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采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法

文檔序號:3417373閱讀:584來源:國知局
專利名稱:采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法
技術領域
本發明涉及的是一種金屬間化合物合金靶材的制備方法,具體是一種采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法。
背景技術
磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,較之較早點的蒸發鍍膜方式,其很多方面的優勢相當明顯。作為一項已經發展的較為成熟的技術,磁控濺射已經被應用于許多領域。磁控濺射鍍膜靶材分為金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材,氮化物陶瓷濺射靶材,氧化物陶瓷靶材等。Ti-Al合金靶材是多弧離子鍍(Ti,Al) N薄膜的核心材料,要求其成分均勻,純潔度高、致密。(Ti,Al)N薄膜較TiN薄膜具有更好的附著性,硬度HRC>70,韌性好,使用溫度比TiN膜約高200°C,使刀具壽命提高5-6倍,因此這種薄膜在刃具鍍膜行業具有廣闊的應用前景。目前國外廣泛應用在汽車內燃機、精密器件的加工工業上的鉆頭、銑刀、車刀等刃具上,其加工精度高,延長自動生產線上使用時間,提高效率。目前對TiAl靶材的雜質成分控制在C<0. 03%, 0<0. 5%,H<0. 03%。TiAl合金靶材主要用于多弧離子鍍膜。 由于該合金各成分組元熔點差別大,熔煉反應熱高等特點,使得該合金在制備過程中存在明顯的氣孔,偏析等缺陷,同時也容易產生裂紋等嚴重質量問題。

發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的不足,針對TiAl合金的特征,提供一種采用真空自耗電弧爐熔煉用于刃具鍍膜行業的TiAl合金的方法。該方法制備得到的TiAl合金無明顯氣孔、偏析等缺陷,組織大小均勻。本發的目的是通過以下技術方案實現的
本發明涉及一種采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,包括以下步驟
(a)、稱料稱取海綿態金屬Ti與塊體金屬Al,混合;
(b)、壓制電極將步驟(a)中混合好的金屬Ti與Al壓制成電極,每個電極控制在 2. 2 4. 0公斤,其中Ti與Al混合均勻布料;
(C)、焊接電極將步驟(b)中壓制好的兩個電極焊接成熔煉電極;
(d)、真空自耗熔煉一次錠將步驟(c)中焊接的TiAl電極在IOkg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,采用直徑為80mm的銅坩堝,熔煉出直徑80mm的TiAl —次錠;
(e)、焊接二次熔煉電極將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;
(f)、真空自耗熔煉二次錠將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,采用直徑為120mm的銅坩堝,熔煉出直徑120mm的TiAl 二次錠。優選的,步驟(a)中,所述稱取的金屬Ti與Al中,Ti的重量百分比含量為50 87. 5%, Al的重量百分比含量為12. 5 50%。
優選的,步驟(C)中,所述焊接是采用鎢極氬弧焊焊接的。優選的,步驟(d)中,所述一次錠熔煉的電流為1.5 2.0kA,工作真空度為 1. 0X10E々a。優選的,步驟(f)中,所述二次錠熔煉的電流為3.0 3.6kA,工作真空度為 1. 0X10E々a。與現有技術相比,本發明具有的有益效果為本發明工藝簡單,成本低廉,采用本發明的方法可制得無明顯氣孔、偏析等缺陷,組織大小均勻的TiAl合金靶材。


圖1為實施例3的TiAl合金二次錠的示意圖2為實施例3的TiAl合金二次錠的微觀組織照片圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的實施例作詳細說明,本實施例在以本發明技術方案為前提下進行實施,給出了詳細的實施方式和具體的操作過程,但本發明的保護范圍不限于下述的實施例。實施例1
采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金,具體步驟如下
(a)、稱料將金屬Ti與金屬Al按照質量比Ti87. 5%,Al 12. 5%的比例稱取、混合;
(b)、壓制電極將按比例稱取混合的金屬Ti與Al壓制成電極,每個電極控制在2.2公
斤;
(C)、焊接電極將每兩個壓制好的電極采用鎢極氬弧焊焊接成熔煉電極;
(d)、真空自耗熔煉一次錠將焊接的TiAl電極在IOkg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉, 電流2. OkA,工作真空度為1. OX IOE-1Pa,采用直徑為80mm的銅坩堝,熔煉出直徑80mm的 TiAl 一次錠;
(e)、焊接二次熔煉電極將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;
(f)、真空自耗熔煉二次錠將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,電流3. 6kA,工作真空度為1. OX IOE-1Pa,采用直徑為120mm的銅坩堝,熔煉出直徑 120mm 的 TiAl 二次錠。實施例2
采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金,具體步驟如下
(a)、稱料將金屬Ti與金屬Al按照質量比Ti75%,Al 25%的比例稱取、混合;
(b)、壓制電極將按比例稱取混合好的金屬Ti與Al壓制成電極,每個電極控制在4.0 公斤;
(C)、焊接電極將每兩個壓制好的電極采用鎢極氬弧焊焊接成熔煉電極; (d)、真空自耗熔煉一次錠將焊接的TiAl電極在IOkg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉, 電流1. 8kA,工作真空度為1. OX IOE-1Pa,采用直徑為80mm的銅坩堝,熔煉出直徑80mm的 TiAl 一次錠;(e)、焊接二次熔煉電極將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;
(f)、真空自耗熔煉二次錠將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,電流3. 5kA,工作真空度為1. OX IOE-1Pa,采用直徑為120mm的銅坩堝,熔煉出直徑 120mm 的 TiAl 二次錠。實施例3
采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金,具體步驟如下
(a)、稱料將金屬Ti與金屬Al按照質量比Ti64%,Al 36%的比例稱取、混合;
(b)、壓制電極將按比例稱取混合好的金屬Ti與Al壓制成電極,每個電極控制在2.8 公斤;
(C)、焊接電極將每兩個壓制好的電極采用鎢極氬弧焊焊接成熔煉電極;
(d)、焊接二次熔煉電極將焊接的TiAl電極在IOkg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉, 電流1. 5kA,工作真空度為1. OX IOE4Pa,采用直徑為80mm的銅坩堝,熔煉出直徑80mm的 TiAl 一次錠;
(e)、真空自耗熔煉二次錠將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;
(f)、真空自耗熔煉二次錠將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,電流3. 4kA,工作真空度為1. OX IOE-1Pa,采用直徑為120mm的銅坩堝,熔煉出直徑 120mm 的 TiAl 二次錠。實施例4
采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金,具體步驟如下
(a)、稱料將金屬Ti與金屬Al按照質量比Ti50%, Al 50%的比例稱取、混合;
(b)、壓制電極將按比例稱取混合好的金屬Ti與Al壓制成電極,每個電極控制在3.4 公斤;
(C)、焊接電極將每兩個壓制好的電極采用鎢極氬弧焊焊接成熔煉電極;
(d)、真空自耗熔煉一次錠將焊接的TiAl電極在IOkg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉, 電流1. 5kA,工作真空度為1. OX IOE4Pa,采用直徑為80mm的銅坩堝,熔煉出直徑80mm的 TiAl 一次錠;
(e)、焊接二次熔煉電極將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;
(f)、真空自耗熔煉二次錠將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,電流3. 0 kA,工作真空度為1. OX IOE-1Pa,采用直徑為120mm的銅坩堝,熔煉出直徑 120mm 的 TiAl 二次錠。本發明工藝采用傳統的真空自耗熔煉的方法,制備工藝簡單,可通過簡單的置換水冷坩堝來得到不同尺寸的合金鑄錠,無需特別的熔煉裝置;成本低廉,采用的原料直接為海綿鈦和鋁塊,原料成本低廉,熔煉能耗低;采用本發明的方法可制得無明顯氣孔、偏析等缺陷,組織大小均勻的TiAl合金靶材鑄錠。實施例1 4制得的TiAl合金二次錠鑄錠表面均沒有明顯的氣孔等缺陷,圖1所示為實施例3的直徑為120mm的TiAl合金二次錠的鑄錠照片,可以看到鑄錠表面沒有明顯的氣孔等缺陷。圖2所示為實施例3的TiAl 二次錠的微觀組織照片,組織大小均勻,未見偏析,晶粒大小不均等缺陷。
權利要求
1.一種采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,其特征在于,包括以下步驟(a)、稱料稱取海綿態金屬Ti與塊體金屬Al,混合;(b)、壓制電極將步驟(a)中混合好的金屬Ti與Al壓制成電極,每個電極控制在 2. 2 4. 0公斤,其中Ti與Al混合均勻布料;(C)、焊接電極將步驟(b)中壓制好的兩個電極焊接成熔煉電極;(d)、真空自耗熔煉一次錠將步驟(c)中焊接的TiAl電極在IOkg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,采用直徑為80mm的銅坩堝,熔煉出直徑80mm的TiAl —次錠;(e)、焊接二次熔煉電極將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;(f)、真空自耗熔煉二次錠將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,采用直徑為120mm的銅坩堝,熔煉出直徑120mm的TiAl 二次錠。
2.根據權利要求1所述的采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,其特征在于, 步驟(a)中,所述稱取的金屬Ti與Al中,Ti的重量百分比含量為50 87. 5%,Al的重量百分比含量為12. 5 50%。
3.根據權利要求1所述的采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,其特征在于,步驟(c)中,所述焊接是采用鎢極氬弧焊焊接的。
4.根據權利要求1所述的采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,其特征在于,步驟(d)中,所述一次錠熔煉的電流為1. 5 2. OkA,工作真空度為1. OX lOEla。
5.根據權利要求1所述的采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,其特征在于,步驟(f)中,所述二次錠熔煉的電流為3. 0 3. 6kA,工作真空度為1. OX ΙΟΕ—1!^。
全文摘要
本發明公開了一種采用真空自耗電弧爐熔煉TiAl合金的方法,步驟如下稱取金屬Ti與金屬Al,混合;將混合好的金屬Ti與Al分別壓制成2.2~4.0公斤的電極;將兩個電極焊接成熔煉電極;焊接的TiAl電極在10kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,熔煉出直徑80mm的TiAl一次錠;將熔煉的一次錠用車床去頭、平尾,每6個一次錠采用鎢極氬弧焊焊接成二次電極;將焊接的TiAl二次電極在150kg真空自耗電弧熔煉爐進行熔煉,熔煉出直徑120mm的TiAl二次錠。稱取的金屬Ti與金屬Al中,Ti的重量百分比含量為50~87.5%,Al的重量百分比含量為12.5~50%。與現有技術相比,本發明工藝簡單,成本低,可制得無明顯氣孔、偏析等缺陷,組織大小均勻的TiAl合金靶材。
文檔編號C22B9/20GK102312111SQ20111026360
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月7日 優先權日2011年9月7日
發明者呂維潔, 張荻, 王敏敏, 王立強, 覃繼寧, 陳科 申請人:上海交通大學
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