1.一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：包括第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)，所述第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)間設有電解質層(3)，所述第一玻璃基板(1)包括第一基板(11)和依次設于所述第一基板(11)和電解質層(3)間的第一ITO層(12)和WO3層(13)。
2.根據權利要求1所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：第二玻璃基板(2)包括第二基板(21)和依次設于所述第二基板(21)和電解質層(3)間的第二ITO層(22)、AZO層(23)、Ag層(24)和NiO層(25)。
3.根據權利要求1所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述第一ITO層(12)膜厚120～135nm，方阻<15歐。
4.根據權利要求1所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述WO3層(13)膜厚500～600nm。
5.根據權利要求1所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述電解質層(3)電導率>10-6μs/cm。
6.根據權利要求2所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述NiO層(25)膜厚50～100nm。
7.根據權利要求2所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述Ag層(24)膜厚8～12nm。
8.根據權利要求2所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述AZO層(23)膜厚300～400nm。
9.根據權利要求2所述的一種高紅外反射電致變色玻璃，其特征在于：所述第一基板(11)和第二基板(12)均為厚度4～8mm的浮法玻璃。
10.一種制備高紅外反射電致變色玻璃的方法，其特征在于包括以下步驟：
1)、磁控濺射第一ITO層(12)，用交流電源、Ar氣作為保護氣體，磁控濺射氧化銦錫靶In2O3：SnO2＝90：10(wt％)，用Ar氣流量800SCCM；
2)、磁控濺射WO3層(13)，用交流電源、Ar氣、O2氣作為保護氣體，磁控濺射鎢靶，氬氧流量比為400～425SCCM:600～630SCCM；
3)、制備電解質層(3)，將PVB、鋰鹽、助劑按重量比60～70：10～20：10～30擠出流延制成；
4)、磁控濺射NiO層(25)，用交流電源、Ar氣、O2氣作為保護氣體，磁控濺射鎢鎳靶W：Ni＝8：92(wt％)，氬氧流量比為380～400SCCM:600～625SCCM；
5)、磁控濺射Ag層(24)，直流電源濺射，用Ar氣作為保護氣體，氣體流量500～550SCCM；
6)、制備AZO層(23)，鋁摻雜的氧化鋅層；
7)、磁控濺射第二ITO層(22)，用交流電源、Ar氣作為保護氣體，磁控濺射氧化銦錫靶In2O3：SnO2＝90：10(wt％)，用Ar氣流量800SCCM；
8)、合片，由第一基板(11)、第一ITO層(12)和WO3層(13)組成第一玻璃基板(1)，由第二基板(21)、第二ITO層(22)、AZO層(23)、Ag層(24)、NiO層(25)組成第二玻璃基板(2)，第一玻璃基板(1)、電解質層(3)與第二玻璃基板(2)通過高壓釜進行合片，制備得高紅外反射電致變色玻璃。