專利名稱：鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現行電鍍鉻工藝的制作方法
技術領域：
本發明屬材料表面技術領域，涉及到用真空離子鍍エ藝鉻代替現行電鍍裝飾鉻和離子鍍超硬鉻代替電鍍硬鉻エ藝方法。
背景技術：
現行電鍍裝飾鉻和電鍍硬鉻エ藝，廣泛應用在材料表面抗大氣腐蝕裝飾鍍膜和耐磨鍍膜。現行電鍍鉻エ藝方法上掛具-化學除油一水洗-電化學除油一水洗一酸活化-含氰電鍍銅打底-水洗一鍍光亮鎳-水洗一鍍鉻一水洗一烘干-檢驗-包裝-入庫.
現行電鍍鉻エ藝缺點是電鍍エ藝使用酸堿鹽嚴重污染環境；電鍍過程中產生有毒物質如六價鉻，使用氰化物等對人體有害；電鍍層中有鎘、鎳元素，易引起皮膚癌；電鍍膜與エ件之間沒有過渡層，影響附著性。

發明內容
本發明要解決的技術問題是根除現行電鍍鉻エ藝的缺點。本發明技術方案是采用真空陰極電弧鍍-磁控濺射-電子束離子鍍技術，如圖I所示。本發明エ藝過程步驟ーエ件6材質鋼鐵、鋅基合金，經拋光清洗烘干裝入真空窒I中。步驟ニ 真空室I抽真空5，真空度達到(l-3)X10_3Pa。步驟三開動加熱裝置8，鋼鐵エ件6加熱溫度< 200°C，鋅基合金工件6加熱溫度く IOO0Co步驟四エ件6濺射清洗，由離子源通入氬氣(Ar) 11，真空度調至l_5Pa，開動エ件6脈沖負偏壓電源4，エ件6上施加脈沖負偏壓エ藝電壓-(900— 2000) V，占空比50%—70%,濺射清洗時間10-20min。步驟五エ件6離子鍍底膜鉻(Cr)或鋯(Zr)代替現行電鍍鉻エ藝中氰電鍍銅層，膜層與エ件6表面形成形成0. 5-4微米(P)厚度的過渡層，提高鍍膜附著性，詳見圖2及圖3，井能防止鋅基合金中鋅(Zn)元素在真空離子鍍過程中揮發，真空室I抽真空5，由離子源通入氬氣(Ar) 11，真空度調至(3-5) XIO-lPa，開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鉻(Cr)或鋯(Zr)原子沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為350V—550V,開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-200V，占空比 10-30%,時間 4-8min — -400V 占空比 10-30% 時間 2_4min — -600V 占空比 10-30% 時間 2-4min — - (900— 2000) V 占空比 10-30% 時間 6-lOmin — -300V 占空比 10-30% 時間2-4min。步驟六エ件6離子鍍耐蝕鍍膜代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鎳層，陰極電弧離子鍍氮化鋯(ZrN)、或氮化鉻(CrN)，離子鍍氮化鋯(ZrN)及氮化鉻(CrN)鍍膜耐蝕性好于現行電鍍鉻エ藝中電鍍鎳層，詳見表I、表2，氮化鉻(CrN)鍍層硬度好于現行電鍍硬鉻，詳見表4，真空室I真空度調至在(3—5對10_中&，由離子源通入氬(Ar)和氮氣(N2) 11，開動陰極電弧源電源9，從陰極電弧源10靶材上濺射出高能量粒子鋯(Zr)或鉻(Cr)，并與氮離子(N+)相互作用形成氮化鋯(ZrN)或氮化鉻(CrN)沉積在エ件6表面上，每個弧源電流達到額定電流80A或100A或120A，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-100 V -300V,占空比 20% 70%，鍍膜時間 60_120min。步驟七エ件6離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦(Ti3O5)或三氧化ニ鋁(Al2O3)或ニ氧化硅(SiO2)或氧化鋯(ZrO2)或氧化鋅(ZnO)提高離子鍍膜光亮性，真空室I真空度調至在(5—8) X10_2Pa，由離子源通入氬氣(Ar)和氧氣(02) 11，開動e型電子槍7，從e型電子槍7上坩堝中蒸發出五氧化三鈦(Ti3O5)或三氧化ニ鋁(Al2O3)或ニ氧化硅(Si02)或氧化鋯(ZrO2)或氧化鋅(ZnO)，沉積在エ件6表面上，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V，占空比10%-30%，時間10-60min，步驟七開始操作時間是在步驟六最后余下5min時開始,便于金屬化合物光亮劑與離子鍍氮化錯(ZrN)、或氮化鉻(CrN)鍍膜進行摻雜，提高鍍膜光亮性和附著性。
步驟八エ件6離子鍍鉻(Cr)或離子鍍鈷(Co)代替現行電鍍裝飾鉻エ藝中電鍍鉻層，離子鍍鉻(Cr)或離子鍍鈷(Co)鍍膜耐蝕性好于現行電鍍鉻エ藝中鍍鉻層，詳見表
I，表2，真空室I仃止送入氮氣(N2 )，真空度調至在(3—5 )X10^Pa,開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鉻(Cr)或鈷(Co)原子并沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為350V — 550V，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-100 V-300V,占空比20% 70%，鍍膜時間IOmin 30min。步驟九鋼鐵エ件真空離子鍍超硬鉻鍍膜エ藝代替現行電鍍硬鉻エ藝，開動陰極電弧源電源9，從陰極電弧源10靶材上濺射出高能粒子鉻(Cr)與氮離子(N+)相互作用形成氮化鉻(CrN)沉積在エ件6表面上，每個弧源電流達到額定電流80A或100A或120A，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-100 V -300V,占空比30% 70%，鍍膜時間60-120min，仃止送入氮氣，真空度調至3_5X10_lpa，開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鉻(Cr)原子并沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為350V—550V,開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-100V -300V,占空比(20% 70%)，鍍膜時間IOmin 30min。離子鍍氮化鉻(CrN)鍍層硬度好于現行電鍍硬鉻，離子鍍氮化鉻(CrN)和廠離子鍍鉻(Cr)復合鍍膜其硬度也好于現行電鍍硬鉻，詳見表4。步驟十エ件6離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦(Ti3O5)或三氧化ニ鋁(Al2O3)或ニ氧化硅(SiO2)或氧化鋯(ZrO2)或氧化鋅(ZnO)提高離子鍍膜光亮性，真空室I真空度調至在(5—8)X10_2Pa，由離子源通入氬氣(Ar)和氧氣(02) 11，開動e型電子槍7，從e型電子槍7上坩堝中蒸發出五氧化三鈦(Ti3O5)或三氧化ニ鋁(Al2O3)或ニ氧化硅(SiO2)或氧化鋯(ZrO2)或氧化鋅(ZnO)沉積在エ件6表面上，鍍膜時間為10 — 60min，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-200V，占空比10-30%，時間10-60min,步驟九開始操作時間是在步驟八最后余下5min時開始,便于金屬化合物光亮劑與鉻(Cr)或鋯(Co)進行摻雜，提高鍍膜光亮性和附著性。步驟^^一 真空室冷卻，冷卻至70— 80°C后打開爐門取出エ件。
步驟十二 鍍膜性能檢測。步驟十三質量檢查合格入庫。本發明エ藝優點I、在真空條件下進行エ藝操作，不用酸堿鹽，不允許用液體，沒有三廢排放，對環境沒有污染，不需治理污染投資。2、生產過程中不產生六價鉻、不用氰化物，離子鍍對人體無害。3、離子鍍層沒有鎘、鎳元素不會易弓I起皮膚癌。4、鍍膜與基材之間可以形成0. 5-4微米(U )寬度過渡層，所以鍍膜的附著性比電鍍膜好，如圖2、圖3、圖4所示。
5、離子鍍氮化鉻和氮化鋯耐蝕性好于電鍍鎳，離子鍍鉻和鈷耐蝕性好于電鍍鉻，如表I、表2、表3所不。6、離子鍍氮化鉻(CrN)及離子鍍氮化鉻+離子鍍鉻復合鍍層硬度均高于現行電鍍硬鉻，如表4所示。本發明的效果和益處是鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍裝飾鉻エ藝和離子鍍超硬鉻代替電鍍硬鉻エ藝，根除電鍍對環境污染及對人體危害。


附圖I是陰極電弧鍍-磁控濺射-電子束離子鍍裝置示意圖。圖中1真空室；2磁控濺射靶；3磁控濺射靶電源；4脈沖偏壓電源；5抽真空；6エ件；7e型電子槍；8加熱裝置；9陰極電弧源電源；10陰極電弧源；11通入Ar、N2、02離子源。附圖2是鋼鉄工件與離子鍍鉻膜之間過渡層電子探針分析圖。圖中(a)エ件脈沖負偏壓-500V、(b)エ件脈沖負偏壓-1000V(C)エ件脈沖負偏壓-1500V、(d)エ件脈沖負偏壓-2000V。エ件隨脈沖負偏壓增加，其過渡層也加寬，其厚度為0. 5-4微米(ii )。附圖3是鋅基合金離子鍍鉻電子探針分析圖。鋅基合金離子鍍鉻，エ件施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-980V占空比20%，時間6min,可形成0. 8微米(MO厚度過渡層。附圖4是鋼鉄工件與離子鍍鉻膜之間過渡層電子探針分析圖中エ件脈沖負偏壓-1500V，鋼鐵エ件與離子鍍鉻膜之間過渡層，其厚度為3微米(ii )。
具體實施例方式以下結合技術方案和附圖詳細敘述本發明的具體實施方式
。實施例I.鋼鐵エ件真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍裝飾鉻エ藝采用陰極電弧鍍-磁控濺射-電子束離子鍍技術如圖I所示，進行鋼鉄工件真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍裝飾鉻エ藝。エ件名稱小五金、窗框，エ件材質普通碳鋼步驟ーエ件6經拋光清洗烘干裝入真空窒I中。步驟ニ 真空室I抽真空5，真空度達到3X10_3Pa。
步驟三開動熱加熱裝置8，エ件6溫度く 200 V。步驟四エ件6濺射清洗，由離子源通入氬氣(Ar)ll，真空度調至5Pa，開動エ件6脈沖負偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-1500V，占空比70%，濺射清洗時間15min。步驟五エ件6離子鍍底膜鉻(Cr)代替現行電鍍鉻エ藝中含氰電鍍銅，膜層與エ件6表面形成2微米ひ)厚度的過渡層，提高鍍膜附著性，詳見圖2，真空室I抽真空5，由離子源通入氬氣(Ar)ll，真空度調至3X10-lPa，開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鉻(Cr)原子沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為480V，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負變偏壓エ藝電壓-100V — -800V占空比20%時間2min — -1000V占空比20%時間IOmin — -300V占空比20%時間2min。步驟六エ件6離子鍍耐蝕鍍膜代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鎳層，陰極電離子鍍氮化鋯(ZrN)，離子鍍氮化鋯(ZrN)鍍膜耐蝕性比電鍍鎳層好，詳見表I，真空室I真空度 調至在3X10^8，由離子源通入氬(Ar)和氮氣(N2) 11，開動陰極電弧源電弧源電源9，從陰極電弧源10上濺射出高能量鋯(Zr)粒子，與氮離子(N+)相互作用形成氮化鋯(ZrN)，沉積在エ件6表面上，每個弧源電流達到額定電流100A，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V，占空比50%，鍍膜時間120min。步驟七エ件6離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦(Ti3O5)提高鍍膜光亮性，真空室I真空度調至在8X10_2Pa，由離子源通入氬(Ar)及氧氣(02)11，開動e_型電子槍7，從e_型電子槍7上坩堝中蒸發出五氧化三鈦(Ti3O5)沉積在エ件6表面上。開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V，占空比20%時間20min，步驟七開始操作時間是在步驟六最后余下5min時開始，便于金屬化合物光亮劑與離子鍍氮化鋯(ZrN)鍍膜進行摻雜，提高鍍膜光亮性和附著性。步驟八エ件6離子鍍鉻(Cr)代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鉻層，離子鍍鉻(Cr)鍍層耐蝕性比電鍍鉻層好，詳見表1，真空室I仃止送入氮氣(N2) 11真空度調至在3X10^Pa,開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鉻(Cr)并沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為-450V，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V，占空比50%，鍍膜時間20min。步驟九エ件6離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦(Ti3O5)提高鍍膜光亮性，真空室I真空度調至在8X10_2Pa，由離子源通入氬(Ar)及氧氣(02)11，開動e_型電子槍7，從e_型電子槍7上坩堝中蒸發出五氧化三鈦(Ti3O5)沉積在エ件6表面上，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-200V，占空比20%，時間20min，步驟九開始操作時間是在步驟八最后余下5min時開始，便于金屬光亮劑與鉻(Cr)進行摻雜，提高鍍膜光亮性和附著性。步驟十真空室冷卻，冷卻至80°C后打開爐門取出エ件。步驟十一鋼鐵真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍裝飾鉻性能測試。I.鋼鐵エ件與離子鍍鉻膜之間過渡層電子探針分析結果，如圖2所示，エ件隨脈沖負偏壓增加，其過渡層也加寬，其厚度為0. 5-4微米(ii )。2.鍍膜耐蝕性測試，測試項目極化曲線測試結果，如表I所示，測試條件設備名稱Corrtest-CS350電化學工作站，輔助電極為Pt電極，參比電極為Ag/AgCl電極腐蝕液為3. 5%NaCl溶液，水域溫度25°C。表I鍍膜耐蝕性測試結果
材料自腐蝕電位Ecorr (mV)
電鍍鉻(Cr)-443. 9
電鍍鎳(Ni)-507. 7
離子鍍氮化鋯(ZrN)-420mV
離子鍍鉻(Cr)-314.1_
結論根據自腐蝕電位越高耐蝕性越好原則(I)離子鍍氮化鋯(ZrN)耐蝕性都好于電鍍鎳，完全可以代替電鍍鎳。(2)離子鍍鉻(Cr)耐蝕性都好于電鍍鉻。步驟十二 質量檢查合格入庫。實施例2.鋅基合金真空離子鍍鈷エ藝代替現行電鍍裝飾鉻エ藝，采用陰極電弧鍍-磁控濺射-電子束離子鍍技術如圖I所示，進行鋅基合金真空離子鍍鈷エ藝代替現行電鍍裝飾鉻エ藝。エ件名稱門窗把手、水龍頭、浴室器具，材質鋅基合金步驟ーエ件6經拋光、清洗、烘干裝入真空窒I中。步驟ニ 真空室I抽真空5，真空度達到3X10_3Pa。步驟三エ件6開動加熱裝置8，エ件6溫度< 90°C。步驟四エ件6濺射清洗，由離子源通入氬氣(Ar)ll，真空度調至2Pa，開動エ件6沖負偏壓電源4，エ件6上施加脈沖負偏壓エ藝電壓-980V，占空比60%，濺射清洗時間15min。步驟五エ件6離子鍍底膜鉻(Cr)代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍含氰銅層，膜層與エ件6表面形成0. 8微米(P)厚度的過渡層，提高鍍膜附著性，詳見圖3，井能防止鋅基合金中鋅(Zn)元素在真空離子鍍過程中揮發，真空室I抽真空5，由離子源通入氬氣(Ar)ll，真空度調至4X10-lPa，開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鉻(Cr)原子并沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為450V，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-200V占空比20%，時間6min — -400V占空比20%時間2min — -600V占空比20%時間2min — -980V占空比20%時間6min — -300V占空比20%時間2min。步驟六エ件6離子鍍耐蝕鍍膜代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鎳層，陰極電弧離子鍍氮化鉻(CrN)，離子鍍氮化鉻(CrN)鍍膜耐蝕性比電鍍鎳層好，詳見表2，真空室I真空度調至在4X10^8，由離子源通入氬(Ar)和氮氣(N2) 11，開動陰極電弧源電弧源電源9，從陰極電弧源10上濺射出高能量粒子鉻(Cr)，與氮離子(N+)相互作用形成氮化鉻(CrN)，沉積在エ件6表面上，每個弧源電流達到額定電流100A，開動エ件6脈沖偏壓電源4エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V，占空比48%，鍍膜時間120min。步驟七エ件6離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜三氧化ニ鋁(Al2O3)提高離子鍍膜光亮性，真空室I真空度調至在8X10_2Pa，由離子源通入氬氣(Ar)和氧氣(02)11，開動e型電子槍7，從e型電子槍7上坩堝中蒸發三氧化ニ鋁(Al2O3)沉積在エ件6表面上，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V，占空比20%，時間15min，步驟七開始操作時間是在步驟六最后余下5min時開始，便于金屬化合物光亮劑與離子鍍氮化鉻(CrN)鍍膜進行摻雜，提高鍍膜光亮性和附著性。步驟八エ件6離子鍍鈷(Co)代替現行電鍍鉻エ藝中鍍鉻層，離子鍍鈷(Co)鍍膜耐蝕性比電鍍鉻層好，詳見表2，真空室I仃止送入氦氣(N2)ll，真空度調至在AXKT1Pa,開動磁控濺射靶電源3，從磁控濺射靶2上濺射出鈷(Co)原子并沉積在エ件6表面上，磁控濺射靶電源3電壓為450V，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖負偏壓エ藝電壓-200V占空比50%鍍膜時間20min。步驟九エ件6離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜三氧化ニ鋁(Al2O3)提高離子鍍膜光亮性，真空室I真空度調至在8X10_2Pa，由離子源通入氬氣(Ar)和氧氣(O2) 11，開動e型電子槍7，從e型電子槍7上坩堝中蒸發三氧化ニ鋁(Al2O3)沉積在エ件6表面上，開動エ件6脈沖偏壓電源4，エ件6施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-200V，占空比20%，時間15min，步驟九開始操作時間是在步驟八最后余下5min時開始，便于金屬光亮劑與鈷(Co)進行摻雜，提高鍍膜光亮性和附著性。步驟十真空室冷卻，冷卻至70°C后打開爐門取出エ件。步驟十一鋅基合金真空離子鍍鈷エ藝代替現行電鍍裝飾鉻性能測試，I.鋅基合金工件與離子鍍鉻膜之間過渡層電子探針分析結果，如圖3所示，鋅基合金離子鍍鉻，エ件施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-980V占空比20%時間6min，可形成0. 8微米厚度過渡層。2.鍍膜耐蝕性測試，測試項目極化曲線測試結果如表2所示，測試條件設備Corrtest-CS350電化學工作站，腐蝕液為3. 5%NaCl溶液，水域溫度25°C。表2鍍膜耐蝕性測試結果
權利要求
1.一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍鉻エ藝，其特征是鋼鐵、鋅基合金工件(6)采用真空陰極電弧鍍-磁控濺射-電子束離子鍍技術，進行離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍裝飾鉻エ藝和離子鍍超硬鉻代替電鍍硬鉻，離子鍍底膜鉻代替現行電鍍鉻エ藝中含氰電鍍銅層，防止鋅基合金工件(6 )鋅元素揮發，離子鍍膜與エ件(6 )之間形成過渡層提高離子鍍膜附著性，離子鍍氮化鋯或氮化鉻代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鎳層，離子鍍鉻或離子鍍鈷代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鉻層，離子鍍氮化鉻和離子鍍鉻復合鍍膜代替電鍍硬鉻，離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦(Ti305)或三氧化ニ鋁(A1203)或ニ氧化硅(Si02)或氧化鋯(Zr02)或氧化鋅(ZnO)提高離子鍍膜光亮性。
2.根據權利要求I所述的ー種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍鉻エ藝，其特征是エ件(6)施加脈沖變負偏壓エ藝電壓-200V占空比10-30%時間4-8min —-400V 占空比 10-30% 時間 2_4min —-600V 占空比 10-30% 時間 2_4min —-(900—2000) V占空比10-30%時間6-10min — -300V占空比10-30%時間2_4min，離子鍍底膜鉻(Cr)代替現行電鍍鉻エ藝中止氰電鍍銅，膜層與エ件(6)之間形成0. 5-4微米(P)厚度的過渡層，提高鍍膜附著性，同時也防止鋅基合金中鋅(Zn)元素在真空離子鍍過程中揮發。
3.根據權利要求I所述的ー種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍鉻エ藝，其特征是離子鍍耐蝕鍍膜氮化鋯(ZrN)或氮化鉻(CrN)代替現行電鍍鉻エ藝中電鍍鎳層。
4.根據權利要求I所述的ー種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍鉻エ藝，其特征是離子鍍鉻或離子鍍鈷代替現行電鍍裝飾鉻エ藝中電鍍鉻層。
5.根據權利要求I所述的ー種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍鉻エ藝，離子鍍氮化鉻和離子鍍鉻復合鍍膜代替電鍍硬鉻。
6.根據權利要求I所述的ー種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻エ藝代替現行電鍍鉻エ藝，其特征是離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜五氧化三鈦(Ti305)或三氧化ニ鋁(A1203)或ニ氧化硅(Si02)或氧化鋯(Zr02)或氧化鋅(ZnO)提高離子鍍膜光亮性。
全文摘要
一種鋼鐵、鋅基合金真空離子鍍鉻工藝代替現行電鍍鉻工藝，屬于材料表面技術領域。其特征是離子鍍鉻工藝代替現行電鍍裝飾鉻工藝和離子鍍超硬鉻代替電鍍硬鉻。工件與真空室之間，施加有脈沖負變偏壓，電壓為100-2000V，膜層與工件之間有0.5－4微米(μ)的過渡層提高鍍膜附著性，離子鍍氮化鋯、或氮化鉻代替現行電鍍裝飾鉻工藝中電鍍鎳層；離子鍍鉻或鈷代替電鍍裝飾鉻工藝中電鍍鉻層；離子鍍超硬鉻代替電鍍硬鉻，離子鍍金屬化合物光亮劑鍍膜，如三氧化二鋁或二氧化硅提高離子鍍膜光亮性。本發明的效果和益處是膜層中沒有Ｎｉ元素，對人體無害；沒有三廢排放無須治理；附著性好，致密性好，耐蝕性強，硬度高耐磨性好。
文檔編號C23C14/16GK102787297SQ20121025392
公開日2012年11月21日 申請日期2012年7月20日 優先權日2012年7月20日
發明者牟宗信, 王清, 王英敏, 羌建兵, 董闖, 陳寶清 申請人:大連理工大學