1.一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，所述硅光調制器包括閉環反饋控制電路，所述閉環反饋控制電路根據硅光調制器的輸出光信號產生反饋控制電壓，并在所述反饋控制電壓上疊加擾動電壓后形成待加載到硅光調制器偏置電極上的偏置電壓，其特征在于：將待加載到硅光調制器偏置電極上的初始偏置電壓數值進行補償運算，以獲得實際加載偏置電壓，將所述實際加載偏置電壓加載到硅光調制器偏置電極上進行自動偏壓控制，以使得所述硅光調制器的輸出光信號與所述初始偏置電壓數值呈線性關系變化。
2.根據權利要求1所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：對所述偏置電壓進行的補償運算包括開方運算。
3.根據權利要求1所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：對所述偏置電壓進行的補償運算僅為開方運算。
4.根據權利要求2或3所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：所述擾動電壓為交流擾動電壓，所述交流擾動電壓不超過所述反饋控制電壓的半波電壓的10％。
5.根據權利要求4所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：計算半波電壓之前，確定偏置電壓的安全范圍，其方法是：根據硅光調制器能加載的直流偏置電壓范圍，對其數值進行平方，得到初始電壓的范圍值，將該范圍值確定為偏置電壓的安全范圍。
6.根據權利要求5所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：確定半波電壓的方法為：將初始電壓開方后加載在硅光調制器的偏置電極上，測量“光功率-初始電壓”變化曲線，半波電壓為“光功率-初始電壓”曲線上從最大值到相鄰最小值所跨越的電壓范圍值。
7.根據權利要求6所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：所述硅光調制器的偏置電壓能承受電壓范圍為0～3000mV，將初始電壓數值化后范圍為0～9×106；則將所述硅光調制器的半波電壓設置為4×105；交流擾動電壓的幅度為2×104。
8.根據權利要求1—7中任一項所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：所述擾動電壓采用正弦波或者方波。
9.根據權利要求1—8中任一項所述的一種用于硅光調制器自動偏壓控制的電壓處理方法，其特征在于：所述硅光調制器為單MZ-BPSK硅光調制器。
10.一種用于硅光調制器自動偏壓控制的裝置，其特征在于包括：可調諧激光器(1)、高速碼型發生器(5)、射頻放大器(4)、背光探測器(6)、自動偏壓控制電路(7)、控制平臺(9)；其中，
可調諧激光器(1)發出的光進入所述硅光調制器；
高速碼型發生器(5)發出NRZ碼型，經過射頻放大器(4)，加載在所述硅光調制器(2)上，所述硅光調制器(2)輸出的BPSK調制光信號按一定比例分光到背光探測器(6)；背光探測器(6)產生的電信號進入自動偏壓控制電路(7)提取相關的信息，反饋給控制平臺(9)；
控制平臺(9)通過檢測到的反饋，由控制平臺(9)上的處理器(8)中對電壓信號的直流分量偏壓與交流擾動電壓進行疊加，獲得疊加后的數值，經過開方算法運算，由控制平臺(9)上的電壓輸出電路(10)將處理后的電壓加載到所述硅光調制器的偏置電極上。