專利名稱：真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種工藝過程的自動檢測方法，尤其涉及一種真空鍍膜技術(shù)中工藝過程的自動檢測方法，具體是鍍氧化硅(SiO)和鍍氟化鎂(MgF2)工藝過程的自動檢測方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有車燈真空蒸發(fā)鍍膜工藝技術(shù)，是在被鍍工件表面先蒸發(fā)鍍一層鋁(AL)后，為了使鋁層表面不被氧化，必須在其表面再蒸發(fā)鍍一層保護膜。針對被鍍工件不同的使用環(huán)境和不同的質(zhì)量要求，選擇不同類型的保護膜。目前，一般是選擇采用蒸發(fā)鍍氧化硅(SiO)和蒸發(fā)鍍氟化鎂(MgF2)做為保護膜。由于鍍SiO和鍍MgF2的材料不同，因此采用的工藝參數(shù)，蒸發(fā)電源的電流、電壓參數(shù)、蒸發(fā)源材料、結(jié)構(gòu)以及連接方式均不同，而工藝參數(shù)，蒸發(fā)源電流、電壓參數(shù)的設(shè)定是通過計算機鍵盤設(shè)定后存入控制計算機的。而蒸發(fā)源和蒸發(fā)材料是和被鍍工件一起固定在工作轉(zhuǎn)架上，通過導(dǎo)軌推入真空室體進行真空鍍膜的，因此就出現(xiàn)了專門用于鍍SiO的工件轉(zhuǎn)架和專門用于鍍MgF2的工件轉(zhuǎn)架。也就是說，工藝設(shè)定是鍍SiO的保護膜，必須推入室體是鍍SiO工件轉(zhuǎn)架，反之亦然。在生產(chǎn)過程中，操作人員必須認真核對，一旦發(fā)生工藝設(shè)定是鍍SiO而推入室體是鍍MgF2工件轉(zhuǎn)架，而計算機按設(shè)定鍍SiO工藝過程運行后，就會造成蒸發(fā)源嚴重損壞，整爐工件全部報廢的嚴重后果，這是現(xiàn)有設(shè)備嚴重不足之處。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本發(fā)明提供一種能準確測定所鍍工件架的真空鍍膜工藝過程自動檢測方法。
本發(fā)明的目的可以通過以下措施實現(xiàn)一種真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，是先根據(jù)蒸發(fā)源的材料連接方式在蒸發(fā)回路中設(shè)定一個電流門限值，并讓蒸發(fā)電源在極短的時間內(nèi)輸出小電壓值，使檢測回路電流值與電流門限值比較，若檢測回路電流值大于門限值，則確定推入室體的是該蒸發(fā)源的工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行該蒸發(fā)源的工藝過程；若檢測回路電流值小于門限值，則確定推入室體的不是該蒸發(fā)源的工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行蒸發(fā)電源的切換。
所述的蒸發(fā)源為SiO蒸發(fā)電源和MgF2蒸發(fā)電源。
所述SiO蒸發(fā)回路的連接方式為4根3.1×2600毫米的鎢絲并聯(lián)，該回路中設(shè)定的電流門限值為IV＝100A。
所述MgF2蒸發(fā)回路的連接方式為48根螺旋管狀的鉬絲并聯(lián)，該回路中設(shè)定的電流門限值為IV＝160A。
所述SiO蒸發(fā)電源在極短的時間內(nèi)輸出1伏的電壓值，檢測回路電流值與門限值比較，若檢測回路電流值大于門限就判定推入室體的是SiO工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行鍍SiO工藝過程；若測得的檢測回路電流值小于門限值，就確定推入室體的是鍍MgF2工件轉(zhuǎn)架，并自動切換到鍍MgF2蒸發(fā)電源，執(zhí)行鍍MgF2工藝過程。
所述MgF2蒸發(fā)電源在極短的時間內(nèi)輸出1伏的電壓值，檢測回路電流值與門限值比較，若檢測回路電流值大于門限就判定推入室體的是MgF2工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行鍍MgF2工藝過程；若測得的檢測回路電流值小于門限值，就確定推入室體的是鍍SiO工件轉(zhuǎn)架，并自動切換到鍍SiO蒸發(fā)電源，執(zhí)行鍍SiO工藝過程。
本發(fā)明的優(yōu)點1、本發(fā)明采用工藝檢測回路，自動檢測推入真空室體的蒸發(fā)源工件轉(zhuǎn)架，并實現(xiàn)自動執(zhí)行和切換蒸發(fā)電源的工藝過程，完全消除了蒸發(fā)源損壞，全爐工件報廢的事故發(fā)生。
2、本發(fā)明采用計算機軟件控制執(zhí)行整個工藝檢測過程，安全可靠、操作方便。


圖1為本發(fā)明真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法框2為本發(fā)明SiO蒸發(fā)電源的連接結(jié)構(gòu)3為本發(fā)明MgF2蒸發(fā)電源的連接結(jié)構(gòu)圖1——SiO蒸發(fā)電源2——鎢絲3——MgF2蒸發(fā)電源4——鉬絲
具體實施例方式
實施例1參照圖2，在SiO蒸發(fā)回路中設(shè)定一個電流門限值IV＝100A，并使SiO蒸發(fā)電源在較短的時間內(nèi)輸出1伏的電壓值，檢測回路電流值并與電流門限值比較，若檢測回路電流值小于門限則判定推入室體的是SiO工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行鍍SiO工藝過程。
實施例2參照圖3，在MgF2蒸發(fā)回路中設(shè)定一個電流門限值IV＝160A，并使MgF2蒸發(fā)源在較短時間內(nèi)輸出1伏的電壓值，檢測回路電流值與電流門限值比較，若檢測回路電流值大于門限則判定推入室體的是MgF2工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行鍍MgF2工藝過程。
上述整個工藝檢測工程有計算機軟件控制執(zhí)行。
權(quán)利要求
1.一種真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，其特征在于先根據(jù)蒸發(fā)源的材料、連接方式在蒸發(fā)回路中設(shè)定一個電流門限值，并讓蒸發(fā)電源在極短的時間內(nèi)輸出小電壓值，使檢測回路電流值與電流門限值比較，若檢測回路電流值大于電流門限值，則確定推入室體的是該蒸發(fā)源的工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行該蒸發(fā)源的工藝過程；若檢測回路電流值小于電流門限值，則確定推入室體的不是該蒸發(fā)源的工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行蒸發(fā)電源的切換。
2.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，其特征在于所述的蒸發(fā)源為SiO蒸發(fā)電源和MgF2蒸發(fā)電源。
3.權(quán)利要求2所述的真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，其特征在于所述SiO蒸發(fā)回路的連接方式為4根3.1×2600毫米的鎢絲并聯(lián)，該回路中設(shè)定的電流門限值為Iv＝100A。
4.權(quán)利要求2所述的真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，其特征在于所述MgF2蒸發(fā)回路的連接方式為48根螺旋管狀的鉬絲并聯(lián)，該回路中設(shè)定的電流門限值為Iv＝160A。
5.權(quán)利要求2、3、4所述的任一真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，其特征在于所述SiO蒸發(fā)電源在極短的時間內(nèi)輸出1伏的電壓值，檢測回路電流值與門限值比較，若檢測回路電流值小于門限就判定推入室體的是SiO工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行鍍SiO工藝過程；若測得的檢測回路電流值大于門限值，就確定推入室體的是鍍MgF2工件轉(zhuǎn)架，并自動切換到鍍MgF2蒸發(fā)電源，執(zhí)行鍍MgF2工藝過程。
6.權(quán)利要求2、3、4所述的任一真空鍍膜工藝過程的自動檢測方法，其特征在于所述MgF2蒸發(fā)電源在極短的時間內(nèi)輸出1伏的電壓值，檢測回路電流值與門限值比較，若檢測回路電流值大于門限就判定推入室體的是MgF2工件轉(zhuǎn)架，并自動執(zhí)行鍍MgF2工藝過程；若測得的檢測回路電流值小于門限值，就確定推入室體的是鍍SiO工件轉(zhuǎn)架，并自動切換到鍍SiO蒸發(fā)電源，執(zhí)行鍍SiO工藝過程。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種真空鍍膜工藝過程自動檢測的控制方法，該方法采用工藝檢測回路，自動檢測推入真空室體的蒸發(fā)源工件轉(zhuǎn)架，并實現(xiàn)自動執(zhí)行和切換蒸發(fā)電源的工藝過程，完全消除了蒸發(fā)源損壞，全爐工件報廢的事故發(fā)生；本發(fā)明整個檢測過程利用計算機軟件控制執(zhí)行，安全可靠、操作方便。
文檔編號C23C14/24GK1632162SQ20041008235
公開日2005年6月29日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者范多旺, 鄧志杰, 范多進, 解武波, 孔令剛, 王漢安, 武福, 于正勤 申請人:蘭州大成自動化工程有限公司, 蘭州交通大學