1.一種熱致超大模場光纖，其特征在于熱致超大模場光纖由纖芯和包層組成，要求纖芯材料的折射率隨著溫度的增加而增加；
纖芯包括內纖芯和外纖芯，內纖芯和外纖芯皆為圓形，且內纖芯位于外纖芯的中心，內纖芯的折射率小于等于外纖芯的折射率；內纖芯中摻有增益介質；外纖芯中不含增益介質；內纖芯直徑大于等于20微米；內纖芯直徑與外纖芯直徑的比值小于等于50％；
包層中不含增益介質，包括內包層和外包層；外包層包裹內包層，內包層包裹外纖芯；內包層的折射率小于外纖芯的折射率；外包層的折射率小于內包層的折射率。
2.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述內纖芯折射率與外纖芯折射率的差別小于0.0001。
3.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述增益介質是指能夠產生光場并能夠實現光場受激放大的粒子或元素，要求增益介質能夠通過吸收泵浦光，在特定兩個能級之間實現粒子數反轉，并利用粒子在這兩個能級之間的受激躍遷過程產生激光，在產生激光的同時，能夠基于量子虧損效應產生熱量。
4.如權利要求3所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述增益介質指鉺、鐿、銩、鈥、鐠、銣、鉍。
5.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述內纖芯直徑大于等于30微米。
6.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述外纖芯相對于內包層的數值孔徑小于等于0.2。
7.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述內包層相對于外包層的數值孔徑大于等于0.2。
8.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述內包層橫截面為圓形或D型或正多邊形。
9.如權利要求8所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述內包層橫截面采用D型或正多邊形。
10.如權利要求9所述的熱致超大模場光纖，其特征在于所述內包層橫截面采用的正多邊形為正六邊形或正八邊形。
11.如權利要求1所述的熱致超大模場光纖，其特征在于超大模場光纖采用側面泵浦耦合結構，所述側面泵浦耦合結構是指在外包層內加入K個與內包層光學接觸的多模光纖作為泵浦光傳輸通道，K為小于等于[π(1+R1/r1)]的自然數，R1為內包層直徑，即若內包層橫截面為圓形，則R1為圓形直徑，若內包層橫截面為D型或正多邊形，則R1為D型或正多邊形外接圓直徑，r1為多模光纖的最小纖芯直徑。