專利名稱：一種新型離子束復合處理系統的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及離子束材料表面改性技術領域，特別涉及一種新型離子束復合處理系統。
背景技術：
常用的表面改性技術包括離子注入技術和磁控濺射技術。離子注入技術雖然能夠獲得較好的注入效果，但是注入層很薄，為了克服改性薄層的缺點，也側重于提高注入能量，常規的I2和PI3注入法能量最多為IOOkev以上，由于注入層薄，設備十分昂貴，X射線防護復雜，所以離子注入法的使用受到限制。磁控濺射技術可以制備具有各種性能的薄膜，如各種硬質膜、超硬膜，以及具有各種光學特性的薄膜。但磁控濺射技術存在附著力差、結合力不強的缺點。因此，迫切需要一種新型的離子束復合處理系統，以克服離子注入技術和磁控濺射技術所存在的缺陷。

實用新型內容為此，本實用新型提出一種新型離子束復合處理系統，可充分地消除由于現有技術的限制和缺陷導致的一個或多個問題。本實用新型另外的優點、目的和特性，一部分將在下面的說明書中得到闡明，而另一部分對于本領域的普通技術人員通過對下面的說明的考察將是明顯的或從本實用新型的實施中學到。通過在文字的說明書和權利要求書及附圖中特別地指出的結構可實現和獲得本實用新型目的和優點。本實用新型提供了一種離 子束復合處理系統，其特征在于，所述離子束復合處理系統包括:真空室、混合離子束注入裝置、磁控濺射靶和離子濺射源；其中，所述混合離子束注入裝置位于所述真空室的上方，所述真空室的內部設有工件臺，所述工件臺位于所述混合離子束注入裝置的下方，工件位于所述工件臺上；所述磁控濺射靶位于所述混合離子束注入裝置的右下側，所述離子濺射源位于所述磁控濺射靶的右下側；所述混合離子束注入裝置由放電室和離子束線源引出系統組成，所述放電室內設有多個熱電子發射器。優選的，所述離子束線源引出系統為大面積多孔柵三電極加減速系統。優選的，所述離子束線源引出系統的間隙為4-16毫米。優選的，所述真空室連接用于抽取真空的機械泵。本實用新型結合了磁控濺射和離子注入技術，具有氣體離子注入、金屬離子注入、離子復合注入的功能，適合于金屬材料、光學膜、電導膜、半導體材料等表面改性，具有較高的實用價值。

圖1為根據本實用新型實施例的、新型離子束復合處理系統的結構示意圖。
具體實施方式
下面參照附圖對本實用新型進行更全面的描述，其中說明本實用新型的示例性實施例。如圖1所示，本實用新型所提供的新型離子束復合處理系統包括:真空室1、混合離子束注入裝置4、磁控濺射靶6和離子濺射源5 ;其中，所述混合離子束注入裝置4位于所述真空室I的上方，所述真空室I的內部設有工件臺2，所述工件臺2位于所述混合離子束注入裝置4的下方，工件3位于所述工件臺2上；所述磁控濺射靶6位于所述混合離子束注入裝置4的右下側，所述離子濺射源5位于所述磁控濺射靶6的右下側。為了簡單起見，附圖1中沒有詳細示出所述混合離子束注入裝置4的具體結構。根據本實用新型的一個優選實施例，所述混合離子束注入裝置4由放電室和離子束線源引出系統組成，所述放電室內設有多個熱電子發射器，所述離子束線源引出系統為大面積多孔柵三電極加減速系統。本實用新型的混合離子束注入裝置4可產生氣體離子束和金屬離子束。向混合離子束注入裝置4中通入氣體，離子化后在離子束線源引出系統作用下，引出氣體離子束進行氣體離子注入。當接通導電固體陰極(如純金屬、石墨碳)的觸發電源，形成真空弧，產生的固體蒸汽離化后，在離子束線源引出系統作用下，引出金屬離子束。根據本實用新型的一個優選實施例，所述離子束線源引出系統的間隙為4-16毫米。根據本實用新型的一個優選實施例，所述真空室I連接用于抽取真空的機械泵。在變更金屬離子束 時，可形成不同成分組成的金屬離子增強沉積膜，如，鋁離子膜，銅鋁合金膜等。在變更氣體及金屬離子束種類、注入順序時，能夠形成多層復合沉積膜、如碳化鎢/碳化鈦等復合膜。本實用新型結合了磁控濺射和離子注入技術，具有氣體離子注入、金屬離子注入、離子復合注入的功能，適合于金屬材料、光學膜、電導膜、半導體材料等表面改性。本實用新型可以廣泛應用于宇航、石油化工、機械工程、電子工程等領域。以上內容僅為本實用新型的較佳實施例，對于本領域的普通技術人員，依據本實用新型的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。
權利要求1.一種離子束復合處理系統，其特征在于，所述離子束復合處理系統包括:真空室、混合離子束注入裝置、磁控濺射靶和離子濺射源；其中，所述混合離子束注入裝置位于所述真空室的上方，所述真空室的內部設有工件臺，所述工件臺位于所述混合離子束注入裝置的下方，工件位于所述工件臺上；所述磁控濺射靶位于所述混合離子束注入裝置的右下側，所述離子濺射源位于所述磁控濺射靶的右下側；所述混合離子束注入裝置由放電室和離子束線源引出系統組成，所述放電室內設有多個熱電子發射器。
2.根據權利要求1所述的離子束復合處理系統，其特征在于，所述離子束線源引出系統為大面積多孔柵三電極加減速系統。
3.根據權利要求2所述的離子束復合處理系統，其特征在于，所述離子束線源引出系統的間隙為4-16毫米。
4.根據權利要求1所述的離子束復合處理系統，其特征在于，所述真空室連接用于抽取真 空的機械泵。
專利摘要本實用新型公開了一種離子束復合處理系統，所述離子束復合處理系統包括真空室、混合離子束注入裝置、磁控濺射靶和離子濺射源。本實用新型結合了磁控濺射和離子注入技術，具有氣體離子注入、金屬離子注入、離子復合注入的功能，適合于金屬材料、光學膜、電導膜、半導體材料等表面改性，具有較高的實用價值。
文檔編號C23C14/48GK203096158SQ201320062068
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月31日 優先權日2013年1月31日
發明者周宏宇, 曾永遠, 謝昭覺 申請人:杭州五源科技實業有限公司