本發明涉及調光膜技術領域，尤其涉及一種調光膜電控系統。

背景技術：

傳統的調光膜控制方法是通過簡單的通電斷電，實現調光膜的透明和不透明控制，或者通過簡單的調節電源輸出電壓，實現調光膜的整體透明度控制，而且若需要從下往上的方式漸變調節透明度的話，現有技術只能通過將調光膜分段切塊，通過調節每塊的透明度實現從下往上的漸變調節。如果調光膜分段切成n塊，則需要n+1（一根公共線）根控制線，接線繁瑣。

技術實現要素：

為了解決上述技術問題，本發的目的是提供一種接線簡單，且能實現漸變調節的一種調光膜電控系統。

本發明所采取的技術方案是：

一種調光膜電控系統，包括微處理器、過零檢測電路、充電電路、放電電路和調光膜，所述微處理器的第一輸出端與充電電路的輸入端連接，所述微處理器的第二輸出端與放電電路的輸入端連接，所述微處理器的輸入端與過零檢測電路的輸出端連接，所述充電電路的輸出端與放電電路的輸出端均與調光膜的電極連接。

作為本發明的進一步改進，所述過零檢測電路包括第一光耦合器、第一電阻、第二電阻和第三電阻，所述第一光耦合器原邊的陽極通過第二電阻連接至電源輸入端，所述第一光耦合器原邊的陰極通過第三電阻連接至電源輸入端，所述第一光耦合器副邊的集電極通過第一電阻連接至電源端，所述第一光耦合器副邊的集電極連接至微處理器的輸入端，所述第一光耦合器副邊的發射極與地連接。

作為本發明的進一步改進，所述放電電路包括第二光耦合器、第四電阻和第七電阻，所述第二光耦合器原邊的陰極與微處理器的第二輸出端連接，所述第二光耦合器原邊的陽極通過第四電阻連接至電源端，所述第二光耦合器副邊的第一端連接至調光膜的電極，所述第二光耦合器副邊的第二端通過第七電阻與地連接。

作為本發明的進一步改進，所述充電電路包括第三光耦合器、PNP晶體管、二極管、第五電阻、第六電阻、NMOS管和橋堆，所述第三光耦合器原邊的陰極與微處理器的第一輸出端連接，所述第三光耦合器原邊的陽極通過第五電阻進而連接至電源端，所述第三光耦合器副邊的集電極連接至工作電源端，所述第三光耦合器副邊的發射極分別與二極管的正極端和PNP晶體管的基極連接，所述二極管的負極端分別與PNP晶體管的發射極和NMOS管的柵極相連接，所述PNP晶體管的基極通過第六電阻連接至PNP晶體管的集電極，所述PNP晶體管的集電極分別與NMOS管的源極和橋堆的第四端相連接，所述NMOS管的漏極與橋堆的第二端連接，所述橋堆的第一端與電源輸入端連接，所述橋堆的第三端與調光膜的電極連接。

本發明的有益效果是：

本發明一種調光膜電控系統通過充電電路和放電電路能實現調光膜整體透明度調節，可以不用將調光膜分段切塊，既可以實現調光膜透明度從下往上的漸變調節，還可以根據需要實現透明和不透明不同占比的調節。

附圖說明

下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步說明：

圖1是本發明一種調光膜電控系統的原理方框圖；

圖2是本發明一種調光膜電控系統中過零檢測電路的電路原理圖；

圖3是本發明一種調光膜電控系統中放電電路的電路原理圖；

圖4是本發明一種調光膜電控系統中充電電路的電路原理圖。

具體實施方式

參考圖1～圖4，本發明一種調光膜電控系統，包括微處理器、過零檢測電路、充電電路、放電電路和調光膜，所述微處理器的第一輸出端與充電電路的輸入端連接，所述微處理器的第二輸出端與放電電路的輸入端連接，所述微處理器的輸入端與過零檢測電路的輸出端連接，所述充電電路的輸出端與放電電路的輸出端均與調光膜的電極連接。

進一步作為優選的實施方式，所述過零檢測電路包括第一光耦合器U1、第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3，所述第一光耦合器U1原邊的陽極通過第二電阻R2連接至電源輸入端，所述第一光耦合器U1原邊的陰極通過第三電阻R3連接至電源輸入端，所述第一光耦合器U1副邊的集電極通過第一電阻R1連接至電源端，所述第一光耦合器U1副邊的集電極連接至微處理器的輸入端，所述第一光耦合器U1副邊的發射極與地連接。

優選的，所述過零檢測電路通過采用交流后沿切相的方式，控制輸出到充電電路和放電電路的正弦交流電進行切波。

進一步作為優選的實施方式，所述放電電路包括第二光耦合器U2、第四電阻R4和第七電阻R7，所述第二光耦合器U2原邊的陰極與微處理器的第二輸出端連接，所述第二光耦合器U2原邊的陽極通過第四電阻R4連接至電源端，所述第二光耦合器U2副邊的第一端連接至調光膜的電極，所述第二光耦合器U2副邊的第二端通過第七電阻R7與地連接。

所述放電電路通過微處理器輸出的波形控制調光膜的放電，調光膜的電通過第二光耦合器U2和第四電阻R4得到受控的釋放，實現調光膜由透明到不透明的控制。

進一步作為優選的實施方式，所述充電電路包括第三光耦合器U3、PNP晶體管Q1、二極管D1、第五電阻R5、第六電阻R6、NMOS管T1和橋堆M1，所述第三光耦合器U3原邊的陰極與微處理器的第一輸出端連接，所述第三光耦合器U3原邊的陽極通過第五電阻R5進而連接至電源端，所述第三光耦合器U3副邊的集電極連接至工作電源端，所述第三光耦合器U3副邊的發射極分別與二極管D1的正極端和PNP晶體管Q1的基極連接，所述二極管D1的負極端分別與PNP晶體管Q1的發射極和NMOS管T1的柵極相連接，所述PNP晶體管Q1的基極通過第六電阻R6連接至PNP晶體管Q1的集電極，所述PNP晶體管Q1的集電極分別與NMOS管T1的源極和橋堆M1的第四端相連接，所述NMOS管T1的漏極與橋堆M1的第二端連接，所述橋堆M1的第一端與電源輸入端連接，所述橋堆M1的第三端與調光膜的電極連接。

所述充電電路通過微處理器輸出的波形控制調光膜的充電，并通過NMOS管T1和橋堆M1實現交流電的通斷控制。

由于只是通過充電電路對調光膜輸出可調的交流電，調光膜會出現整體的透明度一致的現象。因此本發明通過放電電路和充電電路的結合，對調光膜進行充放電，在充放電達到一定比例后，調光膜就可以實現一半透明一半不透明，并且通過調節電壓，從而實現透明和不透明部分不同的占比。

以上是對本發明的較佳實施進行了具體說明，但本發明創造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本發明精神的前提下還可做作出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。