1.一種鈮酸鋰調(diào)制器，其特征在于：包括鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）、單芯保偏光纖（2）、保偏光纖陣列（3）；單芯保偏光纖（2）通過(guò)單芯光纖座（4）與鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）粘接，保偏光纖陣列（3）通過(guò)陣列光纖座（5）與鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）粘接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰調(diào)制器，其特征在于：所述鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）上設(shè)置有光波導(dǎo)（1.1）和電極（1.2），所述鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）波導(dǎo)所在表面除光波導(dǎo)（1.1）和電極（1.2）以外的區(qū)域金屬化，并通過(guò)導(dǎo)線（7）將孤立的金屬化區(qū)域（6）連接在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰調(diào)制器，其特征在于：所述單芯保偏光纖（2）和單芯光纖座（4）先制作成一個(gè)單芯光纖陣列，然后與所述鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）耦合粘接；所述保偏光纖陣列（3）和陣列光纖座（5）先制作成多芯光纖陣列，然后與所述鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）耦合粘接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰調(diào)制器，其特征在于：所述單芯光纖座（4）和陣列光纖座（5）放置光纖的槽的截面均為半圓形，半圓形半徑與光纖半徑相同或略大，光纖放置在半圓形的中心，粘接劑包裹光纖圓周一半左右。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰調(diào)制器，其特征在于：所述單芯保偏光纖（2）和保偏光纖陣列（3）的光纖貓眼（8）分別在單芯光纖座（4）和陣列光纖座（5）內(nèi)水平或者垂直放置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的鈮酸鋰調(diào)制器，其特征在于：所述鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片（1）中的光波導(dǎo)為Y波導(dǎo)或者直波導(dǎo)。