專利名稱：導電性液態合金及制備方法
技術領域：
導電性液態合金及制備方法，本發明屬於特種合金制造領域。
背景技術：
隨著材料制備和檢測技術的進步，具有液態結構的材料的優異性能也得到應用。目前，在室溫20℃附近，能以液態存在并獲得實際應用的僅有Hg和Ga。二者中，Hg的應用泛圍很廣泛，數量也相當大；然而Hg對環境和人體健康存在嚴重的污染和毒害，隨著社會進步和科學發展，人們已逐漸遠離它。
在20世紀90年代末期，有報導制備出一種GaInSn合金，熔點為溫度10℃左右，很穩定，對人體無毒害，因此人們用它代替Hg制成Ga齊合金充填劑應用於口腔修復學中。
2005年5月8日，山東小熊網站報導，INQ利用GaInSn液態合金做為RodeonBlizzard X850XTPE顯卡的冷卻劑，這種液態金屬，不易燃燒，環保達到要求操作簡便。但是GaInSn液態合金的導電性還不高，應用范圍還不廣。
發明內容
1、發明目的根據液態金屬電子遷移理論，添加導電性高的金屬，達到提高GaInSn液態合金的導電性。制備一種熔點在在溫度9～15℃之間，具有較高導電性的GaInSn液態合金，使其應用范圍擴大。
2、技術方案(1)導電性液態合金的成分為Ga、In、Sn，或Ga、In、Sn、Ag；合金成分范圍的重量百分比為Ga 50～70％，In 15～30％ Sn 7～20％各組分之和為100％；或Ga 50～70％ In 15～30％ Sn 7～20％ Ag 1～5％，各組分之和為100％。
(2)導電性液態合金的制備方法為選擇純度大於99.999％的Ga、In及大於99.99％Sn、Ag為原料，先按配比在保護性氣氛及特制坩堝中熔煉制備GaIn主合金，再加入Sn在保護性氣氛及特制坩堝中熔煉制備成GaInSn合金；或在制備得的GaInSn合金中再加入Ag在保護性氣氛及特制坩堝中，熔煉制成GaInSnAg合金。導電性液態合金熔點為溫度9～15℃，導電率GaInSn合金為(3.19～3.310)×10-2(μΩ-cm)-1；GaInSnAg合金為(3.10～3.325)×10-2(μΩ-cm)-1；。
3、發明的積極效果(1)所制得的GaInSnAg導電性液態合金導熱性比水高65倍，比空氣高1600倍，吸熱效率極高，應用於電子學顯示卡的冷卻系統，裝置的體積小，較輕；裝填和密封時，無需儲液和補充；還能降低電源損耗和幾乎接近無聲的運行。
(2)GaInSnAg導電性液態合金導電率比GaInSn液態合金高，在室溫穩定，有利於該液態合金在電子學中的應用。
(3)制造方法簡便，易實施。
(4)所發明的液態合金可應用於醫用口腔術、電子學材料及制冷系統。
具體實施例方式
1、GaInSn合金制備了5組GaInSn合金，其組分、熔點(Tm)、導電率數據列于表1。
表1 GaInSn合金組份、熔點、導電率
2、GaInSnAg合金制備了5組GaInSnAg合金，其組分、熔點(Tm)，導電率數據列于表2。
表2 GaInSnAg合金組分、熔點、導電率
權利要求
1.導電性液態合金，其成分為Ga，In，Sn或Ga，In，Sn，Ag，其特征是合金成分范圍的重量百分比為Ga50～70％In15～30％Sn7～20％各組分之和為100％；或Ga50～70％In15～30％Sn7～20％Ag1～5％各組分之和為100％。
2.導電性液態合金制備方法，其特征是選擇純度大于99.999％的Ga、In及純度大于99.99％Sn、Ag為原料，先按配方在保護氣氛及特制坩堝中熔煉制備GaIn主合金，再加入Sn，在保護性氣氛及特制坩堝中熔煉制備成GaInSn合金；或在制備得的GaInSn合金中，在保護性氣氛及特制坩堝中，再加入Ag熔煉制成GaInSnAg合金；導電性液態合金熔點為溫度9～15℃，導電率GaInSn合金為(3.19～3.310)×10-2(μΩ-cm)-1，GaInSnAg合金為(3.310～3.325)×10-2(-μΩ-cm)-1。
全文摘要
導電性液態合金及制造方法。設計并制造了在室溫穩定的導電性GaInSn及GaInSnAg液態合金。選擇純度大于99.99％的金屬，先熔煉制造GaIn主合金，再熔煉進Sn或Sn、Ag制成GaInSn或GaInSnAg合金。可應用于醫用口腔術、電子學材料及制冷系統。
文檔編號C22C1/02GK101089216SQ20061001095
公開日2007年12月19日 申請日期2006年6月12日 優先權日2006年6月12日
發明者馮本政 申請人:馮本政