本發明涉及真空鍍膜技術領域，特別是涉及真空鍍膜方法和真空鍍膜治具。

背景技術：

真空鍍膜是一種物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)制備功能薄膜的方法，其基本原理是在真空室內材料的原子在電磁場作用下從靶源離析出來打到被鍍物表面上，其被廣泛應用在各種元器件的表面處理上。

一般來說，元器件的外殼或者表面通常采用兩種材料拼接而成，傳統工藝將兩種材料分開做鍍膜處理后再進行結合，即首先對單一材料分別進行真空鍍膜后，再將鍍膜后的兩種材料相拼接。這樣生產的材料的外觀一致性較差，不同材料間存在色差(指相聯接兩部件之間顏色不一致)或段差(指兩部件聯接時存在的臺階或縫隙現象)。而如果將兩種材料結合后在進行真空鍍膜處理，則容易由于兩者材料對電荷的吸附和傳導作用不相同而導致鍍膜效果不佳。

技術實現要素：

基于此，有必要針對兩種材料拼接的元器件進行真空鍍膜具有外觀一致性較差，存在色差，鍍膜效果不佳的缺陷，提供一種真空鍍膜方法和真空鍍膜治具。

一種真空鍍膜方法，包括：

將由第一材質組成的第一部件和由第二材質組成的第二部件拼接形成成形體，所述成形體具有第一材質部分與第二材質部分，其中，所述第一材質和所述第二材質相異；

將所述成形體固定安裝在治具上，其中，所述治具包括治具底座，所述治具底座開設有容置槽，所述成形體的所述第一材質部分固定于治具底座上，所述成形體的所述第二材質部分至少部分放置于所述容置槽內；

對固定在所述治具上的所述成形體進行真空鍍膜處理。

在一個實施例中，所述成形體的所述第二材質部分與所述治具底座的距離小于或等于0.2mm。

在一個實施例中，所述成形體的所述第一材質部分與所述第二材質部分的連接處與所述治具底座的距離小于或等于0.2mm。

在一個實施例中，所述真空鍍膜處理包括：

將固定在所述治具上的所述成形體放置入真空區域內；

在真空區域內充入反應氣體；

對所述成形體施加電流；

對反應原料施加電流，使得所述反應原料形成帶電粒子轟擊所述成形體表面并在所述成形體表面沉積形成鍍膜層。

在一個實施例中，通過注塑將所述第一部件和所述第二部件拼接形成所述成形體。

在一個實施例中，通過黏膠將所述第一部件和所述第二部件黏接形成所述成形體。

在一個實施例中，所述第二材質為非金屬材質。

在一個實施例中，所述第一材質為金屬材質。

一種真空鍍膜治具，包括：治具底座和治具壓頭；

所述治具底座和所述治具壓頭的材質均為金屬材質；

所述治具壓頭包括壓頭本體和壓頭連接件，所述壓頭本體和所述壓頭連接件固定連接，所述壓頭連接件與所述治具底座活動連接，所述治具底座開設有容置槽。

在一個實施例中，還包括彈簧，所述壓頭連接件通過所述彈簧與所述治具底座連接。

上述真空鍍膜方法和真空鍍膜治具，將兩種材質的部件相拼接，對拼接后的成形體進行整體鍍膜，由于成形體放置在治具上，治具能夠傳導聚集在成形體上的多余電荷，避免電荷在成形體上聚集，避免局部放電對成形體的損壞，從而使得成形體鍍膜效果更佳。

附圖說明

圖1為一個實施例的真空鍍膜方法的流程示意圖；

圖2為另一個實施例的真空鍍膜方法的流程示意圖；

圖3為另一個實施例的真空鍍膜方法的流程示意圖；

圖4為一個實施例的真空鍍膜治具與成形體的局部剖面結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施方式。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發明的公開內容理解的更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本發明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

例如，一種真空鍍膜方法，包括：將由第一材質組成的第一部件和由第二材質組成的第二部件拼接形成成形體，所述成形體具有第一材質部分與第二材質部分，其中，所述第一材質和所述第二材質相異；將所述成形體固定安裝在治具上，其中，所述治具包括治具底座，所述治具底座開設有容置槽，所述成形體的所述第一材質部分固定于治具底座上，所述成形體的所述第二材質部分至少部分放置于所述容置槽內；對固定在所述治具上的所述成形體進行真空鍍膜處理。

如圖1所示，其為一實施例的真空鍍膜方法，包括：

步驟110，將由第一材質組成的第一部件和由第二材質組成的第二部件拼接形成合拼件，其中，所述第一材質和所述第二材質相異。

具體地，第一部件由第一材質組成，第二部件由第二材質組成，第一材質和第二材質為兩種不相同的材質，即第一部件和第二部件的材質不相同。例如，第一材質和第二材質為金屬、塑膠或陶瓷，且所述第一材質和所述第二材質相異。例如，第一材質為金屬，第二材質為塑膠；例如，第一材質為金屬，第二材質為陶瓷；又如，第一材質為陶瓷，第二材質為塑膠。第一材質和第二材質由于其材質相異，因此，兩者的導電性和對電荷的吸附作用也不相同，這個性質使得后續真空鍍膜步驟成為可能。例如，第一材質的導電性大于第二材質的導電性，或者說第一材質的導電性較第二材質的導電性強。

本步驟中，第一部件和第二部件拼接形成合拼件，該合拼件由第一材質和第二材質組成，通過黏膠將所述第一部件和所述第二部件黏接形成所述合拼件，例如，通過膠水將第一部件和第二部件黏合連接，形成合拼件；例如，通過注塑將所述第一部件和所述第二部件拼接形成所述合拼件，例如，第二部件為塑膠，將塑膠熔融，將熔融后的塑膠倒入模具內與第一部件連接，在塑膠冷卻成型后，第二部件與第一部件合拼形成合拼件。具體的拼接方式，還可以包括壓合、熔合或貼合等。

步驟130，將所述合拼件加工成預設形狀的成形體，所述成形體具有第一材質部分與第二材質部分。

本步驟中，將合拼件加工成型，將合拼件加工成設計需要的形狀，例如，通過數控機床對合拼件加工成預設形狀的成形體。具體地，所述成形體加工后仍由第一材質和第二材質組成，即所述成形體具有第一材質部分與第二材質部分，第一材質部分與第二材質部分相拼接。例如，第一材質部分即為第一部件，第二材質部分即為第二部件。

步驟150，將所述成形體固定安裝在治具上，其中，所述治具包括治具底座，所述治具底座開設有容置槽，所述成形體中的第一材質部分固定于治具底座上，所述成形體中第二材質部分至少部分放置于所述容置槽內。

具體地，該治具為導體，例如，該治具的材質為金屬材質，這樣該治具與成形體抵接時，能夠傳導該成形體上的電荷。例如，該治具接地，從而能夠引導電荷。

步驟170，對固定在所述治具上的所述成形體進行真空鍍膜處理。

在本實施例中，將治具和治具上的成形體放置入真空區域內進行真空鍍膜處理，具體地，在真空鍍膜過程中，由于治具能夠很好的傳導成形體上的多余電荷，使得粒子能夠均勻沉積在成形體表面，進而使得鍍膜效果更佳，避免了色差。

具體地，在真空鍍膜處理過程中，對成形體施加電流時，由于不同材料對電荷的吸附和傳導作用是不同的，而成形體是由第一材質和第二材質組成，因此，在成形體的第一材質部分和第二材質部分之間會形成微高壓電場，此高壓電場會導致成形體的材質被破壞，具體地，成形體的第一材質部分和第二材質部分之間產生高壓電場，而高壓電場在成形體的第一材質部分和第二材質部分的連接處由于較大的電場差引起局部放電，從而導致成形體局部溶解，例如，成形體中一材質為玻纖塑膠，該玻纖塑膠容易聚集電荷，且在高壓電場的局部放電作用下被溶解，這樣將造成成形體被損壞，且表面形成污漬，本實施例中，通過治具將成形體上的多余電荷進行引導，消除高壓電場，避免電荷在成形體上聚集，避免局部放電對成形體的損壞，從而使得成形體鍍膜效果更佳。且由于該成形體的第一部件和第二部件先進行拼接，再進行鍍膜的，因此，鍍膜層能夠很好地鍍在成形體表面，這樣，鍍膜后能夠有效避免色差和段差的出現。

在一個實施例中，如圖2所示，步驟170包括：

步驟171，將固定在所述治具上的所述成形體放置入真空區域內。

例如，將固定在治具上的成形體以及治具共同放置入真空區域內，例如，將治具掛在真空區域內的鍍膜用支架上。

步驟173，在真空區域內充入反應氣體。

在本實施例中，該反應氣體用于與反應原料釋放的粒子反應，并沉積在成形體表面形成鍍膜層。例如，在真空區域內充入氬氣，例如，在真空區域內充入氮氣，又如，在真空區域內充入乙炔，例如，充入真空區域內的氣體的流量為30～200sccm。

步驟175，對所述成形體施加電流。

例如，對所述成形體施加高電壓大電流，例如，對所述成形體施加電壓值為10～20KV，電流值為2～10A的電流，本步驟中對成形體施加的電流用于引導成形體上電荷的傳導方向，例如，對成形體施加的電流用于引導成形體上電荷的向治具方向傳導。

步驟177，對反應原料施加電流，使得所述反應原料形成帶電粒子轟擊所述成形體表面并在所述成形體表面沉積形成鍍膜層。

具體地，該反應原料又稱靶材或靶原，用于在加電后轟出粒子，例如，向反應原料施加功率為10～30KW的電流。這樣，所述反應原料形成帶電粒子與真空區域內的氣體反應，并轟擊至所述成形體表面，在所述成形體表面沉積形成鍍膜層，從而實現對成形體表面的鍍膜。

為了更好地引導電荷，使得鍍膜效果更佳，在一個實施例中，所述成形體中第二材質部分與所述治具底座的距離小于或等于0.2mm，例如，所述成形體中第二材質部分與所述治具底座的距離大于0mm。具體地，如圖2所示，該成形體中的第二材質部分放置于治具底座的容置槽內，該容置槽具有外側壁，例如，該容置槽具有內側壁和外側壁，該外側壁為遠離所述治具中部的側壁，該外側壁與治具底座為一體結構，即該外側壁為治具底座的一部分，例如，所述成形體中第二材質部分與所述容置槽的外側壁的距離小于或等于0.2mm。具體地，由于成形體中第二材質部分與容置槽的外側壁的距離小于或等于0.2mm，兩者之間的距離很小，因此，治具底座能夠吸附并傳導成形體中第二材質部分上的電荷，避免電荷在成形體中第二材質部分上聚集。

值得一提的是，成形體中第二材質部分與容置槽的外側壁的距離大于零，即兩者之間必須存在間隙，如果兩者的間距等于零則意味著成形體中第二材質部分與容置槽的外側壁相抵接，這樣容易導致成形體中第二材質部分被刮花，或導致反應原料的粒子無法在成形體中第二材質部分沉積，此外，成形體中第二材質部分與容置槽的外側壁的距離不宜過大，兩者之間的距離過大，則導致治具底座對成形體中第二材質部分上的電荷吸附力降低，無法很好地傳導電荷。因此，本實施例中，所述成形體中第二材質部分與所述治具底座的距離小于或等于0.2mm并大于0mm，能夠更好地傳導成形體上的電荷，并使得鍍膜效果更佳。

為了避免成形體上電荷聚集，造成局部放電而損壞成形體，在一個實施例中，所述成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與所述治具底座的距離小于或等于0.2mm。例如，所述成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與所述治具底座朝向治具壓頭的一面的距離小于或等于0.2mm。

具體地，由于成形體是由第一部件和第二部件拼接而成，這樣，第一部件和第二部件之間相互連接，第一部件和第二部件的連接處即為成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處，該連接處為兩種相異的材質的連接處，容易由于兩種材料導電性不同而形成電場差，為了更好地引導該連接處的電荷，避免電荷聚集，本實施例中，通過治具底座將該連接處聚集的電荷引導。例如，成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與所述容置槽的外側壁的距離小于或等于0.2mm，例如，成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與所述容置槽的外側壁的距離大于0mm。由于成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與所述容置槽的外側壁的距離很小，因此，治具底座能夠吸附并傳導成形體中第一材質部分向第二材質部分聚集的電荷，避免電荷在連接處上的聚集，從而有效避免局部放電而損壞成形體。

值得一提的是，成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與容置槽的外側壁的距離大于零，即兩者之間必須存在間隙，如果兩者的間距等于零則意味著成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與容置槽的外側壁相抵接，這樣容易導致成形體被刮花，或導致反應原料的粒子無法在成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處沉積，此外，成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與容置槽的外側壁的距離不宜過大，兩者之間的距離過大，則導致治具底座對該連接處上的電荷吸附力降低，無法很好地傳導電荷。因此，本實施例中，成形體中第一材質部分與第二材質部分的連接處與所述治具底座的距離小于或等于0.2mm并大于0mm，能夠更好地傳導成形體中第一材質部分向第二材質部分聚集的電荷，從而有效避免局部放電而損壞成形體。

為了更好地引導成形體第二材質部分上的聚集的電荷，在一個實施例中，所述第二材質為非金屬材質，所述第一材質為金屬材質。在本實施例中，由于第一材質部分為金屬材質，其導電性較強，第一材質部分的電荷易于向第二材質部分聚集，而第二材質部分位于容置槽內，這樣，使得治具底座能夠快速地將第二材質部分上的電荷吸收并引導，避免成形體的局部放電。

而另一個實施例中，第一材質為非金屬材質，第二材質為與第一材質相異的非金屬材質，且第一材質的導電性大于第二材質的導電性，雖然第一材質和第二材質均為非金屬材質，但由于第一材質的導電性大于第二材質的的導電性，能夠使得第一材質部分上的電話向第二材質部分聚集，且能夠使得治具底座能夠快速地將第二材質部分上的電荷吸收并引導，避免成形體的局部放電。

為了使得成形體表面鍍膜效果更佳，在一個實施例中，如圖3所示，步驟130之后還包括：

步驟142，對所述成形體進行打磨。

將第一部件和第二部件相互拼接并加工而成的成形體進行打磨，能夠使得成形體表面更為平滑，能夠有效將成形體上第一材質和第二材質的拼接處或連接處的凸起或凹陷打磨至平滑或平整，進而在后續鍍膜過程中，鍍膜層更為平整，使得鍍膜效果更佳。

為了進一步使得成形體表面鍍膜效果更佳，在一個實施例中，如圖3所示，步驟142之后還包括：

步驟144，對所述成形體進行清洗并烘干。

在對成形體打磨后，將在成形體表面形成碎屑，為了消除碎屑，本步驟中，對成形體進行清洗，以消除成形體表面的碎屑和雜物，使得成形體表面更為平整，隨后對成形體進行烘干，消除成形體表面清洗后殘留的水分，隨后進行鍍膜，進而使得鍍膜效果更佳。例如，所述烘干為采用20至50攝氏度的氮氣吹干；進一步的，為了節能，例如，采用20至30攝氏度的氮氣環繞吹干，這樣，對于后續的鍍膜步驟具有較好的前置作用，能夠提升鍍膜效果。

如圖4所示，其為一實施例的一種真空鍍膜治具100與成形體200的截面結構圖，該真空鍍膜治具100包括：治具底座110和治具壓頭120；所述治具底座110和所述治具壓頭120的材質均為金屬材質；這樣，有利于促使PVD空間剩余電荷快速傳導至地面，從而盡量少的在含玻纖塑膠表面聚集。所述治具壓頭120包括壓頭本體121和壓頭連接件122，所述壓頭本體121和所述壓頭連接件122固定連接，所述壓頭連接件122與所述治具底座110活動連接，所述治具底座110開設有容置槽111。

例如，所述真空鍍膜治具100還包括彈簧130，所述壓頭連接件122通過所述彈簧130與所述治具底座110連接。例如，該真空鍍膜治具100接地。

在本實施例中，該治具底座110具有圓形截面，其圓形表面開設有環形的容置槽111，具體地，該治具底座110朝向壓頭本體121的一面開設有環形的容置槽111。該治具壓頭120用于壓緊所述成形體200，以使成形體200固定在治具底座110上，例如，治具壓頭120的壓頭連接件122穿設于治具底座110的中部，且通過彈簧130與治具底座110連接，壓頭本體121在彈簧130的彈性作用下抵接于治具底座110的圓形表面，這樣，當成形體200放置在治具底座110上時，壓頭本體121壓在成形體200上，使得成形體200能夠固定在治具底座110上。

具體地，本實施例中，成形體200具有環狀結構，成形體200包括固定連接的第一部件210和第二部件220，例如，第一部件210具有環狀結構，例如，第二部件220具有環狀結構，且該第二部件220的環形結構與容置槽111的環形結構匹配，例如，第一部件210和第二部件220同心設置且相互拼接。成形體200的由第一材質組成的第一部件210抵接于治具底座110，由第二材質組成的第二部件220容置于所述容置槽111內，該第一部件210的材質為不銹鋼，第二部件220的材質為玻纖塑膠。成形體200放置在治具底座110上時，壓頭本體121抵接于環形的第一部件210的內側，并在彈簧130彈力作用下將第一部件210壓緊在治具底座110上，而第二部件220則部分容置在容置槽111內，部分外露于容置槽111。

由于第一部件210和第二部件220的材質不相同，這樣，在真空鍍膜過程中，施加電流時，第一部件210和第二部件220之間將形成高壓電場，且由于第一部件210為不銹鋼，其導電性比玻纖塑膠的第二部件220的導電性強，因此，電荷容易從第一部件210上傳導至第二部件220，則第二部件220容易聚集電荷，第一部件210和第二部件220之間的高壓電場造成兩者之間具有較大的電場差，這樣將造成第二部件220局部放電引起第二部件220的損壞。而本實施例中的真空鍍膜治具100采用金屬材質制成，具有很好的導電性，能夠很好地傳導成形體200的電荷，避免電荷在成形體200局部聚集而引起局部放電，有效保護了成形體200，使得鍍膜效果更佳。

為了更好的傳導電荷，例如，該容置槽111具有側壁，該容置槽111的側壁與第二部件220的距離a小于或等于0.2mm并大于0mm，例如，該容置槽111遠離治具底座110中部的外側壁112與第二部件220的距離a小于或等于0.2mm并大于0mm，這樣，由于治具底座110與第二部件220的距離很小，能夠很好地引導成形體200的第二部件220上的電荷，有效保護第二部件220，避免第二部件220的損壞，使得鍍膜效果更佳。

例如，第一部件210和第二部件220的連接處與該容置槽111的側壁的距離b小于或等于0.2mm并大于0mm，例如，第一部件210和第二部件220的連接處與治具底座110的圓形表面的距離b小于或等于0.2mm并大于0mm，例如，該圓形表面為所述治具底座110朝向所述壓頭本體121的一面。

例如，第一部件210和第二部件220的連接處與該容置槽111遠離治具底座110中部的外側壁112的距離b小于或等于0.2mm并大于0mm，這樣，治具底座110能夠將第一部件210傳導至第二部件220的電荷吸附并傳導，進一步有效避免電荷在第二部件220上的聚集，進一步避免第二部件220的損壞。

在本實施例中，成形體200的第二部件220部分外露于容置槽111內，即第一部件210和第二部件220的連接處位于容置槽111之外，例如，成形體200中第二部件220與容置槽111的外側壁112的距離為沿著平行于治具底座110的圓形表面的直線距離，例如，成形體200中第一部件210和第二部件220的連接處與容置槽111的外側壁112的距離為沿著垂直于治具底座110的圓形表面的直線距離，例如，該圓形表面為所述治具底座110朝向所述壓頭本體121的一面，即如圖4所示，直線距離a與直線距離b相互垂直，這樣，能夠使得外露于容置槽111的第一部件210和第二部件220的連接處與治具底座110的距離更小，有利于治具底座110對第一部件210傳導至第二部件220的電荷的吸附。

又如，一種真空鍍膜裝置，其包括上述任一實施例所述真空鍍膜治具，拼接結構以及加工結構，其中，所述拼接結構用于將由第一材質組成的第一部件和由第二材質組成的第二部件拼接形成合拼件，其中，所述第一材質和所述第二材質相異；所述加工結構用于將所述合拼件加工成預設形狀的成形體，所述成形體具有第一材質部分與第二材質部分；所述真空鍍膜治具用于固定放置所述成形體，對固定在所述治具上的成形體進行真空鍍膜處理，其中，所述治具包括治具底座，所述治具底座開設有容置槽，所述成形體的所述第一材質部分固定于治具底座上，所述成形體的所述第二材質部分至少部分放置于所述容置槽內。又如，所述真空鍍膜裝置采用上述任一實施例所述真空鍍膜方法實現；例如，所述真空鍍膜治具采用上述任一實施例所述真空鍍膜方法所涉及的治具裝置。

以下是真空鍍膜方法的一個具體實施例子：

本實施例采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)法同時對已聯接在一起的兩種相異的材料(以下稱異種材料)進行鍍膜裝飾，例如，在異種材料表面鍍上一層TiCxNy薄膜。

PVD沉積薄膜的一般步驟如下：

①將異種材料聯接在一起，該異種材料包括不銹鋼和玻纖塑膠。

例如，通過模內注塑法將異種材料聯接在一起，例如，通過膠水將異種材料聯接在一起。

②采用機加工將聯接好的異種材料按照設計要求進行加工成型成產品。

例如，采用CNC(數控機床)將異種材料按照設計要求進行加工成型。

③基于設計要求對產品進行處理。

例如，對產品拋光打磨、清洗等。

④將清洗烘干后的產品安裝到遮蔽治具上，然后掛到鍍膜用支架上。

⑤對產品施加一定的高電壓大電流，充入氬氣等，對產品表面進行粒子轟擊處理。

例如，對產品施加電壓值為10-20KV，電流值為2-10A的電流，充入的氬氣流量為30-200sccm。

⑥給靶材施加大功率和充入適量的氬氣或氮氣、乙炔等反應氣體，沉積薄膜到產品表面。

例如，對靶材施加功率為10-30KW的電流。例如，該靶材為鈦。

在粒子轟擊處理和薄膜沉積時，因不同材料對電荷的吸附和傳導是不同的，從而在異種材料間會形成微高壓電場，此高壓電場同時促使材料的解析。

例如，采用不銹鋼和含玻纖塑膠制造產品時，因不銹鋼的導電性比塑膠的高得多，同時，塑膠在PVD環境中更容易聚集剩余電荷，故對聯接在一起的不銹鋼和含玻纖塑膠采用PVD沉積裝飾功能薄膜時，就會在不銹鋼/塑膠結合處產生大的電場差引起局部放電，導致尼龍熔解，引起臟污等。因此，如圖4所示，本實施例的遮蔽治具通過以下手段解決該問題：

①促使PVD空間剩余電荷盡量少的在含玻纖塑膠表面聚集和快速傳導至地面，故需使用金屬制作遮蔽治具100的治具底座110和治具壓頭120；

②為達到消除或減弱異種材料間的微電壓，還需要確保治具支座110與含玻纖塑膠之間的間距a具有適合的數值，例如，0<a≦0.2mm，治具支座110頂部與不銹鋼/塑膠結合處的間距b具有適合的數值，例如，0≦b≦0.2mm；

③通過治具壓頭120將待PVD處理的產品安裝到治具支座上，利用彈簧130將治具底座110和治具壓頭120綁定在一起。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。