專利名稱：：一種提高Cu-Cr系銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率的熱處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于有色金屬熱處理領(lǐng)域，涉及一種提高Cu-Cr系銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率的熱處理方法。
背景技術(shù)：
：純銅具有高導(dǎo)電率，但強(qiáng)度不能滿足很多場(chǎng)合下的使用要求，兼具有高強(qiáng)度高導(dǎo)電率銅合金是近些年來快速發(fā)展起來的一類重要銅合金，一般來說，導(dǎo)電率高則導(dǎo)熱率也高。高強(qiáng)高導(dǎo)銅合金廣泛用作為集成電路和半導(dǎo)體器件的引線框架材料、電氣化鐵路接觸線、觸頭材料、冶金連鑄用結(jié)晶器、核電站的熱交換器等以及應(yīng)用在高科技、軍工領(lǐng)域。而強(qiáng)度和導(dǎo)電率是一對(duì)矛盾，如何在較少降低銅合金導(dǎo)電率情況下，大幅度提高合金的強(qiáng)度，其中一類是通過加入少量的合金元素，通過析出細(xì)小彌散強(qiáng)化相的辦法提高合金強(qiáng)度，業(yè)已開發(fā)研究的合金系有Cu-Cr系、Cu-Fe系、Cu-Ni-Si系等。Cu-Cr系中的合金有Cu-Cr、Cu-Cr-Zr、Cu-Cr-Zr-Mg等，主要以Cr為析出強(qiáng)化元素，析出強(qiáng)化效果強(qiáng)烈，且第二相產(chǎn)生后導(dǎo)電率仍較高，該系合金因具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、較高的強(qiáng)度以及優(yōu)良的耐腐蝕性而倍受關(guān)注。本發(fā)明是在Cu-Cr系合金熱處理的研究基礎(chǔ)上獲得了一種新的提高材料強(qiáng)度和導(dǎo)電率綜合性能的方法。Cu-Cr相圖顯示Cr在Cu基體中的最大固溶度為1076°C時(shí)可達(dá)0.7wt%，在450°C時(shí)為0.04wt%，而室溫下的平衡溶解度降為0.03wt%。根據(jù)Cu-Zr相圖可知，Zr在Cu中960°C時(shí)的溶解度為0.llwt%，在室溫下的溶解度為0.01wt%。在Cu-Cr合金中的析出相為Cr，Cu-Cr-Zr合金中析出相除了Cr外，還有Cu-Zr析出相。兩種析出相均有兩種尺寸分布，一類為微米級(jí)的、一類為納米級(jí)，非常細(xì)小，其強(qiáng)化效果主要來源于納米級(jí)的析出相，符合彌散強(qiáng)化規(guī)律，析出相越多，析出相越細(xì)小，強(qiáng)化效果愈好。合金導(dǎo)電率的影響因素主要有固溶于銅基體中的合金元素產(chǎn)生的雜質(zhì)散射電阻，另外還有界面散射電阻、位錯(cuò)散射電阻等。與純銅相比，析出相引起的界面增加產(chǎn)生的界面電阻較小；一般認(rèn)為位錯(cuò)對(duì)合金的電阻影響不大，如將025mm無氧銅桿，經(jīng)變形量達(dá)75%以上冷加工變形，電導(dǎo)率下降到約為97.5%IACS，變形后如經(jīng)時(shí)效熱處理，位錯(cuò)密度將會(huì)大幅度下降，位錯(cuò)對(duì)電阻的影響更小。因此對(duì)合金電阻率影響因素主要為雜質(zhì)散射電阻。Zr對(duì)銅基體導(dǎo)電率的影響小于Cr原子，由于Cu-Zr析出相多呈粗大狀，因此加入Zr的強(qiáng)化效果弱于加入Cr。Zr與Cr同時(shí)加入銅合金中，Zr能影響Cr在Cu中的析出行為，細(xì)化Cr析出相，使其形狀更傾向于球形，同時(shí)Zr能提高合金的晶界強(qiáng)度，因此適量加入Zr對(duì)合金導(dǎo)電率影響小，但可以提高合金強(qiáng)度。在Cu-Cr-Zr合金中加入少量的Mg也可提高合金的綜合性能，其作用機(jī)理正在研究過程中。常規(guī)鑄造合金的析出相中相當(dāng)一部分顆粒比較粗大，分布不均勻，一般要經(jīng)過固溶、淬火、變形、時(shí)效處理以獲得更多細(xì)小的、彌散分布的析出相。通過高溫下固溶、淬火形成Cr與Zr的過飽和固溶體；通過大形變量變形，形成了高密度的位錯(cuò)，為后續(xù)時(shí)效過程中析出相的形核提供了便利的場(chǎng)所，有利于增強(qiáng)相析出和彌散分布；在時(shí)效過程中，由于時(shí)效溫度相對(duì)于析出相的熔點(diǎn)很低，形成了很大過冷度，發(fā)生了均勻形核，形核半徑小，這樣就形成了很多細(xì)小彌散增強(qiáng)相顆粒，分布在銅基體顆粒內(nèi)部，使得合金強(qiáng)度大幅度提高，同時(shí)由于固溶在銅基體中Cr、Zr元素大量的減少，合金的導(dǎo)電率大幅度回復(fù)。在銅合金中加入合金元素，對(duì)導(dǎo)電率影響最大的一個(gè)方面是基體中固溶的合金原子產(chǎn)生的雜質(zhì)散射電阻，不同合金元素影響程度不一樣，但均隨著固溶量增加，Cu合金電阻率上升，也即導(dǎo)電率下降。為了促進(jìn)強(qiáng)化相的析出、使得析出相更為彌散，以獲得高強(qiáng)度、高導(dǎo)電率合金，一般在時(shí)效處理前均經(jīng)大變形量變形處理；對(duì)于某些應(yīng)用如鑄件，無法實(shí)現(xiàn)變形處理，只有單獨(dú)采用時(shí)效處理使強(qiáng)化相析出，這時(shí)的時(shí)效處理工藝就更為重要，一般來說未經(jīng)變形處理這一步驟所獲得的合金強(qiáng)度、導(dǎo)電性能要差一些。在時(shí)效處理過程中，當(dāng)時(shí)效溫度較低時(shí)，析出的彌散顆粒細(xì)小，強(qiáng)化效果好合金強(qiáng)度高，但由于溫度較低原子擴(kuò)散速度慢，雖經(jīng)長時(shí)間的擴(kuò)散，合金中仍殘留較高濃度的合金元素，合金導(dǎo)電率較低；當(dāng)時(shí)效溫度較高時(shí)，原子擴(kuò)散速度較快，經(jīng)時(shí)效處理后，合金中殘留的合金元素濃度較低，合金導(dǎo)電率高，但由于溫度較高，析出顆粒容易長大，合金強(qiáng)度下降；當(dāng)時(shí)效溫度過高，析出相元素在合金中溶解度會(huì)增加，合金導(dǎo)電率也會(huì)下降。這種常規(guī)的一階段時(shí)效在本說明書中稱為"一次時(shí)效"。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的是通過兩階段熱處理工藝(命名為"二次時(shí)效")，在保證析出顆粒細(xì)小情況下，使得析出更為充分，以提高銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率性能。一種提高Cu-Cr系銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率的熱處理方法，是將經(jīng)固溶處理的含過飽和析出相元素Cr等的銅合金，首先在較低溫度下長時(shí)間時(shí)效，析出相呈細(xì)小彌散分布，長時(shí)間時(shí)效使得析出較為充分，有利于獲得較高的強(qiáng)度；然后適當(dāng)提高時(shí)效溫度，讓Cu基體中殘余固溶的Cr等合金元素充分析出，由于已有析出相存在，繼續(xù)析出的Cr將有一部分在原有的Cr顆粒上析出，保持原有較低溫度的Cr彌散分布狀態(tài)，另一部分Cr將在另外析出，形成更多彌散分布的納米顆粒，大大提高了合金的強(qiáng)度，同時(shí)也凈化了銅基體，提高了導(dǎo)電率。合金化學(xué)成份(質(zhì)量百分比)0.20.8wt.%Cr、00.30wt.%Zr、00.10wt.%Mg、余量Cu。本發(fā)明的工藝過程將以Cr為主要析出強(qiáng)化相元素的Cu-Cr、Cu-Cr-Zr、Cu-Cr-Zr-Mg等Cu-Cr系合金材料在9201000。C溫度下保溫1.53小時(shí)后淬火，然后進(jìn)行兩個(gè)階段的二次時(shí)效處理，其中第一階段的時(shí)效處理溫度為420450°C，保溫時(shí)間為15-25小時(shí)，第二階段的時(shí)效處理溫度為480550°C,保溫時(shí)間為1-6小時(shí)。二次時(shí)效的優(yōu)點(diǎn)使用本發(fā)明的二次時(shí)效，兼顧低溫時(shí)效和較高溫時(shí)效的優(yōu)點(diǎn)，達(dá)到保持析出相細(xì)小且析出充分的目的，使得合金較常規(guī)一次時(shí)效具有更高強(qiáng)度(導(dǎo)電率相當(dāng))或更高導(dǎo)電率(強(qiáng)度相當(dāng))或更佳強(qiáng)度與導(dǎo)電率的綜合性能。Cu-Cr系銅合金如Cu-Cr-Zr的析出相通常有微米級(jí)(見圖1和圖2)和納米級(jí)顆粒(見圖3和圖4)。在微米級(jí)的析出物中，一次時(shí)效和二次時(shí)效兩種熱處理?xiàng)l件下的析出物顆粒在數(shù)量、尺寸和粒子間距上沒有明顯的變化，見圖1和圖2掃描電鏡背散射圖片所示的兩種熱處理?xiàng)l件下Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr合金中的白色顆粒析出物。納米級(jí)的析出物中，二次時(shí)效的組織與一次時(shí)效的組織相比，析出粒子的尺寸略微增大，析出粒子的數(shù)量則明顯增加，析出粒子的間距減小，圖3和圖4分別為Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr合金的一次時(shí)效和二次時(shí)效的透射電鏡圖，經(jīng)統(tǒng)計(jì)分析，一次時(shí)效組織中，析出相的平均直徑在50nm左右，間距在100nm左右，而二次時(shí)效組織中，析出相的平均直徑在55nm左右，間距在50腦左右。圖1為Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr在450'Cx20h的一次時(shí)效條件下的掃描電鏡背散射像，45(TCx20h是試驗(yàn)確定的該合金最佳一次時(shí)效工藝，圖中的白色顆粒為Cu-Zr微米級(jí)析出相。圖2為Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr在450。Cxl5h+480。Cx5h的二次時(shí)效條件下的掃描電鏡背散射，圖中的白色顆粒為Cu-Zr微米級(jí)析出相。圖3為Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr在450'Cx20h的一次時(shí)效條件下的銅合金基體的透射電鏡像，圖中的黑點(diǎn)為析出的Cr納米級(jí)粒子。圖4為Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr在450。Cxl5h+480。Cx5h的二次時(shí)效條件下的銅合金基體的透射電鏡像，圖中的黑點(diǎn)為析出的Cr納米級(jí)粒子。具體實(shí)施例方式將Cr為主要析出強(qiáng)化相元素的Cu-Cr、Cu-Cr-Zr、Cu-Cr-Zr-Mg等Cu-Cr系合金材料放入熱處理爐中，如馬弗爐中，隨爐加熱到固溶溫度(9201000°C)，保溫到設(shè)定時(shí)間(一般1.53小時(shí)，根據(jù)鑄件的壁厚，厚度增加保溫時(shí)間適當(dāng)延長，以使合金元素充分固溶)，迅速地放入水中，以便快速冷卻，形成合金元素的過飽和固溶體。將材料表面水分除盡烘干后，放入達(dá)到設(shè)定的時(shí)效溫度(420450°C)熱處理爐中保溫1525小時(shí)進(jìn)行二次時(shí)效的第一階段時(shí)效，二次時(shí)效的第二階段時(shí)效是在較高溫度下時(shí)效，時(shí)效時(shí)間比較短，時(shí)效工藝為在480550°C下保溫16小時(shí)，然后隨爐冷或取出空冷，如隨爐冷二次時(shí)效時(shí)間應(yīng)適當(dāng)縮短0.51小時(shí)，視爐子降溫速度定，降溫速度慢，縮短的時(shí)間少一些。從第一階段時(shí)效過渡到第二階段時(shí)效可以直接升溫，升溫速度11(TC/分鐘為宜，不可過快以免超溫；也可在第一階段時(shí)效結(jié)束后，將合金取出空冷，待爐溫達(dá)到第二階段時(shí)效溫度后，將合金放入，相比前一種方式，這種方式的第二階段時(shí)效時(shí)間應(yīng)適當(dāng)延長2030分鐘。在經(jīng)熱處理的材料上分別取拉伸試驗(yàn)和導(dǎo)電率試驗(yàn)的試樣。拉伸試驗(yàn)在萬能力學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)(如型號(hào)為CMT4105)上進(jìn)行，拉伸速度為2mm/min，試樣不少于3根，數(shù)據(jù)取平均值。拉伸試樣根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)GB6397-86進(jìn)行制樣。導(dǎo)電率試驗(yàn)采用四端法測(cè)電阻，試樣尺寸為03mmxl20mm，所用儀器為四探針平臺(tái)(如美國產(chǎn)CASCADE)、直流電壓表(如KEITHLEY220型)、直流電流表(如MULTIMETER2000型)，將測(cè)得電阻率與國際銅合金加工協(xié)會(huì)規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)試樣在20土0.5。C環(huán)境下的標(biāo)準(zhǔn)電阻系數(shù)1.724xlO-8Q.m相比較，即可求得導(dǎo)電率(％IACS)。IACS為InternationalAnnealedCopperStandard的縮寫，具體計(jì)算公式為%IACS=(1.724xlO-5xL)/R'S(1)R——試樣電阻值，QL—-試樣被測(cè)長度，mmS----試樣橫截面積，mm2每個(gè)導(dǎo)電率試樣測(cè)量5次，檢測(cè)試樣不少于3根，數(shù)據(jù)取平均值。6實(shí)施例1質(zhì)量百分比為Cu-0.22wt.%Cr-0.24wt.%Zr合金，直徑為15mm合金棒，隨爐升溫達(dá)98(TC保溫2h，然后迅速的水淬。對(duì)一次時(shí)效工藝(時(shí)效溫度和保溫時(shí)間)的試驗(yàn)表明，在450°C保溫20小時(shí)，合金強(qiáng)度最高，且保溫20小時(shí)的導(dǎo)電率與450°C下其它保溫時(shí)間的最高導(dǎo)電率相比相當(dāng)。二次時(shí)效的第一階段時(shí)效工藝為450。C保溫15小時(shí)，然后取出合金在空氣中冷卻到室溫；第二階段時(shí)效工藝為480°C保溫5小時(shí)，時(shí)效溫度達(dá)到設(shè)定值后將合金放入熱處理爐，爐溫下降，合上爐門后溫度回到設(shè)定值后開始計(jì)算保溫時(shí)間，時(shí)效完成后取出空冷。合金中的微米級(jí)強(qiáng)化相是Cu-Zr相，納米級(jí)強(qiáng)化相主要是Cr相和少量的Cu-Zr相。表1Cu-0.22wt%Cr-0.24wt%Zr合金不同時(shí)效處理工藝的力學(xué)性能和導(dǎo)電率性能性化工能藝抗拉強(qiáng)度/MPa屈服強(qiáng)度/MPa延伸率/%導(dǎo)電率/%IACS一次時(shí)效3002551780二次時(shí)效3652732286實(shí)施例2質(zhì)量百分比為Cu-0.37wt.%Cr-0.18wt.%Zr合金，直徑為20mm砂型鑄造合金棒，隨爐升溫達(dá)98(TC保溫2.5h，然后迅速的水淬。對(duì)一次時(shí)效的工藝試驗(yàn)表明，在440。C保溫20小時(shí)，合金強(qiáng)度最高，且導(dǎo)電率不低于440。C下其它時(shí)效時(shí)間的合金導(dǎo)電率。二次時(shí)效的第一階段時(shí)效工藝為430。C保溫20小時(shí)，然后取出合金在空氣中冷卻到室溫；第二階段時(shí)效工藝為480°C保溫6小時(shí)，時(shí)效溫度達(dá)到設(shè)定值后將合金放入熱處理爐，爐溫下降，合上爐門后溫度回到設(shè)定值后開始計(jì)算保溫時(shí)間，時(shí)效完成后取出空冷。合金中的微米級(jí)強(qiáng)化相是Cr、Cu-Zr相，納米級(jí)強(qiáng)化相主要是Cr相和少量的Cu-Zr相。表2Cu-0.37wt%Cr-0.18wt%Zr合金不同時(shí)效處理工藝的力學(xué)性能和導(dǎo)電率性能T'工臺(tái),匕工*目匕藝抗拉強(qiáng)度/MPa屈服強(qiáng)度/MPa延伸率/%導(dǎo)電率/%IACS一次時(shí)效3852951971.2二次時(shí)效3902752780.4實(shí)施例37質(zhì)量百分比為Cu-0.8wt%Cr合金，直徑為30mm砂型鑄造合金棒，隨爐升溫達(dá)98(TC保溫3h進(jìn)行固溶處理，然后迅速的水淬。對(duì)一次時(shí)效的工藝試驗(yàn)表明，在460。C保溫17小時(shí)，合金強(qiáng)度最高，且導(dǎo)電率相當(dāng)于460。C下其它時(shí)效時(shí)間的合金最高導(dǎo)電率。二次時(shí)效的第一階段時(shí)效工藝為450°C保溫15小時(shí)，然后取出合金在空氣中冷卻到室溫；第二階段時(shí)效工藝為500°C保溫4小時(shí)，時(shí)效溫度達(dá)到設(shè)定值后將合金放入熱處理爐，爐溫下降，合上爐門后溫度回到設(shè)定值后開始計(jì)算保溫時(shí)間。合金時(shí)效處理后的低倍組織中有微米級(jí)球形Cr顆粒，顆粒大小0.5-5pm，納米級(jí)強(qiáng)化相為單質(zhì)Cr細(xì)小顆粒。表3Cu-0.8wt%Cr合金不同時(shí)效處理工藝的力學(xué)性能和導(dǎo)電率性能<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>實(shí)施例4質(zhì)量百分比為Cu-0.43wt%Cr-0.22wt%Zr-0.092wt%Mg合金，直徑為15mm金屬型鑄造合金棒，隨爐升溫達(dá)98(TC保溫2h，然后迅速的水淬。對(duì)一次時(shí)效的工藝試驗(yàn)表明，在450。C保溫20小時(shí)，合金強(qiáng)度最高，且導(dǎo)電率不低于450。C下其它時(shí)效時(shí)間的合金導(dǎo)電率。二次時(shí)效的第一階段時(shí)效工藝為440°C保溫15小時(shí)，然后取出合金在空氣中冷卻到室溫；第二階段時(shí)效工藝為520°C保溫3小時(shí)，時(shí)效溫度達(dá)到設(shè)定值后將合金放入熱處理爐，爐溫下降，合上爐門后溫度回到設(shè)定值后開始計(jì)算保溫時(shí)間。合金中微米級(jí)強(qiáng)化相是Cr、Cu-Zr相，納米級(jí)強(qiáng)化相主要是Cr相和少量的Cu-Zr相。表4Cu-0.43wt%Cr-0.22wt%Zr-0.092wt%Mg合金不同時(shí)效處理工藝的力學(xué)性能和<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>實(shí)施例5質(zhì)量百分比為Cu-0.58wt。/。Cr合金，直徑為20mm金屬型鑄造合金棒，隨爐升溫達(dá)980'C保溫2h，然后迅速的水淬。對(duì)一次時(shí)效的工藝試驗(yàn)表明，在470。C保溫15小時(shí)，合金強(qiáng)度最高，且導(dǎo)電率與470。C下其它時(shí)效時(shí)間的合金最高導(dǎo)電率相當(dāng)。二次時(shí)效的第一階段時(shí)效工藝為430。C保溫20小時(shí)，然后以每分鐘5。C升到第二階段時(shí)效溫度500°C,第二階段時(shí)效工藝為500°C保溫3小時(shí)，時(shí)效完畢后，取出合金棒空冷。合金中的微米級(jí)、納米級(jí)強(qiáng)化相均為Cr相。表5Cu-0.58wt%Cr合金不同時(shí)效處理工藝的力學(xué)性能和導(dǎo)電率性能性'丄厶匕工能藝抗拉強(qiáng)度MPa屈服強(qiáng)度/MPa延伸率/%導(dǎo)電率/%IACS一次時(shí)效3702802278二次時(shí)效楊2902484實(shí)施例6質(zhì)量百分比為Cu-0.7wt%Cr-0.15wt%Zr合金，直徑為15mm金屬型鑄造合金棒，隨爐升溫達(dá)980'C保溫2h，然后迅速的水淬。對(duì)一次時(shí)效的工藝試驗(yàn)表明，在480。C保溫14小時(shí)，合金強(qiáng)度最高，且導(dǎo)電率相當(dāng)于480。C下其它時(shí)效時(shí)間的合金最高導(dǎo)電率。二次時(shí)效的第一階段時(shí)效工藝為420。C保溫25小時(shí)，然后以每分鐘3°C升到第二階段時(shí)效溫度550°C，第二階段時(shí)效工藝為550°C保溫2小時(shí)，時(shí)效完畢后，取出合金棒空冷。合金中微米級(jí)強(qiáng)化相是Cr、Cu-Zr相，納米級(jí)強(qiáng)化相主要是Cr相和少量的Cu-Zr相。表6Cu-0.7wt%Cr-0.15wt%Zr合金不同時(shí)效處理工藝的力學(xué)性能和導(dǎo)電率性能性卞'工臺(tái)fi工*目匕藝抗拉強(qiáng)度/MPa屈服強(qiáng)度歸a延伸率/%導(dǎo)電率/%IACS一次時(shí)效4102801969二次時(shí)效460340237權(quán)利要求1.一種提高Cu-Cr系銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率的熱處理方法，其特征在于將以Cr為主要析出強(qiáng)化相元素的Cu-Cr系合金材料在920～1000℃溫度下保溫1.5～3小時(shí)后淬火，然后進(jìn)行兩個(gè)階段的二次時(shí)效處理；第一階段時(shí)效工藝為420～450℃保溫15-25小時(shí)；第二階段時(shí)效工藝為480～550℃保溫1-6小時(shí)，時(shí)效結(jié)束后隨爐冷或取出空冷，如隨爐冷第二階段時(shí)效時(shí)間要縮短0.5～1小時(shí)，視爐子降溫速度定；從第一階段過渡到第二階段時(shí)效有兩種實(shí)現(xiàn)方式，其一是第一階段時(shí)效結(jié)束后，以1～10℃/分鐘升到第二階段時(shí)效溫度；其二是第一階段時(shí)效結(jié)束后，將合金取出空冷，待爐溫達(dá)到第二階段時(shí)效溫度后，將合金放入，相比前一種方式，這種方式的第二階段時(shí)效時(shí)間要延長20～30分鐘；Cu-Cr系合金材料包括Cu-Cr、Cu-Cr-Zr或Cu-Cr-Zr-Mg。2.如權(quán)利要求1所述的提高Cu-Cr系銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率的熱處理方法，其特征在于二次時(shí)效工藝適用于以Cr為主要納米強(qiáng)化相、尺寸100nm以下的Cu-Cr系合金，合金成分范圍為Cr:0.20.8wt%、Zr:00.30wt%、Mg:00.10wt%，余量為Cu。全文摘要本發(fā)明屬于有色金屬熱處理領(lǐng)域，涉及一種提高Cu-Cr系銅合金強(qiáng)度和導(dǎo)電率的熱處理工藝。該合金用作為電子行業(yè)的引線框架材料、電氣化鐵路接觸線等。本發(fā)明采用兩階段的二次時(shí)效熱處理工藝，將經(jīng)固溶處理的含過飽和析出相元素Cr的銅合金，首先在較低溫度下長時(shí)間時(shí)效，使得析出相呈細(xì)小彌散分布，析出較為充分，為獲得高強(qiáng)度打下基礎(chǔ)；然后適當(dāng)提高時(shí)效溫度以提高原子的擴(kuò)散速度，讓Cu基體中殘余固溶的Cr元素更進(jìn)一步析出，由于已有析出相存在，繼續(xù)析出的Cr將有一部分在原有的Cr顆粒上析出，保持原有較低溫度的Cr彌散分布狀態(tài)，另一部分Cr將在另外析出，形成更多的彌散分布納米級(jí)顆粒，大大提高了合金的強(qiáng)度，同時(shí)也凈化了銅基體，提高了導(dǎo)電率。文檔編號(hào)C22F1/08GK101565803SQ20091008526公開日2009年10月28日申請(qǐng)日期2009年6月3日優(yōu)先權(quán)日2009年6月3日發(fā)明者鴻張,張茂奎,林國標(biāo),王自東,程智剛,美趙申請(qǐng)人:北京科技大學(xué)