專利名稱：去除非金屬面活化劑的方法及化學鎳金、化學鎳鈀金方法
技術領域：
本發明涉及化學技術領域，具體涉及一種去除非金屬面活化劑的方法及化學鎳金、化學鎳鈀金方法。
背景技術：
印刷線路板表面處理的目的是保證線路板具有良好的可焊性和導電性。常見的表面處理方式有有機保焊膜(0SP，0rganic Solderability Preservatives)、電鍍鎳金、化學鎳金和化學鎳鈀金等，其中化學鎳金和化學鎳鈀金因具有耐多次回流、平整性好和耐腐蝕性強等優點而被廣泛應用。但隨著線路板向著精細化發展，焊盤與焊盤之間的間距越來越小，在化學鎳金或化學鎳鈀金的過程中，因活化劑殘留等因素導致焊盤之間都被鍍上一層鎳，從而產生滲鍍。所謂滲鍍，指的是在化學鎳金或化學鎳鈀金工藝中，除了在露出的銅面發生化學沉積外，還在其他區域如基材表面、油墨表面也發生化學沉積，造成不該沉積的地方也沉積上鎳金或鎳鈀金。為了改善化學鎳金或化學鎳鈀金的滲鍍問題，現有技術一般會在化學鎳金流程的后浸步驟或化學鎳鈀金流程的后浸步驟時，采用濃度在5 20%左右的硫酸進行浸泡，從而清除前面的制備過程上所殘留的活化藥水，以防止滲鍍的產生。在對現有技術的研究和實踐過程中，本發明的發明人發現，在后浸時，采用濃度在 5 20%左右的硫酸進行浸泡，雖然能一定程度清除制備過程上所殘留的活化劑，但是還是會有少量的滲鍍產生。

發明內容
本發明實施例提供一種去除非金屬面活化劑的方法及化學鎳金、化學鎳鈀金方法，可以有效去除非金屬面的活化劑殘留，從而有效防止滲鍍現象的產生。一種去除非金屬面的活化劑的方法，包括在采用鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。例如，具體可以為在化學鎳金流程的后浸步驟中或在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。可選的，所述鹽酸的濃度可以在10% 20%之間，比如，所述鹽酸的濃度可以為 10%,具體可以通過將濃度為37%的鹽酸通過質量百分比稀釋而成。需說明的是，在本發明實施例中，鹽酸的濃度的單位均指的是質量百分比。一種印刷電路板的化學鎳金方法，包括在化學鎳金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。可選的，所述鹽酸的濃度可以在10% 20%之間，比如，所述鹽酸的濃度可以為 10%,具體可以通過將濃度為37%的鹽酸通過質量百分比稀釋而成。一種印刷電路板的化學鎳鈀金方法，包括在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。可選的，所述鹽酸的濃度可以在10% 20%之間，比如，所述鹽酸的濃度可以為 10%,具體可以通過將濃度為37%的鹽酸通過質量百分比稀釋而成。本發明實施例采用在以鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，使用鹽酸作為后浸藥水對產品進行浸泡，實驗證明，采用鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而有效地防止滲鍍現象的產生。


為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是沒有后浸藥水時的滲鍍情況示意圖；圖2是以濃度為20%的硫酸作為后浸藥水時的滲鍍情況示意圖；圖3是以濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水時的滲鍍情況示意圖；圖4是以濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水時的滲鍍情況示意圖；圖5是以濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水時的滲鍍情況示意圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。本發明實施例提供一種去除非金屬面活化劑的方法及化學鎳金、化學鎳鈀金方法。以下分別進行詳細說明。一種去除非金屬面的活化劑的方法，包括在采用鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對產品，如印刷電路板進行浸泡。其中，采用鈀作為活化劑的產品表面處理流程具體可以為化學鎳金流程或化學鎳鈀金流程等流程，而產品具體可以為印刷電路板等容易產生滲鍍的產品，其中，印刷電路板可以包括印制電路板、軟性電路板、剛撓結合板及封裝基板(又稱載板)。即該去除非金屬面的活化劑的方法具體可以為在化學鎳金流程的后浸步驟中或在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。實驗證明，雖然現有技術中將硫酸作為后浸藥水，可以一定程度去除非金屬面上的活化劑殘留，對滲鍍有改善作用，但效果沒有鹽酸明顯，其中，鹽酸濃度越高效果越好，但濃度達到10%，濃度繼續增加效果也是一樣的，所以，優化的，鹽酸的濃度具體可以控制在 10% 20%之間，比如，鹽酸的濃度可以為10%，具體可以通過將濃度為37%的鹽酸通過質量百分比稀釋而成。由上可知，本實施例采用在以鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對產品如印刷電路板進行浸泡，實驗證明，采用鹽酸作為后浸藥水， 可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而有效地防止滲鍍現象的產生。相應的，本發明實施例還提供一種印刷電路板的化學鎳金方法，包括在化學鎳金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。其中，印刷電路板可以包括印制電路板、軟性電路板、剛撓結合板及封裝基板(又稱載板)。實驗證明，雖然在現有技術中的化學鎳金流程中，將硫酸作為后浸藥水，可以一定程度去除非金屬面上的活化劑殘留，對滲鍍有改善作用，但效果沒有鹽酸明顯，其中，鹽酸濃度越高效果越好，但濃度達到10%，濃度繼續增加效果也是一樣的，所以，優化的，鹽酸的濃度具體可以控制在10% 20%之間，比如，鹽酸的濃度可以為10%，具體可以通過將濃度為37%的鹽酸通過質量百分比稀釋而成。由上可知，本實施例采用在化學鎳金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對產品如印刷電路板進行浸泡，實驗證明，采用鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而有效地防止滲鍍現象的產生。同理，本發明實施例還提供一種印刷電路板的化學鎳鈀金方法，包括在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。其中，印刷電路板可以包括印制電路板、軟性電路板、剛撓結合板及封裝基板(又稱載板)。實驗證明，雖然在現有技術中的化學鎳鈀金流程中，將硫酸作為后浸藥水，可以一定程度去除非金屬面上的活化劑殘留，對滲鍍有改善作用，但效果沒有鹽酸明顯，其中，鹽酸濃度越高效果越好，但濃度達到10%，濃度繼續增加效果也是一樣的，所以，優化的，鹽酸的濃度具體可以控制在10% 20%之間，比如，鹽酸的濃度可以為10%，具體可以通過將濃度為37%的鹽酸通過質量百分比稀釋而成。由上可知，本實施例采用在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對產品如印刷電路板進行浸泡，實驗證明，采用鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而有效地防止滲鍍現象的產生。根據上面實施例所描述的方法，以下將以濃度為5%、10%和20%的鹽酸作為后浸藥水，印刷電路板作為產品為例，對化學鎳金和化學鎳鈀金流程分別進行說明。(一 ) 一般的化學鎳金的流程具體可以如下Si、對印刷電路板進行除油操作；S2、對除油后的印刷電路板進行熱水洗操作；S3、對熱水洗后的印刷電路板進行第一次二級水洗操作；S4、對第一次二級水洗后的印刷電路板進行微蝕操作；S5、對微蝕后的印刷電路板進行第二次二級水洗操作；S6、對第二次二級水洗后的印刷電路板進行酸浸操作；S7、對酸浸后的印刷電路板進行第三次二級水洗操作；S8、對第三次二級水洗后的印刷電路板進行微蝕操作；
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S9、對微蝕操作后的印刷電路板進行第四次二級水洗操作；S10、對第四次二級水洗后的印刷電路板進行預浸操作；S11、對預浸后的印刷電路板進行活化操作；S12、對活化后的印刷電路板進行水洗操作；S13、采用鹽酸作為后浸藥水對水洗后的印刷電路板進行后浸操作，其中，該鹽酸的濃度越高效果越好，但濃度達到10%之后，其對滲鍍的改善效果沒有明顯變化。例如，以下將分別以不采用硫酸或鹽酸作為后浸藥水、采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水、采用濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水、采用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水、 以及采用濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水為例，對印刷電路板02產生滲鍍的情況進行實驗，其實驗結果如下參見圖1，該圖為沒有采用硫酸或鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖1可以看出，此時印刷電路板02的線路之間充滿滲鍍01，幾乎將印刷電路板02的線路之間的空隙填滿，容易造成線路之間的短路；參見圖2，該圖為采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖2可以看出，此時印刷電路板02的線路之間的滲鍍01的情況有所改善，但是還是存在有一定量的滲鍍01，還是會對印刷電路板02的線路之間的空隙造成堵塞，還是會造成線路之間的短路；參見圖3，該圖為采用濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖3可以看出，此時印刷電路板02的線路之間的滲鍍01較采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間的滲鍍01要少很多，僅僅只是在印刷電路板02的表面存在極少量的滲鍍01，該滲鍍情況并不會造成線路之間的短路，幾乎不會影響印刷電路板02的性能，也就是說，采用濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水較采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水對改善滲鍍情況的效果更為明顯；參見圖4，該圖為采用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖4可以看出，此時印刷電路板02之間幾乎不存在滲鍍01，也就是說，使用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，完全改善化學鎳金時的滲鍍情況。參見圖5，該圖為采用濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖5可以看出，與采用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水同樣，此時印刷電路板02的線路之間也不存在滲鍍01，也就是說，使用濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，完全改善化學鎳金時的滲鍍情況。所以，由上面的實驗結果可以看出，采用鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而改善化學鎳金時的滲鍍情況，優化的，如果采用濃度為10% 20%以上的鹽酸作為后浸藥水，其效果更佳。S14、對后浸后的印刷電路板進行第五次二級水洗操作；S15、對第五次二級水洗后的印刷電路板進行化學鎳操作；S16、對化學鎳后的印刷電路板進行三級水洗操作；S17、對三級水洗后的印刷電路板進行化學金操作；
S18、對化學金后的印刷電路板進行金回收操作；S19、對金回收后的印刷電路板進行純水洗操作；S20、對純水洗后的印刷電路板進行熱水洗操作。( 二 ) 一般化學鎳鈀金的流程具體可以如下Si、對印刷電路板進行除油操作；S2、對除油后的印刷電路板進行熱水洗操作；S3、對熱水洗后的印刷電路板進行第一次二級水洗操作；S4、對第一次二級水洗后的印刷電路板進行微蝕操作；S5、對微蝕后的印刷電路板進行第二次二級水洗操作；S6、對第二次二級水洗后的印刷電路板進行酸浸操作；S7、對酸浸后的印刷電路板進行第三次二級水洗操作；S8、對第三次二級水洗后的印刷電路板進行微蝕操作；S9、對微蝕操作后的印刷電路板進行第四次二級水洗操作；S10、對第四次二級水洗后的印刷電路板進行預浸操作；S11、對預浸后的印刷電路板進行活化操作；S12、對活化后的印刷電路板進行水洗操作；S13、采用鹽酸作為后浸藥水對水洗后的印刷電路板進行后浸操作，其中，該鹽酸的濃度越高效果越好，但濃度達到10%之后，其對滲鍍的改善效果沒有明顯變化。例如，以下將分別以不采用硫酸或鹽酸作為后浸藥水、采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水、采用濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水、采用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水、 以及采用濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水為例，對印刷電路板02產生滲鍍的情況進行實驗，其實驗結果如下參見圖1，該圖為沒有采用硫酸或鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖1可以看出，此時印刷電路板02的線路之間充滿滲鍍01，幾乎將印刷電路板02的線路之間的空隙填滿，容易造成線路短路；參見圖2，該圖為采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖2可以看出，此時印刷電路板02的線路之間的滲鍍01的情況有所改善，但是還是存在有一定量的滲鍍01，還是會對印刷電路板02之間的空隙造成堵塞，還是會造成線路短路；參見圖3，該圖為采用濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖3可以看出，此時印刷電路板02的線路之間的滲鍍01較采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間的滲鍍01要少很多，僅僅只是在印刷電路板02的表面存在極少量的滲鍍01，該滲鍍情況幾乎不會影響印刷電路板02的性能和可靠性，也就是說，采用濃度為5%的鹽酸作為后浸藥水較采用濃度為20%的硫酸作為后浸藥水對改善化學鎳鈀金時的滲鍍情況的效果更為明顯；參見圖4，該圖為采用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖4可以看出，此時印刷電路板02的線路之間幾乎不存在滲鍍01，也就是說，使用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，完全改善化學鎳鈀金時的滲鍍情況。
參見圖5，該圖為采用濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水時印刷電路板02的線路之間產生滲鍍的情況，由圖5可以看出，與采用濃度為10%的鹽酸作為后浸藥水同樣，此時印刷電路板02的線路之間也不存在滲鍍01，也就是說，使用濃度為20%的鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，完全改善化學鎳鈀金時的滲鍍情況。所以，由上面的實驗結果可以看出，采用鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而很好地改善化學鎳鈀金時的滲鍍情況，優化的，如果采用濃度為10% 20%以上的鹽酸作為后浸藥水，其效果更佳。S14、對后浸后的印刷電路板進行第五次二級水洗操作；S15、對第五次二級水洗后的印刷電路板進行化學鎳操作；S16、對化學鎳后的印刷電路板進行三級水洗操作；S17、對三級水洗后的印刷電路板進行化學鈀操作；S18、對化學鈀后的印刷電路板進行第六次二級水洗操作；S19、對第六次二級水洗后的印刷電路板進行化學金操作；S20、對化學金后的印刷電路板進行金回收操作；S21、對金回收后的印刷電路板進行純水洗操作；S22、對純水洗后的印刷電路板進行熱水洗操作。由上可知，本實施例采用在化學鎳金流程的后浸步驟中或在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行后浸操作，實驗證明，采用鹽酸作為后浸藥水，不管是對于化學鎳金過程中所產生的滲鍍情況，還是對于化學鎳鈀金過程中所產生的滲鍍情況，都具有明顯的改善效果，即，采用鹽酸作為后浸藥水，特別是采用濃度為 10% 20%的鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而很好地避免滲鍍產生。以上對本發明實施例所提供的一種去除非金屬面活化劑的方法及化學鎳金、化學鎳鈀金方法進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的技術人員，依據本發明的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述， 本說明書內容不應理解為對本發明的限制。
權利要求
1.一種去除非金屬面的活化劑的方法，其特征在于，包括在采用鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在采用鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡，具體為在化學鎳金流程的后浸步驟中或在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述鹽酸的濃度在10% 20%之間。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述鹽酸的濃度為10%。
5.一種印刷電路板的化學鎳金方法，其特征在于，包括在化學鎳金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于， 所述鹽酸的濃度在10% 20%之間。
7.根據權利要求5或6所述的方法，其特征在于， 所述鹽酸的濃度為10%。
8.—種印刷電路板的化學鎳鈀金方法，其特征在于，包括在化學鎳鈀金流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對印刷電路板進行浸泡。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于， 所述鹽酸的濃度在10% 20%之間。
10.根據權利要求8或9所述的方法，其特征在于， 所述鹽酸的濃度為10%。
全文摘要
本發明公開了一種去除非金屬面的活化劑的方法。本發明實施例采用在以鈀作為活化劑的產品表面處理流程的后浸步驟中，采用鹽酸作為后浸藥水對產品進行浸泡，實驗證明，采用鹽酸作為后浸藥水，可以很好地清除制備過程中在非金屬面上的活化劑殘留，從而有效地防止滲鍍現象的產生。
文檔編號C23C18/18GK102392232SQ20111033369
公開日2012年3月28日 申請日期2011年10月28日 優先權日2011年10月28日
發明者劉良軍, 楊智勤, 范錚 申請人:深南電路有限公司