本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種曝光設(shè)備及曝光方法。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)與有源矩陣有機發(fā)光二極管(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)顯示器等平板顯示器已經(jīng)逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器，廣泛的應(yīng)用于液晶電視、手機、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。

在TFT-LCD和AMOLED的制造過程中，會多次利用構(gòu)圖工藝。具體為，在涂有光刻膠的基板上方放置掩膜板(Mask)，然后利用曝光方法對基板進行曝光，具體的，曝光方法通過開啟超高壓水銀燈發(fā)出紫外(UV)光線，將掩膜板上的圖像信息轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的基板表面上，基于掩膜板的圖案，光刻膠會有被曝光的部分和未被曝光的部分。再利用顯影液對光刻膠進行顯影，即可去除光刻膠被曝光的部分，保留光刻膠未被曝光的部分(正性光刻膠)，或者去除光刻膠未被曝光的部分，保留光刻膠被曝光的部分(負(fù)性光刻膠)，從而使光刻膠形成所需的圖形。

在實現(xiàn)上述利用掩膜板進行曝光的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中在使用曝光設(shè)備進行曝光時，大多是一個曝光腔內(nèi)用一張掩膜板只能曝光一張基板，由此既增加了制造成本，也降低了生產(chǎn)效率。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖及其曝光光路示意圖，如圖1所示，所述曝光設(shè)備包括用于承載基板60的平臺(Plate Stage)51、設(shè)于所述平臺51上方與所述平臺51平行的掩膜板52、設(shè)于所述掩膜板52上方的曝光光源53，曝光過程中，基板60放置于平臺51上，所述曝光光源53射出的光線從所述掩膜板52的上方垂直射到所述掩膜板52的上表面，穿過所述掩膜板52垂直射到所述平臺51及放置于平臺51上的基板60上。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種曝光設(shè)備，通過合理設(shè)置光路，在一次曝光制程中利用一個掩膜板可同時對兩基板進行曝光，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種曝光方法，使用上述曝光設(shè)備，在一次曝光制程中利用一個掩膜板可同時對兩基板進行曝光，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種曝光設(shè)備，包括一掩膜板、設(shè)于所述掩膜板左側(cè)下方的第一平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)下方的第二平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)上方的第一光源、及設(shè)于所述掩膜板左側(cè)上方的第二光源；

所述第一平臺、第二平臺均用于承載基板；

所述第一光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第一平臺；

所述第二光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第二平臺。

所述掩膜板為水平設(shè)置；所述第一平臺、第二平臺均為相對水平面傾斜設(shè)置；

所述第一平臺的上表面面向第一光源，所述第二平臺的上表面面向第二光源。

所述第一光源與第二光源射出的光線均為平行光線；

所述第一光源射出的光線從所述掩膜板的上方傾斜射到所述掩膜板的上表面，穿過所述掩膜板垂直射到所述第一平臺；

所述第二光源射出的光線從所述掩膜板的上方傾斜射到所述掩膜板的上表面，穿過所述掩膜板垂直射到所述第二平臺。

所述第一平臺與第二平臺為左右對稱設(shè)置；所述第一光源與第二光源為左右對稱設(shè)置；

所述第一光源射出的光線從所述掩膜板的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜板的上表面，所述第二光源射出的光線從所述掩膜板的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜板的上表面，其中，θ1等于θ2。

所述的曝光設(shè)備，還包括容納所述掩膜板、第一平臺、第二平臺、第一光源、及第二光源的曝光腔。

本發(fā)明還提供一種曝光方法，包括如下步驟：

步驟1、提供曝光設(shè)備、及兩個基板，所述曝光設(shè)備包括一掩膜板、設(shè)于所述掩膜板左側(cè)下方的第一平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)下方的第二平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)上方的第一光源、及設(shè)于所述掩膜板左側(cè)上方的第二光源；將兩個基板分別放置于第一平臺、第二平臺上；

步驟2、開啟第一光源與第二光源，所述第一光源射出的光線穿過所述掩膜板射到放置于所述第一平臺上的基板上；所述第二光源射出的光線穿過所述掩膜板射到放置于所述第二平臺上的基板上。

所述掩膜板為水平設(shè)置；所述第一平臺、第二平臺均為相對水平面傾斜設(shè)置；

所述第一平臺的上表面面向第一光源，所述第二平臺的上表面面向第二光源。

所述步驟2中，所述第一光源與第二光源射出的光線均為平行光線；

所述第一光源射出的光線從所述掩膜板的上方傾斜射到所述掩膜板的上表面，穿過所述掩膜板垂直射到放置于所述第一平臺上的基板上；

所述第二光源射出的光線從所述掩膜板的上方傾斜射到所述掩膜板的上表面，穿過所述掩膜板垂直射到放置于所述第二平臺上的基板上。

所述第一平臺與第二平臺為左右對稱設(shè)置；所述第一光源與第二光源為左右對稱設(shè)置；

所述步驟2中，所述第一光源射出的光線從所述掩膜板的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜板的上表面，所述第二光源射出的光線從所述掩膜板的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜板的上表面，其中，θ1等于θ2。

所述曝光設(shè)備還包括容納所述掩膜板、第一平臺、第二平臺、第一光源、及第二光源的曝光腔。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的曝光設(shè)備，包括一掩膜板、設(shè)于所述掩膜板左側(cè)下方的第一平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)下方的第二平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)上方的第一光源、及設(shè)于所述掩膜板左側(cè)上方的第二光源；所述第一平臺、第二平臺均用于承載基板；所述第一光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第一平臺；所述第二光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第二平臺；由于該曝光設(shè)備具有兩個光源，使用該曝光設(shè)備進行曝光時，通過合理設(shè)置光路，便能夠達(dá)到一個曝光腔內(nèi)用一張掩膜板同時曝光兩塊基板的目的，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。本發(fā)明的曝光方法，使用上述曝光設(shè)備，在一次曝光制程中利用一個掩膜板可同時對兩基板進行曝光，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有一種曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖及其曝光光路示意圖；

圖2為本發(fā)明的曝光設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖及本發(fā)明的曝光方法的示意圖；

圖3為本發(fā)明的曝光方法的流程示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細(xì)描述。

請參閱圖2，本發(fā)明首先提供一種曝光設(shè)備，包括一掩膜板110、設(shè)于所述掩膜板110左側(cè)下方的第一平臺121、設(shè)于所述掩膜板110右側(cè)下方的第二平臺122、設(shè)于所述掩膜板110右側(cè)上方的第一光源131、設(shè)于所述掩膜板110左側(cè)上方的第二光源132、及容納所述掩膜板110、第一平臺121、第二平臺122、第一光源131、及第二光源132的曝光腔(未圖示)。

其中，所述第一平臺121、第二平臺122均用于承載基板200；所述第一光源131射出的光線穿過所述掩膜板110射到所述第一平臺121；所述第二光源132射出的光線穿過所述掩膜板110射到所述第二平臺122。

具體地，所述掩膜板110為水平設(shè)置；所述第一平臺121、第二平臺122均為相對水平面傾斜設(shè)置；所述第一平臺121的上表面面向第一光源131，所述第二平臺122的上表面面向第二光源132。

具體地，所述第一光源131與第二光源132射出的光線均為平行光線。

具體地，所述第一光源131射出的光線從所述掩膜板110的上方傾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿過所述掩膜板110傾斜或垂直射到所述第一平臺121，優(yōu)選垂直射到所述第一平臺121；所述第二光源132射出的光線從所述掩膜板110的上方傾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿過所述掩膜板110傾斜或垂直射到所述第二平臺122，優(yōu)選垂直射到所述第二平臺122。

具體地，所述第一平臺121與第二平臺122為左右對稱設(shè)置；所述第一光源131與第二光源132為左右對稱設(shè)置。

具體地，所述第一光源131射出的光線從所述掩膜板110的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜板110的上表面，所述第二光源132射出的光線從所述掩膜板110的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜板110的上表面，其中，θ1等于θ2。

本發(fā)明的一種曝光設(shè)備具有兩個光源，第一光源131與第二光源132，使用該曝光設(shè)備進行曝光時，通過合理設(shè)置光路，便能夠達(dá)到一個曝光腔內(nèi)用一張掩膜板同時曝光兩塊基板的目的，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。

請參閱圖3，基于以上曝光設(shè)備，本發(fā)明還提供一種曝光方法，包括如下步驟：

步驟1、提供曝光設(shè)備、及兩個基板200，所述曝光設(shè)備包括一掩膜板110、設(shè)于所述掩膜板110左側(cè)下方的第一平臺121、設(shè)于所述掩膜板110右側(cè)下方的第二平臺122、設(shè)于所述掩膜板110右側(cè)上方的第一光源131、設(shè)于所述掩膜板110左側(cè)上方的第二光源132、及容納所述掩膜板110、第一平臺121、第二平臺122、第一光源131、及第二光源132的曝光腔；將兩個基板200分別放置于第一平臺121、第二平臺122上。具體地，所述掩膜板110為水平設(shè)置；所述第一平臺121、第二平臺122均為相對水平面傾斜設(shè)置；所述第一平臺121的上表面面向第一光源131，所述第二平臺122的上表面面向第二光源132。

具體地，所述基板200為涂覆有光刻膠層的基板。

具體地，所述第一平臺121與第二平臺122為左右對稱設(shè)置；所述第一光源131與第二光源132為左右對稱設(shè)置。

步驟2、如圖2所示，開啟第一光源131與第二光源132，所述第一光源131射出的光線穿過所述掩膜板110射到放置于所述第一平臺121上的基板200上；所述第二光源132射出的光線穿過所述掩膜板110射到放置于所述第二平臺122上的基板200上，從而在兩個基板200的光刻膠層上曝光出所需圖形。

具體地，所述步驟2中，所述第一光源131與第二光源132射出的光線均為平行光線。

具體地，所述第一光源131射出的光線從所述掩膜板110的上方傾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿過所述掩膜板110傾斜或垂直射到放置于所述第一平臺121上的基板200上，優(yōu)選垂直射到放置于所述第一平臺121上的基板200上；所述第二光源132射出的光線從所述掩膜板110的上方傾斜射到所述掩膜板110的上表面，穿過所述掩膜板110傾斜或垂直射到放置于所述第二平臺122上的基板200上，優(yōu)選垂直射到放置于所述第二平臺122上的基板200上。

具體地，所述步驟2中，所述第一光源131射出的光線從所述掩膜板110的上方以入射角為θ1入射到所述掩膜板110的上表面，所述第二光源132射出的光線從所述掩膜板110的上方以入射角為θ2入射到所述掩膜板110的上表面，其中，θ1等于θ2。

綜上所述，本發(fā)明的曝光設(shè)備包括一掩膜板、設(shè)于所述掩膜板左側(cè)下方的第一平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)下方的第二平臺、設(shè)于所述掩膜板右側(cè)上方的第一光源、及設(shè)于所述掩膜板左側(cè)上方的第二光源；所述第一平臺、第二平臺均用于承載基板；所述第一光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第一平臺；所述第二光源射出的光線穿過所述掩膜板射到所述第二平臺；由于該曝光設(shè)備具有兩個光源，使用該曝光設(shè)備進行曝光時，通過合理設(shè)置光路，便能夠達(dá)到一個曝光腔內(nèi)用一張掩膜板同時曝光兩塊基板的目的，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。本發(fā)明的曝光方法，使用上述曝光設(shè)備，在一次曝光制程中利用一個掩膜板可同時對兩基板進行曝光，從而能夠提高產(chǎn)能，節(jié)省掩膜板。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。