本發明涉及顯示技術領域，更具體的說，涉及一種顯示面板和顯示裝置。

背景技術：

顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用。現有市場上的顯示器大部分為背光型顯示器，其包括顯示面板及背光模組(backlight module)。顯示面板的工作原理是在兩片平行的基板當中放置液晶分子，并在兩片基板上施加驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫面。

其中，薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、優異的畫面品質以及較高的生產良率等性能，目前已經逐漸占據了顯示領域的主導地位。同樣，薄膜晶體管顯示器包含顯示面板和背光模組，顯示面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也稱彩色濾光片基板)和薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相對內側存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(Liquid Crystal，LC)。顯示面板是通過電場對液晶分子取向的控制，改變光的偏振狀態，并藉由偏光板實現光路的穿透與阻擋，實現顯示的目的。

彩色光阻設置在陣列基板(Color Filter On TFT，COT)的技術近年來被廣泛的應用于薄膜晶體管顯示器產品上，其工藝有利于大尺寸及曲面式顯示器應用的發展。

在COT技術于薄膜晶體管陣列基板工藝中，金屬層容易斷線，進而造成基板報廢，增加報廢成本。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題是提供一種減少金屬層斷線，提高良品率的顯示面板。

此外，本發明還提供一種包括以上所述顯示面板的顯示裝置。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括：

基板；

主動開關陣列；

彩色光阻層，形成于主動開關陣列上；

所述主動開關陣列，包括金屬層，所述金屬層設置在基板上，所述基板上設有保護層，所述保護層至少設置兩層，所述保護層覆蓋于所述金屬層上，所述保護層對所述金屬層和所述彩色光阻層進行分隔，當需要對所述彩色光阻層進行重工時，所述保護層能夠更好的對所述金屬層進行保護。

其中，所述保護層包括氧化硅層或氮化硅層，金屬層上沉積至少兩層氧化硅層或氮化硅層，從而更好的對金屬層上進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺裸露在保護層外，使得保護層能夠更好的對金屬層進行保護，氧化硅的化學性質比較穩定，不會與氫氧化鉀溶液進行反應，有效的避免清洗劑對金屬層的腐蝕破壞，能夠非常好的對金屬層進行保護；氮化硅層是一種超硬物質，且氮化硅材料耐磨損，高溫時抗氧化，還能抵抗冷熱沖擊；而且通過進行多次化學氣相沉積形成至少兩層氧化硅層，中途不需要額外更換的原材料，也不需要額外更換設備，降低原材料成本、存儲成本，物料清單不需要增加新的材料，方便流程管理和采購；同時化學氣相沉積技術成熟，能夠很好的控制氮化硅的使用量，進一步的減低了生產制造成本，使得顯示面板具有更強的市場競爭力。。

其中，所述保護層包括氮化硅層和氧化硅層；所述氮化硅層和氧化硅層堆疊設置，通過氮化硅層和氧化硅層堆疊設置，使得保護層能夠更好的附著在金屬層上，能夠更好的對金屬層上的金屬毛刺進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺裸露在保護層外，使得保護層能夠更好的對金屬層進行保護，能夠非常有效的避免清洗劑對液晶面板的金屬層的直接腐蝕，使得金屬層能夠保持完好，從而避免產生斷線問題，進一步的提高了顯示面板的耐用性。

其中，所述保護層包括至少兩層氮化硅層和兩層氧化硅層；所述氮化硅層和氧化硅層交替堆疊設置，使得保護層能夠更好的附著在金屬層上，能夠更好的對金屬層上的金屬毛刺進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺裸露在保護層外，使得保護層能夠更好的對金屬層進行保護。。

其中，所述金屬層包括第一金屬層；所述第一金屬上覆蓋有所述保護層；所述彩色光阻層直接覆蓋于所述保護層上。

其中，所述第一金屬層包括源極金屬層和漏極金屬層，所述源極金屬層與所述顯示面板的源極驅動連接；所述漏極金屬層與所述顯示面板的像素電極連接；所述保護層覆蓋于所述源極金屬層和/或漏極金屬層上。

其中，所述第一金屬層采用鋁或鋁合金制成，鋁或鋁合金具有較好的導電性能和較低的電阻特性，能滿足顯示面板的需求，而且鋁或鋁合金的價格相對便宜，供貨充足，方便采購，進一步的降低了顯示面板的制造成本，使得顯示面板具有更強的市場競爭力。

其中，所述金屬層還包括第二金屬層，所述第二金屬層底部寬度大于頂部，所述第一金屬層與顯示面板的行掃描驅動連接，第二金屬層底部寬度大于頂部，使得第二金屬層的制作更加的方便，成型更加穩定，良品率更高，而且使得第二金屬層底部的接觸面積更大，粘粘效果更好，固定更加的牢固。

其中，所述第二金屬層與所述第一金屬層之間設有絕緣層，所述絕緣層材料為氧化硅或氮化硅，與后續步驟設置保護層的材料和方法相同，在后續設置保護層時，不需要額外更換的原材料，也不需要額外更換設備，降低原材料成本、存儲成本，物料清單不需要增加新的材料，方便流程管理和采購。。

根據本發明的另一個方面，本發明還公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括背光模組和如上所述的顯示面板。

與現有技術相比，本發明的技術效果是：

發明人研究發現，COT技術的顯示面板，當發現制程出現問題時，會利用清洗劑對制程出現問題的區域進行重工剝除，但是在重工工藝中，清洗劑會對液晶面板的金屬層進行腐蝕，進而產生斷線問題，現有做法傾向不進行重工而是直接將玻璃報廢，進而造成報廢成本上升。本發明通過保護層的設置，將保護層覆蓋于金屬層上，采用COT技術對基板進行制程出現問題的區域重工時，保護層能夠非常有效的避免清洗劑對液晶面板的金屬層的直接腐蝕，使得金屬層能夠保持完好，從而避免產生斷線問題，進而提升COT技術薄膜晶體管陣列基板的重工成功率而降低報廢成本；而且金屬層的側邊從微結構來看都有金屬毛刺的現象，通過設置至少兩層保護層，能夠更好的對金屬層上的金屬毛刺進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺裸露在保護層外，使得保護層能夠更好的對金屬層進行保護；同時采用保護層的設置能夠很好的對制程出現問題的區域進行重工修復，而不需要將薄膜晶體管陣列基板進行報廢處理，更加的綠色環保。

附圖說明

圖1是本發明現有設計的顯示面板的剖面示意圖；

圖2是本發明實施例的顯示面板的保護層剖面示意圖；

圖3是本發明實施例的顯示面板的保護層另一剖面示意圖；

圖4是本發明實施例的顯示面板的保護層另一剖面示意圖；

圖5是本發明實施例的顯示面板的保護層另一剖面示意圖；

圖6是本發明實施例的顯示面板的第二金屬的剖面示意圖。

其中：1、基板，2、金屬層，21、第一金屬層，211、源極金屬層，212、漏極金屬層，213、金屬毛刺，22、第二金屬層，221、第一高附著金屬層，222、中間導電層，223、第二高附著金屬層，3、保護層，31、第一保護層，32、第二保護層，4、絕緣層，5、半導體層，6，溝道。

具體實施方式

這里所公開的具體結構和功能細節僅僅是代表性的，并且是用于描述本發明的示例性實施例的目的。但是本發明可以通過許多替換形式來具體實現，并且不應當被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實施例。

在本發明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。

這里所使用的術語僅僅是為了描述具體實施例而不意圖限制示例性實施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數形式“一個”、“一項”還意圖包括復數。還應當理解的是，這里所使用的術語“包括”和/或“包含”規定所陳述的特征、整數、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個或更多其他特征、整數、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結合附圖和較佳的實施例對本發明作進一步說明。

如圖1所示是一種薄膜晶體管的結構，在COT技術于薄膜晶體管陣列基板工藝中，當發現金屬層2上的制程出現問題時，會利用清洗劑對制程出現問題的區域進行重工剝除，清洗劑采用氫氧化鉀溶液(KOH溶液)。

為此，申請人設計了一款未公開的顯示面板，如圖2所示，在重工工藝以后，發明人對薄膜晶體管的結構進行研究發現：金屬層2的側邊從微結構來看都有金屬毛刺213的現象，設置一層保護層3覆蓋在金屬層2上，保護層3能夠對金屬毛刺213進行很好的覆蓋，但還是有極少部分的金屬毛刺213貫穿保護層3伸出到保護層3的表面，導致金屬毛刺213裸露保護層3上，對基板1進行重工時，清洗劑對腐蝕裸露在保護層3上的金屬毛刺213，通過對貫穿保護層3的金屬毛刺213的不斷的腐蝕，使得保護層3形成腐蝕通道，清洗劑沿著腐蝕通道到達金屬層2，對金屬層2進行腐蝕，進而導致金屬層2之間相互斷裂，

發明人進一步研究發現，由于金屬毛刺的存在，設置一層保護層3不能很好的粘附在金屬層2上，而且清洗劑對金屬層2進行腐蝕而導致斷線問題。因此，發明人提成一種新的技術方案，可以進一步減少金屬層斷線問題，提升良品率。

下面參考圖3至圖6描述本發明實施例的顯示面板結構示意圖。

如圖3所示，所述顯示面板包括基板1和金屬層2；所述金屬層2設置在基板1上，所述基板1上設有保護層3，本發明通過保護層3的設置，將保護層3覆蓋于金屬層2上，采用COT技術對基板1上制程出現問題的區域進行重工時，保護層3能夠非常有效的避免清洗劑對液晶面板的金屬層2的直接腐蝕，使得金屬層2能夠保持完好，從而減少產生斷線問題，進而提升COT技術薄膜晶體管陣列基板1的重工成功率而降低報廢成本。所述保護層3設置兩層，分別為第一保護層31和第二保護層32，第一保護層31覆蓋設在基板1上，第二保護層32覆蓋設在第一保護層上，由于金屬層2的側邊從微結構來看都有金屬毛刺213的現象，通過設置至少兩層保護層3，能夠更好的對金屬層2上的金屬毛刺213進行覆蓋，如圖3所示，第一保護層31能夠非常有效的對金屬毛刺213進行覆蓋，第二保護層32能夠非常有效的對裸露在第一保護層31上的金屬毛刺213進行覆蓋，非有效的防止金屬毛刺213裸露在保護層3外，使得保護層3能夠更好的對金屬層2進行保護；同時采用保護層3的設置能夠很好的對制程出現問題的區域進行重工修復，而不需要將薄膜晶體管陣列基板1進行報廢處理，更加的綠色環保。

其中，所述保護層3為氧化硅層，即保護層3采用氧化硅材料制成，通過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)技術將氧化硅沉積到金屬層2上，在金屬層2上進行一次化學氣相沉積后，等待第一層氧化硅層冷卻凝固形成第一保護層31，在第一保護層31進行第二次化學氣相沉積后形成第二保護層32，重復以上步驟，使得金屬層2上沉積至少兩層氧化硅層，從而更好的對金屬層2上進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺213裸露在保護層3外，使得保護層3能夠更好的對金屬層2進行保護，氧化硅的化學性質比較穩定，不會與氫氧化鉀溶液進行反應，有效的避免清洗劑對金屬層2的腐蝕破壞，能夠非常好的對金屬層2進行保護；而且通過進行多次化學氣相沉積形成至少兩層氧化硅層，中途不需要額外更換的原材料，也不需要額外更換設備，降低原材料成本、存儲成本，物料清單不需要增加新的材料，方便流程管理和采購，同時化學氣相沉積技術成熟，能夠很好的控制氧化硅的使用量，進一步的減低了生產制造成本，使得顯示面板具有更強的市場競爭力。

當然也可以是，所述保護層3為氮化硅層，即保護層3采用氮化硅材料制成，通過化學氣相沉積技術將氮化硅沉積到金屬層2上，在金屬層2上進行一次化學氣相沉積后，等待第一層氮化硅層冷卻凝固形成第一保護層31，在第一保護層31進行第二次化學氣相沉積后形成第二保護層32，重復以上步驟，使得金屬層2上沉積至少兩層氮化硅層，從而更好的對金屬層2上進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺213裸露在保護層3外，使得保護層3能夠更好的對金屬層2進行保護，氮化硅不會與氫氧化鉀溶液進行反應，有效的避免清洗劑對金屬層2的腐蝕破壞，能夠非常好的對金屬層2進行保護，氮化硅是一種超硬物質，且氮化硅材料耐磨損，高溫時抗氧化，還能抵抗冷熱沖擊，而且通過進行多次化學氣相沉積形成至少兩層氮化硅層，中途不需要額外更換的原材料，也不需要額外更換設備，降低原材料成本、存儲成本，物料清單不需要增加新的材料，方便流程管理和采購，同時化學氣相沉積技術成熟，能夠很好的控制氮化硅的使用量，進一步的減低了生產制造成本，使得顯示面板具有更強的市場競爭力。

如圖4所示，圖示中的最外層采用陰影的畫法，只是區分保護層3采用氮化硅層和氧化硅層堆疊，且不特指是氮化硅層或氧化硅，作為本發明的又一個實施例，所述保護層3包括氮化硅層和氧化硅層，通過化學氣相沉積技術將氧化硅沉積到金屬層2上，等待氧化硅層冷卻凝固形成第一保護層31，然后化學氣相沉積技術將氮化硅沉積到氧化硅層上形成第二保護層32，當然也可以是先設置氮化硅層作為第一保護層31，再將氧化硅層覆蓋在氮化硅層上形成第二保護層32，通過氮化硅層和氧化硅層堆疊設置，使得保護層3能夠更好的附著在金屬層2上，能夠更好的對金屬層2上的金屬毛刺213進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺213裸露在保護層3外，使得保護層3能夠更好的對金屬層2進行保護，能夠非常有效的避免清洗劑對液晶面板的金屬層2的直接腐蝕，使得金屬層2能夠保持完好，從而避免產生斷線問題，進一步的提高了顯示面板的耐用性。

如圖5所示，圖示中未示意出金屬毛刺213，金屬毛刺213的示意可參照圖3或圖4，作為本發明的另外一個實施例，所述保護層3包括至少兩層氮化硅層和兩層氧化硅層；通過化學氣相沉積技術將氧化硅沉積到金屬層2上，等待氧化硅層冷卻凝固，然后化學氣相沉積技術將氮化硅沉積到氧化硅層上，再在氮化硅層上設置第二層氧化硅層，最后在第二層氧化硅層上設置第二層氮化硅層，當然也可以是先設置氮化硅層，再將氧化硅層覆蓋在氮化硅層上，使得氮化硅層和氧化硅層交替堆疊設置，使得保護層3能夠更好的附著在金屬層2上，能夠更好的對金屬層2上的金屬毛刺213進行覆蓋，非常有效的防止金屬毛刺213裸露在保護層3外，使得保護層3能夠更好的對金屬層2進行保護。

金屬層2包括第一金屬層21；第一金屬上覆蓋有保護層3；彩色光阻層直接覆蓋于保護層3上，通過保護層3將彩色光阻層與第一金屬層21進行分隔開，當發現彩色光阻層其中一層或多層的制程出現問題時，會利用清洗劑對彩色光阻層進行重工剝除，保護層3能夠非常好的對第一金屬層21進行保護，保護層3能夠非常有效的避免清洗劑對液晶面板的金屬層2的直接腐蝕，使得金屬層2能夠保持完好，從而避免產生斷線問題；同時采用保護層3的設置能夠很好的對彩色光阻層進行重工修復，而不需要將薄膜晶體管陣列基板1進行報廢處理，更加的綠色環保。

第一金屬層21包括源極金屬層211和漏極金屬層212，源極金屬層211與顯示面板的源極驅動連接；漏極金屬層212與顯示面板的像素電極連接；保護層3覆蓋于源極金屬層211和/或漏極金屬層212上。

第一金屬層21采用鋁或鋁合金制成，鋁或鋁合金具有較好的導電性能和較低的電阻特性，能滿足顯示面板的需求，而且鋁或鋁合金的價格相對便宜，供貨充足，方便采購，進一步的降低了顯示面板的制造成本，使得顯示面板具有更強的市場競爭力。

其中，金屬層2還包括第二金屬層22，第二金屬層22底部寬度大于頂部，第一金屬層21與顯示面板的行掃描驅動連接，第二金屬層22底部寬度大于頂部，使得第二金屬層22的制作更加的方便，成型更加穩定，良品率更高，而且使得第二金屬層22底部的接觸面積更大，粘粘效果更好，固定更加的牢固，其中第二金屬層22的截面優選為梯形，特別是等腰梯形。

如圖6所示，顯示面板與行掃描驅動連接的第二金屬層22采用三層結構，從下往上依次為與基板1連接的第一高附著金屬層221、中間導電層222和第二高附著金屬層223。中間導電層222可以采用較低電阻特性的金屬，有效地降低顯示面板第二金屬層22的電阻與寄生電容，第二金屬層22的第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223則采用附著性能較好的金屬，這樣中間導電層222可以很好的與第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223粘粘固定，同時中間導電層222還可以通過第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223與上下層粘粘固定，粘粘性更好，不容易導致中間導電層222與上下層剝離，即能很好的滿足顯示面板第二金屬層22的電性性能，又能很好的與上下層粘粘固定，提升產品良率，降低生產成本。

其中，中間導電層222的厚度大于第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223的厚度。中間導電層222的厚度大于第一高附著金屬層221的厚度，也大于第二高附著金屬層223的厚度，中間導電層222可以采用較低電阻特性的金屬，厚度更大能有效地降低面板第二金屬層22的電阻與寄生電容，第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223則采用附著性能較好的金屬，中間導電層222通過第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223與上下層連接，粘粘性更好，不容易導致中間導電層222與上下層剝離，第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223主要是用來與上下層粘粘厚度小可以節約成本,可選的，中間導電層222的厚度可以大于第一高附著金屬層221加第二高附著金屬層223的厚度。

可選的，其中，中間導電層222底部寬度大于頂部，第一高附著金屬層221寬度與中間導電層222底部寬度相同，第二高附著金屬層223寬度與中間導電層222頂部寬度相同。中間導電層222底部寬度大于頂部，方便制作，成型穩定，良品率高，第一高附著金屬層221寬度與中間導電層222底部寬度相同，第二高附著金屬層223寬度與中間導電層222頂部寬度相同，制作方便，中間導電層222與第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223接觸面積最大，粘粘效果更好，其中中間導電層222的截面優選為梯形，特別是等腰梯形。

其中，中間導電層222采用銅、鋁、銀、金、鉻、鉬或上述金屬的合金制成。銅、鋁、銀、金、鉻、鉬或上述金屬的合金具有較好的導電性能和較低的電阻特性，能滿足顯示面板的需求，中間導電層222優選銅或銅合金，性價比最高。

其中，第一高附著金屬層221和第二高附著金屬層223均采用鉬或鉬合金。鉬或鉬合金能實現較好的附著性，一邊能與中間導電層222的金屬如銅、鋁、銀、金、鉻、鉬等較好的粘粘，另一邊能與顯示面板的其他層如基板1、光阻層、絕緣層4等較好的粘粘，選材方便，制作技術成熟。不需要額外的原材料，降低原材料成本、存儲成本，物料清單不需要增加新的材料，方便流程管理和采購，不需要額外的設備設置第二高附著金屬層223，可以與第一高附著金屬層221共用一套設備，后期蝕刻也不需要額外的設備和材料。

第二金屬層22與第一金屬層21之間設有絕緣層4，絕緣層4材料為氧化硅或氮化硅，可以采用化學氣相沉積技術設置絕緣層4，化學氣相沉積技術成熟，能夠很好的控制氮化硅的使用量，進一步的減低了生產制造成本，與后續步驟設置保護層3的材料和方法相同，在后續在設置保護層3時，不需要額外更換的原材料，也不需要額外更換設備，降低原材料成本、存儲成本，物料清單不需要增加新的材料，方便流程管理和采購。

其中，絕緣層4上設有半導體層5，源極和漏極分別設在半導體層5兩端上，源極和漏極之間設有溝道6，溝道6底部為半導體層5，溝道6的底部和側壁上均設有保護層3，進一步的減低了生產制造成本，而且在設置保護層3時，不需要額外更換的原材料，也不需要額外更換設備。

作為本發明的再一個實施例，本實施例公開了一種顯示裝置背光模組和顯示面板。關于顯示面板的具體結構和連接關系可參見圖1至圖6，在此不再一一詳述。

以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明，不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發明的保護范圍。