用于mb2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置制造方法
【專利摘要】一種用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，包括在用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材背面設置有磁通管,在所述的磁通管的背面上設置有第一心形永久磁鐵,在第一心形永久磁鐵中設置有第二心形永久磁鐵,第一心形永久磁鐵和第二心形永久磁鐵通過相互作用能夠在靶材的表面形成均勻的磁力線,另外在所述的磁通管的背面上還設置有旋轉軸。這樣可有效避免現有技術中的靶材利用率低以及靶材的磁鐵磁通量的水平分量的分布均勻性較差的缺陷。
【專利說明】用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置

【技術領域】
[0001] 本實用新型屬于靶材的磁通管【技術領域】，具體涉及一種用于MB2-830型磁控濺射 機臺的靶材的磁通管裝置，尤其涉及半導體的晶圓級封裝WLP技術中的用于MB2-830型磁 控濺射機臺的靶材的磁通管裝置。

【背景技術】
[0002] 半導體的晶圓級封裝WLP技術中需要使用磁控濺射機臺進行針對晶元wafer表面 的鈦Ti和銅Cu的真空鍍膜，其中陰極靶材的磁通水平分量的分布的均勻性的好壞會影響 靶材的利用率。而傳統的靶材的磁通管只有一個心形的永久磁鐵，這樣通過對使用過的靶 材進行分析，靶材利用率在30%左右，對靶材磁鐵磁通量分析，其水平分量的分布均勻性較 差。


【發明內容】

[0003] 本實用目的提供一種用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，包括在 用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材背面設置有磁通管，在所述的磁通管上設置有第一心 形永久磁鐵，在第一心形永久磁鐵中設置有第二心形永久磁鐵，第一心形永久磁鐵和第 二心形永久磁鐵通過相互作用能夠在靶材的表面形成均勻的磁力線，另外在所述的磁通 管上還設置有旋轉軸。這樣可有效避免現有技術中的靶材利用率低以及靶材的磁鐵磁通量 的水平分量的分布均勻性較差的缺陷。
[0004] 為了克服現有技術中的不足，本實用新型提供了一種用于MB2-830型磁控濺射機 臺的靶材的磁通管裝置的解決方案，具體如下：
[0005] -種用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，包括在用于MB2-830型 磁控濺射機臺的靶材2背面設置有磁通管1，在所述的磁通管1的上設置有第一心形永久 磁鐵5,在第一心形永久磁鐵5中設置有第二心形永久磁鐵6，第一心形永久磁鐵5和第二 心形永久磁鐵6通過相互作用能夠在靶材2的表面形成均勻的磁力線，另外在所述的磁通 管1上還設置有旋轉軸3。
[0006] 所述的第一心形永久磁鐵5帶有第一心形通孔7,所述的第一心形通孔7內設置 有帶有第二心形通孔8的第二心形永久磁鐵6,所述的第一心形永久磁鐵5的中心軸線、第 一心形通孔7的中心軸線、第二心形通孔8的中心軸線以及第二心形永久磁鐵6的中心軸 線相重合。
[0007] 所述的磁通管1為圓柱狀，而第一心形永久磁鐵5的中心軸線、第一心形通孔7的 中心軸線、第二心形通孔8的中心軸線以及第二心形永久磁鐵6的中心軸線在堅直方向上 的投影均經過磁通管1的圓心。
[0008] 由這些技術特征，本實用新型通過所述的磁通管1的背面上設置有第一心形永久 磁鐵5,在第一心形永久磁鐵5中設置有第二心形永久磁鐵6，第一心形永久磁鐵5和第二 心形永久磁鐵6通過相互作用能夠在靶材2的表面形成均勻的磁力線，這樣就能提高磁場 水平分量的均勻性，來提高靶材的利用率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為本實用新型的結構原理圖。
[0010] 圖2為本實用新型的剖視圖。

【具體實施方式】
[0011] 如圖1和圖2所示，用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，包括在用 于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材2背面設置有磁通管1，在所述的磁通管1上設置有第 一心形永久磁鐵5，在第一心形永久磁鐵5中設置有第二心形永久磁鐵6，第一心形永久 磁鐵5和第二心形永久磁鐵6通過相互作用能夠在靶材2的表面形成均勻的磁力線，另外 在所述的磁通管1上還設置有旋轉軸3。所述的第一心形永久磁鐵5帶有第一心形通孔7， 所述的第一心形通孔7內設置有帶有第二心形通孔8的第二心形永久磁鐵6,所述的第一心 形永久磁鐵5的中心軸線、第一心形通孔7的中心軸線、第二心形通孔8的中心軸線以及第 二心形永久磁鐵6的中心軸線相重合，這樣的對稱結構更能夠便于提高磁場水平分量的均 勻性。所述的磁通管1為圓柱狀,而第一心形永久磁鐵5的中心軸線、第一心形通孔7的中 心軸線、第二心形通孔8的中心軸線以及第二心形永久磁鐵6的中心軸線在堅直方向上的 投影均經過磁通管1的圓心，這樣的結構更能實現結構上的對稱性，由此結構上的對稱性 更能便于實現磁場水平分量的均勻性。
[0012] 本實用新型的工作原理為通過靶材2背面安裝的第一心形永久磁鐵5和第二心形 永久磁鐵6,在靶材2表面形成均勻的磁力線，通有直流電的靶材2形成的電場與穿過靶材 2的磁場交互，通過放電，電子被束縛在磁場中，并沿磁力線運動，電子在運動中撞擊氬氣 Ar釋放出Ar+離子和二次電子，Ar+離子在電場作用下向靶材2運動，就能將靶材2的金屬 原子釋放出來，二次電子繼續撞擊氬氣，結合磁通管1通過旋轉軸3帶動旋轉，由于在磁通 管1的第二心形永久磁鐵6中增加了第一心形永久磁鐵5,磁力線分布更加均勻，Ar+離子 被電離后均勻的分布在靶材2表面向靶材2高速運動，由此靶材2受轟擊的幾率幾乎相等， 從而提高了靶材2的利用率。
[0013] 以上所述，僅是本實用較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制， 雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專 業的技術人員，在不脫離本實用新型技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出 些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術方案內容，依據 本實用技術實質，在本實用精神和原則之內，對以上實施例所作的任何簡單的修改、等同替 換與改進等，均仍屬于本實用新型技術方案的保護范圍之內。
【權利要求】
1. 一種用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，包括在用于MB2-830型磁 控濺射機臺的靶材背面設置有磁通管，在所述的磁通管上設置有第一心形永久磁鐵，其 特征在于在第一心形永久磁鐵中設置有第二心形永久磁鐵，第一心形永久磁鐵和第二心 形永久磁鐵通過相互作用能夠在靶材的表面形成均勻的磁力線，另外在所述的磁通管上 還設置有旋轉軸。
2. 根據權利要求1所述的用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，其特征 在于所述的第一心形永久磁鐵帶有第一心形通孔，所述的第一心形通孔內設置有帶有第 二心形通孔的第二心形永久磁鐵，所述的第一心形永久磁鐵的中心軸線、第一心形通孔的 中心軸線、第二心形通孔的中心軸線以及第二心形永久磁鐵的中心軸線相重合。
3. 根據權利要求2所述的用于MB2-830型磁控濺射機臺的靶材的磁通管裝置，其特征 在于所述的磁通管為圓柱狀，而第一心形永久磁鐵的中心軸線、第一心形通孔的中心軸線、 第二心形通孔的中心軸線以及第二心形永久磁鐵的中心軸線在堅直方向上的投影均經過 磁通管的圓心。
【文檔編號】H01J37/34GK203999796SQ201420452547
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月12日 優先權日:2014年8月12日
【發明者】陳國華 申請人:南通富士通微電子股份有限公司