專利名稱：一種晶體加工平磨料臺的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于晶體加工技術領域，特別是涉及晶體平面磨裝置。
背景技術：
晶體平面磨時，易出現崩邊、裂紋等多種問題，現有技術的平面磨只能夠一次磨一錠晶體，且加工粗糙，工作效率和質量都很難提高。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是克服現有平磨效率低、質量差的缺陷，提供了一種簡單、使用方便的平磨料臺。為了解決上述技術問題，本實用新型提供了如下的技術方案一種晶體加工平磨料臺，在所述平磨料臺上設有多個圓柱形的、與晶體大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的側壁和/或底部上設有緩沖層，側壁上設頂緊裝置。進ー步地，所述緩沖層為橡膠墊，所述頂緊裝置為頂緊螺絲。晶體平磨是加工晶體時最重要的一歩，在平磨晶體開始時，首先將此平磨料臺平放到固定面上，晶體放置在料臺上的凹槽內，根據晶體直徑大小調節頂緊料臺的頂緊裝置至夾緊晶體，即可進行平磨加工。凹槽的側壁和底部上設有緩沖層可以起到減震效果，側壁的緩沖層還可以防止頂緊裝置劃損晶體，從而減少晶體破裂的可能。通過此料臺的加工，可以得到平整、完整的單晶，晶體的角度可以是0°到8°。

附圖用來提供對本實用新型的進ー步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的限制。在附圖中圖I是本實用新型平磨料臺的主視圖；圖2是圖I的料臺的俯視圖；圖3是圖I的料臺的左視圖；圖4是圖I的凹槽的剖面圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。如圖1-4所示，一種晶體加工平磨料臺，在所述平磨料臺I上設有多個圓柱形、與晶體大小匹配的凹槽2，所述凹槽的側壁和底部上設有緩沖層橡膠墊(圖未示)和頂緊螺絲3。實施例I :所述凹槽為3個，將相應大小的、未加工的碳化硅晶體放到本實用新型的凹槽內，根據晶體大小調整緩沖層和頂緊螺絲，直至晶體平整和牢固，然后上平面磨床待磨，待加工完畢后，便會得到三塊平整度極好的完整晶體。實施例2:所述凹槽為3個，將相應大小的、未加工的藍寶石晶體放到本實用新型的凹槽內，根據晶體大小調整緩沖層和頂緊螺絲，直至晶體平整和牢固，然后上平面磨床待磨，待加工完畢后，便會得到三塊平整度極好的完整晶體。 最后應說明的是以上所述僅為本實用新型的優選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種晶體加工平磨料臺，其特征在于在所述平磨料臺上設有多個圓柱形的、與晶體大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的側壁和/或底部上設有緩沖層，側壁上設頂緊裝置。
2.根據權利要求I所述的晶體加工平磨料臺，其特征在于所述緩沖層為橡膠墊。
3.根據權利要求I所述的晶體加工平磨料臺，其特征在于所述頂緊裝置為頂緊螺絲。
4.根據權利要求I或2或3所述的晶體加工平磨料臺，其特征在于所述晶體為碳化硅、藍寶石、磷化銦或氮化鎵。
專利摘要一種晶體加工平磨料臺，屬于晶體加工技術領域，特別是涉及晶體平面磨裝置。在所述平磨料臺上設有多個圓柱形的、與晶體大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的側壁和/或底部上設有緩沖層，側壁上設頂緊裝置。在平磨晶體開始時，首先將此平磨料臺平放到固定面上，晶體放置在料臺上的凹槽內，再調節緩沖層和頂緊裝置至晶體牢固，即可進行平磨加工。通過此料臺的加工，可以得到平整、完整的單晶。
文檔編號B24B7/22GK202528055SQ20122013480
公開日2012年11月14日 申請日期2012年4月1日 優先權日2012年4月1日
發明者倪代秦, 吳星, 張世杰, 李旭明, 李闖, 賈海濤, 高鵬成 申請人:北京華進創威電子有限公司