本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種實(shí)現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的鍍膜方法。

背景技術(shù)：

在真空鍍膜領(lǐng)域，離子輔助鍍膜的應(yīng)用比較廣泛。使用離子源時(shí)，如果離子源發(fā)射的荷能粒子作用于空白的鍍膜基片，則可以起到清洗和活化基片的作用；如果荷能粒子作用于鍍膜中的鍍膜基片，則還起到輔助沉積的作用。由于荷能粒子的作用，離子源輔助鍍膜的光學(xué)薄膜一般具有較好的致密度和較高的折射率。通常情況下，離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口為圓形，相應(yīng)地，在離子源向外部發(fā)射的自由空間中，荷能粒子的等能量線也呈圓形分布。

對(duì)于真空蒸發(fā)設(shè)備，通常在真空鍍膜腔室內(nèi)的頂部設(shè)置一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的圓形鍍膜傘架，真空蒸發(fā)設(shè)備的蒸發(fā)源和離子源通常設(shè)置在真空鍍膜腔室的底部。鍍膜時(shí)，蒸發(fā)源和離子源開始工作，承載著鍍膜基片的鍍膜傘架以中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)為軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口為圓形，且鍍膜傘架和離子源的相對(duì)傾斜角度較小時(shí)，離子源發(fā)射荷能粒子的等能量線在鍍膜傘架上的投影亦近似為圓形。易知，此時(shí)旋轉(zhuǎn)的圓形鍍膜傘架徑向上的基片在等能量線所圍成的圓的掃略時(shí)間通常情況下是不同的，因此，不能保證各個(gè)基片接受大致相等的粒子照射。一般情況下，要想實(shí)現(xiàn)鍍膜厚度均一性，可在蒸發(fā)源的上方設(shè)置膜厚補(bǔ)正板，通過膜厚補(bǔ)正板的形狀設(shè)計(jì)，選擇性地改變蒸發(fā)源膜料的發(fā)射角度來實(shí)現(xiàn)膜厚均一性。然而,要想實(shí)現(xiàn)薄膜致密度均一性，考慮到離子源發(fā)射出的為高能量粒子，類似膜厚補(bǔ)正板的方式有可能導(dǎo)致補(bǔ)正板被濺射而影響鍍膜品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種實(shí)現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的鍍膜方法，通過對(duì)離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射區(qū)域的截面形狀進(jìn)行設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)鍍膜傘架徑向上的鍍膜基片接受到的荷能粒子的照射強(qiáng)度相等，提高薄膜致密度均一性。

本發(fā)明目的實(shí)現(xiàn)由以下技術(shù)方案完成：

一種實(shí)現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的鍍膜方法，通過離子源對(duì)承載在可旋轉(zhuǎn)鍍膜傘架上的鍍膜基片進(jìn)行鍍膜，其特征在于：將所述離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射區(qū)域的截面形狀設(shè)置為扇形或類扇形，使所述鍍膜傘架徑向上的所述鍍膜基片在途經(jīng)所述扇形或類扇形發(fā)射區(qū)域上方時(shí)接受到的荷能粒子的照射時(shí)間相等。

在所述離子源的外圍設(shè)置屏蔽罩，所述屏蔽罩上開設(shè)有扇形或類扇形發(fā)射口，所述扇形或類扇形發(fā)射口位于所述離子源的上方，通過所述扇形或類扇形開口使所述離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射區(qū)域的截面形狀為扇形或類扇形。

將所述扇形或類扇形發(fā)射區(qū)域在所述鍍膜傘架上的等能量線所圍成的扇形或類扇形區(qū)域覆蓋所述鍍膜傘架徑向上的所述鍍膜基片，使所述鍍膜傘架徑向上的所述鍍膜基片的運(yùn)動(dòng)軌跡在該扇形或類扇形區(qū)域內(nèi)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同。

所述扇形或類扇形的發(fā)射區(qū)域的圓心位于所述鍍膜傘架的中垂線上。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：實(shí)現(xiàn)鍍膜傘架徑向上的鍍膜基片接受到的荷能粒子照射強(qiáng)度大致相當(dāng)，從而形成均勻性較好的薄膜致密度；結(jié)構(gòu)簡單、合理，適用性強(qiáng)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的真空鍍膜室的正視圖；

圖2為本發(fā)明中離子源發(fā)射荷能粒子的扇形發(fā)射口的示意圖；

圖3為本發(fā)明中離子源發(fā)射荷能粒子的扇形發(fā)射口在鍍膜傘架上的投影示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明特征及其它相關(guān)特征作進(jìn)一步詳細(xì)說明，以便于同行業(yè)技術(shù)人員的理解：

如圖1-3所示，圖中標(biāo)記1-10、31-33分別表示為：真空鍍膜室1、鍍膜傘架2、鍍膜基片3、中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4、離子源5、蒸發(fā)源6、離子源屏蔽罩7、蒸發(fā)源屏蔽罩8、膜厚補(bǔ)正板9、離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10、內(nèi)圈基片31、中圈基片32、外圈基片33。

實(shí)施例：本實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的鍍膜方法可依附如圖1所示的鍍膜裝置實(shí)現(xiàn)。如圖1所示，鍍膜裝置主體為真空鍍膜室1，真空鍍膜室1的內(nèi)部腔室為鍍膜空間。在真空鍍膜室1的頂部設(shè)置有中心回轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)4，鍍膜傘架2固定安裝在中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4上；在中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4的驅(qū)動(dòng)下，鍍膜傘架2可在真空鍍膜室1的內(nèi)部繞中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4旋轉(zhuǎn)。在鍍膜傘架2上均勻布置有若干鍍膜基片3，按鍍膜傘架2的徑向由內(nèi)至外依次分為內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33。在鍍膜傘架2的下方設(shè)置有用于對(duì)鍍膜基片3進(jìn)行鍍膜的離子源5和蒸發(fā)源6，離子源5和蒸發(fā)源6分別固定設(shè)置在真空鍍膜室1的底部。在蒸發(fā)源6和鍍膜傘架2之間設(shè)置有膜厚修正板9，膜厚修正板9的一端與真空鍍膜室1的腔室內(nèi)壁固定連接，蒸發(fā)源6的出射粒子經(jīng)膜厚修正板9的修正到達(dá)鍍膜傘架2上的鍍膜基片3，以提高鍍膜厚度均一性。

如圖1所示，離子源屏蔽罩7固定設(shè)置在離子源7的外圍，其罩體頂部開設(shè)有扇形的開口。如圖2所示，離子源屏蔽罩7上的扇形開口使離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10的截面形狀為扇形（圖2中ABCD所圍成的扇形區(qū)域）。此時(shí)，如圖3所示，呈扇形的離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10在鍍膜傘架2上的投影，即扇形發(fā)射區(qū)域在鍍膜傘架2上的等能量線所圍成的扇形區(qū)域?yàn)锳’B’C’D’，該扇形區(qū)域覆蓋了內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33。因此，旋轉(zhuǎn)的鍍膜傘架2徑向上的鍍膜基片在等能量線所圍成的扇形區(qū)域上掃略時(shí)，具有相同的角速度，使內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33在該扇形區(qū)域內(nèi)的掃略時(shí)間相等，這樣一來內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33所接受到的荷能粒子照射強(qiáng)度相同，從而形成均一性良好的薄膜致密度。離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10為鍍膜傘架2的中垂線與該開口所在平面的交點(diǎn)，以保證經(jīng)離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10所發(fā)射的荷能粒子可均勻的達(dá)到內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33上。

本實(shí)施例在具體實(shí)施時(shí)：如圖1所示，在蒸發(fā)源6的外圍設(shè)置有蒸發(fā)源屏蔽罩8，蒸發(fā)源屏蔽罩8頂部開設(shè)有開口，可利用對(duì)開口形狀的設(shè)計(jì)調(diào)整蒸發(fā)源6的出射范圍，以提高鍍膜膜厚的均一性。

雖然以上實(shí)施例已經(jīng)參照附圖對(duì)本發(fā)明目的的構(gòu)思和實(shí)施例做了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，在沒有脫離權(quán)利要求限定范圍的前提條件下，仍然可以對(duì)本發(fā)明作出各種改進(jìn)和變換，如離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10的開口大小，離子源屏蔽罩7的具體結(jié)構(gòu)等，故在此不一一贅述。