技術總結
本發明公開了一種用于薄膜混合集成電路的生產型多靶磁控濺射系統，包括機架、真空腔體和真空獲得系統，真空腔體包括預真空室和工藝腔室，預真空室位于工藝腔室的上方且與工藝腔室連通，工藝腔室內分別設有濺射靶組件、加熱組件、掃描小車、射頻清洗臺以及可從工藝腔室上升至預真空室的基片架，基片架上設有可隔斷預真空室和工藝腔室的底板，掃描小車用于承接基片架上的基片盤并帶動基片盤在濺射靶組件、加熱組件、射頻清洗臺之間移動，真空獲得系統用于對預真空室和工藝腔室抽真空。本發明具有成本低、可實現基片自動裝載和連續在線濺射沉膜的優點。

技術研發人員：佘鵬程;彭立波;陳特超;毛朝斌;陳立寧
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第四十八研究所
文檔號碼：201610360059
技術研發日：2016.05.27
技術公布日：2017.02.15