本發明涉及具備反射鏡的電光裝置、電光裝置的制造方法以及電子設備。

背景技術：

作為電子設備，例如公開有下述的投射式顯示裝置等，其通過被稱為dmd(數字微鏡器件)的電光裝置的多個反射鏡(微鏡)調制從光源射出的光之后，通過投射光學系統放大投射調制光，從而在屏幕顯示圖像。用于這樣的投射式顯示裝置等中的電光裝置例如具有形成有反射鏡以及驅動反射鏡的驅動元件的芯片、俯視觀察時覆蓋反射鏡的透光性的罩蓋以及位于罩蓋與芯片之間的隔離片。在電光裝置中，如果水分進入配置有反射鏡的空間內，則反射鏡會以傾斜的姿勢被附著在反射鏡周邊的水滴吸住，從而存在發生動作不良的可能性。為此，提出了利用密封樹脂覆蓋罩蓋以及隔離片的側面的結構(參照專利文獻1)。

先行技術文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利us7,898,724b2

但是，即使按照專利文獻1中記載的構成進行密封，水分還是會從罩蓋與密封樹脂的界面進入，這樣的水分有可能從罩蓋與隔離片的邊界進入配置有反射鏡的空間內。

技術實現要素：

鑒于上述問題點，本發明的課題在于，提供能夠有效地抑制水分進入配置有反射鏡的空間的電光裝置、電光裝置的制造方法以及電子設備。

為了解決上述技術問題，本發明所涉及的電光裝置的一方面其特征在于，具有：布線基板；芯片，安裝于所述布線基板的一表面，并且，在所述芯片中形成有反射鏡以及驅動所述反射鏡的驅動元件；透光性的罩蓋，覆蓋所述反射鏡；隔離片(spacer)，位于所述罩蓋與所述芯片之間；以及無機膜，覆蓋所述罩蓋與所述隔離片的邊界、所述芯片與所述隔離片的邊界以及所述布線基板的一部分。

這樣的電光裝置的制造方法的一方面其特征在于，具有：芯片設置工序，在布線基板設置形成有反射鏡以及驅動所述反射鏡的驅動元件的芯片、覆蓋所述反射鏡的罩蓋以及位于所述罩蓋與所述芯片之間的隔離片；以及無機膜形成工序，在所述芯片設置工序之后，形成覆蓋所述罩蓋與所述隔離片的邊界以及所述隔離片與所述芯片的邊界的無機膜。

在本發明中，罩蓋與隔離片的邊界以及芯片與隔離片的邊界被無機膜覆蓋，無機膜經由成膜工序而形成。為此，罩蓋、隔離片以及芯片的貼緊性高，水分難以從罩蓋與無機膜的界面進入。因此，能夠有效地抑制水分通過罩蓋與隔離片的邊界以及芯片與隔離片的邊界而進入配置有反射鏡的空間內。由此，不易發生反射鏡因附著在反射鏡周邊的水滴而以傾斜的姿勢被吸附等不良情況。

在本發明所涉及的電光裝置中，可以采用下述的方式：即、具有：第一端子，設于所述布線基板的所述一表面；第二端子，設于所述芯片，并與所述驅動元件電連接；以及導電部件，連接所述第一端子和所述第二端子，其中，所述無機膜是絕緣膜，并覆蓋所述導電部件。在這樣的方式的電光裝置的制造方法中，所述布線基板在所述一表面具有第一端子，所述芯片具有與所述驅動元件電連接的第二端子，所述無機膜是絕緣膜，在所述芯片設置工序之后且所述無機膜形成工序之前進行通過導電部件連接所述第一端子和所述第二端子的連接工序。根據這樣的方式的電光裝置，可以通過無機膜防止導電部件的短路等。

在本發明所涉及的電光裝置中，可以采用所述無機膜覆蓋所述第一端子的一部分的方式。在這樣的方式的電光裝置的制造方法中，采用在所述無機膜形成工序之后所述無機膜覆蓋所述導電部件的構成。

在本發明所涉及的電光裝置中，可以采用在所述隔離片與所述罩蓋的邊界具有由包含羥基(oh基)的粘接劑構成的粘接層的方式。當設在罩蓋與隔離片的邊界的粘接層具有羥基(oh基)時，在粘接層上迅速開展原子層沉積法的化學反應，提高粘接層與無機膜的貼緊性。由此，可以抑制反射鏡劣化。

在本發明所涉及的電光裝置的制造方法中，可以采用下述的方式：即、在所述無機膜形成工序中進行以覆蓋所述罩蓋的方式使所述無機膜成膜的成膜工序以及在所述成膜工序之后去除與所述罩蓋的外表面重疊的所述無機膜的無機膜去除工序，所述外表面是所述罩蓋的與所述反射鏡相反一側的面。

這時，可以采用下述的方式，該方式其特征在于，在所述成膜工序中，在用保護部件覆蓋了所述外表面的狀態下使所述無機膜成膜，在所述無機膜去除工序中，從所述外表面去除所述保護部件。

優選地，在本發明所涉及的電光裝置的制造方法中，在所述無機膜形成工序中，通過原子層沉積法使所述無機膜成膜。根據原子層沉積法，具有出色的高低差覆蓋性，所以能夠可靠地覆蓋罩蓋與隔離片的邊界以及芯片與隔離片的邊界。

應用了本發明的電光裝置可以用在各種電子設備中，這時，在電子設備中設置向所述反射鏡照射光源光的光源部。并且，在構成了作為電子設備的投射式顯示裝置的情況下，還在電子設備中設置投射經所述反射鏡調制的光的投射光學系統。

附圖說明

圖1是示意性示出設在應用了本發明的投射式顯示裝置中的光學系統的一個例子的說明圖。

圖2是示意性示出應用了本發明的電光裝置的基本構成的一個例子的說明圖。

圖3是示意性示出應用了本發明的電光裝置的反射鏡周邊截面的說明圖。

圖4是示意性示出應用了本發明的電光裝置整體截面的說明圖。

圖5是示出應用了本發明的電光裝置的制造方法的工序截面圖。

圖6是示出應用了本發明的電光裝置的制造中使用的第二晶片等的制造方法的工序圖。

圖7是示出應用了本發明的電光裝置的制造方法中將芯片等設置在布線基板上的工序的工序截面圖。

圖8是示出應用了本發明的電光裝置的制造方法中密封芯片的無機膜的形成方法的工序截面圖。

圖9是示出應用了本發明的電光裝置的其它制造方法中密封芯片的無機膜的形成方法的工序截面圖。

附圖標記說明

1：元件基板，1s：元件基板的一表面，2s：芯片的一表面，91s：布線基板的一表面，2：芯片，8：無機膜，10：第一晶片，17：芯片側端子(第二端子)，20：第二晶片，30：驅動元件，50：反射鏡(鏡，mirror)，60：隔離片用晶片，61：隔離片(襯墊)，61w：隔離片的側面，71w：罩蓋的側面，70：透光性晶片，71：罩蓋，74：罩蓋的外表面，75：密封部件，76、78、97：粘接層，77、79：邊界，85：保護部件，90：布線基板，91：底板部，92：側板部，92s：內表面，92t：前端面，93：基板安裝部，94：內部端子(第一端子)，98：密封材料，99：導電部件，100：電光裝置，1000：投射式顯示裝置，1002：光源部，1004：投射光學系統，1020：光源，1100：被投射物。

具體實施方式

參照附圖說明本發明的實施方式。需要注意的是，在下面的說明中，作為應用了本發明的電子設備，對投射式顯示裝置進行說明。并且，關于在下面的說明中參照的圖，為了使各層、各部件在圖中為可辨認程度的大小，各層、各部件的縮尺各不相同。圖中示出的反射鏡等的數量設定為在圖中可辨認程度的大小，但也可以設置比圖中示出的數量更多的反射鏡等。

(作為電子設備的投射式顯示裝置)

圖1是示意性示出應用了本發明的投射式顯示裝置中設置的光學系統的一個例子的說明圖。圖1所示的投射式顯示裝置1000(電子設備)具有光源部1002、根據圖像信息對從光源部1002照射的光源光進行調制的電光裝置100以及將經電光裝置100調制的光作為投射圖像投射到屏幕等被投射物1100的投射光學系統1004。光源部1002具備光源1020以及濾色片1030。光源1020射出作為光源光的白色光，濾色片1030伴隨著旋轉而射出各種顏色的光，電光裝置100在與濾色片1030的旋轉同步的時機，對入射的光進行調制。需要說明的是，還可以采用將從光源1020射出的光轉換為各種顏色的光的熒光體基板，以此來代替濾色片1030。并且，還可以按各種顏色的光設置光源部1002以及電光裝置100。

(電光裝置100的基本構成)

圖2是示意性示出應用了本發明的電光裝置100的基本構成的一個例子的說明圖，圖2還示出了拆分了其一部分的情形。圖3是示意性示出應用了本發明的電光裝置100的反射鏡(鏡)50周邊的截面的說明圖，圖3中示出了反射鏡50向一側傾斜的狀態以及反射鏡50向另一側傾斜的狀態。

如圖2以及圖3所示，電光裝置100在元件基板1的一表面1s具備矩陣狀配置有多個反射鏡50的芯片2，在芯片2中，反射鏡50與元件基板1分離。元件基板1例如是硅基板。反射鏡50例如是具有一邊的長度例如為10μm～30μm的平面尺寸的微鏡。反射鏡50例如以800×600至1028×1024的排列配置，一個反射鏡50對應于圖像的一像素。

反射鏡50的表面為由鋁等反射金屬膜構成的反射面。芯片2具備包含形成于元件基板1的一表面1s的基板側偏壓電極11和基板側地址電極12、13等的第一層部分100a、包含高架地址電極(elevatedaddresselectrode)32、33和轉軸(鉸鏈，hinge)35的第二層部分100b、以及包含反射鏡50的第三層部分100c。在第一層部分100a中，在元件基板1上形成有地址指定電路14。地址指定電路14具備用于選擇性控制各反射鏡50的動作的存儲單元或字線、位線的布線15等，具有類似于具備cmos電路16的ram(隨機存取存儲器)的電路構成。

第二層部分100b包括高架地址電極32、33、轉軸35以及反射鏡支柱51。高架地址電極32、33經由電極支柱321、331與基板側地址電極12、13導通，并由基板側地址電極12、13支撐。轉軸臂36、37從轉軸35的兩端延伸。轉軸臂36、37經由臂支柱39與基板側偏壓電極11導通，并由基板側偏壓電極11支撐。反射鏡50經由反射鏡支柱51與轉軸35導通，并由轉軸35支撐。因而，反射鏡50經由反射鏡支柱51、轉軸35、轉軸臂36、37、臂支柱39與基板側偏壓電極11導通，從基板側偏壓電極11施加偏壓。需要注意的是，在轉軸臂36、37的前端形成有擋塊361、362、371、372，擋塊361、362、371、372在反射鏡50傾斜時與反射鏡50抵接，從而防止反射鏡50與高架地址電極32、33接觸。

高架地址電極32、33構成與反射鏡50之間產生靜電力而驅動反射鏡50傾斜的驅動元件30。另外，基板側地址電極12、13有時也構成為與反射鏡50之間產生靜電力而驅動反射鏡50傾斜，這時，驅動元件30由高架地址電極32、33以及基板側地址電極12、13構成。在對高架地址電極32、33施加驅動電壓，且如圖3所示，反射鏡50以被拽向高架地址電極32或高架地址電極33的方式傾斜時，轉軸35扭轉，在停止對高架地址電極32、33施加驅動電壓而使對反射鏡50的吸引力消失時，轉軸35發揮使反射鏡50恢復為與元件基板1平行的姿態的力。

如圖3所示，在電光裝置100中，例如當反射鏡50向一側的高架地址電極32側傾斜時，成為從光源部1002射出的光被反射鏡50向投射光學系統1004反射的開啟狀態。與此相對，當反射鏡50向另一側的高架地址電極33側傾斜時，變成從光源部1002射出的光被反射鏡50向光吸收裝置1005反射的關閉狀態，在這樣的關閉狀態下，光不向投射光學系統1004反射。這樣的驅動在多個反射鏡50各自中進行的結果，從光源部1002射出的光被多個反射鏡50調制為圖像光并從投射光學系統1004投射而顯示圖像。

需要注意的是，有時也會與轉軸35一體地設置與基板側地址電極12、13相對的平板狀的軛，除了利用在高架地址電極32、33與反射鏡50之間產生的靜電力之外，還利用在基板側地址電極12、13與軛之間作用的靜電力來驅動反射鏡50。

(電光裝置100的密封結構)

圖4是示意性示出應用了本發明的電光裝置100整體的截面的說明圖。如圖4所示，在本方式的電光裝置100中，形成有多個參照圖2及圖3說明的反射鏡50的元件基板1(芯片2)在一表面1s被由框狀的隔離片(襯墊)61以及具有透光性的平板狀的透光性的罩蓋71構成的密封部件75密封之后，固定于布線基板90的基板安裝部93，之后，被密封材料98密封。在布線基板90中，基板安裝部93形成為被側板部92包圍的有底的凹部，元件基板1通過粘接層97固定于布線基板90的底板部91。由此，保護反射鏡50以及芯片2免受水分等的影響。

在本方式中，罩蓋71在俯視觀察(例如，觀察芯片2的設有反射鏡的面時的俯視觀察)時覆蓋反射鏡50，隔離片61在罩蓋71與芯片2之間與芯片2的一表面2s接觸。更加具體地，隔離片61的元件基板1側的端部61e通過由環氧類粘接劑等構成的粘接層76而粘接于芯片2的一表面2s，粘接層76構成隔離片61與芯片2的邊界77。在本方式中，芯片2的一表面2s由元件基板1的一表面1s構成。

罩蓋71通過由環氧類粘接劑等構成的粘接層78而粘接于隔離片61的與元件基板1相對的端部的相反一側的端部61f，粘接層78構成隔離片61與罩蓋71的邊界79。在該狀態下，罩蓋71在與反射鏡50隔開預定距離的位置與反射鏡50的表面相對。因此，光透過罩蓋71并入射到反射鏡50之后，被反射鏡50反射的光透過罩蓋71而射出。

在本方式中，隔離片61以及罩蓋71的平面形狀均為四邊形，而且，外形尺寸相等。為此，隔離片61的位于與反射鏡50相反一側的側面61w和罩蓋71的側面71w構成連續的平面。罩蓋71由玻璃制成。隔離片61也可以由玻璃、硅、金屬、樹脂中的任意種制成，在本方式中，作為隔離片61，采用了玻璃基板、硅基板。作為被罩蓋71、隔離片61包圍且配置有反射鏡50的空間，采用存在空氣的構成、填充有不活潑氣體等而以此來代替空氣的構成、或者真空構成。在本方式中，配置有反射鏡50的空間為真空。

在元件基板1的一表面1s中，與反射鏡50不重疊的端部(隔離片61的外側)上形成有多個芯片側端子17(第二端子)。在本方式中，芯片側端子17以夾著反射鏡50的方式配置有兩列。多個芯片側端子17的一部分經由參照圖2以及圖3說明的地址指定電路14、基板側地址電極12、13而與高架地址電極32、33(驅動元件30)電連接。多個芯片側端子17的另外一部分經由參照圖2以及圖3說明的地址指定電路14、基板側偏壓電極11以及轉軸35而與反射鏡50電連接。多個芯片側端子17的再另外的一部分與設在參照圖2以及圖3說明的地址指定電路14的前段(stage)的驅動電路等電連接。

芯片側端子17的與元件基板1的相反側為開放狀態，并且，布線基板90在底板部91的元件基板1一側的面(一表面91s)具備內部端子94(第一端子)，芯片側端子17和內部端子94通過由引線接合用的導線等構成的導電部件99而電連接。布線基板90的底板部91形成為多層布線基板，內部端子94經由通過形成于底板部91的通孔、布線所構成的多層布線部95而與形成于底板部91的與元件基板1相反一側的外表面91t上的外部端子96導通。

布線基板90的側板部92的內側(凹部)設有由環氧類樹脂等樹脂構成的密封材料98。密封材料98覆蓋導電部件99、導電部件99與芯片側端子17的接合部、導電部件99與內部端子94的接合部、元件基板1的周圍、隔離片61與元件基板1的邊界77(粘接層76)以及隔離片61與罩蓋71的邊界79(粘接層78)的周圍，并且覆蓋隔離片61的整個側面61w以及罩蓋71的整個側面71w。

(密封用的無機膜8的構成)

本方式的電光裝置100中，在隔離片61的側面61w以及罩蓋71的側面71w形成有無機膜8，密封材料98隔著無機膜8覆蓋隔離片61的側面61w以及罩蓋71的側面71w。無機膜8從罩蓋71的側面71w經由隔離片61的側面61w連續到芯片2的一表面2s(元件基板1的一表面1s)。因此，無機膜8覆蓋隔離片61與罩蓋71的邊界79以及隔離片61與芯片2的邊界77，密封材料98隔著無機膜8覆蓋邊界77、79。

在本方式中，無機膜8覆蓋由導線(wire，電線)構成的導電部件99。并且，無機膜8經由芯片2的一表面2s、粘接層97的表面、布線基板90的底板部91的一表面91s以及側板部92的內表面92s而連續到側板部92的前端面92t。為此，無機膜8覆蓋芯片側端子17中除了與導電部件99接合的部分之外的部分(一部分)，并且，覆蓋內部端子94中除了與導電部件99接合的部分之外的部分(一部分)。為此，密封材料98隔著無機膜8覆蓋導電部件99、芯片側端子17的一部分以及內部端子94的一部分。

在本方式中，無機膜8由氧化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜、氧化鈦膜、氧化鈮膜、氧化鉿膜等氧化膜；氮化硅膜、氮化鋁膜、氮化鉭膜、氮化鈦膜、氮化鈮膜、氮化鉿膜等氮化膜等單層膜或多層膜構成。

(電光裝置100的制造方法)

參照圖5、圖6、圖7以及圖8說明應用了本發明的電光裝置100的制造方法。圖5是示出應用了本發明的電光裝置100的制造方法的工序截面圖。圖6是示出應用了本發明的電光裝置100的制造中所使用的第二晶片20等的制造方法的工序圖，圖6中示出了各工序中的晶片的平面圖，并在平面圖的下部示出了切斷截面圖。圖7是示出應用了本發明的電光裝置100的制造方法中將芯片2等設置于布線基板90的工序的工序截面圖。圖8是示出應用了本發明的電光裝置100的制造方法中密封芯片2的無機膜8的形成方法的工序截面圖。需要說明的是，在圖6省略了反射鏡50等的圖示，在圖5中，反射鏡50的數量比圖4、圖7以及圖8少，示出為在一張元件基板1形成三個反射鏡50。

在本方式中，從晶片獲得多個元件基板1等。為此，在下面的說明中，將形成于多個獲得的多個元件基板1中得到一個基板的區域中的反射鏡50以及芯片側端子17分別描述為第一反射鏡50a以及第一芯片側端子17a等在各附圖標記后面附帶a來進行說明。并且，將形成于多個元件基板1中與形成有第一反射鏡50a以及第一芯片側端子17a的區域相鄰的區域的反射鏡50以及芯片側端子17分別描述為第二反射鏡50b以及第二芯片側端子17b等在各附圖標記后面附帶b來進行說明。不過，在無需特定任一元件基板1時，不再附帶上述a、b進行說明。

為了制造本方式的電光裝置100，在圖5所示的工序a5以及圖6所示的工序a6、b6(第一晶片準備工序)中，準備能夠獲得多個元件基板1的大型的第一晶片10。在第一晶片的一表面10s(第一面)上對應分割出元件基板1的每個區域形成有反射鏡50、芯片側端子17以及驅動元件30(未圖示)。

因此，在第一晶片10的一表面10s形成有第一反射鏡50a，并在俯視觀察時與第一反射鏡50a相鄰的位置形成有與驅動第一反射鏡50a的第一驅動元件30a(參照圖2以及圖3)電連接的第一芯片側端子17a。并且，在第一晶片10的一表面10s的相對于第一芯片側端子17a而言與第一反射鏡50a相反的一側形成有第二反射鏡50b，并在第一芯片側端子17a與第二反射鏡50b之間形成有與驅動第二反射鏡50b的第二驅動元件30b(參照圖2以及圖3)電連接的第二芯片側端子17b。

并且，在圖5所示的工序a5(第二晶片形成工序)中，準備能夠獲得多個隔離片61以及罩蓋71的大型的第二晶片20。在由第二晶片20的一表面構成的第二面20s上，對應分割出隔離片61以及罩蓋71的每個區域形成有底部具有透光性的凹部21，并且，形成有在彼此呈直角交叉的兩個方向上延伸而包圍多個凹部21中各個凹部的有底的槽22。多個凹部21中的一個凹部是第一凹部21a，與第一凹部21a相鄰的凹部21是第二凹部21b。因此，在第二晶片20的第二面20s形成有底部具有透光性的第一凹部21a、底部具有透光性的第二凹部21b以及沿第一凹部21a與第二凹部21b之間延伸的有底的槽22。

在形成這樣的第二晶片20時，在第二晶片形成工序中，例如進行圖6所示的工序c6～f6。首先在工序c6中準備可以獲得多個罩蓋71的透光性晶片70(第四晶片)。并且，在工序d6中，準備了可以獲得多個隔離片61的隔離片用晶片60(第三晶片)之后，在第一工序中，通過蝕刻等處理在隔離片用晶片60上形成用于構成凹部21的貫通孔66。多個貫通孔66中的一個貫通孔是用于構成第一凹部21a的第一貫通孔66a，與第一貫通孔66a相鄰的貫通孔66是用于構成第二凹部21b的第二貫通孔66b。接著，在工序e6中，通過半蝕刻等處理，形成在彼此呈直角交叉的兩個方向上延伸而包圍多個凹部21中各個凹部的有底的槽22。需要說明的是，在第一工序中，在形成了貫通孔66之后形成槽22，但也可以在形成槽22之后形成貫通孔66。

接著，在第二工序中，如工序f6所示，在隔離片用晶片60的與槽22開口的面60s相反一側的面60t層疊透光性晶片70，并通過粘接層78粘接。其結果，形成了隔離片用晶片60和透光性晶片70層疊的第二晶片20，在這樣的第二晶片20中，通過隔離片用晶片60的面60s構成第二晶片20的第二面20s，通過透光性晶片70的與隔離片用晶片60相反一側的面構成第二晶片20的第三面20t。并且，貫通孔66(第一貫通孔66a以及第二貫通孔66b)的一開口端被透光性晶片70堵塞，成為底部具有透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。

接著，對于粘接工序，在圖5所示的工序b5中，以俯視觀察(例如從一表面10s側觀察第一晶片10時的俯視觀察)時凹部21與反射鏡50重疊、且槽22與芯片側端子17重疊的方式通過粘接層76粘接第一晶片10的一表面10s和第二晶片20的第二面20s。其結果，俯視觀察時第一凹部21a與第一反射鏡50a重疊，俯視觀察時第二凹部21b與第二反射鏡50b重疊，并且，俯視觀察時共同的槽22與第一芯片側端子17a、第二芯片側端子17b以及被第一芯片側端子17a和第二芯片側端子17b夾著的區域重疊。在該狀態下，第二晶片20中被第一凹部21a和槽22夾著的部分粘接于第一反射鏡50a與第一芯片側端子17a之間，第二晶片20中被第二凹部21b和槽22夾著的部分粘接于第二反射鏡50b與第二芯片側端子17b之間。因此，第一芯片側端子17a以及第二芯片側端子17b不與第二晶片20粘接。

接著，在圖5所示的工序c5(第二晶片切割工序)中，使第二晶片用切割刀片82(第一切割刀片)從第二晶片20的與第二面20s相反一側的面所構成的第三面20t進入而沿著槽22切割第二晶片20。其結果，分割第二晶片20，由第二晶片20中從透光性晶片70分割出的平板部分構成罩蓋71，由從隔離片用晶片60分割出的框部分構成隔離片61。在本方式中，第二晶片用切割刀片82的厚度w2與槽22的寬度w0等同。

接著，在圖5所示的工序d5(第一晶片切割工序)中，用第一晶片用切割刀片81(第二切割刀片)沿著在第一晶片10中分割出元件基板1的區域(被第一芯片側端子17a和第二芯片側端子17b夾著的區域)切割第一晶片10。其結果，第一晶片10在第一芯片側端子17a與第二芯片側端子17b之間被切割。在本方式中，第一晶片用切割刀片81的厚度w1比第二晶片用切割刀片82的厚度w2更薄。因此，在第一晶片切割工序中，使第一晶片用切割刀片81從相對于第一晶片10而言的第二晶片20一側進入第二晶片20的切斷部位(相鄰的罩蓋71之間以及相鄰的隔離片61之間)來切割第一晶片10。

其結果，制造出形成有多個反射鏡50的元件基板1的一表面1s被隔離片61以及罩蓋71密封的多個電光裝置100。在本方式中，如圖4所示，還通過布線基板90、無機膜8以及密封材料98密封電光裝置100。

首先，在圖7所示的工序a7中，準備了基板安裝部93形成為被側板部92圍住的凹部的布線基板90之后，在圖7所示的工序b7(芯片設置工序)中，通過粘接層97將芯片2(元件基板1)固定于基板安裝部93的底部。其結果，在布線基板90的一表面91s設置形成有反射鏡50以及驅動元件30(參照圖3)的芯片2、俯視觀察時覆蓋反射鏡50的罩蓋71以及位于罩蓋71與芯片2之間的隔離片61。

接著，在圖7所示的工序c7(連接工序)中，通過導電部件99將元件基板1的芯片側端子17和布線基板90的內部端子94電連接。

接著，在圖8所示的無機膜形成工序中，形成覆蓋罩蓋71與隔離片61的邊界79以及隔離片61與芯片2的邊界77的無機膜8。本方式中，在圖8所示的工序b8(成膜工序)中以覆蓋罩蓋71的方式使無機膜8成膜之后，在圖8所示的工序c8(無機膜去除工序)中，去除同罩蓋71的與反射鏡50相反一側的面、即外表面74重疊的無機膜8。在進行這樣的無機膜去除工序時，在圖8所示的工序a8中，在罩蓋71的外表面74設置帶狀的保護部件85，在圖8所示的工序b8(成膜工序)中，在用保護部件85覆蓋了罩蓋71的外表面74的狀態下使無機膜8成膜。之后，在圖8所示的工序c8(無機膜去除工序)中，從罩蓋71的外表面74去除保護部件85，并去除覆蓋保護部件85的無機膜8。因此，能夠簡單地去除與罩蓋71的外表面74重疊的無機膜8。

本方式中，在結束圖8所示的無機膜形成工序的時間點，無機膜8覆蓋由導線構成的導電部件99。并且，無機膜8覆蓋芯片側端子17中除了接合有導電部件99的部分之外的部分(一部分)，并覆蓋內部端子94中除了接合有導電部件99的部分之外的部分(一部分)。并且，無機膜8覆蓋布線基板90的底板部91的一表面91s、側板部92的內表面92s以及前端面92t。

在圖8所示的工序b8(成膜工序)中，通過原子層沉積法(ald(atomiclayerdeposition)法)、化學氣相沉積法(cvd(chemicalvapordeposition)法)等使無機膜8成膜。例如，通過原子層沉積法，形成氧化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜、氧化鈦膜、氧化鈮膜、氧化鉿膜等氧化膜、氮化硅膜、氮化鋁膜、氮化鉭膜、氮化鈦膜、氮化鈮膜、氮化鉿膜等氮化膜等單層膜或多層膜作為無機膜8。根據原子層沉積法，具有出色的高低差覆蓋性，所以能夠通過無機膜8可靠地覆蓋罩蓋71與隔離片61的邊界77以及芯片2與隔離片61的邊界79。在本方式中，無機膜8是氧化鋁膜，并是絕緣膜。

隨后，如圖4所示，在布線基板90的側板部92內側注入密封材料98，之后固化密封材料98，從而通過密封材料98密封元件基板1。其結果，可以得到反射鏡50被隔離片61、罩蓋71、布線基板90、無機膜8以及密封材料98密封的電光裝置100。

(本方式的主要效果)

如以上所說明的，在本方式的電光裝置100及其制造方法中，具有透光性的罩蓋71與隔離片61的邊界79以及芯片2與隔離片61的邊界77被無機膜8覆蓋，無機膜8經由對罩蓋71、隔離片61以及芯片2的成膜工序而形成。為此，無機膜8與罩蓋71、隔離片61以及芯片2的貼緊性高。因此，水分難以從無機膜8與罩蓋71之間進入，所以能夠有效地抑制水分通過罩蓋71與隔離片61的邊界79以及芯片2與隔離片61的邊界77而進入配置有反射鏡50的空間內。為此，不易發生由于附著在反射鏡50周邊的水滴而導致反射鏡50以傾斜的姿勢被吸附等不良情況。

并且，在本方式中，由無機膜8覆蓋導電部件99，無機膜8起到導電部件99的保護膜的功能。為此，能夠抑制導電部件99由于設置密封材料98時的壓力而斷線。并且，由于無機膜8是絕緣膜，所以能夠防止導電部件99之間的短路等。

并且，設于芯片2與隔離片61的邊界77以及透光性的罩蓋71與隔離片61的邊界79的粘接層76、78具有環氧類粘接劑等的oh基，所以在粘接層上能夠迅速地開展原子層沉積法的化學反應，提高粘接層與無機膜的貼緊性。由此，能夠抑制反射鏡50的劣化。

(電光裝置100的其它制造方法)

圖9是示出應用了本發明的電光裝置100的其它制造方法中密封芯片2的無機膜8的形成方法的工序截面圖。

本方式中，也是在參照圖7的工序b7(芯片設置工序)中，在布線基板90的一表面91s上設置形成有反射鏡50以及驅動元件30(參照圖3)的芯片2、俯視觀察時覆蓋反射鏡50的罩蓋71以及位于罩蓋71與芯片2之間的隔離片61。接著，在圖9所示的無機膜形成工序中形成覆蓋罩蓋71與隔離片61的邊界79以及隔離片61與芯片2的邊界77的無機膜8。

本方式中，在圖9所示的工序a9(成膜工序)中以覆蓋罩蓋71的方式使無機膜8成膜之后，在圖9所示的工序b9(無機膜去除工序)中去除同罩蓋71的與反射鏡50相反一側的外表面74重疊的無機膜8。在進行這樣的無機膜去除工序時，在本方式中，如箭頭e所示，在垂直于罩蓋71的外表面74的方向上進行具有蝕刻方向性(etchdirectionality)的各向異性蝕刻，從而去除重疊在罩蓋71的外表面74的無機膜8。其結果，形成覆蓋罩蓋71與隔離片61的邊界79以及隔離片61與芯片2的邊界77的無機膜8。不過，在無機膜去除工序中去除覆蓋導電部件99、芯片側端子17以及內部端子94的無機膜8、覆蓋布線基板90的底板部91、側板部92的前端面92t的無機膜8，布線基板90中只有側板部92的內表面92s被無機膜8覆蓋。

之后，如圖4所示，向布線基板90的側板部92內側注入密封材料98，之后固化密封材料98，從而通過密封材料98密封元件基板1。其結果，可以得到反射鏡50被隔離片61、罩蓋71、布線基板90、無機膜8以及密封材料98密封的電光裝置100。

根據這樣的制造方法，也是無機膜8與罩蓋71、隔離片61以及芯片2的貼緊性高，所以水分難以從無機膜8與罩蓋71之間進入，因此能夠有效地抑制水分通過罩蓋71與隔離片61的邊界79以及芯片2與隔離片61的邊界77而進入配置有反射鏡50的空間內。為此，可以實現不易發生由于附著在反射鏡50周邊的水滴而導致反射鏡50以傾斜的姿勢被吸附等不良情況等效果。

(其它實施方式)

在上述實施方式中，通過引線結合用的導線將內部端子94(第一端子)和芯片側端子17(第二端子)電連接，但本發明還可以應用于芯片2形成為表面安裝式的情況。這時，在與芯片2重疊的位置設置內部端子94(第一端子)以及芯片側端子17(第二端子)，所以不會被無機膜8覆蓋。