本發明涉及一種無氰化學鍍金浴及化學鍍金方法。

背景技術：

以往，在印刷電路板或電子部件的安裝工序中，作為最終表面處理，有在化學鍍鎳上形成置換型鍍金的ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold，化學鍍鎳浸金)工序。該工序可以在焊接中使用。此外，在該ENIG工序后通過實施厚鍍金，也可以在引線鍵合中使用。

另一方面，通過在基底化學鍍鎳上化學鍍鈀并形成鍍金的ENEPIG(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold，化學鍍鎳鍍鈀浸金)工序也采用上述的最終表面處理。這一工序特別適用于無鉛焊接中。此外也適用于引線鍵合中。

上述ENIG工序和ENEPIG工序，可以根據被鍍物的用途進行選擇，兩者最終都是實施鍍金。但是不同的是，在形成該鍍金時，相對于前者以離子化傾向大(氧化還原電位低)的鎳為基底，后者以離子化傾向小(氧化還原電位高)的鈀為基底。由此，至今為止，分別使用適應各種工序的鍍金浴。

此外，作為上述鍍金浴，以往的有氰鍍金浴被廣泛使用，但是考慮到氰的毒性，需要尋找非氰化型鍍金浴。

例如，作為上述ENEPIG工序中使用的非氰化型鍍金浴，專利文獻1中公開了，在印刷電路板的導體部分上，依次形成化學鍍鎳膜、化學鍍鈀膜和化學鍍金膜時，形成所述化學鍍金膜所使用的鍍金液由含有水溶性金化合物、還原劑和絡合劑的水溶液構成，該還原劑為選自甲醛亞硫酸氫類、雕白粉和肼類中的至少一種。此外，專利文獻2中公開了，作為能夠在化學鍍鈀膜上用自身催化還原反應直接析出金膜的化學鍍金液，以規定濃度含有非氰的亞硫酸金鹽、亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽、水溶性聚氨基羧酸、苯并三唑化合物、含硫的氨基酸化合物和對苯二酚的鍍液。

但是，根據被鍍物的用途，準備各工序用的鍍浴和更換鍍浴會花費工序數和費用，從操作性和經濟性的觀點來看不實用。從而需要在ENIG工序和ENEPIG工序形成鍍金中均可使用的鍍金浴。

進一步地，上述非氰化型鍍金浴，與有氰鍍金浴相比，存在容易發生鍍浴穩定性和鍍覆反應性降低的傾向。從而，非氰化型鍍金浴期待兼備鍍浴穩定性和鍍覆反應性的優選特性。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第5526440號公報

專利文獻2：特開2010-180467號公報

技術實現要素：

本發明著眼于上述的技術問題，其目的在于，實現一種在ENIG工序和ENEPIG工序中都可以使用的無氰化學鍍金浴，以及使用該化學鍍金浴的化學鍍金方法。

解決了上述技術問題的本發明的無氰化學鍍金浴為，含有水溶性金鹽、還原劑和絡合劑，而不含有氰的化學鍍金浴，其特征在于，所述還原劑含有甲酸或其鹽，以及肼類。

所述無氰化學鍍金浴，進一步優選含有具有硝基的化合物。

本發明還包括一種化學鍍金方法，其特征在于，使用上述的無氰化學鍍金浴，在被鍍物的表面上實施化學鍍金。該化學鍍金方法，所述被鍍物的表面為鎳或鎳合金，即，可以為ENIG工序，或者，所述被鍍物的表面為鈀或鈀合金，即，也可以為ENEPIG工序。

根據本發明，能夠提供在ENIG工序和ENEPIG工序中的任意一種中能夠使用的無氰化學鍍金浴。具體地，在ENIG工序中，在鍍鎳上形成鍍金時，鍍鎳的腐蝕被抑制。此外在ENIG工序和ENEPIG工序中的任意一種中，金的析出反應性提高，能夠實現鍍金的厚膜化。例如ENIG工序中，在鍍鎳上用大約20分鐘可以得到0.07μm以上的析出，ENEPIG工序中在鍍鈀上用大約30分鐘可以得到0.05μm以上的析出。

附圖說明

圖1和圖2是表示實施例中鍍鎳表面的腐蝕的有無的SEM(Scanning Electron Microscope)觀察照片。

具體實施方式

本發明的發明人為了解決所述技術問題，進行了深入研究。其結果發現，在為作為還原劑含有甲酸或其鹽、以及肼類的置換還原型的無氰化學鍍金浴時，能夠不發生基底鍍鎳等的過量腐蝕，提高金的析出反應性，能夠在ENIG工序和ENEPIG工序的兩者中使用，從而完成了本發明。以下，也將本發明的無氰化學鍍金浴稱為“化學鍍金浴”或“鍍金浴”。下述中，對本發明的無氰化學鍍金浴中所含有的各化合物進行說明

(A)肼類

肼類是特別有利于提高在鈀上的鍍層析出性的化合物，促進ENEPIG工序中鍍鈀上的鍍金形成。此外，肼類也有助于保持良好的鍍層外觀，其結果是有助于確保良好的焊接性和引線鍵合接合性(W/B接合性)。另一方面，肼類在ENIG工序中，必要以上地促進鍍鎳上的置換反應的進行，會導致鍍鎳的過度腐蝕。但是如后述，通過并用甲酸或其鹽，能夠抑制該鍍鎳的過度腐蝕。

作為所述肼類，可以使用肼，一水合肼等的水合肼，碳酸肼、硫酸肼、硫酸二肼、鹽酸肼等的肼鹽，吡唑類、三唑類、酰肼類等的肼的有機衍生物等。作為所述吡唑類，除吡唑外，可以使用3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮等的吡唑衍生物。作為所述三唑類，可以使用4-氨基-1,2,4-三唑、1,2,3-三唑等。作為酰肼類，可以使用己二酸二酰肼、馬來酸酰肼、碳酰肼等。優選為一水合肼等的水合肼、硫酸肼。這些化合物能夠單獨或2種以上合并使用。

上述肼類的合計濃度，優選為0.1-5g/L。更優選為0.3-3g/L。

(B)甲酸或其鹽

甲酸或其鹽，具有抑制上述肼類導致的過量置換反應的效果。以下，也將“甲酸或其鹽”總稱為甲酸類。特別地，在ENIG工序中的鍍金時，能夠抑制作為基底的Ni膜的過度腐蝕。另一方面，不與上述肼類并用而僅使用甲酸類的情況下，特別是在ENEPIG工序中，容易發生金的析出反應性降低。具體地，在作為基底的鍍鈀上金的析出反應性差，難以確保鍍金的膜厚。從而，有必要與上述肼類并用。通過并用肼類和甲酸類，上述鍍鎳的過度腐蝕被抑制，并且也有助于焊接性和W/B接合性。

作為所述甲酸的鹽，例如可舉出甲酸鉀、甲酸鈉等的甲酸的堿金屬鹽；甲酸鎂、甲酸鈣等的甲酸的堿土金屬鹽；甲酸的銨鹽、四級銨鹽、包含一級～三級胺的胺鹽等。本發明中，甲酸或其鹽能夠單獨或2種以上合并使用。

上述甲酸類的合計濃度優選以在1-100g/L的范圍內含有。為了使上述效果充分發揮，優選為1g/L以上，更優選為5g/L以上，進一步優選為10g/L以上。另一方面，過量含有時鍍浴容易變得不穩定，優選為如上述的100g/L以下。

也就是說本發明中，作為還原劑通過并用肼類與甲酸類，在ENIG工序的鍍金處理中，肼類導致的鎳腐蝕性(置換反應)被甲酸類抑制，能夠抑制作為鍍金基底的鍍鎳的腐蝕。另一方面，ENEPIG工序的鍍金處理中，由于肼類在鍍鈀上的高反應性，相比甲酸單獨使用的情況促進鍍金的形成，使鍍金的厚膜化成為可能。這是由于促進了還原反應的結果。

本發明的鍍金浴，除了上述肼類和甲酸類之外，必須含有水溶性金鹽和絡合劑且不含有氰。此外如下述，也可以使用肼類和甲酸類以外的還原劑。以下，從上述水溶性金鹽開始依次進行說明。

首先本發明的化學鍍金浴，作為金源含有水溶性金鹽。如上述的水溶性金鹽為非氰，具體地，可以舉出金的亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽、硫氰酸鹽、硫酸鹽、硝酸鹽、甲磺酸鹽、四氨絡合物、氯化物、溴化物、碘化物、氫氧化物、氧化物等。這些化合物能夠單獨或2種以上合并使用。鍍浴中的水溶性金鹽的合計濃度優選以金(Au)濃度計為0.3-5g/L，特別優選為0.5-4g/L。不足0.3g/L時，存在析出速度變慢的情況。另一方面，超過5g/L時，存在穩定性降低的情況，即使增加量效果也基本沒有變化，此外費用也會變高。

本發明的化學鍍金浴，作為還原劑，除了上述肼類和甲酸類之外，還可以含有以下還原劑。即，可舉出抗壞血酸、異抗壞血酸(赤藻糖酸)等的抗壞血酸或其鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等)；對苯二酚、甲基對苯二酚等的對苯二酚或其衍生物；鄰苯三酚、鄰苯三酚單甲醚、鄰苯三酚-4-甲酸、鄰苯三酚-4,6-二甲酸、沒食子酸等的鄰苯三酚或其衍生物等。這些化合物能夠單獨或2種以上合并使用。本發明中，作為還原劑，上述肼類和甲酸類的并用是必須的，例如，在后述的實施例No.10中示出了，即使將作為上述肼類和甲酸類以外的還原劑的抗壞血酸與甲酸類并用，其也無法得到期望的特性。

鍍金浴中的肼類和甲酸類以外的上述還原劑合計濃度優選為0.5-50g/L，特別優選為1-10g/L。

本發明的化學鍍金浴含有絡合劑。作為絡合劑為具有溶出金屬(例如鎳、鈀等)的絡合作用的絡合劑，優選為具有金的絡合作用的絡合劑。作為優選的所述具有溶出金屬的絡合作用的絡合劑，可舉出羥基乙酸、二甘醇酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、葡萄糖酸、葡庚糖酸(ヘプトグルコン酸)等的羥基羧酸或其鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等)；甘氨酸、氨基二羧酸、氨基三乙酸、EDTA、羥乙基乙二胺三乙酸、二乙烯三胺五乙酸、聚氨基羧酸等的氨基羧酸或其鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、鹽酸鹽、硫酸鹽等)；HEDP(羥基乙烷-1,1-二膦酸)、氨基三甲基磺酸、乙二胺四甲基磺酸等的亞磷酸系螯合劑或其鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、鹽酸鹽、硫酸鹽等)；乙二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺等的胺系螯合劑及其鹽(鹽酸鹽、硫酸鹽等)等。這些化合物能夠單獨或2種以上合并使用。

此外，作為優選的具有金的絡合作用的絡合劑，可舉出亞硫酸鈉、亞硫酸鉀、亞硫酸銨、亞硫酸氫鈉、亞硫酸氫鉀、亞硫酸氫銨、焦亞硫酸鈉、焦亞硫酸鉀、焦亞硫酸銨、硫代硫酸鈉、硫代硫酸鉀、硫代硫酸銨、乙內酰脲化合物、酰亞胺化合物等。這些化合物能夠單獨或2種以上合并使用。更優選使用亞硫酸鈉、亞硫酸銨等。

鍍金浴中，所述具有溶出金屬的絡合作用的絡合劑與所述具有金的絡合作用的絡合劑的合計濃度優選為1-200g/L，特別優選為10-150g/L。

本發明的化學鍍金浴，優選還含有具有硝基的化合物。通過含有該具有硝基的化合物，即使不含有氰，對鍍覆反應性，即金的析出反應性也無損害，能夠充分確保鍍浴穩定性。作為該作用機理，可認為硝基捕獲金使其穩定化。與之相對，不含有硝基的例如鄰苯二酚或苯甲酸中未顯示出穩定性的效果。

作為上述具有硝基的化合物，例如可舉出具有硝基的芳香族化合物。作為該具有硝基的芳香族化合物，例如可舉出硝基苯；硝基苯酚、4-硝基兒茶酚等具有硝基和羥基的芳香族化合物；硝基甲苯、硝基二甲苯、硝基苯乙烯等的具有硝基和烷基的芳香族化合物；硝基苯胺、4-硝基-1,2-苯二胺等的具有硝基和胺基的芳香族化合物；硝基苯硫酚、2,4-二硝基苯磺酸等的硝基苯磺酸等的具有硝基和含硫基團的芳香族化合物。進一步地，作為具有硝基和羧基的硝基苯甲酸，例如可舉出2-硝基苯甲酸、3,5-二硝基苯甲酸、3,4-二硝基苯甲酸、進一步具有氨基的5-氨基-2-硝基苯甲酸等。此外，可舉出具有硝基的同時，具有鹵素基團、酯基、醚基、羰基、醛基等的芳香族化合物。此外作為以上具有硝基的芳香族化合物的鹽，可使用銨鹽、鈉鹽、鉀鹽等。

例如上述硝基苯甲酸的情況下，硝基位于羧基的鄰位上時，穩定性的效果提高所以優選使用。即，穩定性的效果的大小順序為2-硝基苯甲酸＞3-硝基苯甲酸＞4-硝基苯甲酸。

作為上述具有硝基的化合物，除了上述具有硝基的芳香族化合物之外，還可以使用具有硝基的脂肪族化合物。

更優選為同時具有硝基和供電子基團的化合物，特別是同時具有硝基和供電子基團的芳香族化合物。具有供電子基團時，硝基的穩定性的效果提高。硝基為兩個相鄰的硝基的情況下，兩個硝基形成為夾子形(トラップする形)，由此穩定性的效果提高。作為所述供電子基團，例如可舉出羥基、烷基、氨基、含硫基團、羧基、酯基、鹵素基團、醚基等。優選為具有以上中的一種以上。

上述具有硝基的化合物，可以將上述各種化合物單獨或2種以上合并使用。上述具有硝基的化合物的合計濃度，優選在例如0.0010-5g/L的范圍內。上述合計濃度為0.0010g/L以下時，很難得到上述效果。上述合計濃度更優選為0.005g/L以上，更優選為0.010g/L以上。另一方面，上述具有硝基的化合物的濃度過高時，作為基底的鍍鎳的表面變得容易腐蝕。從而上述合計濃度，優選為如上述5g/L以下，更優選為4g/L以下，進一步優選為3g/L以下。

本發明的化學鍍金浴的pH優選為5-10。低于該范圍時，金的析出速度容易降低，另一方面，超過上述范圍時，鍍浴容易變得不穩定。上述pH更優選為6-9。

本發明的化學鍍金浴，在不影響本發明的目的的范圍內，可以適當含有公知的pH調節劑、pH緩沖劑和其他的添加劑。作為上述pH調節劑，例如作為酸可舉出鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、羧酸等，作為堿可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水等。此外，作為上述pH緩沖劑，可舉出檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、鄰苯二甲酸等的羧酸；正磷酸、亞磷酸、次磷酸、焦磷酸等的磷酸，或它們的鉀鹽、鈉鹽、銨鹽等的磷酸鹽；硼酸、四硼酸等。此外，作為金屬陽離子掩蔽劑，可舉出苯并三唑、甲基苯并三唑等的唑類，鄰二氮雜菲、聯吡啶、水楊酸鹽等。此外作為輔助絡合劑，可舉出EDTA、EDTMP等的氨基羧酸、銨鹽、氯化物等。此外作為穩定劑，例如可舉出含硫雜環化合物(2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并惡唑等)、含氮雜環化合物(苯并三唑、N-羥基苯并三唑等)等。

本發明的化學鍍金浴，進一步地，可以添加鉈化合物、砷化合物和鉛化合物中的一種以上。這些化合物具有提高鍍金速度和作為結晶調節劑的作用。作為該化合物，具體地可舉出構成化合物的金屬(砷、鉈、鉛)的碳酸鹽、醋酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽、鹽酸鹽等。鍍金浴中的上述結晶調節劑的濃度，以金屬濃度計例如優選合計為0.1-100mg/L，更優選合計為0.2-50mg/L，進一步優選合計為0.2-20mg/L。

本發明也規定了使用上述無氰化學鍍金浴進行化學鍍金的方法。實施鍍金的被鍍物，可舉出其表面為鎳或鎳合金。在上述ENIG工序中，可舉出被鍍物的表面為化學鍍鎳或化學鍍鎳合金(以下稱為“化學鍍鎳系”)的情況。作為所述鎳合金，可舉出鎳-磷合金、鎳-硼合金等。

實施鍍金的被鍍物，其表面也可以為鈀或鈀合金。在上述ENEPIG工序中，可舉出被鍍物的表面為化學鍍鈀或化學鍍鈀合金(以下稱為“化學鍍鈀系”)的情況。作為所述鈀合金，可舉出鈀-磷合金等。

ENIG工序中，例如在構成電極的Al或Al基合金、Cu或Cu基合金上形成化學鍍鎳系，接著在其上形成化學鍍金，ENEPIG工序中，例如在構成電極的Al或Al基合金、Cu或Cu基合金上形成化學鍍鎳系，接著形成化學鍍鈀系，接著在其上形成化學鍍金，上述化學鍍鎳系或化學鍍鈀系的形成，可以采用通常進行的方法。

上述ENIG工序和ENEPIG工序中的任意一項中，化學鍍金的形成，除了使用本發明的無氰化學鍍金浴之外，可以采用通常進行的條件。例如可舉出在本發明的化學鍍金浴中接觸3-20分鐘左右。作為該接觸，可以使用浸漬等以往公知的方法。化學鍍金浴的使用溫度，優選為40-90℃。不足上述范圍時，有析出速度降低的可能，另一方面，超過上述范圍時，有鍍浴不穩定的可能。上述使用溫度優選為50-80℃。

本發明的化學鍍金浴以及使用該化學鍍金浴的化學鍍金方法，適合用于對印刷電路基板、陶瓷基板、半導體基板、IC封裝等的電子部件的布線電路安裝部分或端子部分進行鍍金處理的情況。特別適合用于對晶片上的Al電極或Cu電極，以焊接和引線鍵合(W/B)接合為目的的UBM(Under Barrier Metal)形成技術中。通過使用本發明的鍍金浴，能夠穩定進行作為UBM形成技術的一部分的化學鍍金的形成，其結果是可以實現穩定的膜特性。

本申請主張2015年7月28日申請的日本發明專利申請第2015-148523號為基礎的優先權。2015年7月28日申請的日本發明專利申請第2015-148523號的說明書的全部內容作為參考引入到本申請。

實施例

接下來，通過舉出實施例對本發明進行具體說明，本發明不受下述實施例的限制，可在適應上下文的宗旨范圍內進行適當的變更實施，這些均包含在本發明的技術范圍內。

[用于鍍金的膜厚測定、鍍鎳的腐蝕有無的確認以及鍍金外觀觀察的樣品的制作]

〔ENIG工序的樣品〕

上述鍍金的膜厚測定等使用的ENIG工序的樣品，用以下的方法得到。即，準備作為電極的Al基合金的Al-Cu形成的TEG晶片，在該電極上，使用化學鍍鎳浴(上村工業株式會社制NPR-18)，通過化學鍍法形成5.0μm厚度的鍍鎳，接下來，使用如表1所示的化學鍍金浴，實施化學鍍金。以下將該樣品稱為“ENIG工序的樣品I”。

〔ENEPIG工序的樣品〕

上述鍍金的膜厚測定等使用的ENEPIG工序的樣品，用以下的方法得到。即，準備作為電極的Al基合金的Al-Cu形成的TEG晶片，在該電極上，使用化學鍍鎳浴(上村工業株式會社制NPR-18)，通過化學鍍法形成5.0μm厚度的鍍鎳，接下來在該鍍鎳上，使用化學鍍鈀浴(上村工業株式會社制TFP-30)，通過化學鍍法形成0.05μm厚度的鍍鈀，進一步地，使用如表1所示的化學鍍金浴，實施化學鍍金。以下將該樣品稱為“ENEPIG工序的樣品I”。

上述ENIG工序和ENEPIG工序的各樣品制作中進行的化學鍍金的進一步條件如下所述。即，化學鍍金浴中，作為金源使用亞硫酸金鈉溶液(Au濃度＝100g/L)，后述表1中示出了化學鍍金浴中的Au濃度。此外，作為鉈(Tl)化合物使用碳酸鉈，后述表1中示出了化學鍍金浴中的Tl濃度。所述化學鍍金浴的溫度為75℃，在所述化學鍍金浴中的浸漬，ENIG工序的樣品I的情況下進行20分鐘，ENEPIG工序的樣品I的情況下進行30分鐘，形成鍍金。并且，后述的表1的No.1、2、4和6的ENEPIG工序的樣品I中，由于能夠提前確保鍍金的膜厚，因此浸漬時間為20分鐘。

[ENIG工序或ENEPIG工序中鍍金的膜厚測定]

將上述ENIG工序的樣品I和ENEPIG工序的樣品I形成的鍍金的膜厚用熒光X射線膜厚儀測定。并且，特別是，將ENEPIG工序中的鍍鈀上的鍍金的膜厚為0.05μm以上的情況評價為可適用于ENEPIG工序的鍍金浴。

[通過SEM觀察鍍鎳腐蝕的有無]

針對將ENIG工序的樣品I的鍍金用剝金液除去而露出的鍍鎳表面，用SEM在倍率5000倍下觀察，確認腐蝕痕的有無。而后將確認到腐蝕痕的樣品評價為鍍鎳腐蝕性“有”，將沒有確認到腐蝕痕的樣品評價為鍍鎳腐蝕性“無”。作為參考圖1和圖2中示出了SEM觀察照片。圖1為沒有確認到鍍鎳的腐蝕痕的本發明實施例的照片，圖2為確認到鍍鎳的腐蝕痕的比較例的照片。

[鍍金的外觀觀察]

將上述ENIG工序的樣品I和ENEPIG工序的樣品I的鍍金表面用肉眼觀察。而后，呈現均勻金色的鍍層外觀的樣品評價為“良好”，不是金色而是變為紅色的鍍層外觀評價為“不良”。

[焊接性和引線鍵合(W/B)性評價用樣品的制作]

〔ENIG工序的樣品〕

焊接性和W/B性評價中使用的ENIG工序的樣品，準備上村工業株式會社BGA基板(焊盤直徑)，在該基板上，與上述ENIG工序的樣品I相同地，使用化學鍍鎳浴(上村工業株式會社制NPR-18)，通過化學鍍法形成5.0μm厚度的鍍鎳，接下來，使用如表1所示的化學鍍金浴，實施化學鍍金。以下將該樣品稱為“ENIG工序的樣品II”。

〔ENEPIG工序的樣品〕

焊接性和W/B性評價中使用的ENEPIG工序的樣品，準備上村工業株式會社BGA基板(焊盤直徑φ0.5mm)，在該基板上，與上述ENEPIG工序的樣品I相同地，使用化學鍍鎳浴(上村工業株式會社制NPR-18)，通過化學鍍法形成5.0μm厚度的鍍鎳，接下來在該鍍鎳上，使用化學鍍鈀浴(上村工業株式會社制TFP-30)，通過化學鍍法形成0.05μm厚度的鍍鈀，進一步地，使用如表1所示的化學鍍金浴，實施化學鍍金。以下將該樣品稱為“ENEPIG工序的樣品II”。

[焊接性的評價]

使用上述ENIG工序的樣品II和ENEPIG工序的樣品II，使用Dage社制Bondtester SERIES 4000每一個條件評價為20分。具體地，表1的各No.中依次測定以下合計4個條件×20＝80分的焊接強度，

使用ENIG工序的樣品II，下述回流次數為1次的情況；

使用ENEPIG工序的樣品II，下述回流次數為1次的情況；

使用ENIG工序的樣品II，下述回流次數為5次的情況；以及

使用ENEPIG工序的樣品II，下述回流次數為5次的情況。

作為該焊接強度，求出斷裂模式的焊接斷裂率。焊接形成和焊接強度的測定條件如下所示。本實施例中，將焊接斷裂率為85％以上的情況評價為焊接性“良”，焊接斷裂率不足85％的情況評價為焊接性“不良”。

〔焊料形成和焊接強度測定的條件〕

測定方式：焊球拉拔測試

焊球：千住金屬制φ0.6mm Sn-3.0Ag-0.5Cu

回流裝置：田村制作所制TMR-15-22LH

回流條件：Top 240℃

回流環境：空氣

回流次數：1次或5次

燒瓶：千住金屬制529D-1(RMA型)

測試速度：5000μm/秒

焊安裝后的老化(半田マウント後エージング)：1小時

[引線鍵合(W/B)性的評價]

使用上述ENIG工序的樣品II和ENEPIG工序的樣品II，通過TPT社制半自動引線鍵合器HB16進行引線鍵合，由Dage社制Bondtester SERIES 4000每一個條件評價為20分。具體地，表1的各No.中依次測定在使用ENIG工序的樣品II的情況下和使用ENEPIG工序的樣品II的情況下，合計2個條件×20＝40分的引線鍵合強度(W/B強度)，算出其平均值的W/B平均強度和標準差。進一步地，以其為基準求出變異系數(＝標準差÷平均值×100)。引線鍵合形成條件和引線鍵合性評價的條件如下所示。并且將W/B平均強度為8gf以上，且變異系數為15％以下的情況評價為引線鍵合性“良”，將上述W/B平均強度和變異系數中的至少一項在上述范圍外的情況評價為引線鍵合性“不良”。

〔引線鍵合形成和引線鍵合性評價的條件〕

毛細管：B1014-51-18-12(PECO)

引線：1Mil-Gold

階段溫度：150℃

超聲波(mW)：250(1st)，250(2nd)

鍵合時間(毫秒)：200(1st)，50(2nd)

拉力(gf)：25(1st)，50(2nd)

步長(第一到第二的長度)：0.700mm

測定方式：拉線測試

測試速度：170μm/秒

并且，在本實施例中，將上述焊接性和上述引線鍵合性均為“良”的情況，評價焊接性和W/B性“良好”，將上述焊接性和上述引線鍵合性有一項“不良”的情況，評價焊接性和W/B性“不良”。

[鍍浴穩定性的評價]

將表1所示的各鍍浴組成的化學鍍金浴在70℃的溫度下放置一個月，評價鍍浴的穩定性。放置一個月也不分解的化學鍍金浴評價為“穩定”，未經過一個月就分解的化學鍍金浴評價為“不穩定”。

其結果合并記載于表1。

表1

由表1可知如下情況。No.1-6中，使用將規定的甲酸類和肼類并用的鍍金浴進行鍍金，鍍金的膜厚在ENEPIG工序的情況下也能夠充分保證，且ENIG工序中鍍鎳的腐蝕也得到抑制，得到良好的鍍外觀。此外，這些實施例均能夠良好地進行焊接和引線鍵合接合。并且，由No.1-3和No.4的對比可以看出，從確保充分的鍍浴穩定性的觀點來看，優選為還含有具有硝基的化合物的鍍金浴。此外，由No.3和No.5的對比可以看出，優選地甲酸類的含量為推薦的上限以下(100g/L以下)。

相對于此，No.7-10不含有規定的甲酸類和肼類中的任意一個，發生缺陷。具體地，No.7和No.8由于不含有甲酸類，發生鍍鎳的腐蝕。其結果是焊接性和W/B性變差。此外No.9為不含有肼類的例子。該例子中，ENEPIG工序中的鍍金的膜厚變薄。此外No.10為用抗壞血酸代替肼類作為還原劑，與甲酸類并用的例子。在該例中，ENEPIG工序中的鍍金的膜厚變薄。此外No.9和10中鍍金的外觀變為紅色。這樣的變為紅色產生不良的原因是焊接性和W/B性變差。