本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種黑色矩陣光罩、黑色矩陣制作方法及顯示面板。

背景技術：

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)面板的生產制作是一個復雜的過程，在生產的過程中會出現各種缺陷。有些缺陷在制作的過程中就可以檢測出其位置所在，并進行修復。有些缺陷是在制作完成之后，由人工檢查看到缺陷，并進行修復。通常對于出現的缺陷都需要進行裂片解析，找到缺陷產生的原因，并進行改善，以提高產能和良率。通常在面板的四周會將掃描線和數據線進行對應的編號(如圖1所示)，這種方式需要先找到對應線的編號，然后沿著走線找到缺陷的像素，但對于大尺寸面板查找面板內的像素缺陷時，仍然面臨著查找與定位不方便的問題。

技術實現要素：

發明主要解決的技術問題是提供一種黑色矩陣光罩、黑色矩陣制作方法及顯示面板，以在面板內對像素編號，進而方便快速查找與定位缺陷。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種黑色矩陣光罩，所述黑色矩陣光罩包括多個不透光區域及位于多個不透光區域之間的透光區域，在所述透光區域上且位于所述不透光區域周邊設置有像素編號，以標識像素位置。

其中，所述不透光區域對應基板上的顯示區域，所述透光區域對應所述基板上的非顯示區域，所述像素編號由像素對應的掃描線編號及數據線編號組成。

其中，所述像素編號為不透光的數字。

其中，所述黑色矩陣光罩為矩形，所述每一不透光區域為矩形。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種應用上述的黑色矩陣光罩制備黑色矩陣的方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上涂布黑色矩陣材料層；

使用所述黑色矩陣光罩對基板上的黑色矩陣材料層進行曝光；

對曝光后的黑色矩陣材料層進行顯影；

對顯影后的黑色矩陣材料層進行烘烤，以在所述基板上形成具有像素編號的黑色矩陣。

其中，所述“使用所述黑色矩陣光罩對基板上的黑色矩陣材料層進行曝光”的步驟包括：通過黑色矩陣光罩將涂布有黑色矩陣薄膜層的基板的非顯示區域進行曝光以形成曝光區域且在所述曝光區域上有遮光區域，遮光區域顯影后形成像素編號，將涂布有所述黑色矩陣薄膜層的基板的顯示區域進行遮光以形成遮光區域。

其中，在所述基板的顯示區域形成有薄膜晶體管陣列和電極結構；或者在所述基板的顯示區域形成有彩色樹脂結構。

其中，所述像素編號在所述基板的黑色矩陣上且位于顯示區域的周邊。

其中，在所述基板的黑色矩陣上對應于存儲電容的位置設置所述像素編號。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種顯示面板的制備方法，所述顯示面板的黑色矩陣按照上述的黑色矩陣制作方法進行制備。

本發明的有益效果是：區別于現有技術的情況，本發明采用在黑色矩陣光罩上設置像素編號，通過UV曝光的方式將所述黑色矩陣光罩上的像素編號蝕刻在所述基板的黑色矩陣上，以此實現在面板內即可根據所述像素編號快速查找到對應的掃描線及數據線，也可根據所述像素編號快速找到對應像素，進而快速定位缺陷位置。

附圖說明

圖1是現有顯示面板四周的編號示意圖；

圖2是本發明的黑色矩陣制作方法流程圖；

圖3是本發明的陣列基板的示意圖；

圖4是本發明的黑色矩陣光罩的示意圖；

圖5是本發明的陣列基板的黑色矩陣制作完成后的示意圖；

圖6是本發明的顯示面板的結構示意圖。

具體實施方式

請參閱圖2，是本發明的黑色矩陣制作方法流程圖。所述制作方法包括以下步驟：

步驟S1：提供一基板10。

需要說明的是，如圖3所示，所述基板10上包括單個面板或多個面板的情形都適用本發明實施例的黑色矩陣的制作方法，只是對應基板上包括多個面板的情形下，所述基板10包括多個顯示區域12和位于多個顯示區域12之間的非顯示區域13。在本實施例中，所述基板10上的顯示區域為12個。本發明實施例所述的基板10可以為玻璃基板、塑料基板、石英基板等各種適用于制作陣列基板和彩膜基板的材料。在本實施例中，所述基板10為陣列基板，在其他實施例中，所述基板10也可為彩膜基板。

其中，所述基板10為完成制作的基板，具體地，所述完成制作的基板具體為：在所述基板10的顯示區域12形成有薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)陣列和電極結構；或者在所述基板10的顯示區域12形成有彩色樹脂結構。所述形成有薄膜晶體管陣列和電極結構是針對陣列基板的制作而言的，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結構；所述形成有彩色樹脂結構是針對彩膜(CF，Color Filter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色樹脂和黑矩陣等結構；所述完成制作的基板還可以是彩膜集成于陣列基板，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結構，且將制作彩膜的彩色樹脂和黑矩陣等結構集成于所述陣列基板。總之，本發明實施例所述完成制作的基板是指已完成在制作配向膜前的各種必要工序的基板。

已完成制作的陣列基板上應已完成柵極、漏極、像素電極、公共電極布線、以及絕緣保護層的制作。另外，已完成制作的IPS模式陣列基板需兩層透明電極層，一層為像素電極，一層為公共電極；已完成制作的IPS模式陣列基板只需一層透明電極層作為像素電極層。與現有技術相同，此處不再贅述。

已完成制作的彩膜基板上應已完成色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)、保護層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場模式需要)的制作，與現有技術相同，此處不再贅述。

已完成制作的Color Filter on Array基板：其陣列基板除包括極、漏極、像素電極、公共電極、絕緣保護層，還包括色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)，彩膜基板上只包含保護層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場模式需要)。

步驟S2：在所述基板10上涂布黑色矩陣材料層。

需要說明的是，本實施例中采用的黑色矩陣材料及其涂布黑色矩陣材料層的方式與現有技術相同，在此不再贅述。

步驟S3：使用黑色矩陣光罩20對基板10上的黑色矩陣材料層進行曝光。

其中，如圖4所示，所述黑色矩陣光罩20包括多個不透光區域21及位于多個不透光區域之間的透光區域22，所述黑色矩陣光罩20上的每一不透光區域21對應所述基板10上的每一顯示區域12，所述黑色矩陣光罩20上的透光區域22對應所述基板10上的非顯示區域13。所述黑色矩陣光罩20上的不透光區域21為12個且與所述基板10上的顯示區域12一一對應。在所述黑色透光區域22上且位于所述不透光區域21周邊設置有像素編號23，以標識像素位置。所述像素編號23由像素對應的掃描線編號及數據線編號組成，如掃描線編號為G2表示所指向的本條掃描線為第2條掃描線，數據編號為D2表示所指向的本條數據線為第2條數據線，如此，在面板內即可根據所述像素編號快速查找到對應的掃描線及數據線，同時也可根據所述像素編號快速找到對應像素。

其中，所述像素編號為透光的鏤空數字，設置在所述黑色透光區域22上且位于所述不透光區域21的右上方，以對應于所述基板10上的存儲電容的位置，在其他實施例中，所述像素編號也可根據需要設置在其他位置。所述黑色矩陣光罩20為矩形，所述每一不透光區域21為矩形。

具體的，所述黑色矩陣材料為負光阻。通過黑色矩陣光罩20對涂布有所述黑色矩陣材料層的基板10的非顯示區域13進行紫外光照射進行曝光，黑色矩陣光罩20的圖案要求能使紫外光(UV光)照射在所述基板10的非顯示區域13的對應位置，即所述非顯示區域13的位置為曝光區域，而顯示區域12和待形成像素編號的區域被所述黑色矩陣光罩20遮擋，以形成遮光區域且在所述遮光區域上形成像素編號23。

步驟S4：對曝光后的黑色矩陣材料層進行顯影。

具體的，如圖5所示，可以通過顯影去除顯示區域12的黑色矩陣材料，顯影液可以采用氫氧化鉀KOH顯影液等。顯示區域12的黑色矩陣材料在顯影時，會被去除，同時非顯示區域13上的像素編號23的不透光數字處的黑色矩陣材料在顯影時也被去除，以將像素編號數字蝕刻在非顯示區域13的黑色矩陣上，非顯示區域13的其他透光區域的黑色矩陣材料會被保留。

其中，所述像素編號23形成在所述基板10的黑色矩陣14上且位于顯示區域12的周邊，在本實施例中，所述像素編號23形成在所述基本10的顯示區域12的右上方，且對應于所述基板10上的存儲電容的位置，在其他實施例中，也可以根據需要將所述像素編號設置在其他位置。

步驟S5：對顯影后的黑色矩陣材料層進行烘烤，以在所述基板10上形成具有像素編號的黑色矩陣14。

其中，將基板10和黑色矩陣材料層進行烘烤包括：1、預烤；2、后烤，以在基板10上形成固化的黑色矩陣材料層。

本發明采用在黑色矩陣光罩上設置像素編號，通過UV曝光的方式將所述黑色矩陣光罩上的像素編號蝕刻在所述基板的黑色矩陣上，以此實現在面板內即可根據所述像素編號快速查找到對應的掃描線及數據線，也可根據所述像素編號快速找到對應像素，進而快速定位缺陷位置，該方法不會增加成本且不影響面板的正常顯示。

請參閱圖6，是本發明的顯示面板的結構示意圖。所述顯示面板30包括上述黑色矩陣制作方法制作的基板10，具體為：將上述基板10經過切割后形成的每一面板應用于所述顯示面板中作為陣列基板或者彩膜基板，所述顯示面板的其他器件與現有技術相同，在此不再贅述。

以上所述僅為本發明的實施方式，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。