本實用新型屬于光纖傳感和通信技術領域，涉及一種鈮酸鋰集成光學器件，具體涉及一種寬溫度范圍可靠性高的鈮酸鋰調制器，是光纖陀螺儀等系統的核心器件之一。

背景技術：

由于鈮酸鋰晶體具有優異的電光、非線性、光折變等性能，其在光纖傳感和光通訊領域應用非常廣泛，是光波導器件中最常使用的晶體材料。同時，鈮酸鋰集成光學調制器的速率高，有較寬的工作帶寬，低驅動電壓，并能跟光纖直接對準耦合，因此在光纖通訊以及光纖陀螺等光學傳感器中有著廣泛的應用。由于鈮酸鋰晶體的特性受溫度變化影響顯著，并且其輸入和輸出光纖一般為保偏光纖，保偏光纖消光比耦合粘接后受溫度影響顯著，導致器件的插入損耗和消光比等性能指標隨溫度變化顯著，進而影響整個器件的性能，限制了器件應用范圍。另外現有的鈮酸鋰調制器多端口側一般為單芯光纖陣列與芯片耦合，由于粘接面積小，帶來可靠性方面的隱患。

技術實現要素：

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種寬溫度范圍高可靠性的鈮酸鋰調制器。

本實用新型所采用的技術方案是：一種鈮酸鋰調制器，其特征在于：包括鈮酸鋰光波導芯片、單芯保偏光纖、保偏光纖陣列；單芯保偏光纖通過單芯光纖座與鈮酸鋰光波導芯片粘接，保偏光纖陣列通過陣列光纖座與鈮酸鋰光波導芯片粘接。

作為優選，所述鈮酸鋰光波導芯片上設置有光波導和電極，所述鈮酸鋰光波導芯片波導所在表面除光波導和電極以外的區域金屬化，并通過導線將孤立的金屬化區域連接在一起。

作為優選，所述單芯保偏光纖和單芯光纖座先制作成一個單芯光纖陣列，然后與所述鈮酸鋰光波導芯片耦合粘接；所述保偏光纖陣列和陣列光纖座先制作成多芯光纖陣列，然后與所述鈮酸鋰光波導芯片耦合粘接。

作為優選，所述單芯光纖座和陣列光纖座放置光纖的槽的截面均為半圓形，半圓形半徑與光纖半徑相同或略大，光纖放置在半圓形的中心，粘接劑包裹光纖圓周一半左右。

作為優選，所述單芯保偏光纖和保偏光纖陣列的光纖貓眼分別在單芯光纖座和陣列光纖座內水平或者垂直放置。

作為優選，所述鈮酸鋰光波導芯片中的光波導為Y波導或者直波導。

本實用新型具有下列積極的效果：

1、通過在鈮酸鋰光波導芯片波導所在表面金屬化，有效降低溫度變化對芯片性能的影響；

2、通過輸入輸出保偏光纖的貓眼按照水平或者垂直方位放入具有半圓形光纖槽的光纖座內，且粘接膠包裹整個光纖圓周一半左右，可以有效降低外應力對消光比的影響，提高了消光比和改善了消光比的全溫變化；

3、輸出保偏光纖采用陣列結構，提高了在寬溫度范圍下的可靠性，且結構簡單。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例的單芯保偏光纖的貓眼與單芯光纖座位置(垂直或者水平放置)截面示意圖；

圖3為本實用新型實施例的保偏光纖陣列的貓眼與陣列光纖座位置(垂直或者水平放置)截面示意圖；

其中：1.鈮酸鋰波導芯片；1.1.波導；1.2.電極；2.單芯保偏光纖；3.保偏光纖陣列；4.單芯光纖座；5.陣列光纖座； 6.金屬化區域；7.導線； 8.貓眼。

具體實施方式

為了便于本領域普通技術人員理解和實施本實用新型，下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步的詳細描述，應當理解，此處所描述的實施示例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請見圖1、圖2和圖3，本實用新型包括鈮酸鋰光波導芯片1、單芯保偏光纖2、保偏光纖陣列3；鈮酸鋰光波導芯片1上設置有光波導1.1和電極1.2，鈮酸鋰光波導芯片1波導所在表面除光波導1.1和電極1.2以外的區域金屬化，用導線7將孤立的金屬化區域6連接在一起，可以有效的降低溫度變化導致的芯片特性顯著變化。單芯保偏光纖2通過單芯光纖座4與鈮酸鋰光波導芯片1粘接，保偏光纖陣列3通過陣列光纖座5與鈮酸鋰光波導芯片1粘接。單芯保偏光纖2和單芯光纖座4先制作成一個單芯光纖陣列，保偏光纖陣列3和陣列光纖座5先制作成多芯光纖陣列，然后分別與鈮酸鋰光波導芯片1耦合粘接。保偏光纖陣列3通過陣列光纖座5耦合粘接，可以增加粘接的牢固性，提高器件的可靠性和溫度穩定性。單芯光纖座4和陣列光纖座5上放置光纖的槽的截面設置為半圓形，單芯保偏光纖2，保偏光纖陣列3的光纖的貓眼8在單芯光纖座4和陣列光纖座5內為水平或者垂直放置，且與半圓形槽基本同心，這樣光纖粘接在光纖座的時候只粘接光纖的一半，且這一半的粘接比較均勻，有效降低膠的應力帶來的對光纖消光比的不利影響，提高了全溫消光比指標。

本實用新型的鈮酸鋰光波導芯片1中的光波導為Y波導或者直波導。

盡管本說明書較多地使用了鈮酸鋰波導芯片1、波導1.1、電極1.2、單芯保偏光纖2、保偏光纖陣列3、單芯光纖座4、陣列光纖座5、金屬化區域6、導線7、貓眼8等術語，但并不排除使用其他術語的可能性。使用這些術語僅僅是為了更方便的描述本實用新型的本質，把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本實用新型精神相違背的。

應當理解的是，本說明書未詳細闡述的部分均屬于現有技術。

應當理解的是，上述針對較佳實施例的描述較為詳細，并不能因此而認為是對本實用新型專利保護范圍的限制，本領域的普通技術人員在本實用新型的啟示下，在不脫離本實用新型權利要求所保護的范圍情況下，還可以做出替換或變形，均落入本實用新型的保護范圍之內，本實用新型的請求保護范圍應以所附權利要求為準。