專利名稱：：一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法
技術領域：
：本發明涉及一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法。
背景技術：
：手機LCD液晶保護屏和家電產品觸摸屏的表面附著一層絕緣保護膜，目的是絕緣、防靜電、抗電擊；現有技術所鍍膜層為氧化錫膜，但這種金屬氧化物膜不穩定，甚至產生變色或剝落等缺陷，造成絕緣膜失效，觸摸屏無法使用的后果。
發明內容本發明所要解決的技術問題是提供一種制備膜層穩定，附著力強的觸摸屏絕緣膜的方法。為實現上述目的，本發明采取的技術方案為所述的絕緣膜的制備方法包括在真空室真空度為35X10—、orr，加熱基材至7080°C，使置于真空室內的Ni和02生成Ni0，并在基材表面沉積Ni0膜。所述的磁控反應濺射沉積Ni0膜，經過五個真空區間完成的，區間一予抽真空真空度為45X10—2Torr，區間二加熱基材真空度為23X10—3Torr;區間三濺射鍍膜真空度為35X10—3Torr，，區間四過渡真空度為23X10—3Torr，，區間五卸載真空度為45X10—2Torr。其具體的工藝條件是l)Ni靶采用直流電源轟擊，功率設定為35KW;陽極電壓400-500V;2)真空室通入02的流量為210sccm;同時通入氣體Ar，Ar流量為20100sccm，3)電源的脈沖頻率Hz。在反應濺射過程中，由于靶的非刻蝕區堆積著因氣相反應而生成的絕緣層，并且在這絕緣層表面積累的大量的正電荷，最終引起靶面的電弧放電，導致從靶面噴出液滴，使正在生長的薄膜產生嚴重缺陷。另外在反應濺射過程中，磁控陰極的外部邊緣以及周圍的陽極都被覆蓋上絕緣層，陽極的作用逐漸消失，等離子體阻抗不斷增加，造成工藝參數飄移，甚至于產生放電熄滅現象。采用上述工藝條件就解決了這些技術難關，找到了一種簡單有效工業化生產方法。所述的電源的脈沖頻率為400Hz。本發明與現有技術相比，所述的絕緣膜是采用磁控反應濺射的方法在觸摸屏基材表面通過Ni和02在真空狀態下發生化學反應沉積一層NiO膜。本發明通過合理地設置工作真空度、氧氣流量、濺射氣體和環境溫度等工藝參數，在觸摸屏基材表面制備出高質量、結合力好、不易變色、厚度均勻的NiO膜層；該膜層均勻、致密、附著力好，不僅具有良好絕緣性、防靜電、抗電擊性能，所制備的絕緣膜具有獨特的金屬色澤；本發明與現有技術相比該膜層具有很好的結合力和很高的透過率，適合手機LCD液晶保護屏和家電產品觸摸屏絕緣膜的工業化生產。具體實施例方式下面通過對具體實施例的描述，對本發明的具體實施方式作進一步詳細的說明?！N制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，所述的絕緣膜是采用磁控反應濺射的方法在PMMA/PC基材表面通過Ni和02在真空狀態下發生化學反應沉積一層Ni0膜。實施例11)篩選PC/PMMA基材，用去離子水清洗去除基材周邊的碎屑，然后熱風吹干；2)將基材裝入設備的基片架上，撕去表面的保護膜，并進行靜電除塵；3)將基片架送入真空室抽真空，先進行予抽真空，真空度在5X10—2Torr;4)進入2號真空室，抽真空達到3X10—3Torr，同時加熱基材至80°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進行脈沖反應濺射沉積NiO膜，真空度為5X10—3Torr，電源的脈沖頻率為400HZ;<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>6)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質量檢驗，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為50nm，使用兆歐表測量產品的絕緣電阻，絕緣電阻l5MQ，結合力5B。合格包裝。實施例2步驟1)和步驟2)與實施例1同；3)將基片架送入真空室，先進行予抽真空，真空度為4X10—2Torr;4)進入2號真空室，抽真空到2X10—3Torr，同時加熱基材至70°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進行脈沖反應濺射沉積NiO膜；真空度達到4X10—3Torr，電源的脈沖頻率設定為400HZ;<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>6)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為4X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質量檢驗，PMMA/PC基材表面NiO的厚度為15nm，使用兆歐表測量產品的絕緣電阻，絕緣電阻1015MQ，結合力5B。合格包裝。實施例3步驟1)和步驟2)與實施例1同；3)將基片架送入真空室，先進行予抽真空，真空度為4X10—2Torr;4)進入2號真空室，抽真空到3X10—3Torr，同時加熱基材至75°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進行脈沖反應濺射沉積NiO膜；真空度達到3X10—3Torr，電源的脈沖頻率設定為400HZ;DC電源(KW)脈沖電源陽極電壓(v)真空度Ar/H2o2(Torr)(seem)(seem)4是4504.5X10—350/056)將基片架送入過渡室，真空度為2X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—2Torr，將基材冷卻至20°C。在線質量檢驗，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為25nm，使用兆歐表測量產品的絕緣電阻，絕緣電阻5065MQ，結合力5B。合格包裝。實施例4步驟1)和步驟2)與實施例1同；3)將基片架送入真空室，先進行予抽真空，真空度為5X10—2Torr4)進入2號真空室，抽真空到3X10—3Torr，同時加熱基材至80°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進行脈沖反應濺射沉積NiO膜；真空度達到3X10—3Torr，電源的脈沖頻率設定為400HZ;DC電源(KW)脈沖電源陽極電壓(V)真空度(Torr)Ar/H2(seem)02(seem)3是4005X10—380/086)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質量檢驗，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為30nm，使用兆歐表測量產品的絕緣電阻，絕緣電阻l5MQ，結合力5B。合格包裝。實施例5步驟1)和步驟2)與實施例1同；3)將基片架送入真空室，先進行予抽真空，真空度為4X10—2Torr;4)進入2號真空室，抽真空到2X10—3Torr，同時加熱基材至70°C;5)將基片架送入濺射鍍膜室，進行脈沖反應濺射沉積NiO膜；真空度達到4X10—3Torr，電源的脈沖頻率設定為400HZ;<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>6)將基片架送入過渡室，真空度為3X10—3Torr;7)將基片架送入卸載室，真空度為5X10—，orr，將基材冷卻至20°C。在線質量檢驗，PMMA/PC基材表面沉積的NiO的厚度為40nm，使用兆歐表測量產品的絕緣電阻，絕緣電阻5065MQ，結合力5B。合格包裝。本發明可用不違背本發明的精神或主要特征的具體形式來概述。上述實施方案僅是對本發明的說明而不能限制本發明，因此，與本發明的權利要求書相當的含義和范圍內的任何改變，都應認為是包括在權利要求書的范圍內。權利要求一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于在真空室真空度為3～5x10-3Torr條件下，加熱基材至70～80℃，采用磁控反應濺射法使置于真空室內的Ni和O2生成NiO，并在基材表面沉積成NiO膜層。2.根據權利要求1所述的一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于所述的磁控反應濺射沉積NiO膜，經過五個真空區間，區間一予抽真空真空度為45x10—2Torr，區間二加熱基材真空度為23x10—3Torr;區間三濺射鍍膜真空度為35x10—3Torr，，區間四過渡真空度為23x10—3Torr，，區間五卸載真空度為45x10—2Torr。3.根據權利要求1或2所述的一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于所述的磁控反應濺射沉積Ni0膜，其具體的工藝條件是1)Ni耙采用直流電源轟擊，功率設定為35KW;陽極電壓400-500V;2)真空室通入02的流量為210sccm;同時通入氣體Ar，Ar流量為20100sccm，3)電源的脈沖頻率300500Hz。4.根據權利要求3所述的一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，其特征在于所述的電源的脈沖頻率為400Hz。全文摘要本發明公開了一種制備附著在觸摸屏上絕緣膜的方法，使用磁控反應濺射的方法在觸摸屏基材表面上通過Ni和O2在真空狀態下發生化學反應沉積一層NiO膜；制備方法包括真空度為3～5x10-3Torr，加熱基材至70～80℃，磁控反應濺射沉積NiO膜，與現有技術相比，使用該方法在觸摸屏基材表面沉積納米級厚度的NiO膜，膜層均勻、致密、附著力好，使得絕緣膜具有良好絕緣性、防靜電、抗電擊性能，該膜層具有很好的結合力和很高的透過率，適合手機LCD液晶保護屏和家電產品觸摸屏絕緣膜的工業化生產。文檔編號C23C14/35GK101748371SQ20081024474公開日2010年6月23日申請日期2008年12月16日優先權日2008年12月16日發明者沈勵,石富銀,許沭華,遲曉暉,陳奇申請人:蕪湖長信科技股份有限公司