1.一種用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：包括機架（1）、真空腔體（2）和真空獲得系統（3），所述真空腔體（2）包括預真空室（21）和工藝腔室（22），所述預真空室（21）位于工藝腔室（22）的上方且與工藝腔室（22）連通，所述工藝腔室（22）內分別設有濺射靶組件（4）、加熱組件（5）、掃描小車（6）、射頻清洗臺（7）以及可從工藝腔室（22）上升至預真空室（21）的基片架（8），所述基片架（8）上設有可隔斷預真空室（21）和工藝腔室（22）的底板（81），所述掃描小車（6）用于承接基片架（8）上的基片盤（82）并帶動基片盤（82）在濺射靶組件（4）、加熱組件（5）、射頻清洗臺（7）之間移動，所述真空獲得系統（3）用于對預真空室（21）和工藝腔室（22）抽真空。
2.根據權利要求1所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述預真空室（21）與工藝腔室（22）之間設有用于平衡預真空室（21）與工藝腔室（22）內壓力的旁通管道（23）。
3.根據權利要求1所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述濺射靶組件（4）包括多個濺射靶（41），各濺射靶（41）間隔安裝于工藝腔室（22）的頂板（221）上。
4.根據權利要求3所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述濺射靶組件（4）的下方設有可移動的擋板機構（42），所述擋板機構（42）上設有可與任意一個濺射靶（41）對應的濺射缺口（421），相鄰兩個濺射靶（41）之間設有隔板（43）。
5.根據權利要求1至4任意一項所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述生產型多靶磁控濺射系統還包括用于對工藝腔室（22）的頂板（221）進行升降的升降系統（91）。
6.根據權利要求1至4任意一項所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述加熱組件（5）固定在工藝腔室（22）的頂板（221）上，所述射頻清洗臺（7）位于所述加熱組件（5）的下方。
7.根據權利要求1至4任意一項所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述生產型多靶磁控濺射系統還包括水路系統（92）、氣路系統（93）以及電控系統（94）。
8.根據權利要求1至4任意一項所述的用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，其特征在于：所述真空獲得系統（3）包括對預真空室（21）和工藝腔室（22）進行抽氣的高真空抽氣泵（31）和低真空抽氣泵（32），所述高真空抽氣泵（31）設置為兩個，分別對預真空室（21）和工藝腔室（22）抽高真空，所述低真空抽氣泵（32）設置為一個，用于同時對預真空室（21）和工藝腔室（22）抽低真空。