技術總結
本發明屬于磁性氧化物薄膜生長技術領域，具體涉及一種基于石英襯底的摻雜釔鐵石榴石薄膜脈沖激光沉積方法。本發明通過控制靶材與基底間距離4?8cm、基底溫度550℃?750℃、氧壓5?10Pa、激光頻率2?10Hz、沉積后薄膜退火溫度700?850℃及保溫時間10?30min等參數，可以制備出高品質的磁光薄膜。在1550nm的光通信波段，在SiO2基片上沉積的CeYIG薄膜法拉第旋轉角可以達到1deg/μm，滿足高性能光隔離器對材料高磁光性能的要求，對推動集成薄膜型光學器件的發展具有重要意義。

技術研發人員：沈濤;代海龍
受保護的技術使用者：哈爾濱理工大學
文檔號碼：201611014033
技術研發日：2016.11.18
技術公布日：2017.03.15