專利名稱：一種新型場發射陰極的制備方法
技術領域：
本發明涉及一種新型場發射陰極的制備方法。
背景技術：
隨著科技的發展和進步，場發射顯示技術得到了極大關注，尤其是場發射陰極的結構和性能成為研究的熱點，雖然目前市場上的場發射陰極種類繁多，但是目前方法制備的場發射陰極還存在著各種缺點和不足。因此，尋找一種工藝簡單、成本低廉、性能良好的新型場發射陰極制備方法成為亟需解決的問題。

發明內容
本發明提供一種新型場發射陰極的制備方法，提供基板，清洗并烘干該基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料層，將該Zn材料層熱處理1-12小時，熱處理溫度為500-700°C，然后冷卻，制得ZnO納米線型場發射陰極。有益效果

本發明制備的氧化鋅納米線陣列經過光譜分析，顯示納米結構有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實施例方式下面結合具體實施例，進一步闡述本發明。應理解，這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。實施例1該新型場發射陰極的制備方法，提供基板，清洗并烘干該基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料層，將該Zn材料層熱處理I小時，熱處理溫度為700°C，然后冷卻，制得ZnO納米線型場發射陰極。實施例2該新型場發射陰極的制備方法，提供基板，清洗并烘干該基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料層，將該Zn材料層熱處理12小時，熱處理溫度為500°C，然后冷卻，制得ZnO納米線型場發射陰極。實施例3該新型場發射陰極的制備方法，提供基板，清洗并烘干該基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料層，將該Zn材料層熱處理7小時，熱處理溫度為600°C，然后冷卻，制得ZnO納米線型場發射陰極。
權利要求
1.一種新型場發射陰極的制備方法，提供基板，清洗并烘干該基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料層，將該Zn材料層熱處理1-12小時，熱處理溫度為500-700°C，然后冷卻，制得ZnO納米線型場發射陰極。
2.如權利要求1所述的制備方法，其中熱處理7小時，熱處理溫度為600°C。
全文摘要
本發明提供一種新型場發射陰極的制備方法，提供基板，清洗并烘干該基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料層，將該Zn材料層熱處理1-12小時，熱處理溫度為500-700℃，然后冷卻，制得ZnO納米線型場發射陰極。
文檔編號H01J9/02GK103035456SQ20121058136
公開日2013年4月10日 申請日期2012年12月27日 優先權日2012年12月27日
發明者李崗, 國欣鑫, 張曉輝 申請人:青島艾德森能源科技有限公司