專利名稱：成膜裝置和基板處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及依次向基板供給多個種類的處理氣體來對基板進行成膜處理的成膜裝置和基板處理裝置。
背景技術：
作為一種對半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)等基板形成例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法，可列舉出依次向基板的表面供給彼此反應的多個種類的處理氣體來層疊反應生成物的ALD (Atomic Layer Deposition :原子層沉積)法。作為使用該ALD法來進行成膜處理的成膜裝置，例如，如專利文獻I所記載的那樣，公知如下的裝置在設在真空容器內的旋轉臺上沿周向排列多張基板，并且例如使旋轉臺相對于與旋轉臺相對地配置的多個氣體供給部旋轉，由此，依次向上述基板供給各處理氣體。另外，在ALD法中，與通常的CVD (Chemical Vapor Deposition :化學氣相沉積)法相比，晶圓的加熱溫度(成膜溫度)較低，例如為300°C左右，因此，例如有時處理氣體中所含的有機物等會作為雜質進入到薄膜中。因此，例如，如專利文獻2所記載的那樣，認為通過在進行薄膜的成膜的同時使用等離子體進行改性處理，能夠將這樣的雜質從薄膜中去除，或者能夠使這樣的雜質減少。然而，在旋轉臺上形成等離子體來進行上述改性處理的情況下，旋轉臺的中心部側的速度與外周部側的速度不同。即，在晶圓的面內，上述旋轉臺的中心部側暴露在等離子體中的時間與旋轉臺的外周側暴露在等離子體中的時間不同。其結果，存在有可能難以在晶圓的面內均勻地進行處理而膜厚的均勻性降低這種問題。雖然專利文獻2的發(fā)明也對提高膜厚的均勻性的方法進行了 記載，但需要更高的均勻性。專利文獻1:日本特開2010 - 239102專利文獻2 :日本特開2011 — 4057
發(fā)明內容
本發(fā)明是在這樣的情況下做成的，其目的在于提供一種在使多個處理部依次通過、依次供給多個種類的處理氣體并且進行等離子體處理時、能夠均勻地對基板進行處理的技術。本發(fā)明的一實施方式的成膜裝置通過在真空容器內使在基板載置區(qū)域上載置有基板的旋轉臺旋轉而使上述基板公轉來使多個處理部依次通過，由此進行依次供給多個種類的處理氣體的循環(huán)來對基板進行成膜處理，其中，該成膜裝置包括氣體供給部，其用于向上述旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面供給等離子體生成用的氣體；天線，其以從上述旋轉臺的中央部延伸到外周部的方式與該旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面相對地設置，用于通過電感耦合來使上述等離子體生成用的氣體等離子體化，
上述天線以其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的中央部側的部分之間的分開距離比其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的外周部側的部分之間的分開距離大3mm以上的方式配置。本發(fā)明的一實施方式的基板處理裝置通過在真空容器內使在基板載置區(qū)域載置有基板的旋轉臺旋轉而使上述基板公轉來使多個處理部依次通過，由此進行依次供給多個種類的處理氣體的循環(huán)來對基板進行氣體處理，其中，該基板處理裝置包括氣體供給部，其用于向上述旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面供給等離子體生成用的氣體；天線，其以從上述旋轉臺的中央部延伸到外周部的方式與該旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面相對地設置，用于通過電感耦合來使上述等離子體生成用的氣體等離子體化，上述天線以其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的中央部側的部分之間的分開距離比其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的外周部側的部分之間的分開距離大3mm以上的方式配置。


圖1是本發(fā)明的第I實施方式的成膜裝置的縱剖側視圖。圖2是上述成膜裝置的概略剖視立體圖。圖3是上述成膜裝置的橫剖俯視圖。圖4是構成上述成膜裝置的等離子體生成部的縱剖側視圖。圖5是上述等離子體生成部的縱剖主視圖。圖6是上述等離子體生成部的分解立體圖。圖7是說明晶圓與天線之間的位置關系的說明圖。圖8是表示形成在上述成膜裝置中的氣流的說明圖。圖9是由上述等離子體生成部產生的等離子體的示意圖。圖10是表示構成等離子體生成部的天線的另一例的側視圖。圖11是表示上述天線的又一例的側視圖。圖12是第2實施方式的等離子體生成部的立體圖。圖13是上述第2實施方式的等離子體生成部的縱剖側視圖。圖14是上述第2實施方式的等離子體生成部的縱剖側視圖。圖15是第3實施方式的等離子體生成部的立體圖。圖16是上述第3實施方式的等離子體生成部的縱剖側視圖。圖17是上述第3實施方式的等離子體生成部的縱剖側視圖。圖18是第4實施方式的等離子體生成部的立體圖。圖19是構成上述第4實施方式的成膜裝置的控制部的框圖。圖20是評價試驗所使用的天線的側視圖。圖21是評價試驗所使用的天線的側視圖。圖22是評價試驗所使用的天線的側視圖。圖23是評價試驗所使用的天線的俯視圖。
圖24是評價試驗所使用的天線的俯視圖。圖25是表示評價試驗的結果的曲線圖。圖26是表示評價試驗的結果的曲線圖。圖27是表示評價試驗的結果的曲線圖。
具體實施例方式第I實施方式參照圖1 圖3說明本發(fā)明的實施方式的成膜裝置I。圖1、圖2及圖3分別是成膜裝置I的縱剖側視圖、概略剖視立體圖及橫剖俯視圖。該成膜裝置I利用ALD法在晶圓W的表面上層疊反應生成物來形成薄膜，并且對該薄膜進行等離子體改性。成膜裝置I包括大致圓形的扁平的真空容器11和水平地設在真空容器11內的圓形的旋轉臺2。真空容器11的周圍是大氣氣氛，在成膜處理過程中將真空容器11的內部空間形成為真空氣氛。該真空容器11由頂板12和容器主體13構成，該容器主體13構成了真空容器11的側壁及底部。圖1中的附圖標記Ila是用于將真空容器11內保持成氣密的密封構件，附圖標記13a是用于封堵容器主體13的中央部的罩。旋轉臺2連接于旋轉驅動機構14,借助旋轉驅動機構14繞其中心軸線沿周向旋轉。如圖2所示，在旋轉臺2的表面?zhèn)?一面?zhèn)?沿著上述旋轉方向形成有5個作為基板載置區(qū)域的凹部21，將作為基板的晶圓W載置于該凹部21。并且，凹部21上的晶圓W由于旋轉臺2的旋轉而繞上述中心軸線公轉。如圖2所示，設有晶圓W的輸送口 15。另外，如圖3所示，設有用于自由開閉輸送口 15的開閉器16(在圖2中省略)。在各凹部21的底面上沿著旋轉臺2的厚度方向形成有未圖示的3個孔，經(jīng)由該孔升降自由的未圖示的升降銷相對于旋轉臺2的 表面突出或沒入，在晶圓W的輸送機構與凹部21之間交接晶圓W。在旋轉臺2上按照以下的順序沿順時針方向配置有從該旋轉臺2的外周朝向中心延伸的棒狀的第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴32、第2處理氣體噴嘴33、等離子體產生用氣體噴嘴34及分離氣體噴嘴35。在上述的氣體噴嘴31 35的下方，沿著噴嘴長度方向形成有多個噴射口 30。第I處理氣體噴嘴31用于噴射含Si (硅)的BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷、SiH2(NH- C (CH3)3)2)氣體，第2處理氣體噴嘴33用于噴射O3 (臭氧)氣體。等離子體產生用氣體噴嘴34用于噴射例如Ar (氬)氣體和O2氣體的混合氣體(Ar 02 = 100 :0. 5 100 :20左右的體積比)。分離氣體噴嘴32、35用于噴射隊(氮)氣體。如圖1及圖2所示，真空容器11的頂板12具有向下方突出的扇狀的兩個突狀部36，突狀部36在周向上隔開間隔地形成。上述分離氣體噴嘴32、35以分別嵌入在突狀部36中、并且將該突狀部36在周向上分割開的方式設置。上述第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴33與各突狀部36分開地設置。在圖2中，第I處理氣體噴嘴31的下方區(qū)域構成用于使含Si氣體吸附于晶圓W的第I處理區(qū)域P1，第2處理氣體噴嘴33的下方區(qū)域構成用于使O3氣體和吸附于晶圓W的含Si氣體反應的第2處理區(qū)域P2。突狀部36、36的下方構成為分離區(qū)域D、D。在進行成膜處理時，從分離氣體噴嘴32、35向上述分離區(qū)域D供給的N2氣體在該分離區(qū)域D中沿周向擴展，防止BTBAS氣體和O3氣體在旋轉臺2上混合，將上述的氣體向下述的排氣口 23、24沖走。如圖1至3所示，在旋轉臺2的外周側的下方設有環(huán)構件22，在使氟類的清潔氣體在真空容器11內流通時，該環(huán)構件22保護真空容器11的內壁使其不接觸該清潔氣體。在環(huán)構件22的上表面開設有排氣口 23、24，各排氣口 23、24分別與真空泵等真空排氣部件2A連接。排氣口 23將來自第I處理氣體噴嘴31的BTBAS氣體排出，排氣口 24將來自第2處理氣體噴嘴33的O3氣體及從等離子體產生用氣體噴嘴34供給的上述混合氣體排出。另夕卜，從各排氣口 23、24將從分離氣體噴嘴32、35供給的N2氣體排出。如圖2所示，在環(huán)構件22的上表面上設有槽部25，該槽部25對朝向排氣口 24的上述的各氣體進行引導。向旋轉臺2的中心部區(qū)域37供給N2氣體，在頂板12中，經(jīng)由在呈圓形向下方突出的突狀部38上形成的流路39將該N2氣體向旋轉臺2的徑向外側供給，防止各氣體在上述中心部區(qū)域37混合。突狀部38的外周與突狀部36、36的內周連接起來。另外，雖省略了圖示，但也向罩13a內及旋轉臺2的背面?zhèn)裙┙oN2氣體，以便吹掃處理氣體。在真空容器11的底部、即旋轉臺2的下方，在與旋轉臺2分開的位置設有加熱器17。加熱器17向旋轉臺2輻射的輻射熱使旋轉臺2升溫，加熱被載置于凹部21的晶圓W。如圖1所示，在加熱器17表面上設有用于防止在加熱器17表面上成膜的屏蔽件17a。接著，也參照圖4 圖6說明被設于成膜裝置I的等離子體生成部4。圖4是沿著旋轉臺2的徑向觀察等離子體生成部4的縱剖側視圖，圖5是從旋轉臺2的旋轉中心側向外周側觀察等離子體生成部4的縱剖主視圖。圖6是等離子體生成部4的各部分的分解立體圖。等離子體生成部4設于沿上述頂板12的厚度方向貫穿上述頂板12的開口部41。開口部41形成在上述的等離子體產生用氣體噴嘴34的上方側(詳細而言，從比該等離子體產生用氣體噴嘴34略微靠旋轉臺2的旋轉方向上游側的位置起到比該等離子體產生用氣體噴嘴34的上述旋轉方向下 游側的分離區(qū)域D略微靠等離子體產生用氣體噴嘴34側的位置為止)的區(qū)域中。該開口部41形成為俯視大致扇形，從比旋轉臺2的旋轉中心稍微靠外側的位置形成到比旋轉臺2的外緣靠外側的位置。在該開口部41中，例如在整個周向上沿上下方向形成有臺階部42、43，使得該開口部41的開口口徑從頂板12的上端緣朝向下端緣逐漸變小。等離子體生成部4包括天線44、法拉第屏蔽件51、絕緣構件59和構成放電部的殼體61。殼體61是由例如石英等電介體構成的透磁體(磁力可穿透的材質)，以封堵上述開口部41的方式形成為俯視大致扇狀，圖3所示的扇的外形線的夾角為例如68°。殼體61具有厚度為例如20mm的扇狀的水平板62。該水平板62的周緣部向上方突出而形成側壁63，由該側壁63及水平板62形成了凹部64。側壁63的上緣部在整個周向上水平地伸出而形成了凸緣部65。若將該殼體61嵌入到開口部41內，則凸緣部65與下層側的臺階部43彼此卡定。如圖4所示，設有用于將凸緣部65和臺階部43密封的0形環(huán)66。另外，在凸緣部65上設有環(huán)構件60，該環(huán)構件60卡定于上層側的臺階部44，將凸緣部65壓靠于0形環(huán)66而將真空容器11內保持成氣密。在水平板62的下方沿著該水平板62的周緣部形成有突起部67。該突起部67阻止N2氣體及O3氣體向被該突起部67、水平板62及旋轉臺2包圍的等離子體形成區(qū)域(放電空間)68內流入，防止上述的氣體的等離子體彼此反應而生成NOx氣體。另外,該突起部67使等離子體從等離子體形成區(qū)域68到達O形環(huán)66的距離變長，使得上述O形環(huán)66不會暴露在等離子體中而產生微粒，該突起部67還具有使等離子體易于在到達該密封構件66之前失活的作用。上述等離子體產生用氣體噴嘴34經(jīng)由設于突起部67的缺口進入上述等離子體形成區(qū)域68中。等離子體產生用氣體噴嘴34的噴射口 30朝向旋轉臺2的旋轉方向上游側的斜下方開口，使得能夠防止從該旋轉方向上游側流動的O3氣體、N2氣體向等離子體形成區(qū)域68進入。另外，其他的氣體噴嘴的噴射口 30朝向鉛垂下方開口。上述等離子體產生用氣體被上述排氣口 24抽吸，從等離子體形成區(qū)域68的外周側及旋轉方向下游側向該等離子體形成區(qū)域68的外部排出。從旋轉臺2的表面及晶圓W的表面到等離子體形成區(qū)域68的頂部(水平板62)的高度為例如4mm 60mm,在該例子中為30mm。突起部67的下端與旋轉臺2的上表面之間的分開尺寸為0. 5mm 4mm,在該例子中為2mm。該突起部67的寬度尺寸為例如IOmm,該突起部67的高度尺寸為例如28mm。在上述殼體61的凹部64內設有作為電場遮蔽構件的上述法拉第屏蔽件51。法拉第屏蔽件51由金屬板(銅(Cu)板或從下側向銅板鍍鎳(Ni)膜及金(Au)膜而成的板材)構成。法拉第屏蔽件51包括層疊在上述凹部64的水平板62上的底板52和從底板52的外周端在整個周向上向上方側延伸的鉛垂板53，形成為上側開放的箱狀。另外，在從旋轉臺2的旋轉中心部向外周部側觀察法拉第屏蔽件51時，設有從法拉第屏蔽件51分別向右側、左側伸出的緣板54、54，各緣板54設在上述鉛垂板53的上端。各緣板54與設在頂板12的開口部41的緣部的未圖示的導電性構件連接，法拉第屏蔽件51經(jīng)由該導電性構件接地。法拉第屏蔽件51的各部分的厚度尺寸為例如1mm。在法拉第屏蔽件51的底板52上設有多個狹縫55。各狹縫55以與構成下述的天線44的卷繞成線圈狀的金屬線的延伸方向正交的方式延伸，沿著該金屬線的延伸方向隔開間隔地排列，其排列成被在旋轉臺2的徑向上拉長的八邊形狀。雖在各圖中簡略地圖示，但實際上狹縫形成有150個以上。狹縫55的寬度尺寸為Imm 5mm，例如為2mm左右，狹縫55、55之間的分開尺寸為Imm 5mm，例如為2mm左右。另外，在底板52上以被狹縫55包圍的方式形成有上述八邊形狀的開口部56。開口部56與狹縫55之間的分開距離為例如2mm。法拉第屏蔽件51阻止在被施加高頻電的天線44的周圍產生的電場及磁場(電磁場)之中的電場成分向下方去往晶圓W，從而防止對形成在晶圓W的內部的電氣布線造成電損傷，另一方面，使磁場成分經(jīng)由狹縫55向下方通過而在上述等離子體形成區(qū)域68中形成等離子體。另外，上述開口部56的作用在于與狹縫55同樣地使磁場成分通過。在法拉第屏蔽件51的底板52上以覆蓋該底板52的方式層疊有板狀的上述絕緣構件59。該絕緣構件59是為了使天線44與法拉第屏蔽件51絕緣而設置的，由例如石英構成，其厚度尺寸為例如2mm。另外，該絕緣構件59不限于形成為板狀，也可以形成為上側開口的箱狀。 接著，說明天線44。該天線44由例如將銅的表面按照鍍鎳及鍍金的順序覆蓋鍍鎳及鍍金而成的中空的金屬線構成。并且，天線44具有將該金屬線卷繞3層并沿上下方向層疊而成的線圈型電極45，該線圈型電極45的兩端部被朝向上側拉起。將被拉起的該部分記載為被支承端部46、46。金屬線的內部空間構成為利用未圖示的流通機構使用于冷卻該金屬線的冷卻水在該內部空間中流通，以便抑制印加高頻電時的散熱。上述被支承端部46、46分別借助矩形狀的連接構件71、71固定于由例如銅構成的匯流條(bus bar)72、72的一端，從而被支承于該匯流條72、72的一端。各匯流條72、72的另一端在頂板12之上朝向頂板12的外側延伸，經(jīng)由匹配器73連接于頻率為例如13. 56MHz的高頻電源74。匯流條72及連接構件71構成導電路徑，能夠將來自高頻電源74的高頻電供給到線圈型電極45。由此，如上所述，在該線圈型電極45的周圍形成感應電場及感應磁場，在等離子體形成區(qū)域68中形成電感耦合等離子體，成為放電狀態(tài)。天線44的上述線圈型電極45設在上述絕緣構件59上，其周圍被法拉第屏蔽件51的鉛垂板53包圍。進一步說明該線圈型電極45的結構。線圈型電極45俯視看來卷繞成在旋轉臺2的徑向上被拉長的大致八邊形狀。該八邊形狀的角部將直線部分彼此連結起來，構成了折曲的節(jié)部40。并且，線圈型電極45隔著殼體61、法拉第屏蔽件51及絕緣構件59與旋轉臺2相對地設置，如圖4所示，線圈型電極45從晶圓W上的靠旋轉臺2的旋轉中心部側的端部形成到晶圓W上的靠旋轉臺2的外周部側的端部。由此，在該線圈型電極45的下方形成等離子體，從而能夠對晶圓W整體進行等離子體處理。如上所述，若旋轉臺2旋轉，則上述外周部側的圓周速度比上述旋轉中心部側的圓周速度快，在晶圓W的面內，靠外周部側的部分暴露在等離子體中的時間比靠旋轉中心部側的部分暴露在等離子體中的時間短。因此，如圖4所示，從側面看來，天線44的線圈型電極45形成為在上述節(jié)部40處折曲、且靠上述旋轉中心部側這一側比靠外周部側那一側高的山型，天線44的線圈型電極45構成為與旋轉臺2之間的分開距離隨著從外周部側朝向旋轉中心部側去而變大。即，線圈型電極45的靠旋轉中心部側的部位與晶圓W之間的分開距離比線圈型電極45的靠外 周部側的部位與晶圓W之間的分開距離大，在線圈型電極45的靠旋轉中心部側這一側，磁場成分的到達晶圓W為止的衰減量較大。因而，在等離子體形成區(qū)域68中，上述旋轉中心部側的等離子體的強度比外周部側的等離子體的強度弱。圖4中的附圖標記hi表示在絕緣構件59的表面中的、從與晶圓W的從上述旋轉中心部朝向外周部的徑向的中央部重疊的位置到線圈型電極45的高度，在該例子中為2mm 10mm。另外，圖4中的附圖標記h2表示從絕緣構件59的表面到線圈型電極45的靠上述旋轉中心部側的端部的高度，在該例子中為4mm 15mm。天線44的各部的高度位置不限定于該例子。圖7表不從側面觀察線圈型電極45時的載置于凹部21的晶圓W與線圈型電極45之間的位置關系。圖7中h3表示從作為基板載置區(qū)域的凹部21、即晶圓W的靠旋轉臺2的旋轉中心部側的端部到達線圈型電極45為止的分開距離與從該晶圓W的靠旋轉臺2的外周部側的端部到達線圈型電極45為止的分開距離之差。通過以使該h3為3mm以上的方式形成線圈型電極45，如上所述，能夠控制等離子體強度的分布，能夠在晶圓W的面內以較高的均勻性進行處理。另外，在該成膜裝置中設有用于控制裝置整體的動作的由計算機構成的控制部70，在該控制部70的存儲器內存儲有用于進行下述的成膜處理及改性處理的程序。該程序為了執(zhí)行下述的裝置的動作而編入有步驟組，并被從硬盤、光盤、光磁盤、存儲卡、軟盤等存儲介質安裝到控制部70內。接著，參照用于表示各氣體的流動的圖8說明上述實施方式的作用。首先，一邊在打開開閉器16的狀態(tài)下使旋轉臺2間歇性地旋轉，一邊利用未圖示的輸送臂將例如5張晶圓W經(jīng)由輸送口 15載置到旋轉臺2上。接著，關閉開閉器16，利用真空排氣部件2A使真空容器11內成為抽空的狀態(tài)，并且一邊使旋轉臺2以例如120rpm順時針旋轉，一邊利用加熱器17將晶圓W加熱至例如300°C。接著，從第I處理氣體噴嘴31、第2處理氣體噴嘴33分別噴射含Si氣體及O3氣體，并且從等離子體產生用氣體噴嘴34以例如5slm噴射Ar氣體和O2氣體的混合氣體。另夕卜，從分離氣體噴嘴32、35及流路39分別以規(guī)定的流量噴射N2氣體。并且，利用真空排氣部件2A將真空容器11內調整成預先設定的處理壓力、例如133Pa。另外，向天線44供給例如1500W的高頻電。從等離子體產生用氣體噴嘴34噴射的等離子體產生用氣體將碰撞到殼體61的突起部67的下方側、并將要從上述上游側向殼體61的下方的等離子體形成區(qū)域68流入的上述O3氣體、N2氣體向該等離子體形成區(qū)域68的外側驅出。并且，該等離子體產生用氣體被突起部67朝向旋轉臺2的旋轉方向下游側擋回。此時，通過設定為上述的各氣體流量及設置突起部67，使等離子體形成區(qū)域68的壓力比真空容器11內的其他區(qū)域的壓力高例如IOPa左右，由此,也能夠阻止O3氣體、N2氣體向等離子體形成區(qū)域68進入。另外，也抑制從流路39供給的N2氣體向這樣成為正壓的等離子體形成區(qū)域68進入，使該N2氣體以避開該等離子體形成區(qū)域68的方式向旋轉臺2的周緣部流動。而且，由于在第I處理區(qū)域Pl與第2處理區(qū)域P2之間供給N2氣體，因此，如圖8所示，以含Si氣體、O3氣體及等離子體產生用氣體不會彼此混合的方式排出各氣體。
通過旋轉臺2旋轉，在第I處理區(qū)域Pl中，含Si氣體吸附于晶圓W的表面，接著，在第2處理區(qū)域P2中，吸附在晶圓W上的含Si氣體被氧化，形成I層或多層氧化硅膜(SiO2)的分子層。在此，也參照示意性地表示等離子體生成部4的圖9進行說明。利用從高頻電源74供給的高頻電在天線44的線圈型電極45的周圍產生電場及磁場。由于利用法拉第屏蔽件51反射或吸收如上述那樣產生的電場，從而阻止該電場到達等離子體形成區(qū)域68。另一方面，磁場透過法拉第屏蔽件51的狹縫55及殼體61而向旋轉臺2上供給，使從等離子體產生用氣體噴嘴34噴射的等離子體產生用氣體活化，生成離子、自由基等等離子體P。如上所述，天線44的線圈型電極45構成為其與旋轉臺2的距離隨著從旋轉臺2的外周部側朝向旋轉中心部側去而變大，因此，越靠上述旋轉中心部側，磁場的到達旋轉臺2為止的衰減量越大。因而，形成在旋轉臺2的表面的等離子體P的強度隨著從上述外周部側朝向中心部側去而變小。結果，在晶圓W中，越靠上述外周部側，越在等離子體強度較大的氣氛中以比較高的速度通過，越靠上述旋轉中心部側，越在等離子體強度較小的氣氛中以比較低的速度通過。并且，利用這樣形成的等離子體P將形成在晶圓W表面上的氧化硅膜改性。具體而言，例如使有機物等雜質從氧化硅膜中放出，使氧化硅膜內的元素重新排列，從而謀求氧化硅膜的致密化(高密度化)。并且，在氧化硅膜表面上以較高的均勻性形成作為含Si氣體的吸附點(site)的OH基，并且利用晶圓W的表面的O3氣體以較高的均勻性對構成晶圓W表面的Si (硅)進行氧化。旋轉臺2持續(xù)旋轉，這樣對各晶圓W依次重復進行含Si氣體的吸附、利用O3氣體對晶圓W表面進行的氧化、利用等離子體P對氧化硅進行的改性處理，在晶圓W上層疊SiO2分子。若形成了希望的膜厚的SiO2膜，則停止供給各氣體，利用與輸入晶圓W時相反的動作將晶圓W從裝置輸出。在上述的成膜裝置I中，以天線44的靠旋轉臺2的旋轉中心部側的高度比天線44的靠旋轉臺2的外周部側的高度高的方式設有由從側面看來折曲的線圈型電極45構成的天線44。在旋轉臺2旋轉時，外周部側的圓周速度比旋轉中心部側的圓周速度大，因此，外周部側暴露在等離子體形成區(qū)域68的等離子體P中的時間變短，但是，這樣構成天線44來相對于外周部側的等離子體強度抑制旋轉中心部側的等離子體強度，由此，能夠在晶圓W的面內進行較高的均勻性等離子體處理，能夠形成均勻性較高的SiO2膜。如圖10所示，天線44的線圈型電極45也可以形成為從側面看來呈弓狀彎曲、且其靠上述旋轉臺2的旋轉中心部側的高度比其靠上述旋轉臺2的外周部側的高度高。如圖11所示，線圈型電極45也可以形成為從側面看來金屬線呈直線狀延伸。在這樣形成線圈型電極45的情況下，也如上述那樣設定為線圈型電極45的靠旋轉中心部側的部位比其靠外周部側的部位離晶圓W遠。第2實施方式接著，以與第I實施方式的不同點為中心說明第2實施方式。圖12是第2實施方式的等離子體生成部8的立體圖，圖13及圖14是該等離子體生成部8的側視圖。在該等離子體生成部8中，在絕緣構件59上，在靠旋轉臺2的外周部側的位置設有側視L字型的角度調整用構件81，上述L字的鉛垂部82固定于法拉第屏蔽件51的鉛垂板53。在上述L字的水平部83的下側形成有缺口 84，線圈型電極45的上述外周部側的最下層的金屬線在該缺口 84中通過，并被夾持在絕緣構件59與水平部83之間。并且，如圖13、圖14所示，天線44構成為以在該缺口 84中通過的金屬線為軸轉動自由，該轉動軸是與旋轉臺2的徑向正交的水平軸。在各匯流條72上形成有狹縫85，連接構件71具有與該狹縫85相對應的銷86，能夠將該銷86固定在狹縫85的 任意的位置，由此，能夠將上述線圈型電極45相對于水平面固定在任意的角度位置，從而能夠使上述線圈型電極45的靠旋轉臺2的中心部側的高度比上述線圈型電極45的靠旋轉臺2的外周部側的高度高，并且，能夠每次以例如1°變更上述角度。即，上述角度調整用構件81構成借助作為支承部的匯流條72對天線44在上下方向上的傾斜進行調整的傾斜調整機構。在此情況下，也設定為晶圓W的靠旋轉中心部側的部位與天線44之間的分開距離同晶圓W的靠外周部側的部位與天線44之間的分開距離之差h3在上述的范圍內。并且，在該范圍內，用戶根據(jù)對晶圓W進行的處理、例如在晶圓W上形成的膜厚、旋轉臺2的轉速來變更該線圈型電極45的角度。于是，使沿著旋轉臺2的徑向的晶圓W的徑向上的等離子體分布適當，能夠在晶圓W的面內進行均勻的處理。第3實施方式該第3實施方式的等離子體生成部9與第2實施方式同樣地調整天線44沿上下方向的傾斜。圖15是等離子體生成部9的立體圖，圖16及圖17是該等離子體生成部9的側視圖。在該天線44上設有各自形成為塊狀的4個間隔調整構件91及提升構件92。在上述的間隔調整構件91及提升構件92上分別沿上下方向隔開間隔地設有3個孔，將構成天線44的金屬線插入到上述的孔中并進行卷繞，從而形成上述線圈型電極45，能夠防止各層的金屬線在變更天線44的角度時彼此接觸。該間隔調整構件91也可以用于其他的實施方式的天線44。與第2實施方式同樣地在法拉第屏蔽件51上設有角度調整用構件81，天線44構成為其角度調整自由。上述提升構件92配置在線圈型電極45的靠旋轉臺2的中心部側的位置，在提升構件92的上側連接有向上方延伸的桿93。桿93構成為相對于提升構件92繞與上述天線44的轉動軸平行的軸線轉動自由，能夠在改變了天線44的角度時抑制對天線44施加的壓力。以從桿93的頂端開始沿著該桿93的長度方向延伸的方式設有長螺桿94。以在殼體61的凸緣部65的旋轉方向上游側與旋轉方向下游側之間架橋的方式設有橋狀構件95，該橋狀構件95固定于殼體61。在該橋狀構件95的上側設有支承臺98，該支承臺98具有鉛垂地延伸的I對腳部96和將腳部96的上端彼此連接起來的水平部97。在橋狀構件95及支承臺98的上述水平部97上分別沿著上下方向設有通孔95a、98a，各通孔95a、98a以彼此重疊的方式設置。在通孔95a、98a中分別貫穿有桿93、長螺桿94。圖中的附圖標記99、99是用于將長螺桿94固定于水平部97的螺母。如圖16、17所示，長螺桿94能夠利用螺母99、99相對于水平部97安裝在任意的高度位置，上述的線圈型電極45的靠上述旋轉中心部側的部位與該安裝的位置相應地抬起，能夠自由地調整上述高度之差h3、即天線44相對于水平面的角度。另外，為了那樣任意地變更角度，匯流條72、72由具有撓性的薄板構成。在上述水平部97上利用支承構件100支承而設有線性測量儀(linear gauge)101。線性測量儀101包括測量主體部102、從測量主體部102朝向鉛垂下方延伸的筒部103和從筒部103內向鉛垂下方延伸的升降軸104。升降軸104構成為相對于上述筒部103升降自由，升降軸104的頂端與上述長螺桿94的頂端接觸。另外，測量主體部102與未圖示的顯示部連接，能夠對該升降軸104的頂端位置與筒部103的規(guī)定的高度位置、例如筒部103的頂端位置之間的分開距離h4進行測量，并顯示于上述顯示部。預先按照希望的SiO2膜的膜厚及旋轉臺2的轉速求出適當?shù)纳鲜龇珠_距離h4。并且，在開始上述的成膜處理之前根據(jù)上述的處理條件進行變更，以便使上述分開距離h4成為適當?shù)闹?。由此，能夠在晶圓W的面內進行更高的均勻性的成膜處理。第4實施方式參照圖18以與第3實施方式的不同點為中心說明第4實施方式的等離子體生成部10的結構。在該等離子體生成部10的水平部97上設有驅動機構111。驅動機構111用于使向下方延伸的升降軸112升降。升降軸112的下端與桿93連接，天線44相對于水平面的角度與桿93的升降相應地自由變更。根據(jù)從控制部70發(fā)送的控制信號來控制升降軸112的下端的高度，由此，對例如在圖中以0 I表示的天線44相對于水平面的傾斜進行控制。圖19是表示上述控制部70的結構的框圖。圖中附圖標記113是總線，附圖標記114是CPU，附圖標記115是程序存儲部，用于存儲程序116。附圖標記117是存儲有被形成在晶圓W上的SiO2膜的膜厚(nm)、為了形成上述SiO2膜而使旋轉臺旋轉的每I分鐘內的轉速(rpm)及上述天線的傾斜0 I這三者之間的對應關系的表格。附圖標記118是由例如鍵盤、觸摸面板等構成的輸入部，用戶從該輸入部118設定希望的膜厚及上述轉速。程序116除了與第I實施方式同樣地控制成膜裝置I的各部分的動作之外，還基于從輸入部118設定的設定來控制驅動機構111的動作。具體而言，若從輸入部118輸入上述膜厚及轉速，則從表格讀出與上述的輸入值相對應的天線的傾斜9 1，驅動機構111動作而使天線44傾斜成該讀出的傾斜0 1。然后，如在第I實施方式中說明的那樣開始成膜處理，旋轉臺2以所設定的轉速旋轉，以與天線44的傾斜相應的分布形成等離子體，得到所設定的膜厚的SiO2膜。上述一系列的工序由程序116控制。這樣構成裝置，也能夠與上述的各實施方式同樣地在晶圓W的面內進行較高的均勻性的處理。預先通過測量來求出膜厚、轉速及傾斜9 I這三者之間的關系。另外，在上述的例子中，說明了使用含Si氣體和O3氣體來形成氧化硅膜的例子，但例如也可以將含Si氣體和氨(NH3)氣分別用作第I處理氣體和第2處理氣體來形成氮化硅膜。在此情況下，作為用于產生等離子體的處理氣體，使用氬氣及氮氣或者氨氣等。而且，例如也可以將TiC12 (氯化鈦)氣體和NH3 (氨)氣分別用作第I處理氣體和第2處理氣體來形成氮化鈦(TiN)膜。在此情況下，作為晶圓W，使用由鈦構成的基板，作為用于產生等離子體的等離子體生成氣體，使用氬氣及氮氣等。另外，也可以依次供給3個種類以上的處理氣體來層疊反應生成物。具體而言，也可以在向晶圓W供給例如Sr (THD)2 (雙(四甲基庚二酮酸)鍶)、Sr (Me5Cp)2 (雙(五甲基環(huán)戊二烯基)鍶)等Sr原料、例如Ti (OiPr)2 (THD)2 (雙異丙氧基(雙四甲基庚二酮酸)鈦)、Ti (OiPr)(四異丙氧基鈦)等Ti原料之后，向晶圓W供給O3氣體，層疊由含有Sr和Ti的作為氧化膜的STO膜構成的薄膜。在上述的裝置中，從分離氣體噴嘴32、35向分離區(qū)域D供給了 N2氣體，但作為該分離區(qū)域D，也可以設置用于將各處理區(qū)域PU P2之間劃分開的壁部，而不配置氣體噴嘴32、35。另外，如上所述，優(yōu)選設置法拉第屏蔽件51來遮蔽電場，但也可以不設置該法拉第屏蔽件51就進行處理。作為構成殼體61的材質，也可以取代石英，而使用氧化鋁(A1203)、氧化釔等耐等離子體蝕刻材料，也可以在例如硼`硅酸玻璃A V” W 3卞、(注冊商標)等耐熱玻璃的表面涂敷上述耐等離子體蝕刻材料。即、只要殼體61由耐等離子體性較高、且磁場可透過的材質(電介體)構成即可。另外，在法拉第屏蔽件51的上方配置有板狀的絕緣構件59而使該法拉第屏蔽件51與天線44絕緣，但也可以取代配置該絕緣構件59，而例如利用石英等絕緣材料覆蓋天線44。在上述的實施方式中，說明了在將含Si氣體和O3氣體按含Si氣體和O3氣體的順序向晶圓W供給而形成反應生成物的膜之后、利用等離子體生成部4進行該反應生成物的改性的例子，但也可以使在形成反應生成物的膜時所使用的O3氣體等離子體化。S卩、也可以不設置第2處理氣體噴嘴33，而從上述的等離子體產生用氣體噴嘴34供給O3氣體，在等離子體形成區(qū)域68中進行Si的氧化和SiO2的改性。在上述的實施方式中，交替地進行了反應生成物的成膜和該反應生成物的改性處理，但即使在將反應生成物層疊了例如70層(大約IOnm的膜厚)左右之后對上述的反應生成物的層疊體進行改性處理，也能夠獲得與上述同樣的效果。具體而言，能夠如下這樣進行在供給含Si氣體及O3氣體來進行反應生成物的成膜處理的期間內停止向天線44供給高頻電。并且，在形成層疊體之后，停止供給上述含Si氣體及O3氣體，向天線44供給高頻電，對晶圓W進行等離子體處理。另外，在上述的例子中，作為基板處理裝置的一實施方式，顯示了成膜裝置1，但不限于構成為這樣的成膜裝置，也可以將基板處理裝置構成為例如蝕刻裝置。具體而言，以在旋轉臺2的周向上的兩處設置上述的等離子體生成部4并能夠在各處進行上述的等離子體處理的方式構成裝置。將由各等離子體生成部4形成的等離子體形成區(qū)域68設為第I等離子體形成區(qū)域、第2等離子體形成區(qū)域。從設在第I等離子體形成區(qū)域中的等離子體產生用氣體噴嘴34供給例如用于蝕刻多晶硅膜的Br (溴)類的蝕刻氣體，從設在第2等離子體形成區(qū)域中的等離子體產生用氣體噴嘴34供給用于蝕刻氧化硅膜的例如CF類的蝕刻氣體。在晶圓W上，將例如多晶硅膜和氧化硅膜交替地層疊多層，并且在該層疊膜的上層側形成有使孔、槽圖案化而成的抗蝕劑膜。若使用上述基板處理裝置對該晶圓W進行等離子體蝕刻處理，則例如在第I等離子體形成區(qū)域中隔著抗蝕劑膜對層疊膜的上層側的多晶硅膜進行蝕刻。接著，在第2等離子體形成區(qū)域中，隔著抗蝕劑膜對該多晶硅膜的下層側的氧化硅膜進行蝕刻，這樣，通過旋轉臺2的旋轉，隔著共用的抗蝕劑膜對層疊膜從上層側朝向下層側依次進行蝕刻。在該蝕刻裝置中，也與成膜裝置I同樣地能夠使利用等離子體進行的處理量在晶圓W的面內一致，因此，能夠在晶圓W的面內進行較高的均勻性的處理。另外，在那樣形成有第I等離子體形成區(qū)域及第2等離子體形成區(qū)域的情況下，也可以從各區(qū)域的等離子體產生用氣體噴嘴34向旋轉臺2供給不同的氣體而在各區(qū)域中進行晶圓W的表面的改性處理。評價試駘I·
使用將天線44的線圈型電極45的形狀分別變更了的成膜裝置I按照上述的順序在晶圓W上形成SiO2膜，在上述晶圓W中，在從旋轉臺2的外周部朝向旋轉中心部的直徑上的多個位置測量了 SiO2膜的膜厚。在成膜處理所使用的晶圓W的表面上未形成膜，晶圓W整體由硅構成。上述線圈型電極45與各實施方式同樣地將金屬線卷繞3層，并以成為俯視形狀為八邊形的方式制做了 5個種類，但對各自在上下方向上的折曲程度進行了變更。將各天線44記載為44A 44E。圖20表示天線44A的概略側面，圖21表示天線44B的概略側面，圖22表示天線44C 44E的概略側面，在上述圖20 22中，左側是旋轉臺2的中心部側，右側是外周部偵U。另外，圖23表示天線44A的線圈型電極45的概略上表面，圖24表示天線44B 44E的線圈型電極45的上表面。在各圖23、24中，上側是上述旋轉中心部側，下側是外周部側。從側面看來，天線44A的最下層的金屬線從上述旋轉中心部側到達外周部側為止與絕緣構件59接觸。在圖23中以附圖標記Tl T4分別表示線圈的上層側的金屬線的表面的點，上述的點Tl T4距絕緣構件59的高度均為30mm。天線44B構成為將天線44A的線圈型電極45的靠旋轉中心部側的部位朝向上方折曲，并將天線44A的線圈型電極45的靠外周部側的部位向下方折曲。作為上述的折曲位置，分別距線圈型電極45的靠旋轉中心部側的端部(設為天線頂端部)50mm、距線圈型電極45的靠外周部側的端部(設為天線基部)50mm。從上述絕緣構件59到天線頂端部的下端的高度h5為6mm,在線圈的下端的金屬線中，從天線基部側的折曲位置到天線基部的下端的高度h6為2mm。另外，從圖24所示的點Tl T8 到絕緣構件 59 的高度依次為 34mm、34mm、30mm、30mm、30mm、32mm、35mm、36mm。圖中的附圖標記59A、59B是底座，分別配置在旋轉中心部側、外周部側，支承線圈型電極45的下部。各底座59A、59B由石英構成，其高度為2mm。
天線44C 44E與天線44B大致同樣地構成,但線圈型電極45的靠旋轉中心部側的部位以被提升得更高的方式折曲。另外，將底座59A的高度設為4_。以下，說明天線44C 44E與天線44B的其他的不同點。在天線44C中，上述高度h5為10mm，從點Tl T8到絕緣構件 59 的高度依次為 37mm、37mm、30mm、30mm、35mm、34mm、34mm、35mm。在天線 44D中，上述h5為8mm，點Tl T8的上述各高度與天線44C的點Tl T8的上述各高度相同。天線44E的上述h5為9. 5mm,點Tl T8的上述各高度與天線44C的點Tl T8的上述各高度相同。圖25是表示將該評價試驗I的結果按照所使用的天線逐一表示的曲線圖?？v軸表示晶圓W的各測量位置的SiO2的膜厚(nm)，橫軸表示測量位置。該測量位置表示上述的晶圓W的直徑上的、距晶圓W的靠旋轉臺2的旋轉中心部側的端部的距離(mm)。S卩，測量位置表示為0mm、150mm、300mm的點分別是晶圓W的靠上述旋轉中心部側的端部、晶圓W的中心、晶圓W的靠旋轉臺2的外周部側的端部。根據(jù)該曲線圖可知在使用了天線44A的處理中，上述旋轉中心部側的膜厚比上述外周部側的膜厚小，上述的膜厚之差比較大。但是，在使用了天線44B 44E的處理中，上述的膜厚之差減小，進行了較高的均勻性的處理。認為其原因在于，在使用了天線44A的情況下，在上述旋轉中心部側，等離子體的強度過強而較大程度地抑制了吸附點的形成，但通過使用天線44B 44E，該旋轉中心部側的等離子體的強度減弱，吸附點以較高的均勻性分布在晶圓W的面內。在該評價試驗I中，分別使用了天線44A 44E的處理的各測量位置的膜厚的平均值依次為9. 24nm、9. 29nm、9. 28nm、9. 34nm、9. 35nm,在各處理之間未發(fā)現(xiàn)較大的差另IJ。但是，在對上述的處理計算均勻性(=(測量值的最大值一測量值的最小值)/ (平均值X 2) X 100)時，在分別使用了天線44A 44E的處理中，依次為0. 40、0. 25、0. 21、0. 22、0. 20。即，使用了天線44A的處理的膜厚的均勻性最低，使用了天線44E的處理的膜厚的均勻性最聞。評價試驗2除了使用了在表面具有氧化膜的晶圓W之外，與評價試驗I同樣地進行了實驗。圖26是表示該評價試驗2的結果的曲線圖。與評價試驗I的結果同樣，在利用天線44A進行的處理中，旋轉中心部側的膜厚比外周部側的膜厚小，上述的膜厚之差比較大。但是，在使用了天線44B 44E的處理中，上述旋轉中心部側的膜厚與外周部側的膜厚之差減小。另外，使用了天線44A 44E的處理的各測量位置的膜厚的平均值依次為7. 52nm、7. 67nm、7. 73nm、7. 60nm、7. 68nm，在各處理之間未發(fā)現(xiàn)較大的差別，但上述均勻性成為0. 80,0. 42、0. 58,0. 39,0. 20。即，使用了天線44A的處理的膜厚的均勻性最低，使用了天線44E的處理的膜厚的均勻性最高。評價試驗3除了不從第1處理氣體噴嘴31供給含Si氣體之外，與評價試驗I同樣地進行了處理，并對通過使晶圓W表面的Si氧化而形成的SiO2膜的膜厚進行了測量。圖27是表示該評價試驗3的結果的曲線圖。由該曲線圖可知在利用天線44A進行的處理中，旋轉中心部側的膜厚比外周部側的膜厚大。即，中心部側這一側的等離子體的強度比外周部側的等離子體的強度強而進行了更大程度的氧化。在使用了天線44B 44E的處理中，雖然旋轉中心部側的膜厚也比外周部側的膜厚大，但是與天線44A的結果相比，旋轉中心部側的膜厚較小，該旋轉中心部側的膜厚與外周部側的膜厚之差變小。即，在使用了天線44B 44E的情況下，與使用天線44A的情況相比，中心部側的等離子體的強度減弱，對晶圓W進行了較高的均勻性的氧化處理。使用了天線44A 44E的處理的各測量位置的膜厚的平均值依次為3. 46nm、
3.32nm、3. 25nm、3. 32nm、3. 31nm,在各處理之間未發(fā)現(xiàn)較大的差別。但是，在使用了天線44A 44E的情況下，所算出的均勻性分別為6. 40、4. 39、3. 22、4. 07、3. 56。即，使用了天線44A的處理的膜厚的均勻性最低，使用了天線44C的處理的膜厚的均勻性最高。由該評價試驗I 3的結果可知通過使天線44折曲成其旋轉中心部側比外周部側距旋轉臺2遠，能夠控制等離子體的分布，從而能夠對晶圓W進行較高的均勻性的處理。因而，顯示了本發(fā)明的效果。 采用本發(fā)明的實施方式，以從旋轉臺的中央部延伸到外周部的方式設有與該旋轉臺的基板載置區(qū)域相對的等離子體形成用的天線，上述天線與基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的中央部側的部分之間的分開距離比上述天線與基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的外周部側的部分之間的分開距離大。因而，載置于旋轉臺的基板的靠上述旋轉臺的中心部側的部位在比較弱的強度的等離子體中暴露比較長的時間，載置于旋轉臺的基板的靠上述旋轉臺的外周部側的部位在比較強的強度的等離子體中暴露比較短的時間。結果，能夠在基板的面內以較高的均勻性進行成膜等處理。本申請基于2011年10月7日向日本國專利廳提出申請的日本專利申請2011 -223067號要求優(yōu)先權，將日本專利申請2011 — 223067號的全部內容援引于此。
權利要求
1.一種成膜裝置，其通過在真空容器內使在基板載置區(qū)域上載置有基板的旋轉臺旋轉而使上述基板公轉來使多個處理部依次通過，由此進行依次供給多個種類的處理氣體的循環(huán)來對基板進行成膜處理，其中， 該成膜裝置包括 氣體供給部，其用于向上述旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面供給等離子體生成用的氣體； 天線，其以從上述旋轉臺的中央部延伸到外周部的方式與該旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面相對地設置，用于通過電感耦合來使上述等離子體生成用的氣體等離子體化， 上述天線以其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的中央部側的部分之間的分開距離比其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的外周部側的部分之間的分開距離大3mm以上的方式配置。
2.根據(jù)權利要求1所述的成膜裝置，其中， 在與旋轉臺的表面平行地觀察上述天線時，上述天線是以其靠旋轉臺的中央部側的部位變高的方式折曲的形狀或者彎曲的形狀。
3.根據(jù)權利要求1所述的成膜裝置，其中， 上述天線是繞沿著上下方向延伸的軸線卷繞成線圈狀而成的結構，至少最下部的天線部分與旋轉臺之間的分開距離以權利要求1所述的方式設定。
4.根據(jù)權利要求1所述的成膜裝置，其中， 該成膜裝置包括用于支承上述天線的支承部和用于借助該支承部對天線的上下方向上的傾斜進行調整的傾斜調整機構。
5.根據(jù)權利要求4所述的成膜裝置，其特征在于， 上述傾斜調整機構包括用于對天線的傾斜進行調整的驅動機構。
6.根據(jù)權利要求5所述的成膜裝置，其中， 該成膜裝置包括控制部，該控制部根據(jù)所輸入的成膜處理的種別來確定天線的傾斜，并控制上述驅動機構，以便使天線變成所確定的傾斜。
7.根據(jù)權利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 上述天線包括多個直線部分和將直線部分彼此連結起來的節(jié)部分，并能夠在上述節(jié)部分處折曲。
8.一種基板處理裝置，其通過在真空容器內使在基板載置區(qū)域載置有基板的旋轉臺旋轉而使上述基板公轉來使多個處理部依次通過，由此進行依次供給多個種類的處理氣體的循環(huán)來對基板進行氣體處理，其中， 該基板處理裝置包括 氣體供給部，其用于向上述旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面供給等離子體生成用的氣體； 天線，其以從上述旋轉臺的中央部延伸到外周部的方式與該旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面相對地設置，用于通過電感耦合來使上述等離子體生成用的氣體等離子體化， 上述天線以其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的中央部側的部分之間的分開距離比其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的外周部側的部分之間的分開距離大3mm以上的方式配置。
9.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其中， 在與旋轉臺的表面平行地觀察上述天線時，上述天線是以其靠旋轉臺的中央部側的部位變高的方式折曲的形狀或者彎曲的形狀。
10.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其中， 上述天線是繞沿著上下方向延伸的軸線卷繞成線圈狀而成的結構，至少最下部的天線部分與旋轉臺之間的分開距離以權利要求1所述的方式設定。
11.根據(jù)權利要求8所述基板處理裝置，其中， 該成膜裝置包括用于支承上述天線的支承部和用于借助該支承部對天線的上下方向上的傾斜進行調整的傾斜調整機構。
12.根據(jù)權利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述傾斜調整機構包括用于對天線的傾斜進行調整的驅動機構。
13.根據(jù)權利要求12所述的基板處理裝置，其中， 該成膜裝置包括控制部，該控制部根據(jù)所輸入的成膜處理的種別來確定天線的傾斜，并控制上述驅動機構，以便使天線變成所確定的傾斜。
14.根據(jù)權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述天線包括多個直線部分和將直線部分彼此連結起來的節(jié)部分，并能夠在上述節(jié)部分處折曲。
全文摘要
本發(fā)明提供成膜裝置和基板處理裝置。以包括氣體供給部和天線的方式構成裝置，該氣體供給部用于向旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面供給等離子體生成用的氣體；該天線以從上述旋轉臺的中央部延伸到外周部的方式與該旋轉臺的基板載置區(qū)域側的表面相對地設置，用于通過電感耦合使等離子體生成用的氣體等離子體化。并且，上述天線以其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的中央部側的部分之間的分開距離比其與上述基板載置區(qū)域的靠旋轉臺的外周部側的部分之間的分開距離大3mm以上的方式配置。
文檔編號C23C16/50GK103031537SQ20121036592
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權日2011年10月7日
發(fā)明者加藤壽, 小林健, 菊地宏之, 三浦繁博 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社