專利名稱：濺射裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及濺射裝置。
背景技術：
以往，在形成光學薄膜或導電性薄膜等各種薄膜時，使用以電阻加熱方式和電子束加熱方式為代表的真空蒸鍍法。
可是，用真空蒸鍍法形成的膜通常致密性低，而且光學薄膜受溫度或濕度的影響，折射率易產生變化，有分光反射率特性變化的問題。作為提高膜的致密性的方法，知道的有一邊對襯底表面照射氧或氬的離子一邊形成膜的離子輔助蒸鍍法，但是在該方法中由于難以對大面積的襯底表面均勻地照射離子，因此很難提高蒸鍍速度，所以生產效率成為問題。
因此，近年來使用濺射法。即，用電加速由輝光放電而產生的陽離子，使其撞擊靶材料，使被撞擊出來的原子付著在襯底上，從而形成膜。
在濺射法中，為進行輝光放電而在真空室內導入氬氣等惰性氣體，在進行化學反應性濺射時再導入氧氣、氮氣等反應氣體。用濺射法形成的薄膜與利用真空蒸鍍法形成的薄膜相比，雖然有成膜時間長的缺點，但由于膜結構致密，所以有物理特性與化學特性穩定、而且對襯底的付著力強的優點。
另外，為了提高濺射法的成膜效率，知道的還有使用在靶的表面形成磁場、使由輝光放電而產生的陽離子在靶的表面維持高密度、并提高濺射速度的磁控管濺射法，以及在成對的兩個靶上交替改變極性地施加二極性電壓的雙磁控管法(例如參照專利文獻1及2)。
專利文獻1 特開平10-158830號公報專利文獻2特開平11-71667號公報可是，在專利文獻1及2所公開的現有的濺射法中，若要高速成膜，氧化就不充分，存在著使膜的透明度下降的問題。
如圖8的曲線圖所示，在氧化膜區域與金屬膜區域之間的過度區域進行高速濺射時，在使電壓變化為V1～V3的所有條件下，成膜速度和透明度顯著地隨氧氣氣壓和濺射電壓等的變動而變化。
另外，對靶施加上述那樣的脈沖形狀的電壓或二極性電壓時，由于靶與襯底之間會產生大量的離子、電子等的電荷移動，所以離子或電子對襯底表面的照射量增多。因而會導致襯底表面被濺射的所謂的逆濺射和襯底的表面溫度異常上升等現象，從而使膜產生裂紋、脫落、異物付著等，引起平滑性下降和泛白濁化等現象。
而且，在氧氣和氬氣的混合氣體的氛圍中進行反應濺射成膜時，由于在靶表面形成氧化物薄膜而蓄積正電荷，使得氬離子對靶表面的撞擊變得不充分，從而會使成膜速度降低。另外，為了去除氧化物薄膜而提高施加在靶上的正電壓時，會有導致對襯底表面的逆濺射、因異常放電而引起的襯底表面損傷、裝置的誤動作等的問題。

發明內容
本發明的目的就是解決上述問題，提供一種能夠高速形成高性能的光學薄膜的濺射裝置。
為了解決上述課題，本發明提供了一種濺射裝置，用于把薄膜涂層涂覆到襯底上，該濺射裝置包括真空室；在所述真空室內的至少兩個圓筒狀的靶或兩個平板狀的靶；以及至少兩個并列地分別置于各個靶上的磁鐵，用于在該靶的外表面附近產生磁場；其中，1)所述薄膜涂層通過在把電壓施加到各個磁鐵上的同時，向所述真空室中導入放電氣體而形成；2)在所述真空室中滿足公式(1)d1≤3d2其中，d1是兩個靶的外表面之間的距離，d2是兩個靶的外表面與襯底之間的任一個距離。
在本發明的上述濺射裝置中，其特征在于滿足以下式2d1≤2d2。
根據上面所述的發明，通過以滿足上述式1的方式設置靶材料與襯底，使靶材料之間靠近地設置，從而使靶材料之間的電位差遠大于靶材料與襯底之間的電位差，從而使放電氣體以及反應氣體中的氬離子或氧離子等帶電的物質以及大部分電子在兩個靶材料之間移動，使得向襯底表面的移動變少。因此，即使增加對靶材料施加的電壓也不會引起玻璃襯底的損傷，可以以提高的成膜速度制造出裂紋、剝離、白濁化少的高性能的光學薄膜。
另外，像上面所述的發明那樣，通過滿足上述式2的設計，不僅對玻璃襯底，對塑料襯底也能獲得與權利要求1同樣的效果。
在上面所述的濺射裝置中，在上述兩個靶材料是圓筒狀時，設這兩個靶材料的外表面的法線之間構成的角為θ，在上述兩個靶材料是平板狀時，設這兩個靶材料的外表面的垂直線之間構成的角為θ，則滿足以下式3θ≤160°。
上面所述的發明中，還可以滿足以下式445°≤θ≤100°。
若根據上面所述的發明，通過兩個靶材料的外表面的法線或垂直線之間構成的角θ滿足上述式3的設計，使得在對兩個靶材料施加電壓時，靶材料附近的放電只存在于靶材料之間，因此在該狀態下即使再增加電壓也可以抑制放電氣體中的離子(例如氬離子)對襯底表面逆濺射，從而可以提高成膜速度。
另外，根據上面所述的發明，通過滿足上述式4的設計，可以使放電電場收斂在襯底之間、而且可以將靶物質付著于襯底的比例維護得很高，因此能夠以高的成膜速度制造出高性能的光學薄膜。
在本發明的濺射裝置中，上述靶材料是圓筒狀的，且在濺射過程中這些靶材料沿圓周方向旋轉。
通過使靶材料旋轉，可以防止靶材料表面因濺射而產生變形，從而可以有效地利用靶材料。
本發明的濺射裝置，還包括圍繞在靶周圍的保護容器，該保護容器的前面具有開口；其中，所述保護容器的背壁上具有放電氣體入口，而反應氣體入口提供在靶和襯底之間的真空室的部位。
根據上述發明，通過將反應氣體的導入口設置在靶材料與襯底之間、將放電氣體的導入口設置在保護容器的背壁上，可以在靶材料附近提高放電氣體的分布密度、在襯底附近提高反應氣體的分布密度，從而可以在成膜過程中使靶材料附近的輝光放電穩定、同時可以防止靶材料表面形成氧化物薄膜，因而可以防止成膜速度的下降和放電的不穩定。另外，靶物質處于低氧化的狀態也可以促進襯底附近以及襯底表面上的氧化，形成透明度高的光學薄膜。
在上面所述的本發明的濺射裝置中，施加在上述兩個靶材料上的電壓極性可以互不相同、且隨時間而變化。
根據上面所述的發明，可以高效地去除形成在靶材料表面上的氧化膜，而且可以抑制襯底因放電而導致的損傷。
根據本發明，可以獲得能夠以高速形成高性能的光學薄膜的濺射裝置。


圖1是表示濺射裝置外部結構的立體圖；圖2是表示真空室內結構的平面圖；圖3是用于說明d1、d2、及θ的平面圖；圖4是用于說明濺射裝置的動作的平面圖(a)至(d)；圖5是表示施加電壓波形的圖(a)和(b)；圖6是表示實施方式2的濺射裝置內部結構的平面圖；圖7是表示實施方式3的濺射裝置內部結構的平面圖；圖8是用于說明氧化膜區域、過度區域、及金屬區域的曲線圖。
具體實施例方式
實施方式1下面根據

本發明的實施方式1。
如圖1及圖2所示，濺射裝置10的由矩形的箱體構成的真空室2內裝有靶材料63、磁鐵80(81、82、83)、襯底30等。在圖2至圖7中省略了真空室2自身的圖示。另外，標號F表示薄膜。
真空室2由四方筒狀的真空鐘罩主體3、以密封的方式分別覆蓋其頂面與底面的蓋4、以及基座板5構成，在該真空室2的內部空間里進行濺射成膜。真空鐘罩主體3和蓋4相對基座板5可以自如地升降，而且蓋4通過未圖示的合葉機構相對于真空鐘罩主體3可以自如地開閉。
真空室2的內部設置有圍繞在靶材料63的周圍、且前面具有開口41的靶保護板40，另外還設置有防止成膜時一邊的靶材料63因來自另一邊靶材料63的飛散粒子而被污染的隔板42。
在與靶保護板40的開口41對置的位置上設置有用于保持襯底30的平板狀的襯底架50。
襯底架50由真空室2的壁面沿左右方向移動自如地被支持著，可以使其在濺射時沿左右方向移動。襯底架50具有導電性，與真空鐘罩主體3和蓋4、以及基座板5導通，濺射時用作地電位。
由襯底架50保持的襯底30可以使用丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、ゼオネツクス樹脂(日本ゼオン公司生產，商品名)、ア-トン樹脂(日本合成橡膠公司生產，商品名)、以及其它透明性良好的普通樹脂作為塑料襯底。作為玻璃襯底，透鏡、反射鏡、棱鏡、導光板、光纖、顯示裝置保護罩、以及其它由玻璃制成的所有普通的光學部件均可適用。
真空室2內的左右兩處設置有圓筒狀的靶塊60，還設置了具有導電性的旋轉式擋板61，以便圍繞各個靶塊60。靶塊60為陰電極，使之在襯底架50之間產生放電。而如圖2中的虛線所示，當擋板61移動到靶塊60與襯底50之間時不進行成膜。
靶保護板40的前端部設置有用于將反應氣體導入真空室2內的導入口70，靶保護板40的后端部設置有用于將放電氣體導入真空室2內的導入口71。
作為放電氣體，可以舉出氬氣、氦氣、以及以氬氣為主要成分的氣體(例如含有10w％的氧的氬氣)。
作為反應氣體，可以舉出氧氣、氮氣、以及以氧為主要成分的氣體(例如含有30w％的氬的氧氣)。
靶塊60由具有導電性的不銹鋼制或銅制的圓筒狀的靶架62和以內周面貼緊靶架62的外周面的方式安裝的圓筒狀的靶材料63構成。
作為靶材料63，例如可以舉出用于低折射率材料的硅、氟化鎂等、用于中折射率材料的鋁、釔等，用于高折射率材料的鈦、鉭、鈮、鉿、鎢、鉻、鈰、鎬，或上述材料的低價氧化物。
靶架62的中空部分內設置有固定在基座板5上的磁鐵80。
磁鐵80由被設立在基座板5上的桿(未圖示)支持的鐵制鐵芯81、固定在鐵芯81上的第一磁鐵列82、以及以圍繞第一磁鐵列82的方式固定在鐵芯81上的第二磁鐵列83構成。
第一、第二磁鐵列82、83沿靶架62的長邊方向(上下方向)延伸。在朝向靶架62的內周面一側的磁極中，第一磁鐵列82是N極、第二磁鐵列83是S極，各磁極的前端離靶架62的內周面的距離大致相等。因此在靶材料63的任意的截面處都產生如圖2中虛線所示的多條磁力線。
另外，在靶材料63的長邊方向也可以獲得同樣的磁力線，從而在筒狀的靶材料63的整個外周面中，在面對襯底架50側的幾乎半周上可以獲得均勻的磁場。
另外，從第一磁鐵列82的N極產生的磁力線通過離第一磁鐵列82的N極最近的靶架面62a，并從靶材料63的外部到達第二磁鐵80的S極。
如圖3所示，設離第一磁鐵列82的N極最近的靶架面62a的法線L之間構成的角為θ時，則進行設計使之滿足θ≤160°(式3)。而且，θ在0°＜θ＜360°的范圍內。
而且，如圖3所示，設左右兩個靶材料63的外表面之間最靠近的位置的該兩個外表面之間的距離為d1、設各靶材料63的外表面與襯底30的表面最靠近的位置的靶材料63的外表面離襯底30的表面的距離為d2時，則設計使之滿足d1≤3d2(式1)。
另外，在本實施方式中，左右兩個靶材料63的外表面離襯底30的表面的距離相等，都為d2，不相等時，設一個距離為d2、另一個距離為d2′，并進行設計使之滿足d1≤3d2、d1≤3d2′。
靶架62的中空部分除了是設置上述磁鐵80的空間之外，還用作冷卻水的流路。通過使冷卻水流過靶架62的中空部分的內部，可以防止靶架62和靶材料63的過熱，確保輝光放電穩定，還可以防止靶材料63的不必要的化學反應。
下面利用圖4說明上述濺射裝置10的動作。在本例中，靶材料63使用硅，在襯底30的表面形成由硅氧化物構成的薄膜F。
首先，打開真空鐘罩主體3和蓋4，將靶材料63安裝在各靶架62上。其次，將襯底30保持在襯底架50上、并使其一個面朝向靶塊60側。
關閉真空鐘罩主體3和蓋4，起動未圖示的真空排氣系統使真空室2內達到規定的高真空狀態，之后，從導入口70、71以規定的混合比導入反應氣體和放電氣體，使真空室2內保持規定的氣壓。
然后，向靶架62通冷卻水，確認擋板61已全部關閉之后，將襯底架50設置為地電位，在兩個靶架62(陰極與陽極)之間交替地施加圖5(a)所示的極性在+V1至-V2之間變化的正弦波電壓。也可以施加圖5(b)所示的矩形波電壓。
+V1指正電壓的峰值，通常在0至2000伏的范圍內，-V2指負電壓的峰值，通常在-2000伏至0伏的范圍內。電壓頻率通常在20至100kHz的范圍內。
然后，在打開導電性的擋板61的同時開始旋轉靶架62，從而使襯底架50與靶塊60之間產生放電氣體的等離子體。然后，在該條件下以規定速度沿左右方向移動襯底架50。
這樣，就如圖4(a)所示，施加負電壓(-V2)的靶材料63A的表面被因放電而產生的帶正電的氬離子(Ar+)濺射，使靶物質在真空中飛散，通過混合氣體中的氧氣的作用，以硅氧化物(SiO2)的狀態淀積在襯底30的表面。
另一方面，電子、負電荷被吸引附著在施加正電壓(+V1)的靶材料63B的表面，積聚在形成在表面上的硅氧化物薄膜的表面上。
此時，如上所述，因為兩個靶材料63A、63B的外表面之間的距離d1和靶材料63A、63B的外表面與襯底30的表面之間的距離d2滿足上述式1，所以存在于施加正電壓的靶材料63B附近的氬離子向施加負電壓的靶材料63A側移動的比例高于向襯底30側移動的比例。因此，可以減少氬離子對襯底30表面進行逆濺射的比例，從而形成高性能的膜。
然后，如圖4(b)所示，對具有蓄積了電子與負電荷的硅氧化物薄膜的靶材料63B施加負電壓(-V2)，則作為正電荷的氬離子被蓄積在靶材料63B上的負電荷強有力地吸引附著過去，通過該撞擊來去除靶材料63B表面的硅氧化物薄膜。
另外，因為設計成使離第一磁鐵列82的N極最近的靶架面62a的垂直線L之間構成的角θ滿足上述式3，所以施加負電壓的靶材料63B附近的電子及大部分其它電荷會被吸引附著到與其相對的施加正電壓(+V1)的靶材料63A的表面上，因此向襯底30側的移動量減少，從而可以防止襯底30的異常的溫度上升，形成高性能的膜。
施加負電壓的靶材料63B表面的硅氧化物被去除之后，如圖4(c)所示，靶材料63B的表面被帶正電的氬離子濺射，使靶物質在真空中飛散，通過混合氣體中的氧氣的作用，以硅氧化物的狀態淀積在襯底30的表面上。
另一方面，電子、負電荷被吸引附著到施加正電壓(+V1)的靶材料63A的表面，蓄積在形成在表面上的硅氧化物薄膜上。
然后，如圖4(d)所示，對靶材料63A施加負電壓(-V2)，則作為正電荷的氬離子被蓄積在靶材料63A上的負電荷強有力地吸引附著過去，通過該撞擊來去除靶材料63A表面的硅氧化物薄膜。
若對靶材料63B施加正電壓(+V1)，則施加負電壓的靶材料63A附近的電子和大部分其它電荷就會被吸引附著到靶材料63B的表面，所以向襯底30側的移動量會減少，從而可以防止襯底30的異常的溫度上升，形成高性能的膜。
如此，通過以滿足上述式1的方式設置靶材料63與襯底30，可以把靶材料63之間設置得比較近。然后，若在該狀態下例如對一個靶材料63施加+V1伏的電壓、對另一個施加-V2伏的電壓，則兩個靶材料63之間的電位差為|V1+V2|伏，遠大于靶材料63與襯底30之間的電位差|V1|伏或|V2|伏。由此，氬離子或氧離子等帶電物質以及大部分電子會在兩個靶材料63之間移動，從而可以大幅度地抑制電子向襯底30表面的移動量。因此，即使進一步增加向靶材料63施加的電壓，也不會引起襯底30(尤其是玻璃襯底)的損傷，從而能夠以提高的成膜速度制造出裂紋、剝離、白濁化少的高性能的光學薄膜F。
此外，通過滿足上述式2的設計，不僅對玻璃襯底，對塑料襯底也可以獲得同樣的效果。
另外，通過把兩個靶材料63的外表面的法線之間構成的角θ設計成滿足上述式3，使靶材料63附近的放電只存在于靶材料63之間，從而使得即使增加電壓也可以抑制氬離子對襯底30表面進行逆濺射的比例，因此可以提高成膜速度。
還有，通過滿足上述式4的設計，可以將放電電場收斂在襯底30之間，而且可以將靶物質付著到襯底30上的比例維持得較高，從而可以用提高的成膜速度制造出高性能的光學薄膜F。
另外，通過旋轉靶材料63，可以防止靶材料63表面因濺射而引起的變形，從而可以有效地利用靶材料63。
此外，通過在真空室2內將反應氣體的導入口70設置在靶材料63與襯底30之間、并將放電氣體的導入口71設置在相對于靶材料63與襯底30相反的一側，可以使在靶材料63附近放電氣體的分布密度高、在襯底30附近反應氣體的分布密度高，從而可以使濺射成膜過程中靶材料63附近的輝光放電穩定、并且可以防止靶材料63的表面形成氧化物薄膜，因此可以防止成膜速度下降和放電的不穩定。另外，靶物質處于低氧化狀態也可以在襯底30附近或襯底30表面促進氧化，從而形成透明度高的光學薄膜F。
雖然在本實施例的結構中真空室2內裝有兩個靶材料63和兩個磁鐵80，但不限于此，也可以是在真空室內導入多組兩個為一組的靶材料63和磁鐵80的結構。
實施方式2下面說明本發明的實施方式2，與上述實施方式1相同的結構以同一標號表示，并省略其說明。
如圖6所示，本實施方式的濺射裝置90的特征在于，左右兩個靶材料63以及靶架62都是平板狀的。
第一磁鐵列82的N極與上述靶架的面62a對置地設置。另外，設計成使靶架面62a的垂直線L之間構成的角θ滿足θ≤160°(式3)。
另外，進行如下的設計左右兩個靶材料63的外表面之間最靠近的位置處的兩個外表面之間的距離d1和各個靶材料63的外表面與襯底30的表面最靠近的位置處的靶材料63的外表面與襯底30的表面之間的距離d2(d2′)滿足(式1)d1≤3d2。
本實施方式中示出的濺射裝置90也能獲得與上述實施方式1相同的效果。
實施方式3下面說明本發明的實施方式3，與上述實施方式1相同的結構以同一標號表示，并省略其說明。
如圖7所示，本實施方式的濺射裝置91的特征在于，在同一圓周上設置多個平板狀的襯底架50，濺射時以旋轉軸92為中心進行旋轉移動。
第一磁鐵列82的N極與上述靶架面62a對置地設置。另外，與上述實施方式1進行一樣設計靶架面62a的法線L之間構成的角θ滿足(式3)θ≤160°；左右兩個靶材料63的外表面之間最靠近的位置處這兩個外表面之間的距離d1，與在襯底30旋轉到離兩個靶材料63最近的位置時的、各靶材料63的外表面與襯底30的表面最靠近的位置處靶材料63的外表面與襯底30的表面之間的距離d2(d2′)滿足(式1)d1≤3d2。
本實施方式所示的濺射裝置91也能獲得與上述實施方式1同樣的效果。同時由于具備多個襯底架50，所以可以高效率地在多個襯底30上形成薄膜F。
實施例下面說明實施例1至14。
在各實施例中，利用上述實施方式1所示的濺射裝置(參照圖2)、將真空室抽至3×10-3Pa之后往真空室中導入作為放電氣體的氬氣和作為反應氣體的氧氣。之后，在真空室內的氣壓穩定了的狀態下，在實施例1至5和9至14中對靶材料施加正弦波電壓、在實施例6至8中對靶材料施加矩形波電壓，由此而對玻璃襯底和塑料襯底進行成膜。實施例1至9、比較例1和2中的靶材料使用硅，實施例10至14和比較例3中的靶材料使用鈦的低價氧化物。
表1示出了各實施例以及比較例的成膜條件。
另外，表2示出了各實施例及比較例的成膜速度與其評價、膜性能與其評價、以及綜合性能的評價。
表1

表2

從表2可知，像比較例1那樣d1在d2(d2′)的3倍以上即不滿足上述式1時，會導致成膜速度下降、而且玻璃襯底和塑料襯底都產生了白濁，膜性能不夠理想。
另一方面，像實施例3那樣d1在d2(d2′)的2倍以上3倍以下，即滿足上述式1而不滿足上述式2時，玻璃襯底的膜沒有產生白濁，膜性能良好。進而像實施例1和2那樣d1在d2(d2′)的2倍以下即滿足上述式2時，玻璃襯底和塑料襯底都在成膜速度高的狀態下獲得了良好的膜性能。
另外，從比較例2可知，θ在160°以上即不滿足上述式3時，雖然膜性能良好，但成膜速度下降。
另一方面，像實施例4、5、7以及8那樣，使θ小于等于160°，即滿足上述式3而不滿足式4時，至少玻璃襯底獲得了良好的膜性能。而像實施例2、6、及9那樣使θ在45°至100°的范圍內，即滿足上述式4時，玻璃襯底和塑料襯底都在成膜速度高的狀態下獲得了良好的薄膜。
由比較例3可知，d1在d2(d2′)的3倍以上即不滿足上述式1時會導致成膜速度下降、而且玻璃襯底與塑料襯底都產生白濁，膜性能不夠理想。
另一方面，像實施例12及13那樣，d1在d2(d2′)的2倍以上3倍以下，即滿足上述式1而不滿足上述式2時，玻璃襯底的膜沒有產生白濁，膜性能良好。而像實施例10、11及14那樣d1小于等于d2(d2′)的2倍，即滿足上述式2時，玻璃襯底和塑料襯底都在成膜速度高的狀態下獲得了良好的膜性能。
權利要求
1.一種濺射裝置，用于把薄膜涂層涂覆到襯底上，該濺射裝置包括真空室；在所述真空室內的至少兩個圓筒狀的靶或兩個平板狀的靶；以及至少兩個并列地分別置于各個靶上的磁鐵，用于在該靶的外表面附近產生磁場；其中，1)所述薄膜涂層通過在把電壓施加到各個磁鐵上的同時，向所述真空室中導入放電氣體而形成；2)在所述真空室中滿足公式(1)d1≤3d2其中，d1是兩個靶的外表面之間的距離，d2是兩個靶的外表面與襯底之間的任一個距離。
2.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述真空室滿足公式(2)d1≤2d2。
3.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述真空室滿足公式(3)θ≤160°，其中，(1)當兩個靶為圓柱狀時，θ被限定為在包含所述兩個靶的截面上的靶的外圓上畫出的兩條法線之間的夾角，上述截面垂直于所述圓筒狀磁鐵之一的側面，各條法線從所述外圓上磁場最大的一點處引出；(2)當所述兩個靶為平面狀時，θ被限定為所述靶在包含兩個靶的截面中靶的兩個垂直線之間的角度。
4.如權利要求3所述的濺射裝置，其中，在所述真空室中滿足公式(4)45°≤θ≤100°。
5.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述靶為圓筒狀，且在濺射的同時按圓周方向轉動。
6.如權利要求1所述的濺射裝置，還包括圍繞在靶周圍的保護容器，該保護容器的前面具有開口；其中，所述保護容器的背壁上具有放電氣體入口，而反應氣體入口提供在靶和襯底之間的真空室的部位。
7.如權利要求1所述的濺射裝置，其中，加在兩個靶上的電功率的極性互相不同，且隨時間變化。
全文摘要
提供一種能夠高速形成高性能的光學薄膜的濺射裝置。本發明的濺射裝置90的真空室2內具有圓筒狀或平板狀的至少兩個靶材料63、和使上述靶材料的外表面附近產生磁場的磁鐵80。其特征在于設兩個靶材料的外表面之間的間隔為d1、設上述靶材料的外表面與襯底表面之間的間隔為d2時，滿足下式1，d1≤3d2(式1)。
文檔編號C23C14/35GK1611631SQ20041008598
公開日2005年5月4日 申請日期2004年10月25日 優先權日2003年10月28日
發明者太田達男, 中野智史, 德弘節夫 申請人:柯尼卡美能達精密光學株式會社