專利名稱：低溫真空鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及真空電鍍領域，特別涉及一種低溫真空鍍膜裝置。
背景技術：
常見的真空電鍍，被鍍的產品一般都是金屬制品，因為在真空電鍍條件下，溫度都比較高，傳統的濺射鍍膜也必須在高溫條件下形成較密的膜層，塑料制品等不能耐受高溫，否則將引起產品變形。

發明內容
為解決前述存在的問題，本發明提供一種低溫真空鍍膜裝置，該裝置一真空鍍膜腔體與過濾陰極離子真空鍍膜源連接，真空鍍膜腔體設有分子真空泵，并在真空鍍膜腔體設有離子束清洗源，清洗被鍍工件，真空鍍膜腔體溫度低于SOtlC,被鍍工件放置于真空鍍膜腔體內，用過濾陰極離子真空鍍膜源對其鍍膜，膜源的粒子方向是可調整的，可從不同的角度對被鍍工件進行鍍膜。被鍍工件是金屬制品、或是非金屬制品、或是塑料制品、或是橡膠制品。本發明的優點是，被鍍工件即使在小于SOtlC溫度條件下，仍有足夠的鍍層厚度，而且耐磨、耐腐蝕，并且能夠鍍制小型、細薄的塑料制品而不使產品變形，特別適用于某些精細加工行業。


附圖1是本發明主視圖； 附圖2是附圖1的側視圖。
具體實施例方式請參閱附圖1、2所示，本發明是一真空鍍膜腔體3與過濾陰極離子真空鍍膜源1 連接，真空鍍膜腔體3設有分子真空泵4，并在真空鍍膜腔體3設有離子束清洗源，清洗被鍍工件，真空鍍膜腔體3溫度低于80 ,被鍍工件塑料制品，或橡膠制品放置于真空鍍膜腔體 3內，用過濾陰極離子真空鍍膜源1對其鍍膜，膜源1經過濾器2后的粒子方向能夠調整，可以從不同的角度對被鍍工件進行鍍膜。本發明的過濾陰極離子真空鍍膜源1是申請人的專利，屬現有技術。
權利要求
1.一種低溫真空鍍膜裝置，其特征在于，一真空鍍膜腔體與過濾陰極離子真空鍍膜源連接，真空鍍膜腔體設有分子真空泵，并在真空鍍膜腔體設有離子束清洗源，清洗被鍍工件，真空鍍膜腔體溫度低于SOtlC,被鍍工件放置于真空鍍膜腔體內，用過濾陰極離子真空鍍膜源從不同的角度對被鍍工件進行鍍膜。
2.按權利1所述低溫真空鍍膜裝置，其特征在于，所述被鍍工件是金屬制品、或是非金屬制品、或是塑料制品、或是橡膠制品。
全文摘要
本發明公開一種低溫真空鍍膜裝置，該裝置一真空鍍膜腔體與過濾陰極離子真空鍍膜源連接，真空鍍膜腔體設有分子真空泵，并在真空鍍膜腔體設有離子束清洗源，清洗被鍍工件，真空鍍膜腔體溫度低于800C，被鍍工件塑料制品，或橡膠制品放置于真空鍍膜腔體內，用過濾陰極離子真空鍍膜源對其鍍膜，膜源的粒子方向能調整，可從不同角度對準被鍍工件進行鍍膜。本發明的優點是，被鍍工件即使在小于800C溫度條件下，仍有足夠的鍍層厚度，而且耐磨、耐腐蝕，并且能夠鍍制小型、細薄的塑料制品而不使產品變形，特別適用于某些精細加工行業。
文檔編號C23C14/02GK102534506SQ20121001819
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月20日 優先權日2012年1月20日
發明者史旭 申請人:納峰真空鍍膜(上海)有限公司