，進而，無論為哪一方式，在聚合物成分A的全部構成單元中，構成單元(a3)的含量優選為1～80摩爾％，更優選為1～50摩爾％，進一步優選為5～40摩爾％，特別優選為5～30摩爾％，最優選為5～25摩爾％。<<(a4)其它構成單元>>聚合物成分A除了含有構成單元(a1)以外，還可以含有除上述的構成單元(a1)～(a3)以外的其它構成單元(a4)。構成單元(a4)也可以是具有構成單元(a1)的聚合物所包含。此外，也可以是實質上不含有構成單元(a1)的聚合物所包含。作為成為構成單元(a4)的單體，沒有特別限制，可列舉出例如苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、二環不飽和化合物類、馬來酰亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、其它不飽和化合物。具體而言，可列舉出苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羥基苯甲酸(3-甲基丙烯酰氧基丙基)酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酰基嗎啉、N-環己基馬來酰亞胺、丙烯腈、乙二醇單乙酰乙酸酯單(甲基)丙烯酸酯等。此外，可列舉出日本特開2004-264623號公報的段落號0021～0024中記載的化合物。構成單元(a4)為苯乙烯類或具有脂肪族環式骨架的構成單元從電特性的觀點出發是優選的。具體而言，可列舉出苯乙烯、甲基苯乙烯、羥基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸芐酯等。構成單元(a4)為(甲基)丙烯酸烷基酯從密合性的觀點出發是優選的。具體而言，可列舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更優選為(甲基)丙烯酸甲酯。在構成聚合物的全部構成單元中，上述的構成單元(a4)的含量優選為60摩爾％以下，更優選為50摩爾％以下，進一步優選為40摩爾％以下。作為下限值，也可以為0摩爾％，但例如優選設定為1摩爾％以上，更優選設定為5摩爾％以上。若為上述的數值的范圍內，則固化膜的各種特性變得良好。(聚合物成分A的優選的實施方式)以下，列舉出聚合物成分A的優選的實施方式，但本發明并不限定于這些。(第1實施方式)在上述的(1)的方式中，具有構成單元(a1)及構成單元(a2)的聚合物Ax1進一步具有1種或2種以上的構成單元(a3)和/或構成單元(a4)的方式。(第2實施方式)在上述的(2)的方式中，具有構成單元(a1)的聚合物Ax2進一步具有1種或2種以上的構成單元(a3)和/或構成單元(a4)的方式。(第3實施方式)在上述的(2)的方式中，具有構成單元(a2)的聚合物Ax3進一步具有1種或2種以上的構成單元(a3)和/或構成單元(a4)的方式。(第4實施方式)在上述第1～第3實施方式中的任一者中，聚合物包含構成單元(a3)的方式。(第5實施方式)在上述的(1)和/或(2)的方式中，進一步包含實質上不包含構成單元(a1)及構成單元(a2)且具有構成單元(a3)和/或構成單元(a4)的聚合物Ax4的方式。(第6實施方式)由上述第1～第5實施方式中的2個以上的組合構成的方式。在上述第5實施方式中，具有構成單元(a1)和/或構成單元(a2)的聚合物的合計量與上述的聚合物Ax4的質量比例優選為99：1～5：95，更優選為97：3～30：70，進一步優選為95：5～50：50。本發明的感光性組合物優選以感光性組合物的固體成分的70質量％以上的比例包含聚合物成分A，更優選為70～99質量％。<<聚合物成分A的分子量>>聚合物成分A中包含的聚合物的重均分子量優選為1,000～200,000，更優選為2,000～50,000。若為上述范圍內，則各種特性良好。重均分子量(Mw)與數均分子量(Mn)的比即分散度(Mw/Mn)優選為1.0～5.0，更優選為1.5～3.5。<<聚合物成分A的制造方法>>聚合物成分A的制造方法已知有各種方法，但若列舉出一個例子，則可以通過將包含為了形成上述的各構成單元而使用的自由基聚合性單體的混合物在有機溶劑中使用自由基聚合引發劑進行聚合來合成。此外，也可以通過所謂的高分子反應來進行合成。聚合物成分A優選相對于全部構成單元含有50摩爾％以上的來自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構成單元，更優選含有80摩爾％以上。<光酸產生劑B>本發明的感光性組合物含有產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑B。作為光酸產生劑，優選為對波長為300nm以上、優選波長為300～450nm的活性光線感應而產生酸的化合物，但對于其化學結構沒有限制。此外，關于對波長為300nm以上的活性光線不直接感應的光酸產生劑，只要是通過與敏化劑并用而對波長為300nm以上的活性光線感應而產生酸的化合物，則也可以與敏化劑組合而優選使用。作為本發明中使用的光酸產生劑，優選為產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑，更優選為產生pKa為2以下的酸的光酸產生劑。另外，本發明中，pKa基本是指25℃的水中的pKa。在水中無法測定的pKa是指變更為適于測定的溶劑而測定得到的pKa。具體而言，可以參考化學便覽等中記載的pKa。作為pKa為3以下的酸，優選為磺酸或膦酸，更優選為磺酸。作為光酸產生劑的例子，可列舉出鎓鹽化合物、三氯甲基-s-三嗪類、锍鹽、碘鎓鹽、季銨鹽類、重氮甲烷化合物、酰亞胺磺酸酯化合物、及肟磺酸酯化合物等。它們中，優選鎓鹽化合物、酰亞胺磺酸酯化合物、肟磺酸酯化合物，特別優選鎓鹽化合物、肟磺酸酯化合物。光酸產生劑可以單獨使用一種或將兩種以上組合使用。作為三氯甲基-s-三嗪類、二芳基碘鎓鹽類、三芳基锍鹽類、季銨鹽類、及重氮甲烷化合物的具體例子，可例示出日本特開2011-221494號公報的段落號0083～0088中記載的化合物、或日本特開2011-105645號公報的段落號0013～0049中記載的化合物，這些內容被納入本說明書中。作為酰亞胺磺酸酯化合物的具體例子，可例示出WO2011/087011號公報的段落號0065～0075中記載的化合物，這些內容被納入本說明書中。作為鎓鹽，可優選例示出二芳基碘鎓鹽類或三芳基锍鹽類。作為二芳基碘鎓鹽類，優選可列舉出二苯基碘鎓三氟乙酸鹽、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟乙酸鹽、苯基-4-(2’-羥基-1’-十四烷氧基)苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、4-(2’-羥基-1’-十四烷氧基)苯基碘鎓六氟銻酸鹽、苯基-4-(2’-羥基-1’-十四烷氧基)苯基碘鎓-對甲苯磺酸鹽。作為三芳基锍鹽類，優選可列舉出三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、三苯基锍三氟乙酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基锍三氟乙酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基锍三氟甲烷磺酸鹽、或4-苯基硫代苯基二苯基锍三氟乙酸鹽。作為肟磺酸酯化合物、即具有肟磺酸酯結構的化合物，可優選例示出含有下述式(B1-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物。式(B1-1)[化學式11]式(B1-1)中，R21表示烷基或芳基。波浪線表示與其它基團的鍵合。式(B1-1)中，R21所表示的烷基及芳基可以被取代。此外，R21所表示的烷基可以是直鏈狀，也可以是支鏈狀，還可以是環狀。作為R21所表示的烷基，優選為碳原子數為1～10的直鏈或支鏈的烷基。R21的烷基也可以被鹵素原子、碳原子數為6～11的芳基、碳原子數為1～10的烷氧基、或環狀的烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋聯式脂環基，優選二環烷基等)取代。作為R21所表示的芳基，優選為碳原子數為6～11的芳基，更優選為苯基或萘基。R21的芳基也可以被低級烷基、烷氧基或鹵素原子取代。含有上述式(B1-1)所表示的肟磺酸酯結構的上述化合物也優選為日本特開2014-238438號公報段落0108～0133中記載的肟磺酸酯化合物。作為酰亞胺磺酸酯系化合物，優選萘酰亞胺系化合物，可以參考國際公開WO11/087011號小冊子的記載，這些內容被納入本說明書中。本發明中，特別優選可列舉出三氟甲基磺酰氧基二環[2.2.1]庚-5-烯二羧基酰亞胺、琥珀酰亞胺三氟甲基磺酸酯、鄰苯二甲酰亞胺三氟甲基磺酸酯、N-羥基萘二甲酰亞胺甲烷磺酸酯、N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羧基酰亞胺丙磺酸酯。本發明的感光性組合物中，光酸產生劑的含量相對于感光性組合物的全部固體成分100質量份優選為0.1～20質量份。下限更優選為例如0.2質量份以上，進一步優選為0.5質量份以上。上限更優選為例如10質量份以下，進一步優選為5質量份以下。<溶劑C>本發明的感光性組合物含有溶劑C。本發明的感光性組合物優選以將本發明的必須成分和進而后述的任選的成分溶解到溶劑中而成的溶液的形式調制。作為溶劑，優選為將必須成分及任選成分溶解、且不與各成分發生反應的溶劑。本發明中，作為溶劑，可以使用公知的溶劑。可例示出例如乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類(例如二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲基乙基醚等)、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、酯類、酮類、酰胺類、內酯類等。此外，還可列舉出日本特開2011-221494號公報的段落號0174～0178中記載的溶劑、日本特開2012-194290公報的段落號0167～0168中記載的溶劑，這些內容被納入本說明書中。此外，也可以在這些溶劑中進一步根據需要添加芐基乙基醚、二己基醚、乙二醇單苯基醚乙酸酯、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、異佛爾酮、已酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、芐基醇、茴香醚、醋酸芐酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯等溶劑。這些溶劑可以單獨使用1種或將2種以上混合使用。溶劑可以為單獨1種，也可以使用2種以上。當使用2種以上時，進一步優選例如將丙二醇單烷基醚乙酸酯類與二烷基醚類、二乙酸酯類與二乙二醇二烷基醚類、或酯類與丁二醇烷基醚乙酸酯類并用。溶劑優選為沸點為130℃以上且低于160℃的溶劑、沸點為160℃以上的溶劑、或它們的混合物。作為沸點為130℃以上且低于160℃的溶劑，可例示出丙二醇單甲基醚乙酸酯(沸點為146℃)、丙二醇單乙基醚乙酸酯(沸點為158℃)、丙二醇甲基-正丁基醚(沸點為155℃)、丙二醇甲基-正丙基醚(沸點為131℃)。作為沸點為160℃以上的溶劑，可例示出3-乙氧基丙酸乙酯(沸點為170℃)、二乙二醇甲基乙基醚(沸點為176℃)、丙二醇單甲基醚丙酸酯(沸點為160℃)、二丙二醇甲基醚乙酸酯(沸點為213℃)、3-甲氧基丁基醚乙酸酯(沸點為171℃)、二乙二醇二乙基醚(沸點為189℃)、二乙二醇二甲基醚(沸點為162℃)、丙二醇二乙酸酯(沸點為190℃)、二乙二醇單乙基醚乙酸酯(沸點為220℃)、二丙二醇二甲基醚(沸點為175℃)、1,3-丁二醇二乙酸酯(沸點為232℃)。本發明的感光性組合物中的溶劑的含量相對于感光性組合物中的全部成分100質量份優選為50～95質量份。下限更優選為60質量份以上。上限更優選為90質量份以下。溶劑可以僅使用1種，也可以使用2種以上。當使用2種以上時，優選其合計量成為上述范圍。<化合物S>本發明的感光性組合物包含具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S。以下，將S1所表示的結構也稱為結構S1。此外，將式S2所表示的結構也稱為結構S2。另外，本發明中，化合物S為與上述的聚合物成分A不同的成分。[化學式12]式中，波浪線表示與構成化合物S的原子團的鍵合位置，R1表示烷基，R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或2價的連結基團，在L1表示2價的連結基團的情況下，R1也可以與L1鍵合而形成環，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳原子數為1～12的烷基，n表示0～30的整數，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n為2～30時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基，R100表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，多個L100可以相同，也可以不同。首先，對結構S1進行說明。式S1中，R1表示烷基。烷基的碳原子數優選為1～10，更優選為1～6，進一步優選為1～3，特別優選為1或2，最優選為1。烷基可以為直鏈、支鏈及環狀中的任一種，但優選為直鏈或支鏈，更優選為直鏈。在L1表示2價的連結基團的情況下，R1也可以與L1鍵合而形成環。作為R1與L1鍵合而形成的環，可列舉出例如四氫呋喃基及四氫吡喃基。式S1中，R2表示氫原子或烷基。烷基可列舉出好R1中說明的烷基，優選的范圍也同樣。R2優選為氫原子。式S1中，L1表示單鍵或2價的連結基團。作為2價的連結基團，可列舉出亞烷基、亞芳基及將它們組合而成的基團。亞烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～10，進一步優選為1～6，特別優選為1～4。亞烷基優選為直鏈或環狀，更優選為直鏈。亞烷基也可以介由選自醚鍵、酯鍵及酰胺鍵中的1種以上的鍵而連結，也可以不具有這些鍵。亞烷基優選不具有上述的鍵。此外，亞烷基可以為未取代，也可以具有取代基，但優選為未取代。作為取代基，可例示出鹵素原子。作為鹵素原子，可例示出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，優選氟原子。亞芳基的碳原子數優選為6～20，更優選為6～12。亞芳基可以為未取代，也可以具有取代基。優選為未取代。作為取代基，可例示出鹵素原子。作為鹵素原子，可例示出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，優選為氟原子。L1優選為單鍵或亞烷基，更優選為亞烷基。式S1中，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基。氟烷基的碳原子數優選為1～12。下限優選為3以上，更優選為4以上。上限優選為10以下，更優選為8以下，進一步優選為6以下。Rf所表示的氟烷基可以為直鏈、支鏈及環狀中的任一種，但優選為直鏈或環狀，更優選為直鏈。根據該方式，能夠使涂布性良好。進而，能夠進一步提高與層疊于固化膜上的上層的密合性。本發明中，Rf優選為全氟烷基。全氟烷基的碳原子數優選為3～6，進一步優選為4～6。根據該方式，能夠使涂布性良好。進而，能夠進一步提高與層疊于固化膜上的上層的密合性。另外，本發明中，所謂氟烷基是指烷基的氫原子的至少一部分被氟原子取代而得到的烷基。即，所謂氟烷基是具有氟原子作為取代基的烷基。此外，所謂全氟烷基是氟烷基的一種、且烷基的氫原子的全部被氟原子取代而得到的烷基。式S1中，作為L1與Rf的組合的優選的具體例子，可列舉出以下組合。可列舉出CF3CH2CH2-、CF3CF2CH2CH2-、CF3(CF2)2CH2CH2-、CF3(CF2)3CH2CH2-、CF3(CF2)4CH2CH2-、CF3(CF2)5CH2CH2-、CF3(CF2)6CH2CH2-、CF3(CF2)7CH2CH2-、(CF3)3CCH2CH2-等。其中，優選CF3(CF2)3CH2CH2-、CF3(CF2)4CH2CH2-、CF3(CF2)5CH2CH2-、(CF3)3CCH2CH2-，特別優選CF3(CF2)5CH2CH2-。接著，對結構S2進行說明。式S2中，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳原子數為1～12的烷基，n表示0～30的整數。式S2中，L100所表示的亞烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～6，進一步優選為2～4。L100所表示的亞烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為支鏈。L100所表示的亞烷基的支鏈數優選為1～2，更優選為1。L100所表示的亞烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。式S2中，R100所表示的烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～6，進一步優選為1～3。R100所表示的烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為直鏈。R100所表示的烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。式S2中，n表示0～30的整數。下限優選為1以上，更優選為2以上，進一步優選為3以上。上限優選為20以下，更優選為15以下。另外，n表示0～30的整數，但本發明的感光性組合物也可以包含多種化合物S中的n不同的化合物。因此，本發明的感光性組合物中包含的化合物S的n的平均值有時不成為整數。本發明中，一個化合物S中的n優選表示0～30的整數。式S2中，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n為2～30時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基，R100表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，多個L100可以相同，也可以不同。根據該方式，容易得到優異的親水性。特別是從親水性提高的觀點出發，式S2優選為以下的(1)～(3)的方式，更優選為(2)或(3)的方式，進一步優選為(3)的方式。(1)n為0、且R100表示羥基的結構。(2)n為1、且L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基、R100表示氫原子的結構(3)n為2～30、且L100為碳原子數為1～12的亞烷基、R100表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基的結構。化合物S可以僅具有一個結構S1，也可以具有2個以上。此外，當具有2個以上結構S1時，可以是相同的結構，也可以是不同的結構。此外，化合物S可以僅具有一個結構S2，也可以具有2個以上。此外，當具有2個以上結構S2時，可以是相同的結構，也可以是不同的結構。本發明的感光性組合物優選相對于聚合物成分A的100質量份，含有0.001～20質量份的化合物S。下限優選為0.005質量份以上，更優選為0.01質量份以上。上限優選為15質量份以下，更優選為10質量份以下，進一步優選為5質量份以下，特別優選為2質量份以下。本發明中，化合物S可以為低分子化合物，也可以為聚合物。從涂布性的觀點出發，化合物S優選為聚合物。(化合物S為低分子化合物的情況)在化合物S為低分子化合物的情況下，化合物S優選為下述式S-100所表示的化合物。[化學式13]R1表示烷基，R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或2價的連結基團，在L1表示2價的連結基團的情況下，R1也可以與L1鍵合而形成環，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳原子數為1～12的烷基，n表示0～30的整數，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R100表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n為2～30時，L100表示碳原子數為1～12的亞烷基，R100表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，多個L100可以相同，也可以不同，A表示單鍵或(p+q)價的連結基團，p及q分別獨立地表示1以上的整數，當A為單鍵時，p及q分別表示1。式S-100中，R1、R2、L1、Rf、L100、R100及n與上述的式S1及S2中說明的范圍含義相同。式S-100中，A表示單鍵或(p+q)價的連結基團。作為(p+q)價的連結基團，包含由1個至100個的碳原子、0個至10個的氮原子、0個至50個的氧原子、1個至200個的氫原子、及0個至20個的硫原子構成的基團。關于(p+q)價的連結基團，作為具體的例子，可列舉出下述的結構單元或以下的結構單元2個以上組合而構成的基團(也可以形成環結構)。[化學式14]式S-100中，p及q分別獨立地表示1以上的整數。p與q的合計數的上限沒有特別限定，但可以設定為10以下，也可以設定為6以下。下限為2以上。當化合物S為低分子化合物時，化合物S的分子量優選為100～1000。下限優選為120以上，更優選為150以上。上限優選為500以下，更優選為400以下。另外，當低分子化合物的分子量可以由結構式計算時，為由結構式求出的理論值，當無法由結構式計算時，為依據后述的實施例中記載的方法的利用GPC測定的基于聚苯乙烯換算值的重均分子量。作為低分子化合物的具體例子，可列舉出下述化合物。另外，以下，Rfa表示碳原子數為3～8的直鏈或支鏈的全氟烷基。Rfa優選為碳原子數為4～6的直鏈的全氟烷基。[化學式15](化合物S為聚合物的情況)在化合物S為聚合物的情況下，化合物S優選為具有在側鏈上具有結構S1的構成單元S1-1和在側鏈上具有結構S1的構成單元S2-1的聚合物。構成單元S1-1及構成單元S2-1的主鏈結構可列舉出丙烯酸系、苯乙烯系、環烯烴系等，優選丙烯酸系。作為丙烯酸系的主鏈結構，可列舉出例如下述P1所表示的結構。作為苯乙烯系的主鏈結構，可列舉出例如下述P2所表示的結構。作為環烯烴系的主鏈結構，可列舉出例如下述P3所表示的結構。式中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，*表示與側鏈的鍵合位置。[化學式16]作為構成單元S1-1為丙烯酸系的主鏈結構的具體例子，可列舉出例如下述S1-2所表示的結構。作為構成單元S1-1為苯乙烯系的主鏈結構的具體例子，可列舉出例如下述S1-100所表示的結構。作為構成單元S1-1為環烯烴系的主鏈結構的具體例子，可列舉出例如下述S1-200所表示的結構。此外，作為構成單元S2-1為丙烯酸系的主鏈結構的具體例子，可列舉出例如下述S2-2所表示的結構。作為構成單元S2-1為苯乙烯系的主鏈結構的具體例子，可列舉出例如下述S2-100所表示的結構。作為構成單元S2-1為環烯烴系的主鏈結構的具體例子，可列舉出例如下述S2-200所表示的結構。[化學式17]式S1-2、S1-100及S1-200中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或2價的連結基團，在L10表示2價的連結基團的情況下，R12也可以與L10鍵合而形成環，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基。式S2-2中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，L101表示碳原子數為1～12的亞烷基，R101表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，n1表示0～30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n1為2～30時，多個L101可以相同，也可以不同。式S2-2、S2-100及S2-200中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，L110表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R110表示氫原子、羥基或碳原子數為1～12的烷基，n10表示0～30的整數，當n10為0時，R110表示羥基，當n10為1時，L110表示碳原子數為1～12的亞烷基或羰基，R110表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n10為2～30時，L110表示碳原子數為1～12的亞烷基，R110表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，多個L110可以相同，也可以不同。本發明中，化合物S也可以進一步具有除構成單元S1-1、構成單元S2-1以外的構成單元(其它構成單元)。作為其它構成單元，可列舉出例如具有交聯性基團的構成單元等。作為具有交聯性基團的構成單元的方式，可列舉出包含選自由環氧基、氧雜環丁烷基、-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳原子數為1～20的烷基)所表示的基團及烯屬不飽和基團組成的組中的至少一個的構成單元。交聯性基團優選為選自環氧基、氧雜環丁烷基、及-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳原子數為1～20的烷基)所表示的基團中的至少1種，更優選為環氧基和/或氧雜環丁烷基。其它構成單元的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為30質量％以下，更優選為20質量％以下。下限也可以設定為例如1質量％。此外，也可以實質上不含有其它構成單元。所謂實質上不含有其它構成單元是指相對于聚合物的全部構成單元，其它構成單元的含量優選為0.5質量％以下，更優選為0.1質量％以下，進一步優選不含有其它構成單元。本發明中，化合物S優選為具有式S1-2所表示的構成單元(以下也稱為構成單元S1-2)和式S2-2所表示的構成單元(以下也稱為構成單元S2-2)的聚合物。[化學式18]式中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或2價的連結基團，在L10表示2價的連結基團的情況下，R12也可以與L10鍵合而形成環，Rf表示具有3個以上氟原子的氟烷基，L101表示碳原子數為1～12的亞烷基，R101表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，n1表示0～30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n1為2～30時，多個L101可以相同，也可以不同。式S1-2中，R12、R13、L10及Rf與上述的式S1中說明的R1、R2、L1及Rf含義相同。式S1-2及式S2-2中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，優選為氫原子或甲基。式S2-2中，L101表示碳原子數為1～12的亞烷基。亞烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～6，進一步優選為2～4。亞烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為支鏈。亞烷基的支鏈數優選為1～2，更優選為1。亞烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。式S2-2中，R101表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基。R101所表示的烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～6，進一步優選為1～3。R101所表示的烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為直鏈。R101所表示的烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。R101優選為氫原子。n1表示0～30的整數。下限優選為1以上。上限優選為20以下，更優選為15以下。當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n1為2～30時，多個L101也可以相同。另外，n1表示0～30的整數，但本發明的感光性組合物也可以包含多種化合物S中的n1不同的化合物。因此，本發明的感光性組合物中包含的化合物S的n1的平均值有時不成為整數。本發明中，化合物S優選構成單元S1-1與構成單元S2-1的含量的合計為化合物S的全部構成單元的70質量％以上，更優選為75質量％以上，進一步優選為80質量％以上。若為上述范圍，則涂布性良好，且容易形成與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜。此外，構成單元S1-1與構成單元S2-1的質量比優選為構成單元S1-1：構成單元S2-1＝5：95～95：5，更優選為10：90～90：10，進一步優選為15：85～85：15。本發明中，化合物S優選含有化合物S的全部構成單元的60摩爾％以上的構成單元S1-1和構成單元S2-1，更優選含有70摩爾％以上，進一步優選含有80摩爾％以上。若為上述范圍，則涂布性良好，且容易形成與層疊于固化膜上的上層的密合性優異的固化膜。此外，構成單元S1-1與構成單元S2-1的摩爾比優選為構成單元S1-1：構成單元S2-1＝95：5～5：95，更優選為80：20～10：90，進一步優選為70：30～10：90。本發明中，化合物S也可以分別含有1種以上的n1以0表示的結構和n1以1以上表示的結構作為構成單元S2-2。即，化合物S也可以為含有上述構成單元S1-2和選自下述式S2-2-1所表示的構成單元(也稱為構成單元S2-2-1)、下述式S2-2-2所表示的構成單元(也稱為構成單元S2-2-2)、及下述式S2-2-3所表示的構成單元(也稱為構成單元S2-2-3)中的至少一種的構成單元的聚合物。其中，優選為具有構成單元S1-2和構成單元S2-2-1和/或構成單元S2-2-2的聚合物。聚合物的全部構成單元中的構成單元S2-2-1與構成單元S2-2-2的合計含量優選為5質量％以上，更優選為10質量％以上，進一步優選為20質量％以上，特別優選為40質量％以上。上限例如優選為95質量％以下，更優選為90質量％以下，進一步優選為85質量％以下。此外，聚合物的全部構成單元中的構成單元S2-2-1的含量優選為1質量％以上，更優選為10質量％以上，進一步優選為20質量％以上，特別優選為40質量％以上。上限優選為例如95質量％以下，更優選為90質量％以下，進一步優選為85質量％以下。此外，聚合物的全部構成單元中的構成單元S2-2-2的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為1～20質量％，更優選為1～15質量％，進一步優選為1～10質量％，特別優選為1～5質量％。此外，聚合物的全部構成單元中的構成單元S2-2-3的含量優選為30質量％以下，更優選為20質量％以下，進一步優選為10質量％以下，特別優選為1質量％以下。此外，也優選實質上不含有構成單元S2-2-3。所謂實質上不含有構成單元S2-2-3是指相對于聚合物的全部構成單元，構成單元S2-2-3的含量優選為0.5質量％以下，更優選為0.1質量％以下，進一步優選不含有構成單元S2-2-3。根據該方式，可以得到優異的涂布性。[化學式19]式中，R11表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，L101表示碳原子數為1～12的亞烷基，R102表示氫原子或碳原子數為1～12的烷基，R103表示碳原子數為1～6的烷基，n1a表示1～30的整數，當n1a為1時，R102表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，當n1a為2～30時，多個L101可以相同，也可以不同。R11、L101及R102與S2-2的R11、L101及R101含義相同。R103所表示的烷基的碳原子數優選為1～6，更優選為1～3。烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為直鏈。烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。本發明中，化合物S優選為具有式S1-3所表示的構成單元(以下也稱為構成單元S1-3)和式S2-3所表示的構成單元(以下也稱為構成單元S2-3)的聚合物。[化學式20]式中，R21表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，R22表示碳原子數為1～3的烷基，R23表示氫原子，L20表示碳原子數為1～12的亞烷基，Rf1表示碳原子數為3～6的全氟烷基，R22也可以與L20鍵合而形成環，L201表示碳原子數為1～12的亞烷基，R201表示氫原子或碳原子數為1～6的烷基，n2表示1～20的整數，當n2為2～20時，多個L201可以相同，也可以不同。式S1-3及式S2-3中，R21表示氫原子或碳原子數為1～3的烷基，優選為氫原子或甲基。式S1-3中，R22表示碳原子數為1～3的烷基，R23表示氫原子。R22所表示的烷基的碳原子數優選為1或2，更優選為1。R22也可以與L20鍵合而形成環。作為R22與L20鍵合而形成的環，可列舉出例如環丁基、環戊基、環己基、環庚基、四氫呋喃基、金剛烷基及四氫吡喃基等。式S1-3中，L20表示碳原子數為1～12的亞烷基。亞烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～10，進一步優選為1～6。亞烷基優選為直鏈或環狀，更優選為直鏈。亞烷基也可以具有選自醚鍵、酯鍵及酰胺鍵中的1種以上的鍵，但也可以不具有這些鍵。亞烷基優選不具有上述的鍵。此外，亞烷基可以為未取代，也可以具有取代基。優選為未取代。式S1-3中，Rf1表示碳原子數為3～6的全氟烷基。全氟烷基的碳原子數優選為3～6，進一步優選為4～6。全氟烷基可以為直鏈、支鏈、環狀中的任一種，但優選為直鏈或環狀，更優選為直鏈。式S2-3中，L201所表示的亞烷基的碳原子數優選為1～12，更優選為1～6。L201所表示的亞烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為支鏈。L201所表示的亞烷基的支鏈數優選為1～2，更優選為1。L201所表示的亞烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。式S2-3中，R201所表示的烷基的碳原子數更優選為1～6，進一步優選為1～3。R201所表示的烷基優選為直鏈、支鏈，更優選為直鏈。R201所表示的烷基也可以具有取代基，但優選為未取代。R201優選為氫原子。式S2-3中，n2表示1～20的整數。下限優選為2以上，進一步優選為3以上。上限優選為15以下。另外，n2表示1～20的整數，但本發明的感光性組合物也可以包含多種化合物S中的n2不同的化合物。因此，本發明的感光性組合物中包含的化合物S的n2的平均值有時不成為整數。本發明中，一個化合物S中的n2優選表示1～20的整數。本發明中，化合物S也可以除了具有構成單元S1-3及構成單元S2-3以外，進一步具有上述結構S2-2-2和/或上述結構S2-2-3。其它構成單元優選為構成單元S2-2-2。根據該方式，能夠使涂布性及與層疊于固化膜上的上層的密合性更加良好。構成單元S2-2-2的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為1～20質量％，更優選為1～15質量％，進一步優選為1～10質量％，特別優選為1～5質量％。構成單元S2-2-3的含量相對于聚合物的全部構成單元，優選為30質量％以下，更優選為20質量％以下，進一步優選為10質量％以下，特別優選為1質量％以下。此外，聚合物也優選實質上不含有構成單元S2-2-3。所謂實質上不含有構成單元S2-2-3是指相對于聚合物的全部構成單元，構成單元S2-2-3的含量優選為0.5質量％以下，更優選為0.1質量％以下，進一步優選不含有構成單元S2-2-3。根據該方式，容易得到優異的涂布性。本發明中，在化合物S為聚合物的情況下，化合物S的重均分子量優選為100～100000。下限優選為300以上，更優選為1000以上。上限優選為30000以下，更優選為10000以下，特別優選為5000以下。若化合物S的分子量為上述范圍，則涂布性良好。化合物S的分子量分布(Mw/Mn)優選為1.0～5.0，更優選為1.2～3.0。作為化合物S的具體例子，可列舉出例如以下所示的結構及后述的實施例中所示的結構。以下，R表示氫原子或甲基，n100表示1～20的整數，Rfb表示碳原子數為3～8的直鏈或支鏈的全氟烷基。n100優選為2～20的整數。Rfb優選為碳原子數為4～6的直鏈的全氟烷基。[化學式21]<烷氧基硅烷化合物>本發明的感光性組合物也可以進一步含有烷氧基硅烷化合物。烷氧基硅烷化合物優選為具有選自由環氧基、烯屬不飽和基團、被氯基取代的烷基及巰基組成的組中的至少1種基團和烷氧基硅烷結構的化合物。通過配合這樣的化合物，能夠使感度進一步提高，同時能夠使感光性組合物的固化時的與基底基板的密合性進一步提高。烷氧基硅烷化合物可以包含1種，也可以包含2種以上。烷氧基硅烷化合物的分子量沒有特別規定，但優選為低于1000，更優選為500以下。關于烷氧基硅烷化合物的分量子的下限值，沒有特別規定，但優選為100以上，更優選為200以上。作為烷氧基硅烷化合物的具體例子，可列舉出γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-環氧丙氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-環氧丙氧基丙基二烷氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基二烷氧基硅烷、γ-氯丙基三烷氧基硅烷、γ-巰基丙基三烷氧基硅烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三烷氧基硅烷、乙烯基三烷氧基硅烷。作為市售品，可例示出Shin-EtsuSilicone株式會社制的KBM-403、KBM-5103、KBM-303、KBM-803。在本發明的感光性組合物含有烷氧基硅烷化合物的情況下，烷氧基硅烷化合物的含量優選為感光性組合物的全部固體成分中的0.05～10質量％。下限更優選為0.1質量％以上，特別優選為0.5質量％以上。上限更優選為8質量％以下，特別優選為6質量％以下。<具有交聯性基團的分子量為1,000以下的化合物>本發明的感光性組合物也可以含有具有交聯性基團的分子量為1,000以下的化合物(以下也稱為“交聯劑”)。通過含有交聯劑，可以得到更強硬的固化膜。特別是在上述聚合物成分A不含有包含具有交聯性基團的構成單元的聚合物的情況下、或者含量少的情況下，進一步優選含有交聯劑。作為交聯劑，只要是通過熱引起交聯反應的物質則沒有限制。可列舉出例如分子內具有2個以上的環氧基或氧雜環丁烷基的化合物、封端異氰酸酯化合物、含有烷氧基甲基的化合物、具有烯屬不飽和基團的化合物等。優選為分子內具有2個以上的環氧基或氧雜環丁烷基的化合物、封端異氰酸酯化合物及含有烷氧基甲基的化合物，更優選為分子內具有2個以上的環氧基或氧雜環丁烷基的化合物及含有烷氧基甲基的化合物，進一步優選為分子內具有2個以上的環氧基和/或氧雜環丁烷基的化合物。若配合分子內具有2個以上的環氧基和/或氧雜環丁烷基的化合物，則特別容易得到耐熱性優異的固化膜。作為分子內具有2個以上的環氧基或氧雜環丁烷基的化合物，可列舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、線型酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚線型酚醛型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。它們可以作為市售品獲得。例如作為分子內具有2個以上的環氧基的化合物，可列舉出JER152、JER157S70、JER157S65、JER806、JER828、JER1007(三菱化學株式會社制)等、日本特開2011-221494號公報的段落號0189中記載的市售品等，此外，可列舉出DenacolEX-611、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-411、EX-421、EX-313、EX-314、EX-321、EX-211、EX-212、EX-810、EX-811、EX-850、EX-851、EX-821、EX-830、EX-832、EX-841、EX-911、EX-941、EX-920、EX-931、EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L、DLC-201、DLC-203、DLC-204、DLC-205、DLC-206、DLC-301、DLC-402(以上NagaseChemtexCorporation制)、YH-300、YH-301、YH-302、YH-315、YH-324、YH-325(新日鐵化學株式會社制)、CELLOXIDE2021P、2081、3000、EHPE3150、EpoleadGT400、CELVENUSB0134、B0177(DaicelCorporation制)、EpicronHP-720(DIC株式會社制)等。作為分子內具有2個以上的氧雜環丁烷基的化合物，可以使用ARONOXETANEOXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上、東亞合成株式會社制)。此外，包含氧雜環丁烷基的化合物優選單獨使用或與包含環氧基的化合物混合使用。封端異氰酸酯化合物沒有特別限制，但從固化性的觀點出發，優選為1分子內具有2個以上的封端異氰酸酯基的化合物。另外，本發明中的封端異氰酸酯基為可通過熱生成異氰酸酯基的基團，可優選例示出例如使封端劑與異氰酸酯基反應而將異氰酸酯基保護的基團。此外，上述封端異氰酸酯基優選為可通過90℃～250℃的熱而生成異氰酸酯基的基團。作為封端異氰酸酯化合物，其骨架并沒有特別限定，只要是在1分子中具有兩個異氰酸酯基，則可以是任意的化合物，可以是脂肪族、脂環族或芳香族的多異氰酸酯。關于骨架的具體例子，可以參考日本特開2014-238438號公報的段落0144的記載，其內容被納入本說明書中。作為封端異氰酸酯化合物的母結構，可列舉出縮二脲型、異氰脲酸酯型、加合物型、2官能預聚物型等。作為形成上述封端異氰酸酯化合物的封端結構的封端劑，可列舉出肟化合物、內酰胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物、硫醇化合物、咪唑系化合物、酰亞胺系化合物等。它們中，特別優選為選自肟化合物、內酰胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物中的封端劑。作為封端劑的具體例子，可以參考日本特開2014-238438號公報段落0146的記載，其內容被納入本說明書中。封端異氰酸酯化合物可以作為市售品獲得，可以優選使用例如CoronateAPstableM、Coronate2503、2515、2507、2513、2555、MillionateMS-50(以上為NipponPolyurethaneIndustryCO.,LTD.制)、TakenateB-830、B-815N、B-820NSU、B-842N、B-846N、B-870N、B-874N、B-882N(以上為三井化學株式會社制)、Duranate17B-60PX、17B-60P、TPA-B80X、TPA-B80E、MF-B60X、MF-B60B、MF-K60X、MF-K60B、E402-B80B、SBN-70D、SBB-70P、K6000(以上為AsahiKaseiChemicalsCorporation制)、DesmoduleBL1100、BL1265MPA/X、BL3575/1、BL3272MPA、BL3370MPA、BL3475BA/SN、BL5375MPA、VPLS2078/2、BL4265SN、PL340、PL350、SumiduleBL3175(以上為SumikaBayerUrethaneCo.,Ltd.制)等。作為含有烷氧基甲基的化合物，優選烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲及烷氧基甲基化尿素等。它們分別通過將羥甲基化三聚氰胺、羥甲基化苯并胍胺、羥甲基化甘脲、或羥甲基化尿素的羥甲基轉換成烷氧基甲基來得到。對于該烷氧基甲基的種類，沒有特別限定，可列舉出例如甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等，但從排氣的產生量的觀點出發，特別優選為甲氧基甲基。這些化合物中，烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲可作為優選的化合物列舉出，從透明性的觀點出發，特別優選為烷氧基甲基化甘脲。含有烷氧基甲基的化合物可以作為市售品獲得，可以優選使用例如CYMEL300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、UFR65、300(以上為MitsuiCyanamidCo.,Ltd.制)、NIKALACMX-750、MX-032、MX-706、MX-708、MX-40、MX-31、MX-270、MX-280、MX-290、NIKALACMS-11、NIKALACMW-30HM、MW-100LM、MW-390、(以上為SANWAChemicalCo.,Ltd.制)等。作為具有烯屬不飽和基團的化合物，優選為包含(甲基)丙烯酰基的化合物。包含(甲基)丙烯酰基的化合物可列舉出選自由丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯組成的組中的化合物。具有烯屬不飽和基團的化合物優選為1分子中具有2個以上(甲基)丙烯酰基的化合物(2官能(甲基)丙烯酸酯)，更優選為具有3個以上(甲基)丙烯酰基的化合物(3官能以上的(甲基)丙烯酸酯)。作為2官能(甲基)丙烯酸酯，可列舉出例如乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙苯氧基乙醇芴二(甲基)丙烯酸酯等。作為3官能以上的(甲基)丙烯酸酯，可列舉出例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯酰氧基乙基)磷酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。作為優選的市售品，可列舉出日本化藥株式會社制KAYARADDPHA、新中村化學工業株式會社制NKester系列、二官能的A-200、A-400、A-600、A-1000、ABE-300、A-BPE-4、A-BPE-10、A-BPE-20、A-BPE-30、A-BPP-3、A-DOD、A-DCP、A-IBD-2E、A-NPG、701A、A-B1206PE、A-HD-N、A-NOD-N、APG-100、APG-200、APG-400、APG-700、1G、2G、3G、4G、9G、14G、23G、BG、BD、HD-N、NOD、IND、BPE-100、BPE-200、BPE-300、BPE-500、BPE-900、BPE-1300N、NPG、DCP、1206PE、701、3PG、9PG、3官能的A-9300、AT-30E、A-TMPT-3EO、A-TMPT-9EO、A-TMPT-3PO、A-TMM-3、A-TMM-3L、A-TMM-3LM-N、TMPT、TMPT-9EO、4官能以上的ATM-35E、ATM-4E、AD-TMP、AD-TMP-L、ATM-4P、A-TMMT、A-DPH等。本發明中，交聯劑的分子量優選為200～1,000。當本發明的感光性組合物含有交聯劑時，交聯劑的含量相對于聚合物成分A的100質量份，優選為0.01～50質量份，更優選為0.1～30質量份，進一步優選為0.5～25質量份。通過在該范圍內添加，可以得到機械強度及耐溶劑性優異的固化膜。交聯劑可以僅包含1種，也可以包含2種以上。當包含2種以上時，優選合計量成為上述范圍。<堿性化合物>本發明的感光性組合物也可以含有堿性化合物。作為堿性化合物，可列舉出例如脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、氫氧化季銨、羧酸的季銨鹽等。作為它們的具體例子，可列舉出日本特開2011-221494號公報的段落號0204～0207中記載的化合物，這些內容被納入本說明書中。具體而言，作為脂肪族胺，可列舉出例如三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二正丙基胺、三正丙基胺、二正戊基胺、三正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺、二環己基甲基胺等。作為芳香族胺，可列舉出例如苯胺、芐基胺、N,N-二甲基苯胺、二苯基胺等。作為雜環式胺，可列舉出例如吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲基氨基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、三苯基咪唑、煙堿、煙酸、煙酰胺、喹啉、8-羥基喹啉、吡嗪、吡唑、噠嗪、嘌啉、吡咯烷、哌啶、哌嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、N-環己基-N’-[2-(4-嗎啉基)乙基]硫脲、1,5-二氮雜二環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜二環[5.3.0]-7-十一碳烯、1,8-二氮雜二環[5.4.0]-7-十一碳烯等。作為氫氧化季銨，可列舉出例如四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四正丁基氫氧化銨、四正己基氫氧化銨等。作為羧酸的季銨鹽，可列舉出例如乙酸四甲基銨、苯甲酸四甲基銨、乙酸四正丁基銨、苯甲酸四正丁基銨等。本發明中可以使用的堿性化合物可以單獨使用1種，也可以將2種以上并用。當本發明的感光性組合物含有堿性化合物時，堿性化合物的含量相對于感光性組合物中的全部固體成分100質量份，優選為0.001～3質量份，更優選為0.005～1質量份。堿性化合物可以單獨使用1種，也可以將2種以上并用。當使用2種以上時，優選其合計量成為上述范圍。<無機粒子>本發明的感光性組合物從調整折射率等觀點出發，可以含有無機粒子。作為無機粒子，由于透明性高且具有透光性，所以優選無機氧化物粒子，更優選金屬氧化物粒子。作為透光性且折射率高的無機氧化物粒子，優選包含Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Gd、Tb、Dy、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Zn、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Bi、Te等原子的氧化物粒子，更優選氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物、或銻/錫氧化物，進一步優選為氧化鈦粒子、或氧化鋯，特別優選為氧化鈦，最優選為二氧化鈦。作為二氧化鈦，特別優選折射率高的金紅石型。這些無機粒子為了賦予分散穩定性，也可以將表面用有機材料進行處理。另外，本發明中的金屬氧化物粒子的金屬中，也可以包含B、Si、Ge、As、Sb、Te等半金屬。無機粒子的平均一次粒徑優選為1～200nm，更優選為2～100nm，進一步優選為1～60nm，特別優選為5～50nm。若為上述范圍，則粒子的分散性優異，此外，可以得到為高折射率、且透明性更優異的固化物。無機粒子的平均一次粒徑可以利用透射型電子顯微鏡觀察無機粒子，由得到的照片求出。具體而言，求出無機粒子的投影面積，將與其對應的當量圓直徑作為無機粒子的平均一次粒徑。另外，本發明中的平均一次粒徑設定為對300個無機粒子求出的當量圓直徑的算術平均值。對于無機粒子的形狀，沒有特別限制。例如可以為米粒狀、球形狀、立方體狀、紡錘形狀或不定形狀。無機粒子的平均長寬比(長邊/短邊)優選為1～5，更優選為1～4.5，進一步優選為1～4，特別優選為1～3。無機粒子的平均長寬比通過以下的方法來測定。即，將測定300個利用透射型電子顯微鏡(TEM)拍攝的粒子圖像的長寬比(長邊/短邊)而得到的平均值作為平均長寬比。作為無機粒子的折射率，沒有特別限制，但從得到高折射率的觀點出發，優選為1.70～2.70，進一步優選為1.90～2.70。無機粒子的比表面積優選為10～400m2/g，進一步優選為20～200m2/g，最優選為30～150m2/g。無機粒子也可以是利用有機化合物進行了表面處理的無機粒子。用于表面處理的有機化合物的例子中，包含多元醇、鏈烷醇胺、硬脂酸、硅烷偶聯劑及鈦酸酯偶聯劑。其中，優選硬脂酸。表面處理可以是1種單獨的表面處理劑，也可以將2種以上的表面處理劑組合而實施。此外，無機粒子的表面還優選利用鋁、硅、氧化鋯等氧化物覆蓋。由此，耐氣候性更加提高。作為本發明中的無機粒子，可以優選使用市售品。具體而言，可列舉出例如作為氧化鈦粒子的石原產業株式會社制TTO系列(TTO-51(A)、TTO-51(C)等)、TTO-S、V系列(TTO-S-1、TTO-S-2、TTO-V-3等)、TAYCA株式會社制MT系列(MT-01、MT-05等)、作為氧化錫-氧化鈦復合粒子的optLakeTR-502、optLakeTR-504、作為氧化硅-氧化鈦復合粒子的optLakeTR-503、optLakeTR-513、optLakeTR-520、optLakeTR-521、optLakeTR-527、氧化鋯粒子(株式會社高純度化學研究所制)、氧化錫-氧化鋯復合粒子(日揮催化劑化成工業株式會社制)、作為氧化鈮粒子的BairaruNb-X10(多木化學株式會社制)等。無機粒子優選以在樹脂(分散劑)及溶劑的存在下分散而成的分散液的狀態，與感光性組合物的其它成分混合使用。作為用于調制分散液的樹脂，可以參考日本特開2014-108986號公報的段落0038～0118的記載，其內容被納入本說明書中。例如可列舉出DISPERBYK-111(BYK-ChemieJapan株式會社制)等。此外，作為溶劑，可列舉出上述的本發明的感光性組合物的成分中說明的溶劑。本發明的感光性組合物中的無機粒子的含量相對于感光性組合物的全部固體成分，優選為10～80質量。下限更優選為20質量％以上，進一步優選為30質量％以上。上限更優選為70質量％以下。<抗氧化劑>本發明的感光性組合物也可以含有抗氧化劑。作為抗氧化劑，可以含有公知的抗氧化劑。通過添加抗氧化劑，具有能夠防止固化膜的著色、或能夠減少由分解引起的膜厚減少、此外耐熱透明性優異這樣的優點。作為抗氧化劑，可列舉出例如磷系抗氧化劑、酰胺類、酰肼類、受阻胺系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、抗壞血酸類、硫酸鋅、糖類、亞硝酸鹽、亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽、羥基胺衍生物等。它們中，從固化膜的著色、膜厚減少的觀點出發，優選酚系抗氧化劑、受阻胺系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、酰胺系抗氧化劑、酰肼系抗氧化劑、硫系抗氧化劑，最優選為酚系抗氧化劑。它們可以單獨使用1種，也可以將2種以上混合。作為具體例子，可列舉出日本特開2005-29515號公報的段落號0026～0031中記載的化合物、日本特開2011-227106號公報的段落號0106～0116中記載的化合物，這些內容被納入本說明書中。作為優選的市售品，可列舉出AdekastabAO-20、AdekastabAO-60、AdekastabAO-80、AdekastabLA-52、AdekastabLA-81、AdekastabAO-412S、AdekastabPEP-36(以上為株式會社ADEKA制)、Irganox1035、Irganox1098、Tinuvin144(以上為BASF制)。抗氧化劑的含量相對于感光性組合物的全部固體成分，優選為0.1～10質量％，更優選為0.2～5質量％，特別優選為0.5～4質量％。通過設定為該范圍，容易形成透明性優異的膜。進而，圖案形成時的感度也變得良好。<其它成分>本發明的感光性組合物可以根據需要分別獨立地加入1種或2種以上的敏化劑(例如9，10-二丁氧基蒽等)、熱自由基產生劑、熱酸產生劑、酸增殖劑、顯影促進劑、紫外線吸收劑、增粘劑、有機或無機的沉淀防止劑等公知的添加劑。此外，作為添加劑，也可以使用偏苯三酸。此外，可以進一步包含除上述化合物S以外的表面活性劑。作為這些化合物，可以使用例如日本特開2012-88459號公報的段落號0201～0224中記載的化合物、日本特開2014-238438號公報中記載的化合物，這些內容被納入本說明書中。此外，還可以使用日本特開2012-8223號公報的段落號0120～0121中記載的熱自由基產生劑、WO2011/136074A1中記載的含氮化合物及熱酸產生劑，這些內容被納入本說明書中。<感光性組合物的調制方法>本發明的感光性組合物可以將各成分以規定的比例且通過任意的方法混合，攪拌溶解而調制。例如，也可以將各成分分別預先溶解于溶劑中制成溶液后，將它們以規定的比例混合而調制本發明的感光性組合物。像以上那樣調制的組合物溶液也可以使用例如孔徑為0.2μm的過濾器等過濾后使用。<固化膜的制造方法>本發明的固化膜的制造方法優選包括以下的(1)～(5)的工序。(1)將本發明的感光性組合物涂布到基板上的工序；(2)從涂布的感光性組合物中除去溶劑的工序；(3)將除去了溶劑的感光性組合物利用活性光線進行曝光的工序；(4)將曝光后的感光性組合物利用顯影液進行顯影的工序、(5)將顯影后的感光性組合物進行熱固化(后烘烤)的工序。以下依次對各工序進行說明。在(1)的工序中，優選將本發明的感光性組合物涂布到基板上而形成包含溶劑的濕潤膜(感光性組合物層)。在(1)的工序中，在基板上涂布感光性組合物之前，也可以對基板進行堿洗滌或等離子體洗滌等洗滌。此外，也可以對洗滌后的基板以六甲基二硅氮烷等對基板表面進行處理。作為以六甲基二硅氮烷對基板表面進行處理的方法，沒有特別限定，但可列舉出例如將基板暴露在六甲基二硅氮烷蒸氣中的方法等。作為基板，可列舉出無機基板、樹脂基板、樹脂復合材料基板等。作為無機基板，可列舉出例如玻璃基板、石英基板、硅基板、氮化硅基板(SiNx基板，其中，x為1～1.3)、及在這些基板上蒸鍍有鉬、鈦、鋁、銅等的復合基板、鉬基板、鈦基板、鋁基板、銅基板等金屬基板。作為樹脂基板，可以使用日本特開2014-238438號公報段落0192中記載的樹脂基板。感光性組合物向基板上的涂布方法沒有特別限定，可以使用例如狹縫涂布法、噴霧法、輥涂法、旋轉涂布法、流延涂布法、狹縫及旋轉法等方法。將感光性組合物涂布時的膜厚沒有特別限定，可以以與用途相對應的膜厚來進行涂布。例如優選為0.5～10μm。也可以在基板上涂布本發明的感光性組合物之前，應用日本特開2009-145395號公報中記載的那樣的所謂預濕法。在(2)的工序中，從涂布感光性組合物而形成的上述的濕潤膜中，通過減壓(真空)和/或加熱等將溶劑除去而在基板上形成干燥膜。加熱條件優選為在70～130℃下進行30～300秒鐘左右。溫度和時間為上述范圍時，存在圖案的密合性更良好、且也可以進一步減少殘渣的傾向。在(3)的工序中，對除去了溶劑的感光性組合物(干燥膜)照射規定的圖案的活性光線。在該工序中，在曝光部中，生成羧基或酚性羥基等酸基，曝光部在顯影液中的溶解性提高。即，在包含含有具有酸基被酸分解性基團保護的基團的構成單元的聚合物成分和光酸產生劑的方式中，通過活性光線的照射，光酸產生劑分解而產生酸。進而，通過產生的酸的催化作用，涂膜成分中包含的酸分解性基團被水解，生成羧基或酚性羥基等酸基。作為活性光線的光源，可以使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、化學燈、發光二極管(LED)光源、準分子激光產生裝置等，可優選使用i射線(365nm)、h射線(405nm)、g射線(436nm)等具有波長為300nm以上且450nm以下的波長的活性光線。此外，根據需要也可以通過長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器那樣的分光濾波器來調整照射光。曝光量優選為1～500mJ/cm2。作為曝光裝置，可以使用鏡面投影對準曝光器、步進機、掃描器、近接式、接觸式、微透鏡陣列、透鏡掃描器、激光曝光等各種方式的曝光機。此外，也可以進行使用了所謂的超分辨技術的曝光。作為超分辨技術，可列舉出進行多次曝光的多重曝光、或使用相位轉移掩模的方法、環帶照明法等。通過使用這些超分辨技術能夠形成更高精細的圖案，從而優選。在(4)的工序中，使用顯影液對具有游離的羧基或酚性羥基的共聚物進行顯影。通過將具有容易溶解于顯影液中的羧基和/或酚性羥基的曝光部區域除去，形成正型圖像。在顯影工序中使用的顯影液中，優選包含堿性化合物的水溶液。作為堿性化合物，可以使用日本特開2014-238438號公報的段落200中記載的化合物。它們中，優選氫氧化鈉、氫氧化鉀、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、膽堿(2-羥基乙基三甲基氫氧化銨)。此外，也可以將在上述堿類的水溶液中添加適量甲醇或乙醇等水溶性有機溶劑或表面活性劑而得到的水溶液作為顯影液使用。顯影液的pH優選為10.0～14.0。顯影時間優選為30～500秒鐘，此外，顯影的方法可以為水坑法(旋覆浸沒法)、噴淋法、浸漬法等中的任一種。在顯影后，也可以進行淋洗工序。在淋洗工序中，通過將顯影后的基板用純水等清洗，進行所附著的顯影液的除去、顯影殘渣的除去。淋洗方法可以使用公知的方法。可列舉出例如噴淋淋洗或浸漬淋洗等。在(5)的工序中，通過將所得到的正型圖像進行加熱，使酸分解性基團熱分解而生成羧基或酚性羥基，與交聯性基團、交聯劑等交聯，由此可以形成固化膜。該加熱優選使用熱板或烘箱等加熱裝置，在規定的溫度、例如180～250℃下，進行規定時間的加熱處理，例如若為熱板則5～90分鐘，若為烘箱則30～120分鐘。通過像這樣進行交聯反應，能夠形成耐熱性、硬度等更優異的保護膜或層間絕緣膜。此外，在進行加熱處理時，也可以通過在氮氣氛下進行來進一步提高透明性。在后烘烤前，也可以在較低溫度下進行烘烤后進行后烘烤(追加中間烘烤工序)。此外，在后烘烤之前，對形成有圖案的基板通過活性光線進行全面再曝光(后曝光)后，進行后烘烤，由此可以從存在于未曝光部分中的光酸產生劑產生酸，作為促進交聯的催化劑發揮功能。作為進行中間烘烤工序及后曝光工序時的條件，可以采用日本特開2014-238438號公報段落201中記載的條件。由本發明的感光性組合物得到的固化膜也可以作為干式蝕刻抗蝕劑使用。在將通過后烘烤工序進行熱固化所得到的固化膜作為干式蝕刻抗蝕劑使用時，作為蝕刻處理，可以進行灰化、等離子體蝕刻、臭氧蝕刻等干式蝕刻處理。<固化膜>本發明的固化膜為將上述的本發明的感光性組合物固化而得到的固化膜。本發明的固化膜可以作為層間絕緣膜適當使用。本發明的固化膜與上層的密合性優異。因此，適于在基板上通過上述的(1)～(5)的方法形成規定的圖案的固化膜后，在該固化膜上進一步涂布本發明的感光性組合物，通過上述的(1)～(5)的方法重疊形成規定的圖案的固化膜。通過像這樣將本發明的感光性組合物層疊而形成圖案，能夠形成更復雜的圖案(例如有凹凸的圖案)。另外，也可以將(1)～(5)的工序反復進行3次以上而形成進一步復雜的圖案。通過將層間絕緣膜制成這樣的層疊結構體，能夠達成開口率提高、各種功能復合化等。本發明的固化膜對于液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等圖像顯示裝置、或觸摸面板等輸入裝置等用途是有用的。可列舉出例如日本特開2014-238438號公報段落0207～0208中記載的液晶顯示裝置、日本特開2014-238438號公報段落0209中記載的有機EL顯示裝置、日本特開2014-238438號公報段落0212～0223中記載的觸摸面板顯示裝置、日本特開2014-238438號公報段落210中記載的用途等。本發明的感光性組合物也可以用于形成例如日本特開2011-107476號公報的圖2中記載的堤岸層(16)及平坦化膜(57)、日本特開2010-9793號公報的圖4(a)中記載的隔斷壁(12)及平坦化膜(102)、日本特開2010-27591號公報的圖10中記載的堤岸層(221)及第3層間絕緣膜(216b)、日本特開2009-128577號公報的圖4(a)中記載的第2層間絕緣膜(125)及第3層間絕緣膜(126)、日本特開2010-182638號公報的圖3中記載的平坦化膜(12)及像素分離絕緣膜(14)、日本特開2012-203121號公報的圖1中記載的像素分離膜(19)或平坦化膜(17)、日本特開2013-196919號公報的圖1中記載的高電阻層(18)、像素間絕緣膜(16)、層間絕緣膜(14)、層間絕緣膜(12c)等。此外，也可以適當用于液晶顯示裝置中的用于將液晶層的厚度保持恒定的間隔物、或者傳真機、電子復印機、固體拍攝元件等的片上濾色器的成像光學系統或光纖連接器的微透鏡。<液晶顯示裝置及其制造方法>本發明的液晶顯示裝置具有本發明的固化膜。此外，本發明的液晶顯示裝置的制造方法包含本發明的固化膜的制造方法。作為本發明的液晶顯示裝置，除了具有使用本發明的感光性組合物而形成的平坦化膜或層間絕緣膜以外，沒有特別限制，可列舉出采取各種結構的公知的液晶顯示裝置。例如，作為本發明的液晶顯示裝置所具備的TFT(thinfilmtransistor)的具體例子，可列舉出非晶硅、低溫多晶硅、氧化物半導體等。作為氧化物半導體，可例示出所謂IGZO(由銦、鎵、鋅、氧構成的半導體)。本發明的固化膜由于電特性優異，所以可以與這些TFT組合而優選使用。此外，作為本發明的液晶顯示裝置可采取的液晶驅動方式，可列舉出TN(TwistedNematic，扭曲向列)方式、VA(VerticalAlignment，垂直取向)方式、IPS(In-Plane-Switching，面內切換)方式、FFS(FringeFieldSwitching，邊緣場切換)方式、OCB(OpticalCompensatedBend，光學補償彎曲)方式等。在面板構成中，在COA(ColorFilteronArray，彩色濾光陣列)方式的液晶顯示裝置中也可以使用本發明的固化膜，例如可用作日本特開2005-284291的有機絕緣膜(115)、或日本特開2005-346054的有機絕緣膜(212)。此外，作為本發明的液晶顯示裝置可采取的液晶取向膜的具體的取向方式，可列舉出摩擦取向法、光取向法等。此外，也可以通過日本特開2003-149647號公報或日本特開2011-257734號公報中記載的PSA(PolymerSustainedAlignment，聚合物穩定取向)技術來進行聚合物取向支持。此外，本發明的感光性組合物及本發明的固化膜并不限定于上述用途，可以用于各種用途中。例如，除了平坦化膜或層間絕緣膜以外，也可以適當用于濾色器的保護膜、或液晶顯示裝置中的用于將液晶層的厚度保持恒定的間隔物或在固體拍攝元件中設置于濾色器上的微透鏡等。圖1是表示有源矩陣方式的液晶顯示裝置10的一個例子的概念性剖面圖。該液晶顯示裝置10是在背面具有背光源單元12的液晶面板，液晶面板配置有與在貼附有偏振膜的兩塊玻璃基板14、15之間配置的全部的像素對應的TFT16的元件。在形成于玻璃基板上的各元件上，通過固化膜17中形成的接觸孔18，布線有形成像素電極的ITO(IndiumTinOxide)透明電極19。在ITO透明電極19上，設置有液晶20的層和配置有黑色矩陣的濾色器22。作為背光源的光源，沒有特別限定，可以使用公知的光源。例如，可列舉出白色發光二極管(LED)、藍色·紅色·綠色等多色LED、熒光燈(冷陰極管)、有機電致發光(有機EL)等。此外，液晶顯示裝置可以制成3D(立體視)型的液晶顯示裝置、或者觸摸面板型的液晶顯示裝置。進而也可以制成柔性型，可以作為日本特開2011-145686號公報中記載的第2層間絕緣膜(48)、或日本特開2009-258758號公報中記載的層間絕緣膜(520)、日本特開2007-328210號公報的圖1中記載的有機絕緣膜(PAS)使用。進而，即使是靜態驅動方式的液晶顯示裝置，通過適用本發明也能夠顯示設計性高的圖案。作為例子，作為日本特開2001-125086號公報中記載的那樣的聚合物網絡型液晶的絕緣膜可以適用本發明。對于日本特開2007-328210號公報的圖1中記載的液晶顯示裝置，使用圖2進行說明。圖2中，符號SUB1為玻璃基板，具有多個掃描信號線和與多個掃描信號線交叉的多個影像信號線。在各交點附近，具有TFT。在玻璃基板SUB1上，從下方起依次形成基底膜UC、半導體膜PS、門絕緣膜GI、TFT的門電極GT、第1層間絕緣膜IN1。在第1層間絕緣膜IN1上，形成有TFT的漏電極SD1和TFT的源電極SD2。漏電極SD1介由形成于門絕緣膜GI及第1層間絕緣膜IN1中的接觸孔與TFT的漏極區域連接。源電極SD2介由形成于門絕緣膜GI及第1層間絕緣膜IN1中的接觸孔與TFT的源區域連接。在漏電極SD1及源電極SD2上，形成有第2層間絕緣膜IN2。在第2層間絕緣膜IN2上，形成有有機絕緣膜PAS。有機絕緣膜PAS可以使用本發明的感光性組合物而形成。在有機絕緣膜PAS上，形成有對置電極CT及反射膜RAL。在對置電極CT及反射膜RAL上，形成有第3層間絕緣膜IN3。在第3層間絕緣膜IN3上，形成有像素電極PX。像素電極PX介由形成于第2層間絕緣膜IN2及第3層間絕緣膜IN3中的接觸孔與TFT的源電極SD2連接。另外，第1層間絕緣膜IN1、第2層間絕緣膜IN2、第3層間絕緣膜IN3也可以使用本發明的感光性組合物而形成。關于圖2中所示的液晶顯示裝置的詳細情況，可以參考日本特開2007-328210號公報的記載，其內容被納入本說明書中。<有機電致發光顯示裝置及其制造方法>本發明的有機電致發光(有機EL)顯示裝置具有本發明的固化膜。此外，本發明的有機EL顯示裝置的制造方法包含本發明的固化膜的制造方法。作為本發明的有機EL顯示裝置，除了具有使用本發明的感光性組合物而形成的平坦化膜或層間絕緣膜以外，沒有特別限制，可列舉出采取各種結構的公知的各種有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置。例如，作為本發明的有機EL顯示裝置所具備的TFT的具體例子，可列舉出由非晶硅、低溫多晶硅、氧化物半導體等構成的TFT。圖3是有機EL顯示裝置的一個例子的構成概念圖。表示底部發光型的有機EL顯示裝置中的基板的示意性剖面圖，具有平坦化膜4。在玻璃基板6上形成底柵型的TFT1，以覆蓋TFT1的狀態形成有由Si3N4構成的絕緣膜3。在絕緣膜3中形成這里省略了圖示的接觸孔后，在絕緣膜3上形成介由該接觸孔與TFT1連接的布線2(高度為1.0μm)。布線2是用于將TFT1間、或通過后面的工序形成的有機EL元件與TFT1連接的布線。進而，為了將因布線2的形成而產生的凹凸平坦化，以將因布線2而產生的凹凸填埋的狀態在絕緣膜3上形成平坦化膜4。在平坦化膜4上形成有底部發光型的有機EL元件。即，在平坦化膜4上，由ITO構成的第一電極5介由接觸孔7與布線2連接而形成。此外，第一電極5相當于有機EL元件的陽極。形成有將第一電極5的周緣覆蓋的形狀的絕緣膜8，通過設置該絕緣膜8，能夠防止第一電極5與通過其后的工序形成的第二電極之間的短路。進而，雖然在圖3中沒有圖示，但介由所期望的圖案掩模，依次蒸鍍而設置空穴輸送層、有機發光層、電子輸送層，接著，在基板上方的整面上形成由Al構成的第二電極，通過使用密封用玻璃板和紫外線固化型環氧樹脂進行貼合而密封，可得到在各有機EL元件上連接有用于驅動其的TFT1而成的有源矩陣型的有機EL顯示裝置。作為有機EL顯示裝置的其它方式，可以將日本特開2012-203121號公報的圖1中記載的像素分離膜(19)或平坦化膜(17)使用本發明的感光性組合物來形成。此外，可以將日本特開2013-196919號公報的圖1中記載的高電阻層(18)或像素間絕緣膜(16)或層間絕緣膜(14)或層間絕緣膜(12c)使用本發明的感光性組合物來形成。本發明的感光性組合物也可以用于MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微機電系統)設備的隔斷壁的形成。作為MEMS設備，可列舉出例如SAW(SurfaceAcousticWave、表面聲波)濾波器、BAW(BulkAcousticWave、聲體波)濾波器、陀螺儀傳感器、顯示器用微快門、圖像傳感器、電子紙、噴墨頭、生物芯片、密封劑等部件。更具體的例子例示于日本特表2007-522531、日本特開2008-250200、日本特開2009-263544等中。本發明的感光性組合物也可以用于形成例如日本特開2011-107476號公報的圖2中記載的堤岸層(16)及平坦化膜(57)、日本特開2010-9793號公報的圖4(a)中記載的隔斷壁(12)及平坦化膜(102)、日本特開2010-27591號公報的圖10中記載的堤岸層(221)及第3層間絕緣膜(216b)、日本特開2009-128577號公報的圖4(a)中記載的第2層間絕緣膜(125)及第3層間絕緣膜(126)、日本特開2010-182638號公報的圖3中記載的平坦化膜(12)及像素分離絕緣膜(14)等。此外，也可以適當用于液晶顯示裝置中的用于將液晶層的厚度保持恒定的間隔物、或者傳真機、電子復印機、固體拍攝元件等的片上濾色器的成像光學系統或光纖連接器的微透鏡。<觸摸面板、觸摸面板顯示裝置及其制造方法>本發明的觸摸面板為絕緣層和/或保護層的全部或一部分由本發明的感光性組合物的固化物構成的觸摸面板。此外，本發明的觸摸面板優選至少具有透明基板、電極及絕緣層和/或保護層。此外，本發明的觸摸面板及觸摸面板顯示裝置的制造方法包含本發明的固化膜的制造方法。本發明的觸摸面板顯示裝置優選為具有本發明的觸摸面板的觸摸面板顯示裝置。作為本發明的觸摸面板，可以是電阻膜方式、靜電容量方式、超聲波方式、電磁感應方式等公知的方式均可。其中，優選靜電容量方式。此外，本發明的觸摸面板顯示裝置也可以是觸摸面板或顯示裝置的絕緣層和/或保護層的全部或一部分由本發明的感光性組合物的固化物構成的觸摸面板顯示裝置。作為靜電容量方式的觸摸面板，可列舉出日本特開2010-28115號公報中公開的觸摸面板、或國際公開第2012/057165號中公開的觸摸面板。作為觸摸面板顯示裝置，可列舉出所謂的內嵌型(例如日本特表2012-517051號公報的圖5、圖6、圖7、圖8)、所謂的外嵌型(例如國際公開第2012/141148號的圖2(b)、日本特開2013-168125號公報的圖19)、OGS(OneGlassSolution)型、TOL(TouchonLens)型、其它構成(例如日本特開2013-164871號公報的圖6、WO2013/141056號公報的圖1、日本專利5673782號公報的圖2)、各種外掛型(所謂的GG方式、G1方式·G2方式、GFF方式、GF2方式、GF1方式、G1F方式等)。靜電容量方式的觸摸面板具有正面板和位于正面板的非接觸側的至少下述(1)～(5)的要素，(4)的絕緣層優選為使用了本發明的感光性組合物的固化膜。(1)框架層(2)多個焊盤(パッド)部分介由連接部分沿第一方向延伸而形成的多個第一透明電極圖案(3)與第一透明電極圖案電絕緣、且由沿與第一方向交叉的方向延伸而形成的多個焊盤部分構成的多個第二透明電極圖案(4)將第一透明電極圖案與第二透明電極圖案電絕緣的絕緣層(5)與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案中的至少一個電連接、且不同于第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的其它導電性要素本發明的觸摸面板優選進一步按照覆蓋上述(1)～(5)的要素的全部或一部分的方式設置透明保護層，透明保護層更優選為本發明的固化膜。首先，對靜電容量方式的觸摸面板的構成進行說明。圖4是表示靜電容量方式的觸摸面板的構成例的剖面圖。圖4中靜電容量方式的觸摸面板30由正面板31、框架層32、第一透明電極圖案33、第二透明電極圖案34、絕緣層35、導電性要素36、和透明保護層37構成。正面板31由玻璃基板等透明基板構成，可以使用以Corning公司的Gorilla玻璃為代表的強化玻璃等。另外，作為透明基板，優選可列舉出玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。此外，圖4中，將正面板31的設置有各要素的一側稱為非接觸面。在靜電容量方式的觸摸面板30中，在正面板31的接觸面(非接觸面的相反的面)上接觸手指等而進行輸入。以下，有時將正面板稱為“基材”。此外，在正面板31的非接觸面上設置有框架層32。框架層32是形成于觸摸面板正面板的非接觸側的顯示區域周圍的框架狀的圖案，是為了看不見引回布線等而形成的。在靜電容量方式的觸摸面板上，可以如圖5中所示的那樣，按照覆蓋正面板31的一部分區域(圖5中為除輸入面以外的區域)的方式設置框架層32。進而，在正面板31上，可以如圖5中所示的那樣在一部分中設置開口部38。在開口部38中，可以設置利用按壓的機械性的開關。如圖6中所示的那樣，在正面板31的接觸面上，形成有多個焊盤部分介由連接部分沿第一方向延伸而形成的多個第一透明電極圖案33、與第一透明電極圖案33電絕緣且由沿與第一方向交叉的方向延伸而形成的多個焊盤部分構成的多個第二透明電極圖案34、和將第一透明電極圖案33與第二透明電極圖案34電絕緣的絕緣層35。第一透明電極圖案33、第二透明電極圖案34、后述的導電性要素36可以由例如金屬膜制作。作為這樣的金屬膜，可列舉出ITO(IndiumTinOxide)膜；IZO(IndiumZincOxide)膜；Al、Cu、Ag、Ti、Mo、它們的合金等金屬膜；SiO2等金屬氧化膜等。此時，各要素的膜厚可以設定為10～200nm。此外，也可以通過燒成使非晶的ITO膜向多晶的ITO膜進行結晶化，降低電阻。此外，第一透明電極圖案33、第二透明電極圖案34和后述的導電性要素36也可以使用含有使用了導電性纖維的感光性組合物的感光性轉印材料來制造。此外，在通過ITO等來形成第一導電性圖案等的情況下，可以參考日本專利第4506785號公報的段落0014～0016等，其內容被納入本說明書中。此外，第一透明電極圖案33及第二透明電極圖案34中的至少一個可以跨越正面板31的非接觸面及框架層32的與正面板31相反側的面的兩個區域而設置。圖4中，示出第二透明電極圖案34跨越正面板31的非接觸面及框架層32的與正面板31相反側的面的兩個區域而設置的圖。使用圖6對第一透明電極圖案33及第二透明電極圖案34進行說明。圖6是表示第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的一個例子的說明圖。如圖6中所示的那樣，第一透明電極圖案33是焊盤部分33a介由連接部分33b沿第一方向延伸而形成的。此外，第二透明電極圖案34與第一透明電極圖案33通過絕緣層35而電絕緣，且通過沿與第一方向交叉的方向(圖6中的第二方向)延伸而形成的多個焊盤部分而構成。其中，在形成第一透明電極圖案33時，可以將焊盤部分33a與連接部分33b作為一體而制作，也可以僅制作連接部分33b，并將焊盤部分33a與第二透明電極圖案34作為一體而制作(圖案化)。將焊盤部分33a與第二透明電極圖案34作為一體而制作(圖案化)時，如圖6中所示的那樣按照連接部分33b的一部分與焊盤部分33a的一部分連結、并且通過絕緣層35將第一透明電極圖案33與第二透明電極圖案34電絕緣的方式形成各層。圖4中，在框架層32的與正面板31相反側的面側設置有導電性要素36。導電性要素36與第一透明電極圖案33及第二透明電極圖案34中的至少一個電連接，并且，是不同于第一透明電極圖案33及第二透明電極圖案34的其它要素。圖4中，示出導電性要素36與第二透明電極圖案34連接的圖。此外，圖4中，按照覆蓋各構成要素的全部的方式設置透明保護層37。透明保護層37也可以按照僅覆蓋各構成要素的一部分的方式構成。絕緣層35與透明保護層37可以為同一材料，也可以為不同的材料。靜電容量方式的觸摸面板及具備靜電容量方式的觸摸面板作為構成要素的觸摸面板顯示裝置可以適用“最新觸摸面板技術”(2009年7月6日發行TechnoTimesCo.,Ltd.)、三谷雄二監修、“觸摸面板的技術和開發”CMC出版(2004，12)、“FPDInternational2009ForumT-11講演教科書”、“CypressSemiconductorCorporationApplicationNoteAN2292”等中公開的構成。本發明的觸摸面板例如可以如下來制造。即，可以經由以下工序來制造：按照與ITO電極相接的方式，通過噴墨涂布方式等各種方法涂布本發明的感光性組合物的工序1；在涂布于上述ITO電極上的感光性組合物上載置具有規定形狀的開口圖案的掩模，進行活性能量射線照射而進行曝光的工序2；將曝光后的感光性組合物進行顯影的工序3；及將顯影后的感光性組合物進行加熱的工序4。工序1中，在按照與ITO電極相接的方式涂布感光性組合物時，只要涂布的本發明的感光性組合物的至少一部分與ITO電極相接即可。工序2可以與上述的曝光工序同樣地進行，優選的方式也相同。工序3可以與上述的顯影工序同樣地進行，優選的方式也相同。工序4可以與上述的后烘烤工序同樣地進行，優選的方式也相同。此外，作為本發明的觸摸面板中的ITO電極圖案的一個例子，優選可列舉出上述的圖6中所示的圖案。此外，圖7表示具有觸摸面板的功能的液晶顯示裝置的一個例子的構成概念圖。例如，本發明的固化膜適宜適用于圖7中的各層之間的保護膜，此外，還適宜適用于將觸摸面板的檢測電極間分隔開的層間絕緣膜。另外，作為觸摸面板的檢測電極，優選為透明電極(ITO(IndiumTinOxide)及IZO(IndiumZincOxide)等)及金屬電極(銀、銅、鉬、鈦、鋁等、以及它們的層疊體及合金等)、或它們的層疊體。圖7中，110表示像素基板，140表示液晶層，120表示對置基板，130表示傳感器部。像素基板110從圖7的下側起依次具有偏振片111、透明基板112、共同電極113、絕緣層114、像素電極115、取向膜116。對置基板120從圖7的下側起依次具有取向膜121、濾色器122、透明基板123。傳感器部130分別具有相位差膜124、粘接層126、偏振片127。此外，圖7中，125為傳感器用檢測電極。本發明的固化膜可以用于像素基板部分的絕緣層(114)(也稱為層間絕緣膜)、各種保護膜(未圖示)、像素基板部分的各種保護膜(未圖示)、對置基板部分的各種保護膜(未圖示)、傳感器部分的各種保護膜(未圖示)等。在粘接層126、偏振片127中，可以使用公知的粘接層組合物。作為偏振片、粘接層的具體例子，可列舉出日本特開2014-152319號公報的實施例1、實施例7、實施例13中記載的帶粘接層的偏振片、日本特開2014-191005號公報的實施例1、實施例3及實施例6中記載的帶粘接層的偏振片、日本特開2013-100386號公報的實施例1、實施例3、實施例6、實施例11及實施例14中記載的帶粘接層的偏振片、以及日本特開2013-163783號公報的實施例1、實施例2、實施例3及實施例4中記載的粘接層。進而，即使是靜態驅動方式的液晶顯示裝置，通過適用本發明也能夠顯示設計性高的圖案。作為例子，作為日本特開2001-125086號公報中記載的那樣的聚合物網絡型液晶的絕緣膜可以適用本發明。此外，圖8是具有觸摸面板的功能的液晶顯示裝置的另一個例子的構成概念圖。包含具備薄膜晶體管(TFT)440的相當于薄膜晶體管顯示板的下部顯示板200、與下部顯示板200對置且在與下部顯示板200對置的面上具備多個濾色器330的相當于濾色器顯示板的上部顯示板300、及形成于下部顯示板200與上部顯示板300之間的液晶層400。液晶層400包含液晶分子(未圖示)。下部顯示板200包含第1絕緣基板210、配置于第1絕緣基板210上的薄膜晶體管(TFT)、形成于薄膜晶體管(TFT)的上表面的絕緣膜280、及配置于絕緣膜280上的像素電極290。薄膜晶體管(TFT)可以包含門電極220、覆蓋門電極220的門絕緣膜240、半導體層250、歐姆接觸層260、262、源電極270、及漏電極272。在絕緣膜280中按照薄膜晶體管(TFT)的漏電極272露出的方式形成有接觸孔282。上部顯示板300包含配置于第2絕緣基板310的一面上且以矩陣狀排列的遮光部件320、配置于第2絕緣基板310上的濾色器330、及配置于遮光部件320及濾色器330上的取向膜350、及配置于取向膜350上且與下部顯示板200的像素電極290對應地對液晶層400施加電壓的共同電極370。在圖8中所示的液晶顯示裝置中，在第2絕緣基板310的另一面上配置有觸摸傳感電極410、絕緣膜420、觸摸驅動電極430、及保護膜600。這樣，在圖4中所示的液晶顯示裝置的制造中，在形成上部顯示板300時，可以一起形成作為觸摸屏的構成要素的傳感電極410、絕緣膜420、及觸摸驅動電極430等。特別是將本發明的感光性組合物固化而得到的固化膜可以適宜用于下部顯示板200的絕緣膜280、上部顯示板300的絕緣膜420、保護膜600。實施例以下列舉出實施例對本發明更具體地進行說明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理步驟等只要不脫離本發明的主旨，可以進行適當變更。因此，本發明的范圍并不限定于以下所示的具體例子。另外，只要沒有特別說明，“份”、“％”為質量基準。<重均分子量(Mw)及數均分子量(Mn)的測定>Mw及Mn在以下的條件下通過GPC而測定。柱的種類：TSKgelSuper(TOSOH)展開溶劑：四氫呋喃柱溫度：40℃流量(樣品注入量)：10μl裝置名：HLC-8220GPC(TOSOH)標準曲線基體樹脂：聚苯乙烯<聚合物的合成例>以下的合成例中，以下的符號分別表示以下的化合物。MATHF：甲基丙烯酸2-四氫呋喃酯(合成品)MAEVE：甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯(和光純藥工業株式會社制)PHS-EVE：對羥基苯乙烯的1-乙氧基乙基保護體(合成品)OXE-30：甲基丙烯酸3-乙基-3-氧雜環丁烷基甲酯(大阪有機化學工業株式會社制)GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯(和光純藥工業株式會社制)HEMA：甲基丙烯酸羥基乙酯(和光純藥工業株式會社制)MAA：甲基丙烯酸(和光純藥工業株式會社制)St：苯乙烯(和光純藥工業株式會社制)MMA：甲基丙烯酸甲酯(和光純藥工業株式會社制)NBMA：正丁氧基甲基丙烯酰胺(東京化成株式會社制)DCPMA：甲基丙烯酸二環戊酯(日立化成株式會社制)V-601：2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯(和光純藥工業株式會社制)V-65：2,2‘-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業株式會社制)HS-EDM：二乙二醇乙基甲基醚(東邦化學工業株式會社制、HisolveEDM)AICA：衣康酸酐(MATHF的合成)將甲基丙烯酸(86g、1mol)冷卻至15℃，添加樟腦磺酸(4.6g、0.02mol)。在該溶液中滴加2-二氫呋喃(71g、1mol、1.0當量)。攪拌1小時后，加入飽和碳酸氫鈉(500mL)，用醋酸乙酯(500mL)萃取，用硫酸鎂干燥后，將不溶物過濾后在40℃以下減壓濃縮，將殘渣的黃色油狀物進行減壓蒸餾，得到沸點為54～56℃/3.5mmHg餾分的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-酯(MATHF)125g作為無色油狀物(收率為80％)。(PHS-EVE的合成)作為原料使用對羥基苯乙烯及乙基乙烯基醚，通過與MATHF同樣的方法合成PHS-EVE。(聚合物A-1的合成例)將HS-EDM的74g在氮氣流下，加熱至90℃并攪拌。將MATHF的70g(0.45mol)、GMA的64g(0.45mol)、MAA的8.6g(0.10mol)、自由基聚合引發劑V-65(商品名、和光純藥工業株式會社制、相對于全部單體的合計100摩爾，相當于4摩爾的量)及丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)的105g的混合溶液用2小時滴加到HS-EDM中，通過進一步在70℃下反應2小時，得到聚合物A-1的溶液(固體成分濃度為45質量％)。所得到的聚合物A-1的通過凝膠滲透色譜法(GPC)測定的重均分子量為15,000，分散度(Mw/Mn＝1.9)。(聚合物A-2～A-20的合成例)將單體、聚合引發劑及聚合溫度如下述表中所示的那樣變更，通過與聚合物A-1同樣的方法合成各聚合物。上述表中，表中的沒有特別標注單位的數值以mol％作為單位。聚合引發劑及添加劑的數值為設單體成分為100mol％時的mol％。固體成分濃度以[單體質量/(單體質量+溶劑質量)]×100(單位：質量％)的形式表示。<化合物S的合成例>(S-1的合成)在具備攪拌機、溫度計、氮氣導入口的四口燒瓶中，加入甲基丙烯酸56.0g(0.65mol)、硫酸0.13g、甲苯111g。在氮氣氛下，將液溫保持在23℃，一邊進行攪拌，一邊用2小時添加2-(全氟己基)乙基乙烯基醚(CHEMINOXFAVE-6、UnimatecCo.,Ltd.制、下述結構(A))50.7g(0.13mol)，添加結束后，進一步攪拌4.5小時。將反應液添加到10質量％碳酸鈉水溶液345g中，并攪拌。將有機層分離，用10質量％碳酸鈉水溶液110g洗滌3次，用純水112g洗滌2次后，進行減壓濃縮。通過將濃縮液進一步減壓蒸餾而進行純化，得到甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯(下述結構(B))。接著，在具備攪拌機、溫度計、滴液漏斗及氮氣導入管的可分離式燒瓶中，導入33g二乙二醇乙基甲基醚(MEDG)，升溫至65℃。接著，將甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯(下述結構(B))的2.0g、六丁二醇甲基丙烯酸酯(下述結構(C))的8.0g、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業株式會社制、商品名“V-65”)0.40g與MEDG的68g混合而得到的溶液用6小時滴加到上述的升溫至65℃的可分離式燒瓶內。滴加后熟化2小時。將所得到的反應液滴加到庚烷700g中，將沉淀的聚合物利用吸濾器回收。將所得到的聚合物在減壓下干燥，得到作為目標的S-1。S-1的重均分子量(Mw)為1900，分散度(Mw/Mn)為1.74。[化學式22](S-2～S-33的合成)除了將原料適當變更以能夠形成下述表中記載的聚合物以外，與S-1同樣地操作而合成S-2～S-33。<感光性組合物的調制>將下述表中所示的材料混合、攪拌、溶解而制成溶液，用孔徑為0.4μm的聚乙烯制過濾器過濾，進一步用孔徑為0.1μm的聚四氟乙烯制過濾器過濾，得到感光性組合物。表中的沒有特別標注單位的數值為質量份。另外，聚合物成分按照固體成分成為表記載的量的方式添加。即，以固體得到時，添加表記載的量的該固體成分，以溶液得到時，按照固體成分成為表記載的量的方式添加該溶液。表示實施例及比較例中使用的各化合物的縮寫的詳細情況如下。(聚合物成分)使用上述表1中所示的A-1～A-20。(化合物S)使用上述表2中所示的S-1～S-33。(光酸產生劑)B-1：下述所示的結構(PAG-103、BASF制、產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)[化學式23]B-2：下述所示的結構(PAI-101、MidoriKagakuCo.,Ltd.制、產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)、Me表示甲基。[化學式24]B-3：下述所示的結構(產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)[化學式25]B-4：下述所示的結構(Ts表示甲苯磺酰基，產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)[化學式26]B-5：下述所示的結構(產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)[化學式27]B-6：下述所示的結構(GSID-26-1、三芳基锍鹽(BASF制)、產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)[化學式28](溶劑)C-1：二乙二醇乙基甲基醚C-2：丙二醇單甲基醚乙酸酯C-3：N-甲基吡咯烷酮C-4：γ-丁內酯(堿性化合物)DBU：1,8-二氮雜二環[5.4.0]十一碳-7-烯TPI：三苯基咪唑(烷氧基硅烷化合物)KBM-403：KBM-403、Shin-EtsuSilicone株式會社制KBM-303：KBM-303、Shin-EtsuSilicone株式會社制KBE-403：KBE-403、Shin-EtsuSilicone株式會社制KBM-5103：KBM-5103、Shin-EtsuSilicone株式會社制(其它成分)D-1：JER157S65(三菱化學株式會社制、交聯劑)D-2：EpicronHP-7200(DIC株式會社制、交聯劑)D-3：EX-321L(NagaseChemtexCorporation制、交聯劑)D-4：MW-100LM(SANWAChemicalCo.,Ltd.制、交聯劑)D-5：KAYARADDPHA(日本化藥株式會社制、交聯劑)D-6：JER157S60(三菱化學株式會社制、交聯劑)AO-60：AdekastabAO-60(株式會社ADEKA制)TA：偏苯三酸DBA：9,10-二丁氧基蒽氧化鈦分散液：制造方法在后面敘述。S’-1：下述結構(構成單元S’-1-1：構成單元S’-1-2＝20：80(質量比)、Mw＝2600)[化學式29]S’-2：下述結構(構成單元S’-2-1：構成單元S’-2-2＝20：80(質量比)、Mw＝2600)[化學式30](氧化鈦分散液的制造方法)將氧化鈦(石原產業株式會社制TTO-51(C))的25質量份、分散劑(DISPERBYK-111、BYK-ChemieJapan株式會社制)的8質量份和丙二醇單甲基醚乙酸酯的67質量份利用壽工業株式會社制UltraApexMill，以0.05mm氧化鋯珠填充率為75％、周速為12m/sec、循環流量為180g/min循環150分鐘而進行分散，得到氧化鈦分散液。<評價>(涂布性)在實施了HMDS(六甲基二硅氮烷)處理的1,500mm×1,800mm的Cr蒸鍍玻璃基板(玻璃為EAGLEXG、Corning公司)上，通過狹縫模在涂布速度為100mm/sec、涂布間隙為100μm的條件下一邊調整涂布流速一邊按照干燥膜厚成為4μm的方式涂布各感光性組合物，利用減壓干燥腔室按照極限真空度成為0.05kPa(0.4Torr)的方式進行真空干燥。將該干燥后的基板利用熱板在90℃下干燥120秒后，在暗處使用Na燈、白色燈及綠色燈進行觀察，按照以下的基準評價涂布條紋、干燥不均。1～4為實用范圍。1：沒有涂布條紋及涂布不均。2：沒有涂布條紋，但略微有涂布不均。3：僅在基板周邊部略微有涂布條紋，并且，略微有涂布不均。4：在基板中央部略微有涂布條紋，并且，略微有涂布不均。5：在基板整面有涂布條紋及或涂布不均。(與上層的密合性)將與涂布性評價同樣地制作的基板利用FHD-5(FUJIFILMElectronicMaterialsCo.,Ltd.制)的21％水溶液覆蓋并靜置60秒。靜置后以噴淋狀散布純水而將顯影液沖掉后，自然干燥。進而將干燥后的基板在230℃下加熱30分鐘后，切割成100mm×100mm尺寸。將上述成為小片的基板使用ULVAC,Inc.制ITO(IndiumTinOxide)濺射裝置SME-200E，按照濺射溫度為23℃、膜厚成為50nm的方式將ITO成膜，進行200℃且30分鐘加熱。在所得到的帶ITO的基板上，按照JISK5600-5-6：1999，以1mm間隔劃上切割線而進行劃格試驗，評價ITO的密合性。1～4為實用范圍。1：從固化膜表面剝離的ITO膜的合計面積低于1％2：從固化膜表面剝離的ITO膜的合計面積為1％以上且低于5％3：從固化膜表面剝離的ITO膜的合計面積為5％以上且低于10％4：從固化膜表面剝離的ITO膜的合計面積為10％以上且低于15％5：從固化膜表面剝離的ITO膜的合計面積為15％以上<顯影性>對于各感光性組合物，將與涂布性評價同樣地制作的基板使用MPA-7800+(佳能株式會社制)對5μm的孔圖案進行曝光。接著利用FHD-5(FUJIFILMElectronicMaterialsCo.,Ltd.制)的21％水溶液覆蓋，進行23℃/60秒靜置。靜置后，以噴淋狀散布純水而沖掉顯影液，自然干燥。進而將干燥后的基板在230℃下加熱30分鐘后，利用光學顯微鏡(倍率為300倍)、掃描型電子顯微鏡(SEM)(倍率為5000倍)觀察孔圖案的形狀。在任一觀察中，確認沒有殘渣且具有良好的析像性，為漂亮的孔圖案形狀。另外，對于各感光性組合物的曝光量通過下述的方法求出。對于各感光性組合物，將與涂布性評價同樣地制作的基板使用佳能株式會社制MPA5500CF(高壓汞燈)，介由5μm的孔圖案掩模進行曝光。進而，將曝光后的感光性組合物利用FHD-5(FUJIFILMElectronicMaterialsCo.,Ltd.制)的21％水溶液進行23℃/60秒鐘顯影后，用超純水淋洗20秒。求出通過這些操作使5μm的孔析像時的最佳i射線曝光量(Eopt)，作為曝光量。<耐熱變形>對于各感光性組合物，將與顯影性評價同樣地制作的基板用烘箱進行250℃且120分鐘追加燒成。利用SEM(倍率為5000倍)觀察進行追加燒成前后的圖案形狀，將孔形狀的變化小者設定為耐熱性良好。1～4為實用范圍。1：沒有錐角變動。2：錐角變動低于2°3：錐角變動為2°以上且低于5°4：錐角變動為5°以上且低于10°5：錐角變動為10°以上表3表4如上述表中所示的那樣，實施例的涂布性良好，所得到的固化膜與上層的密合性優異。另一方面，比較例的涂布性、及與上層的密合性中的至少一個差。<顯示裝置的制作>(實施例1001)對于日本特開2012-203121號公報的圖1中記載的顯示裝置，除了將像素分離膜(19)及平坦化膜(17)使用實施例1的感光性組合物來制作以外，按照日本特開2012-203121號公報來制作。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例1002～1080)除了在實施例1001中，將實施例1的感光性組合物替換成實施例2～80的感光性組合物以外，與實施例1001同樣地操作而制作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例2001)對于日本特開2013-196919號公報的圖1中記載的顯示裝置，除了將像素間絕緣膜(16)及層間絕緣膜(14)使用實施例1的感光性組合物來制作以外，按照日本特開2013-196919號公報來制作。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例2002～2080)除了在實施例2001中，將實施例1的感光性組合物替換成實施例2～80的感光性組合物以外，與實施例2001同樣地操作而制作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例3001)對于日本特開2007-328210號公報的圖1中記載的液晶顯示裝置，除了將有機絕緣膜PAS使用實施例1的感光性組合物來制作以外，按照日本特開2007-328210號公報來制作。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例3002～3080)除了在實施例3001中，將實施例1的感光性組合物替換成實施例2～80的感光性組合物以外，與實施例3001同樣地操作而制作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例4001)對于日本特開2007-328210號公報的圖1中記載的液晶顯示裝置，除了將有機絕緣膜PAS使用實施例1的感光性組合物如下述那樣制作以外，按照日本特開2007-328210號公報來制作。為顯示特性優異的顯示裝置。按照日本特開2007-328210號公報，制作至IN2。之后，按照加熱固化后的膜厚成為規定膜厚的一半的方式狹縫涂布實施例1的感光性組合物，接著，除去溶劑，接著，以孔形狀進行圖案曝光，接著，用四甲基氫氧化銨(TMAH)的0.5質量％水溶液進行60秒鐘旋覆浸沒顯影，接著用超高壓汞燈以600mJ/cm2的曝光量進行整面曝光，接著在氮氣氛中在105℃下加熱20分鐘，進一步在氮氣氛中在240℃下加熱40分鐘，形成規定膜厚的一半的膜厚的固化膜。在上述的固化膜上，同樣地用實施例1的感光性組合物形成規定膜厚的一半的膜厚的固化膜。由此，形成固化膜的層疊體(一半的膜厚的固化膜2層的層疊結構)即PAS。之后，按照日本特開2007-328210號公報來制作液晶顯示裝置。(實施例4002～4080)除了在實施例4001中，將實施例1的感光性組合物替換成實施例2～80的感光性組合物以外，與實施例4001同樣地操作而制作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。(實施例4081)除了在實施例4001中，將有機絕緣膜PAS的第1層變更為實施例57的感光性組合物，將第2層變更為實施例77的感光性組合物以外，與實施例4001同樣地操作而制作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。符號說明1：TFT、2：布線、3：絕緣膜、4：平坦化膜、5：第一電極、6：玻璃基板、7：接觸孔、8：絕緣膜、10：液晶顯示裝置、12：背光源單元、14，15：玻璃基板、16：TFT、17：固化膜、18：接觸孔、19：ITO透明電極、20：液晶、22：濾色器、30：靜電容量方式的觸摸面板、31：正面板、32：框架層、33：第一透明電極圖案、33a：焊盤部分、33b：連接部分、34：第二透明電極圖案、35：絕緣層、36：導電性要素、37：透明保護層、38：開口部、110：像素基板、111：偏振片、112：透明基板、113：共同電極、114：絕緣層、115：像素電極、116：取向膜、120：對置基板、121：取向膜、122：濾色器、123：透明基板、124：相位差膜、126：粘接層、127：偏振片、130：傳感器部、200：下部顯示板、210：絕緣基板、220：門電極、240：門絕緣膜、250：半導體層、260：歐姆接觸層、270：源電極、272：漏電極、280：絕緣膜、282：接觸孔、290：像素電極、300：上部顯示板、310：絕緣基板、320：遮光部件、330：濾色器、350：取向膜、370：共同電極、400：液晶層、410：傳感電極、420：絕緣膜、430：觸摸驅動電極、600：保護膜、CT：對置電極、GI：門絕緣膜、GT：門電極、IN1：第1層間絕緣膜、IN2：第2層間絕緣膜、IN3：第3層間絕緣膜、PAS：有機絕緣膜、PS：半導體膜、PX：像素電極、RAL：反射膜、SD1：漏電極、SD2：源電極、SUB1：玻璃基板、UC：基底膜。當前第1頁1 2 3 當前第1頁1 2 3