1.一種基底處理系統(tǒng)，所述基底處理系統(tǒng)包括：
工藝室，在工藝室中執(zhí)行對基底的工藝；
支撐單元，位于工藝室中并且被構(gòu)造為支撐基底；
氣體供應(yīng)單元，包括具有氣體供應(yīng)孔的氣體供應(yīng)部，氣體供應(yīng)孔被構(gòu)造為將工藝氣體供應(yīng)到基底上；以及
排放單元，被構(gòu)造為將工藝氣體從工藝室排出，
其中，氣體供應(yīng)部包括設(shè)置有所述氣體供應(yīng)孔的氣體供應(yīng)區(qū)域和位于氣體供應(yīng)區(qū)域與排放單元之間的氣體擴散區(qū)域，
氣體擴散區(qū)域沒有氣體供應(yīng)孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述氣體供應(yīng)部與由支撐單元支撐的基底疊置并且使氣體供應(yīng)區(qū)域與基底的一部分疊置且使氣體擴散區(qū)域與基底的另一部分疊置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體擴散區(qū)域具有面對基底的平坦表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體擴散區(qū)域是第一氣體擴散區(qū)域，其中，氣體供應(yīng)區(qū)域包括多個氣體供應(yīng)區(qū)域，并且氣體擴散區(qū)域還包括位于所述多個氣體供應(yīng)區(qū)域之間的第二氣體擴散區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，排放單元包括設(shè)置在氣體供應(yīng)單元的外側(cè)的第一排放部和設(shè)置在氣體供應(yīng)單元中的第二排放部，其中，所述第二排放部包括形成在氣體供應(yīng)單元的表面上的凹進區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)單元包括：
第一氣體供應(yīng)部，被構(gòu)造為供應(yīng)第一氣體；以及
第二氣體供應(yīng)部，被構(gòu)造為供應(yīng)第二氣體，
其中，所述凹進區(qū)域位于第一氣體供應(yīng)部與第二氣體供應(yīng)部之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述凹進區(qū)域被構(gòu)造為當氣體供應(yīng)單元將工藝氣體供應(yīng)到基底上時具有比在氣體供應(yīng)區(qū)域和氣體擴散區(qū)域處的壓力低的壓力。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)部具有弧形形狀并且從氣體供應(yīng)單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應(yīng)單元的外部部分，
氣體供應(yīng)區(qū)域的徑向長度大于或等于氣體擴散區(qū)域的徑向長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述氣體供應(yīng)部具有弧形形狀并且從氣體供應(yīng)單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應(yīng)單元的外部部分，
氣體供應(yīng)區(qū)域的徑向長度小于氣體擴散區(qū)域的徑向長度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)部具有弧形形狀并且從氣體供應(yīng)單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應(yīng)單元的外部部分，
氣體供應(yīng)區(qū)域的弧長大于或等于氣體擴散區(qū)域的弧長。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述氣體供應(yīng)部具有弧形形狀并且從氣體供應(yīng)單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應(yīng)單元的外部部分，
氣體供應(yīng)區(qū)域的弧長小于氣體擴散區(qū)域的弧長。
12.一種基底處理系統(tǒng)，所述基底處理系統(tǒng)包括：
工藝室，限定內(nèi)部空間；
支撐單元，位于工藝室的內(nèi)部空間中并且支撐基底；
氣體供應(yīng)單元，處于工藝室的頂部，包括氣體供應(yīng)部，所述氣體供應(yīng)部包括被構(gòu)造為將工藝氣體供應(yīng)到基底上的氣體供應(yīng)孔；以及
排放單元，被構(gòu)造為將工藝氣體從工藝室排出，
其中，所述氣體供應(yīng)部包括氣體供應(yīng)區(qū)域和氣體擴散區(qū)域，其中，氣體供應(yīng)區(qū)域包括所述氣體供應(yīng)孔延伸穿過的底表面，氣體擴散區(qū)域包括平坦的、實心的底表面，
其中，支撐單元被構(gòu)造為使得基底能夠定位在氣體供應(yīng)部下方并且使氣體供應(yīng)區(qū)域在基底的第一部分之上且使氣體擴散區(qū)域在基底的不同的第二部分之上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基底處理系統(tǒng)，其中，
排放單元包括氣體供應(yīng)單元的在氣體供應(yīng)單元的外部部分周圍延伸的凹進區(qū)域，
氣體供應(yīng)部從氣體供應(yīng)單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應(yīng)單元的外部部分，
氣體供應(yīng)區(qū)域與氣體供應(yīng)單元的中心部分相鄰，
氣體擴散區(qū)域位于氣體供應(yīng)區(qū)域與在氣體供應(yīng)單元的外部部分周圍延伸的凹進區(qū)域之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述氣體供應(yīng)部是第一氣體供應(yīng)部，所述氣體供應(yīng)單元還包括與所述第一氣體供應(yīng)部隔開的第二氣體供應(yīng)部、與所述第二氣體供應(yīng)部隔開的第三氣體供應(yīng)部以及與所述第三氣體供應(yīng)部隔開的第四氣體供應(yīng)部，其中，凹進區(qū)域在第一氣體供應(yīng)部至第四氣體供應(yīng)部中的交替的氣體供應(yīng)部之間延伸。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)區(qū)域是第一氣體供應(yīng)區(qū)域，氣體擴散區(qū)域是第一氣體擴散區(qū)域，氣體供應(yīng)部還包括與所述第一氣體供應(yīng)區(qū)域隔開的第二氣體供應(yīng)區(qū)域以及在第一氣體供應(yīng)區(qū)域與第二氣體供應(yīng)區(qū)域之間延伸的第二氣體擴散區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述氣體供應(yīng)單元被構(gòu)造為使得從氣體供應(yīng)孔供應(yīng)的工藝氣體擴散到氣體擴散區(qū)域與基底之間的空間。
17.一種基底處理系統(tǒng)，所述基底處理系統(tǒng)包括：
工藝室，在工藝室中執(zhí)行對基底的工藝；
支撐單元，位于工藝室的內(nèi)部空間中并且被構(gòu)造為支撐基底；
氣體供應(yīng)單元，包括被構(gòu)造為將工藝氣體供應(yīng)到基底上的氣體供應(yīng)部；以及
排放單元，被構(gòu)造為將工藝氣體從工藝室排出，
其中，氣體供應(yīng)部包括：氣體供應(yīng)區(qū)域，包括分隔開的第一氣體供應(yīng)區(qū)域和第二氣體供應(yīng)區(qū)域，所述氣體供應(yīng)區(qū)域被構(gòu)造為將工藝氣體供應(yīng)到基底上；氣體擴散區(qū)域，提供使工藝氣體在基底上擴散的空間，
其中，所述氣體擴散區(qū)域包括：第一氣體擴散區(qū)域，設(shè)置在氣體供應(yīng)區(qū)域與排放單元之間；第二氣體擴散區(qū)域，設(shè)置在第一氣體供應(yīng)區(qū)域與第二氣體供應(yīng)區(qū)域之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)區(qū)域包括用于供應(yīng)工藝氣體的氣體供應(yīng)孔，其中，氣體擴散區(qū)域具有沒有面對基底的氣體供應(yīng)孔的平坦表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底處理系統(tǒng)，其中，所述氣體供應(yīng)部被定位成與由支撐單元支撐的基底疊置并且使氣體供應(yīng)區(qū)域與基底的一部分疊置且使氣體擴散區(qū)域與基底的另一部分疊置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基底處理系統(tǒng)，其中，排放單元包括設(shè)置在氣體供應(yīng)單元外側(cè)的第一排放部和設(shè)置在氣體供應(yīng)單元中的第二排放部，其中，第二排放部被設(shè)置為第二排放區(qū)域，其中，氣體供應(yīng)單元還包括用作第二排放區(qū)域的凹進區(qū)域，其中，氣體供應(yīng)單元在氣體供應(yīng)區(qū)域和氣體擴散區(qū)域處比在凹進區(qū)域處厚。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)單元包括：
第一氣體供應(yīng)部，被構(gòu)造為供應(yīng)第一氣體；以及
第二氣體供應(yīng)部，被構(gòu)造為供應(yīng)第二氣體，
其中，所述凹進區(qū)域設(shè)置在第一氣體供應(yīng)部與第二氣體供應(yīng)部之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底處理系統(tǒng)，其中，氣體供應(yīng)區(qū)域具有大于或等于氣體擴散區(qū)域的長度的長度。
23.一種氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元包括：氣體供應(yīng)部，被構(gòu)造為將氣體供應(yīng)到目標物體，
其中，氣體供應(yīng)部包括：
第一區(qū)域，被構(gòu)造為使氣體具有第一壓力；
第二區(qū)域，被構(gòu)造為使氣體具有比第一壓力低的第二壓力；以及
第三區(qū)域，位于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間，
其中，第一區(qū)域具有用于將氣體供應(yīng)到目標物體的氣體供應(yīng)孔，
第三區(qū)域具有面對目標物體的平坦表面。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的氣體供應(yīng)單元，其中，第二區(qū)域是具有比第一區(qū)域的表面低的表面的凹進區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的氣體供應(yīng)單元，其中，所述氣體供應(yīng)部包括多個所述第一區(qū)域，
第三區(qū)域包括置于所述多個所述第一區(qū)域之間的部分。