一種dbr蒸鍍改進工藝的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種DBR蒸鍍改進工藝，其特征在于，所述工藝改進參數如下：采用200攝氏度恒溫鍍膜，氧化鈦腔室通氧量25sccm，轉速19rpm，起始真空度6.0E-6Torr，三氧化二鋁、氧化硅蒸鍍速率為3A/S，氧化鈦為2A/S。本發明通過改進蒸鍍溫度，加快了蒸鍍速度，對轉速及真空度進行了優化，保證了蒸鍍的穩定性，大大降低了掉背鍍的現象，提高了產品的良率，降低了生產成本。
【專利說明】—種DBR蒸鍍改進工藝
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種DBR蒸鍍改進工藝，屬于光電子領域。
【背景技術】
[0002]以往的DBR鍍膜工藝，其采用鍍膜溫度為200攝氏度烘烤，150攝氏度鍍膜，真空度半開閥達到6.0E-6Torr,采用此工藝，不僅蒸鍍時間很長，而且鍍完膜后經常會出現掉背鍍的現象，需要對其重新返工，從而降低了產品的良率，提高了生產成本。

【發明內容】

[0003]本發明針對現有技術存在的不足，提供一種DBR蒸鍍改進工藝。
[0004]本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種DBR蒸鍍改進工藝，其特征在于，所述工藝改進參數如下:采用200攝氏度恒溫鍍膜,氧化鈦腔室通氧量25sccm,轉速19rpm,起始真空度6.0E-6Torr，三氧化二鋁、氧化硅蒸鍍速率為3A/S，氧化鈦為2A/S。
[0005]本發明的有益效果是:本發明通過改進蒸鍍溫度，加快了蒸鍍速度，對轉速及真空度進行了優化，保證了蒸鍍的穩定性，大大降低了掉背鍍的現象，提高了產品的良率，降低了生產成本。
【具體實施方式】
[0006]以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。`
[0007]一種DBR蒸鍍改進工藝，其特征在于，所述工藝改進參數如下:采用200攝氏度恒溫鍍膜，氧化鈦腔室通氧量25sccm,轉速19rpm,起始真空度6.0E_6Torr,三氧化二招、氧化硅蒸鍍速率為3A/S，氧化鈦為2A/S。
[0008]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種DBR蒸鍍改進工藝，其特征在于，所述工藝改進參數如下:采用200攝氏度恒溫鍍膜，氧化鈦腔室通氧量25sccm,轉速19rpm,起始真空度6.0E_ 6Torr,三氧化二招、氧化娃蒸鍍速率為3A/S，氧化鈦為2A/S。
【文檔編號】C23C14/24GK103805946SQ201210456775
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月15日 優先權日:2012年11月15日
【發明者】毛華軍 申請人:毛華軍