掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及蒸鍍工藝領域，具體來說涉及一種掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
【背景技術】
[0002]有機發光二極管(OLED)能自發光，無視角障礙，低溫特征好，因此OLED顯示器已被認為是繼液晶顯示器、等離子顯示器之后最具市場價值的新一代平板顯示器。
[0003]OLED的制作過程大都采用以IT0(indium tin oxide)玻璃為基板，利用蒸鍍設備將多層薄膜相繼沉積在基板上而形成。OLED蒸鍍技術為利用一蒸發源，內部充填OLED材料，在真空環境下蒸發源加熱使材料升華或氣化，透過金屬掩膜，蒸鍍于基板上。
[0004]蒸鍍過程中蒸發源在下方，如圖1所示，金屬掩膜2上設置有以便于蒸鍍的通孔21，基板I與金屬掩膜2之間的間隙越小，陰影效應越弱。但現有的金屬掩膜上端水平，由于基板的光阻隔離柱11有一定的高度，使得間隙無法進一步減小，對于高分辨率的基板來說，蒸鍍材會在一定的程度上擴散至別的顏色上，造成混色。
【發明內容】
[0005]針對上述問題，本發明實施例提供一種掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，用以解決金屬掩膜與基板之間的間隙過大，蒸鍍材會在一定的程度上擴散至別的顏色上，造成混色的問題。
[0006]為了實現上述目的，本發明的技術方案如下:
[0007]掩膜板，包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設置有通孔，其特征在于，所述掩膜板本體的第一表面上未設置通孔處設置有凹槽。
[0008]在本發明的一個可選實施例中，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為方形。
[0009]在本發明的一個可選實施例中，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為弧形槽。
[0010]在本發明的一個可選實施例中，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為倒梯形槽。
[0011]在本發明的一個可選實施例中，凹槽為島狀分布。
[0012]在本發明的一個可選實施例中，所述凹槽為條狀。
[0013]一種蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0014]提供一上述的掩膜板；
[0015]提供一待成膜基板，所述基板包括待成膜區域及多個凸起；
[0016]所述待成膜基板與所述掩膜板平行設置并對位，使所述基板的所述待成膜區域對應所述掩膜板的所述通孔，所述基板的凸起對應所述掩膜板的所述凹槽；
[0017]沿垂直于掩膜板方向移動所述待成膜基板，使所述待成膜基板靠近所述掩膜板至所述凸起插入所述凹槽底部。
[0018]還包括:提供一蒸鍍源，所述蒸鍍源與所述掩膜板相對設置并位置固定。
[0019]在本發明的一個可選實施例中，所述凸起為光阻隔離柱。
[0020]在本發明的一個可選實施例中，所述凹槽的深度大于或等于所述基板的凸起高度。
[0021]使用時，將通孔與需要鍍膜的顏色位置相對應，且將掩膜板本體靠近基板，使基板上的光阻隔離柱插入掩膜板本體上的凹槽位置，從而減小金屬掩膜上端面與基板之間間隙，有效避免蒸鍍材擴散至別的顏色上，造成混色的問題。
[0022]本發明的特點可參閱本案圖式及以下較好實施方式的詳細說明而獲得清楚地了解。
【附圖說明】
[0023]圖1為現有技術的示意圖。
[0024]圖2為本發明實施例1的示意圖。
[0025]圖3為本發明實施例2的示意圖。
[0026]圖4為本發明實施例3的示意圖。
[0027]圖5為本發明實施例4的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施例進一步闡述本發明。
[0029]實施例1
[0030]參見圖2，掩膜板，包括掩膜板本體3，掩膜板本體上設置有通孔31，掩膜板本體的上端面設置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽32。
[0031 ]在本實施例中，凹槽32垂直于掩膜板本體方向的截面為倒梯形槽。
[0032]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0033]提供一待成膜基板I，待成膜基板I包括待成膜區域及多個光阻隔離柱11;
[0034]提供一蒸鍍源，所述蒸鍍源與所述掩膜板相對設置并位置固定；
[0035]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設置并對位，使所述基板I的待成膜區域對應所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對應掩膜板的倒梯形槽32;沿垂直于掩膜板本體3方向移動待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入倒梯形槽32的底部;通過蒸鍍源進行蒸鍍。
[0036]實施例2
[0037]參見圖3，掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設置有通孔，掩膜板本體的上端面設置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實施例中，凹槽33垂直于所述掩膜板本體方向的截面為方形。
[0038]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0039]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設置并對位，使所述基板I的待成膜區域對應所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對應掩膜板的方形凹槽33;沿垂直于掩膜板本體3方向移動待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入方形凹槽33的底部;通過蒸鍍源進行蒸鍍。
[0040] 實施例3
[0041 ]參見圖4，掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設置有通孔，掩膜板本體的上端面設置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實施例中，凹槽34垂直于所述掩膜板本體方向的截面為弧形槽。
[0042]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0043]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設置并對位，使所述基板I的待成膜區域對應所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對應掩膜板的弧形槽34;沿垂直于掩膜板本體3方向移動待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入弧形槽34的底部;通過蒸鍍源進行蒸鍍。
[0044]實施例4
[0045]參見圖5，掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設置有通孔，掩膜板本體的上端面設置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實施例中，凹槽35為條狀。
[0046]采用該掩膜板的具體蒸鍍方法，包括如下步驟:
[0047]待成膜基板I與掩膜板本體3平行設置并對位，使所述基板I的待成膜區域對應所述掩膜板的通孔31，基板I的光阻隔離柱11對應掩膜板的條狀凹槽35;沿垂直于掩膜板本體3方向移動待成膜基板I，使待成膜基板I靠近所述掩膜板至光阻隔離柱11插入條狀凹槽35的底部;通過蒸鍍源進行蒸鍍。
[0048]實施例5
[0049]掩膜板，包括掩膜板本體，掩膜板本體上設置有通孔，掩膜板本體的上端面設置有用以容納基板表面光阻隔離柱的凹槽。在本實施例中，凹槽為島狀分布。
[0050]本發明減小金屬掩膜上端面與基板之間間隙，有效避免蒸鍍材擴散至別的顏色上，造成混色的問題。以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明的范圍內。本發明要求的保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。
【主權項】
1.一種掩膜板，包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設置有通孔，其特征在于，所述掩膜板本體的第一表面上未設置所述通孔處設置有凹槽。2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽為島狀分布。3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為方形。4.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為弧形槽。5.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽垂直于所述掩膜板本體方向的截面為倒梯形槽。6.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹槽為條狀。7.一種蒸鍍裝置，包括如權I至權6任一項所述的掩膜板。8.一種蒸鍍方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一如權I至權6任一項所述的掩膜板； 提供一待成膜基板，所述基板包括待成膜區域及多個凸起； 所述待成膜基板與所述掩膜板平行設置并對位，使所述基板的所述待成膜區域對應所述掩膜板的所述通孔，所述基板的凸起對應所述掩膜板的所述凹槽;以及 沿垂直于掩膜板方向移動所述待成膜基板，使所述待成膜基板靠近所述掩膜板至所述凸起插入所述凹槽。9.根據權利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，還包括:提供一蒸鍍源，所述蒸鍍源與所述掩膜板相對設置并位置固定。10.根據權利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述凸起為光阻隔離柱。11.根據權利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于或等于所述基板的凸起高度。
【專利摘要】本發明公開了一種掩膜板、蒸鍍裝置及蒸鍍方法，掩膜板包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設置有通孔，所述掩膜板本體的第一表面上未設置通孔處設置有凹槽。使用時，將通孔與需要鍍膜的顏色位置相對應，且將掩膜板本體靠近基板，使基板上的光阻隔離柱插入掩膜板本體上的凹槽位置，從而減小金屬掩膜上端面與基板之間間隙，有效避免蒸鍍材擴散至別的顏色上，造成混色的問題。
【IPC分類】C23C14/24, C23C14/04, C23C14/12
【公開號】CN105714249
【申請號】CN201610242604
【發明人】薛麗紅, 康潤芳
【申請人】上海和輝光電有限公司