專利名稱：一種合金拼接靶的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種鍍膜技術，特別是涉及一種可方便快捷的制備不同成分 合金膜的合金拼接靶。
背景技術：
磁控濺射技術是利用磁場控制輝光放電產生的等離子體來轟擊出靶材 表面的粒子并使其沉淀到基片表面的一種技術，是當今主流鍍膜技術之一。 可用于高熔點金屬、合金和化合物材料成膜。
在研究合金膜的成分和性能之間的關系時，常常需要制備不同成分的合 金膜，進行性能測試，以優化出最佳的合金膜成分。通常是煉制一個成分的 合金靶，濺射后就獲得相應成分的合金膜，要獲得幾個成分的合金膜就要煉 制幾個成分的合金靶，然后分別濺射。這樣煉制多個合金靶的成本比較高， 同時分別濺射的時間也比較長。

發明內容
本發明的目的在于提供一種結構簡單的合金拼接靶，采用合金拼接靶可 方便快捷的制備不同成分合金膜，使之達到經濟適用的使用目的。 本發明的目的是通過以下技術方案實現的
一種合金拼接靶，基片對應靶材的不同成分位置分層擺放，其合金拼接 靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，構成一個整體平面濺射靶兩個 半耙分別加工出臺階，然后搭接一起。本發明的優點與效果是
本發明結構簡單， 一塊拼接合金耙、 一次濺射實驗便可以在基片上方便、 快捷的制備不同成分的合金膜，且經濟適用。


本發明圖1為合金拼接靶主視本發明圖2為合金拼接靶左視本發明圖3為基片分層擺放示意圖。 具體實施方案
根據要獲得的合金膜的成分確定合金靶的組元，兩個組元或三個組元。 一個組元作為合金基體，另一個或兩個組元作為合金元素，分別煉制含合金 元素低的合金靶半塊(A)，含合金元素高的合金靶半塊(B)，將A和B兩 個半靶加工成厚度相等，且一端有其一半厚度的臺階，然后將兩個半塊靶拼 接成一個整體合金靶如圖1、圖2。濺射時，基片對應合金靶從低合金靶區 到高合金耙區分層擺放，濺射后對應低合金靶區的第一層基片上的膜含合金 元素低，對應高合金靶區的第四層基片上的膜含合金元素高，位于中間區域 的第二層和第三層基片上膜的成分介于兩塊靶之間。具體每一層基片上膜的 成分通過電子探針等分析確定。
根據要獲得的合金膜的成分確定合金靶的組元，兩個組元或三個組元。 一個組元作為合金基體，另一個或兩個組元作為合金元素，分別煉制含合金 元素低的合金靶半塊(A)，含合金元素高的合金靶半塊(B)，加工后將兩 個半塊靶拼接成一個整體合金靶。濺射時，基片分層擺放。濺射后對應低合 金靶區的基片上的膜含合金元素低，對應高合金靶區的基片上的膜含合金元素高，位于中間區域的基片上膜的成分介于兩塊靶之間。具體每一層基片上 膜的成分通過電子探針等分析確定。
由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，構成一個整體平面濺射靶；兩 個半靶分別加工出臺階，然后搭接以免水冷板在縫隙處參與濺射影響膜的成 分；濺射時基片對應靶材的不同成分位置分層擺放的方法。濺射時采用如 圖3所示的矩形基片懸掛架，分層懸掛基片2。懸掛架l的尺寸與靶一致， 與靶正面相對安裝，基片從上到下依次分為第一層、第二層、第三層和第四 層。
權利要求
1. 一種合金拼接靶，基片對應靶材的不同成分位置分層擺放，其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，構成一個整體平面濺射靶兩個半靶分別加工出臺階，然后搭接一起。
全文摘要
一種合金拼接靶，涉及一種鍍膜技術，基片對應靶材的不同成分位置分層擺放，其特征在于合金拼接靶由高合金半靶和低合金半靶拼接在一起，構成一個整體平面濺射靶兩個半靶分別加工出臺階，然后搭接一起。本發明結構簡單，一塊拼接合金靶、一次濺射實驗便可以在基片上方便、快捷的制備不同成分的合金膜，且經濟適用。
文檔編號C23C14/34GK101463467SQ20091001004
公開日2009年6月24日 申請日期2009年1月9日 優先權日2009年1月9日
發明者付廣艷, 群 劉 申請人:沈陽化工學院