專利名稱：一種場發射材料的制備方法
技術領域：
本發明涉及一種場發射材料的制備方法。
背景技術：
隨著科技的發展和進步，場發射技術受到了廣泛關注，尤其是場發射陰極材料的研制成為熱點，而目前可以使用的場發射陰極材料雖然種類繁多，但是各有優缺點，而且大部分場發射陰極材料的制備方法復雜，制備成本較高，不適合工業生產。因此，尋找一種成本低廉、工藝簡單的場發射陰極材料成為亟需解決的問題。

發明內容
本發明提供一種場發射陰極材料的制備方法，該場發射陰極材料為納米碳化硅材料，包括如下步驟(a)、將碳化硅原料與鋁或鐵的催化劑混合，將該混合后的原料加熱并抽真空至1.OX ο-3乇以上，然后通入作為保護氣體的惰性氣體；(b)、然后將(a)步驟中處理過的原料加熱至1500_1800°C，并保溫30_90分鐘。有益效果本發明制備的碳化硅材料經過光譜分析，顯示納米結構有序，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。`
具體實施例方式下面結合具體實施例，進一步闡述本發明。應理解，這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。實施例1將碳化硅粉末與催化劑鋁混合，進行預加熱，然后抽真空至1.0X10_3乇，然后通入惰性氣體氬作為保護氣體，然后開始加熱至1500°c，并保溫30分鐘。實施例2將碳化硅粉末與催化劑鐵混合，進行預加熱，然后抽真空至1.5X10_3乇，然后通入惰性氣體氬作為保護氣體，然后開始加熱至1800°C，并保溫90分鐘。實施例3將碳化硅粉末與催化劑鋁混合，進行預加熱，然后抽真空至2. OX 10_3乇，然后通入惰性氣體氬作為保護氣體，然后開始加熱至1600°C，并保溫50分鐘。實施例4將碳化硅粉末與催化劑鋁混合，進行預加熱，然后抽真空至3. O X 10_3乇，然后通入惰性氣體氬作為保護氣體，然后開始加熱至1700°C，并保溫70分鐘。
權利要求
1.一種場發射材料的制備方法，該場發射陰極材料為納米碳化硅材料，其包括如下步驟 (a)、將碳化硅原料與鋁或鐵的催化劑混合，將該混合后的原料加熱并抽真空至1. OX ο-3乇以上，然后通入作為保護氣體的惰性氣體； (b)、然后將(a)步驟中處理過的原料加熱至1500-1800°C，并保溫30-90分鐘。
2.如權利要求1所述的制備方法，其中，抽真空至2.0Χ1(Γ3乇，然后通入惰性氣體氬作為保護氣體，然后開始加熱至160(TC，并保溫50分鐘。
3.如權利要求1所述的制備方法，其中，抽真空至3.0Χ1(Γ3乇，然后通入惰性氣體氬作為保護氣體，然后開始加熱至1700°C，并保溫70分鐘。
全文摘要
本發明提供一種場發射陰極材料的制備方法，該場發射陰極材料為納米碳化硅材料，包括如下步驟(a)、將碳化硅原料與鋁或鐵的催化劑混合，將該混合后的原料加熱并抽真空至1.0×10-3乇以上，然后通入作為保護氣體的惰性氣體；(b)、然后將(a)步驟中處理過的原料加熱至1500-1800℃，并保溫30-90分鐘。
文檔編號H01J9/02GK103065907SQ20121058112
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月28日 優先權日2012年12月28日
發明者李偉忠, 馬金照 申請人:青島愛維互動信息技術有限公司