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芯片散熱用鎵液態(tài)金屬合金及其制造方法與流程

文檔序號(hào):11061858閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及液態(tài)金屬合金。芯片散熱用鎵液態(tài)金屬合金,是采用下述工藝制成的金屬合金,步驟一,對(duì)原料進(jìn)行配比稱重,原料按以下質(zhì)量比稱重:鎵25%~60%、銦10%~30%、鉍10%~30%、硼15%~35%、銫5%~40%、鉬5%~25%;步驟二,合金熔煉:將鍋爐升溫至300°,在坩堝中依次放入銦、鉍、硼和銫,將坩堝放入鍋爐中加熱;步驟三,將鍋爐的溫度調(diào)整為250°,然后在坩堝中加入鉬,靜置10min?30min,熔化后將表層氧化物除去并攪拌;步驟四,將鍋爐的溫度調(diào)整為150°,然后在坩堝中加入鎵;步驟五,自然冷卻至室溫,得到合金成品。本發(fā)明優(yōu)化了傳統(tǒng)的配方能夠降低熔點(diǎn)的同時(shí)提高散熱效果。

技術(shù)研發(fā)人員:李延民;程亞東
受保護(hù)的技術(shù)使用者:上海阿萊德實(shí)業(yè)股份有限公司
文檔號(hào)碼:201611102378
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.05
技術(shù)公布日:2017.05.03

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