本發(fā)明涉及生產(chǎn)加工技術(shù)，尤其涉及一種薄膜組件切割方法及裝置。

背景技術(shù)：

在柔性產(chǎn)品切割工藝中，對聚酰亞胺(PI)薄膜以及其上下膜層構(gòu)成的膜層組件進(jìn)行切割時，所采用的激光源為二氧化碳激光結(jié)合脈沖激光。

一般切割順序?yàn)椋菏紫壤枚趸技す馇懈钌喜縋ET(Polyethylene Terephthalate)層；之后進(jìn)行電極邊區(qū)域保護(hù)膜剝離。或者：首先通過二氧化碳激光先切割上PET層，然后再通過脈沖激光切割PI層跟下PET層。在上述過程中，利用二氧化碳激光切割上部PET時，二氧化碳激光將會通過熱熔方式切斷PI層，高溫能量會與PI層發(fā)生，反應(yīng)產(chǎn)生碳化物顆粒。碳化物顆粒會殘留在電極區(qū)引線之間，導(dǎo)致引線之間Short(短接)進(jìn)而導(dǎo)致引線Burning(燒壞)的現(xiàn)象發(fā)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜組件切割方法及裝置，能夠防止膜層碳化。

給予上述目的本發(fā)明提供的薄膜組件切割方法，所述薄膜組件包括層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層和第三膜層，其中，所述第二膜層在高于預(yù)設(shè)溫度的環(huán)境中能夠被碳化，所述方法包括：

采用第一激光對第一膜層進(jìn)行部分切割；

將部分切割的第一膜層部分進(jìn)行剝離，使得所述第二膜層的待切割部位裸露；

采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割，其中，所述第二激光為采用非燒融方式進(jìn)行切割的激光。

可選的，采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割時，同時對所述第三膜層進(jìn)行切割。

可選的，所述第一激光為二氧化碳激光或飛秒脈沖激光。

可選的，所述第二激光為脈沖激光。

可選的，所述第二激光為皮秒脈沖激光。

可選的，所述第二膜層為聚酰亞胺薄膜。

可選的，所述第一膜層為耐高溫聚酯薄膜；所述第三膜層為耐高溫聚酯薄膜。

可選的，所述第二激光為未采用含有碳元素介質(zhì)的激光或能量低于設(shè)定值的激光。

同時，本發(fā)明提供一種薄膜組件切割裝置，所述薄膜組件包括層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層和第三膜層，其中，所述第二膜層在高于預(yù)設(shè)溫度的環(huán)境中能夠被碳化，包括：

第一切割器：包括第一激光器，用于采用第一激光對第一膜層進(jìn)行部分切割切割；

剝離機(jī)構(gòu)：用于將部分切割的第一膜層部分進(jìn)行剝離，使得所述第二膜層的待切割部位裸露使得所述第二膜層的待切割部位裸露；

第二切割器：包括第二激光器，用于采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割，其中，所述第二激光為采用非燒融方式進(jìn)行切割的激光；

控制器：用于控制第一激光器產(chǎn)生第一激光、以及控制第二激光器產(chǎn)生第二激光。

可選的，所述第二切割器采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割時，同時對所述第三膜層進(jìn)行切割。

可選的，所述第一激光器為二氧化碳激光器或飛秒脈沖激光器。

可選的，所述第二激光器為脈沖激光器。

可選的，所述第二激光器為皮秒脈沖激光器。

可選的，所述第二激光為未采用含有碳元素介質(zhì)的激光或能量低于設(shè)定值的激光。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的薄膜組件切割方法及裝置，采用以非燒融方式進(jìn)行切割的激光激光切割在高溫下易于碳化的第二膜層。在切割第二膜層上方的第一膜層時，采用部分切割的方法，使得第一膜層中未被切割的部分能夠阻擋第一激光切割到第二膜層，避免第二膜層被碳化，從而進(jìn)一步能夠防止碳化物顆粒對膜層周邊的電路布線產(chǎn)生不良影響，提高了產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜組件切割方法流程圖；

圖2A-2C為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜組件切割過程中膜層變化示意圖；

圖3為本發(fā)明一種具體實(shí)施例的薄膜組件切割方法流程示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜組件切割裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明首先提供一種薄膜組件切割方法，所述薄膜組件包括層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層和第三膜層，其中，所述第二膜層在高于預(yù)設(shè)溫度的環(huán)境中能夠被碳化，所述方法包括：

步驟101：采用第一激光對第一膜層進(jìn)行部分切割，切割深度小于第一膜層的厚度；

步驟102：將部分切割的第一膜層部分進(jìn)行剝離，使得所述第二膜層的待切割部位裸露；

步驟103：采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割，其中，所述第二激光為采用非燒融方式進(jìn)行切割的激光。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的薄膜組件切割方法，對第一膜層進(jìn)行部分切割，切割深度小于第一膜層的厚度，從而第一激光不會與第一膜層下方的第二膜層接觸，這樣，即使第一激光為能夠使得第二膜層碳化的激光，由于在第一激光切割后，存在第一膜層未被第一激光切割的部分作為第一激光和第二膜層之間的阻擋，從而第一激光不會切割到第二膜層而使第二膜層碳化產(chǎn)生碳化物顆粒等；在切割第二膜層時，采用第二激光進(jìn)行切割，第二激光為采用非燒融方式進(jìn)行切割的激光，從而使得第二膜層不會被碳化，從而避免了碳化物對所述膜層組件周圍的布線產(chǎn)生影響。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述部分切割，指切割深度小于第一膜層的厚度，或切割長度小于待切割區(qū)域的長度。所述部分切割的切割深度可以是第一膜層的厚度的一半、三分之一、三分之二、五分之二等等。

在柔性產(chǎn)品的制備過程中，采用聚酰亞胺薄膜和/或PET薄膜等制作柔性基板，在對電極邊區(qū)域(PAD區(qū))的聚酰亞胺薄膜和PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜進(jìn)行切割時，通常采用二氧化碳激光結(jié)合脈沖激光對兩側(cè)設(shè)置有PET薄膜、中間設(shè)置有聚酰亞胺薄膜的薄膜組件進(jìn)行切割，當(dāng)二氧化碳激光切割上層PET薄膜時，會將聚酰亞胺薄膜碳化，產(chǎn)生碳化物顆粒，碳化物顆粒進(jìn)入電極邊區(qū)域，會殘留于引線之間并造成不良后果。

本發(fā)明提供的薄膜組件切割方法，在應(yīng)用于柔性產(chǎn)品或其它OLED產(chǎn)品的制備過程中時，電極邊的倒角工藝在電極邊區(qū)域第一膜層即保護(hù)膜去除后進(jìn)行，相比在第一膜層覆蓋的情況下進(jìn)行倒角切割，能夠避免二氧化碳激光對上層PET薄膜切割時造成聚酰亞胺薄膜碳化產(chǎn)生碳化物顆粒的情況，避免了碳化物顆粒殘留在電極邊區(qū)域引線處導(dǎo)致引線之間的短接、燒斷現(xiàn)象，從而在切割薄膜組件的同時，能夠保證柔性產(chǎn)品的其它元件不受到不良影響。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割時，同時對所述第三膜層進(jìn)行切割。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述第一激光為二氧化碳激光或飛秒脈沖激光。由于在柔性產(chǎn)品的基板制備過程中，上層第一膜層一般為保護(hù)膜層，在后續(xù)工藝中要將其去除，因此，對第一膜層的切割精度要求不高，可以采用能量較高的二氧化碳激光或精度較低的飛秒脈沖激光進(jìn)行切割。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述第二激光為脈沖激光。脈沖激光切割方式為打斷分子結(jié)構(gòu)的方式，能量很低，不會發(fā)生第二膜層燒融現(xiàn)象。

在將第一膜層剝離之后，可采用精度較高的皮秒脈沖激光進(jìn)行后續(xù)切割。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第二膜層為聚酰亞胺薄膜。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第一膜層為耐高溫聚酯薄膜；所述第三膜層為耐高溫聚酯薄膜。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第二激光為未采用含有碳元素介質(zhì)的激光或能量低于設(shè)定值的激光。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述設(shè)定值為無論介質(zhì)含有何種元素都不會使第二膜層產(chǎn)生碳化的激光能量值，根據(jù)第二膜層具體材質(zhì)的不同而不同，在實(shí)際應(yīng)用時，可通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行測定。

在本發(fā)明一種具體實(shí)施例中，所述薄膜組件如圖2A所示，包括層疊設(shè)置的第一膜層201、第二膜層202、第三膜層203，在第一膜層201和第二膜層202之間，還設(shè)置有第四膜層204，所述第一膜層201、第三膜層203均為PET膜層，所述第四膜層204為四氟乙烯(TFE)層。在柔性產(chǎn)品的實(shí)際制作過程中，需要將薄膜組件進(jìn)行倒角切割，具體過程結(jié)合圖2A-2C和圖3，包括：

步驟301：采用第一激光對第一膜層201進(jìn)行部分切割，切割深度為第一膜層201的厚度的一半，如圖2B所示；所述第一激光包括以二氧化碳為介質(zhì)的激光；

步驟302：將部分切割的第一膜層201部分進(jìn)行剝離，使得所述第二膜層202、第三膜層203的待切割部位裸露，如圖2C所示；

步驟303：采用第二激光對所述第二膜層202、第三膜層203，形成需要的形狀，例如倒角；其中，所述第二激光為未采用含有碳元素介質(zhì)的激光或能量低于設(shè)定值的激光，例如皮秒脈沖激光或飛秒脈沖激光。所述第二激光為皮秒脈沖激光。

同時，本發(fā)明還提供一種薄膜組件切割裝置，所述薄膜組件包括層疊設(shè)置的第一膜層、第二膜層和第三膜層，其中，所述第二膜層在高于預(yù)設(shè)溫度的環(huán)境中能夠被碳化，所述薄膜組件切割裝置結(jié)構(gòu)如圖4所示，包括：

第一切割器401：包括第一激光器402，用于采用第一激光對第一膜層進(jìn)行部分切割；

剝離機(jī)構(gòu)403：用于將部分切割的第一膜層部分進(jìn)行剝離，使得所述第二膜層的待切割部位裸露使得所述第二膜層的待切割部位裸露；

第二切割器404：包括第二激光器405，用于采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割，其中，所述第二激光為為采用非燒融方式進(jìn)行切割的激光；

控制器406：用于控制第一激光器402產(chǎn)生第一激光、以及控制第二激光器405產(chǎn)生第二激光。

在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述第一切割器為第一激光器、第二切割器為第二激光器。

在一些實(shí)施例中，所述第二激光為采用打斷分子層的方式進(jìn)行切割的激光。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第二切割器采用第二激光對所述第二膜層進(jìn)行切割時，同時對所述第三膜層進(jìn)行切割。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第一激光器為二氧化碳激光器或飛秒脈沖激光器。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第二激光器為脈沖激光器。較佳的，所述第二激光器為皮秒脈沖激光器。

在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第二激光為未采用含有碳元素介質(zhì)的激光或能量低于設(shè)定值的激光。

在一種具體實(shí)施例中，所述薄膜組件為柔性產(chǎn)品中的基底薄膜組件，包括上PET層、PI層、下PET層，所述上PET層和PI層之間設(shè)置有TFE層，對所述基底薄膜組件進(jìn)行切割時，所述控制器控制第一切割器，采用二氧化碳為介質(zhì)的激光對上PET層進(jìn)行部分切割，切割深度小于上PET層的厚度，所述剝離機(jī)構(gòu)將部分切割的上PET層進(jìn)行剝離；所述控制器控制第二切割器，采用皮秒脈沖激光切割PI層和下PET層，形成倒角。皮秒脈沖激光在切割PI層時，不會導(dǎo)致PI層碳化。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的薄膜組件切割方法及裝置，采用以非燒融方式進(jìn)行切割的激光激光切割在高溫下易于碳化的第二膜層。在切割第二膜層上方的第一膜層時，采用部分切割的方法，使得第一膜層中未被切割的部分能夠阻擋第一激光切割到第二膜層，避免第二膜層被碳化，從而進(jìn)一步能夠防止碳化物顆粒對膜層周邊的電路布線產(chǎn)生不良影響，提高了產(chǎn)品良率。

應(yīng)當(dāng)理解，本說明書所描述的多個實(shí)施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。