1.芯片散熱用鎵液態金屬合金，其特征在于，是采用下述工藝制成的金屬合金，
步驟一，對原料進行配比稱重，原料按以下質量比稱重：鎵25％～60％、銦10％～30％、鉍10％～30％、硼15％～35％、銫5％～40％、鉬5％～25％；
步驟二，合金熔煉：將鍋爐升溫至300°，在坩堝中依次放入銦、鉍、硼和銫，將坩堝放入鍋爐中加熱，熔化后將表層氧化物除去并攪拌；
步驟三，將鍋爐的溫度調整為250°，然后在坩堝中加入鉬，靜置10min-30min，熔化后將表層氧化物除去并攪拌；
步驟四，將鍋爐的溫度調整為150°，然后在坩堝中加入鎵，熔化后將表層氧化物除去并攪拌；
步驟五，取出坩堝，將坩堝內的物質澆鑄到烘干過的模具內，自然冷卻至室溫，得到合金成品。
2.根據權利要求1所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金，其特征在于：原料按以下質量比稱重：鎵35％、銦20％、鉍20％、硼15％、銫5％、鉬5％。
3.根據權利要求1所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金，其特征在于：所述鎵、銦、鉍的比值為45-50:26-27:26-27。
4.根據權利要求1所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金，其特征在于：所述芯片散熱用鎵液態金屬合金的熔點在30°-50°。
5.芯片散熱用鎵液態金屬合金的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一，對原料進行配比稱重；
步驟二，合金熔煉：將鍋爐升溫至300°，在坩堝中依次放入銦、鉍、硼和銫，將坩堝放入鍋爐中加熱，熔化后將表層氧化物除去并攪拌；
步驟三，將鍋爐的溫度調整為250°，然后在坩堝中加入鉬，靜置10min-30min，熔化后將表層氧化物除去并攪拌；
步驟四，將鍋爐的溫度調整為150°，然后在坩堝中加入鎵，熔化后將表層氧化物除去并攪拌；
步驟五，取出坩堝，將坩堝內的物質澆鑄到烘干過的模具內，自然冷卻至室溫，得到合金成品。
6.根據權利要求5所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金的制造方法，其特征在于：所述步驟五中，模具的外壁固定有一超聲波發生器，所述超聲波發生器的聲波發生方向朝向所述模具的內壁。
7.根據權利要求5所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金的制造方法，其特征在于：所述坩堝包括一容納物料的加熱部和一手持部，所述加熱部與所述手持部焊接連接，所述加熱部呈開口向上的圓筒狀，所述手持部與所述加熱部之間設有一擋板，所述擋板是由隔熱材料制成的擋板。
8.根據權利要求7所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金的制造方法，其特征在于：所述加熱部的底部設有至少三個凸起，所述至少三個凸起呈三角形排布在所述加熱部的底部。
9.根據權利要求5所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金的制造方法，其特征在于：所述模具的下端部設有用于對模具冷卻的冷水腔，所述模具的外壁設有一進水口和一出水口，所述進水口、所述出水口與所述冷水腔導通。
10.根據權利要求9所述的芯片散熱用鎵液態金屬合金的制造方法，其特征在于：所述冷水腔內設有一溫度傳感器，所述溫度傳感器連接一微型處理器系統，所述進水口上設有第一電磁閥，所述出水口上設有第二電磁閥。